JPS6293950A - ウエハの製造方法 - Google Patents
ウエハの製造方法Info
- Publication number
- JPS6293950A JPS6293950A JP23321985A JP23321985A JPS6293950A JP S6293950 A JPS6293950 A JP S6293950A JP 23321985 A JP23321985 A JP 23321985A JP 23321985 A JP23321985 A JP 23321985A JP S6293950 A JPS6293950 A JP S6293950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- annealing
- oxide film
- ingot
- oxidizing atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はウェハの製造技術、特に、ウェハ表面の熱処理
に適用して効果のある技術に関する。
に適用して効果のある技術に関する。
シリコンなどの半導体材料の単結晶を引き上げてスライ
スすることにより形成されたウェハはその後で様々な処
理を受けることにより製品化される。特に、大規模集積
回路（ＬＳＩ）の高集積化の進展に伴って、鏡面ウェハ
の表面に（１着する異物やイオンなどがウェハ上に形成
されるデバイスの特性を左右するので、ウェハの表面の
クリーン化をどのようにして効率的に行うかが＋ｌｊ
９な課題となって来ている。
スすることにより形成されたウェハはその後で様々な処
理を受けることにより製品化される。特に、大規模集積
回路（ＬＳＩ）の高集積化の進展に伴って、鏡面ウェハ
の表面に（１着する異物やイオンなどがウェハ上に形成
されるデバイスの特性を左右するので、ウェハの表面の
クリーン化をどのようにして効率的に行うかが＋ｌｊ
９な課題となって来ている。
ところで、一般に考えろれる結晶製造プロセスにおける
ウェハのクリーン化のためのプロセスでの最終工程は細
金属イオンによる有機物の除去工程であるが、これによ
って得られる洗浄膜は多孔質であり、特性的に極めて不
安定であることか本発明打によって見い出された。
ウェハのクリーン化のためのプロセスでの最終工程は細
金属イオンによる有機物の除去工程であるが、これによ
って得られる洗浄膜は多孔質であり、特性的に極めて不
安定であることか本発明打によって見い出された。
また、通常のプロセスでは、ウェハの酸素ドナー消去の
ためのアニール処理を窒素（Ｎ２）雰囲気の下で筆結晶
引き上げの後、あるいはスライスの直後に行うことが考
えられるが、この■稈で形成される膜はその後のラッピ
ングやエツチング、鏡面研摩などの処理過程で消失して
しまい、ｆＩＮ物除去工程では何ら異物付着防止効果を
発揮することができないことも本発明者によって見い出
されなお、ウェハのアニール処理については、株式会社
工業調査会、昭和５７年１１月１５日発行、「電子材料
Ｊ１９Ｂ２年別冊、Ｐ１０２〜ＰＩＯ８に記載されてい
る。
ためのアニール処理を窒素（Ｎ２）雰囲気の下で筆結晶
引き上げの後、あるいはスライスの直後に行うことが考
えられるが、この■稈で形成される膜はその後のラッピ
ングやエツチング、鏡面研摩などの処理過程で消失して
しまい、ｆＩＮ物除去工程では何ら異物付着防止効果を
発揮することができないことも本発明者によって見い出
されなお、ウェハのアニール処理については、株式会社
工業調査会、昭和５７年１１月１５日発行、「電子材料
Ｊ１９Ｂ２年別冊、Ｐ１０２〜ＰＩＯ８に記載されてい
る。
本発明の目的は、ウェハの表面への異物および付着イオ
ンを低減し、特性の低下を防止することのできる技術を
提供することにある。
ンを低減し、特性の低下を防止することのできる技術を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を節単に説明すれば、次の通りである。
を節単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ウェハに鏡面研摩を施した後、酸素トナーの
消去のためのアニール処理を酸化雰囲気中で行うことに
より、ウェハ表面に薄い酸化膜を形成できるので、この
酸化膜によってウェハ表面を安定に保護することができ
、ウェハ表面への異物およびイすンの付着を防止し、１
．１性のイＩ（下を防止することができるものである。
消去のためのアニール処理を酸化雰囲気中で行うことに
より、ウェハ表面に薄い酸化膜を形成できるので、この
酸化膜によってウェハ表面を安定に保護することができ
、ウェハ表面への異物およびイすンの付着を防止し、１
．１性のイＩ（下を防止することができるものである。
第１図二本本発明の一実施例であるウェハの製造方法を
工程順に示す説明図である。
工程順に示す説明図である。
この実施例において、ウニ１１製造の最初の工程として
半導体十イ料、たとえばシリコン（Ｓｉ）の醪結晶引き
Ｊ−げを行う。引きトげられた単結晶のインゴットはオ
リエンテーションフラットを形成づるための軸線方向の
切除を経て薄板状にスラ・イスされた後、面取り加工さ
れる。
半導体十イ料、たとえばシリコン（Ｓｉ）の醪結晶引き
Ｊ−げを行う。引きトげられた単結晶のインゴットはオ
リエンテーションフラットを形成づるための軸線方向の
切除を経て薄板状にスラ・イスされた後、面取り加工さ
れる。
その後、ウェハはラッピング、さらにはエツチング処理
を受ける。
を受ける。
次いで、ウェハは鏡面研（ｇを受け、鏡面ウェハ上して
形成された後、水洗および乾燥を経て細金属イオンによ
る有機物の除去のための洗浄処理を施される。
形成された後、水洗および乾燥を経て細金属イオンによ
る有機物の除去のための洗浄処理を施される。
この洗浄の後、ウェハばさらに水洗および乾燥を受け、
その後フッ酸（１１Ｆ ）に浸漬され、次いで水洗およ
び乾燥を経てアニール処理を施される。
その後フッ酸（１１Ｆ ）に浸漬され、次いで水洗およ
び乾燥を経てアニール処理を施される。
このように、アニール処理に先立って７７ Ｍ ’ｔ３
漬処哩を施すことにより、有機物除去用の洗浄工程で
形成され、細金属イオン等を含んだ膜を除去し、またナ
チェラルオキサイドであるＳ ｉ Ｏｚ膜の形成を防止
し、アニール工程において熱酸化膜のみを形成すること
ができるようにするためである。
漬処哩を施すことにより、有機物除去用の洗浄工程で
形成され、細金属イオン等を含んだ膜を除去し、またナ
チェラルオキサイドであるＳ ｉ Ｏｚ膜の形成を防止
し、アニール工程において熱酸化膜のみを形成すること
ができるようにするためである。
アニール処理はウェハの酸素ドナー消去のために行われ
るものであるが、本実施例のアニール処理は酸化雰囲気
の下で行われるので、前記フッ酸浸漬と相まって、ウェ
ハの表面には清浄な酸化膜のみが薄く所定厚で形成され
る。その結果、ウェハの表面は安定した熱酸化膜で保護
され、掻めて高いクリーン度を保つことが可能となる。
るものであるが、本実施例のアニール処理は酸化雰囲気
の下で行われるので、前記フッ酸浸漬と相まって、ウェ
ハの表面には清浄な酸化膜のみが薄く所定厚で形成され
る。その結果、ウェハの表面は安定した熱酸化膜で保護
され、掻めて高いクリーン度を保つことが可能となる。
同時に、ＨＦ浸漬によって細金属イオンを含んだ有害な
膜が除去されているので、結晶内部への拡散によるライ
フタイムの劣化が防止できる。したがって、本発明汗が
実験したところζこよれば、この熱酸化膜で保護された
つ１ハは走査光子’＋：ｎ ｍ鏡で得られる光電圧が高
値で安定化し、う・イフタイムを安定化できることが確
認された。
膜が除去されているので、結晶内部への拡散によるライ
フタイムの劣化が防止できる。したがって、本発明汗が
実験したところζこよれば、この熱酸化膜で保護された
つ１ハは走査光子’＋：ｎ ｍ鏡で得られる光電圧が高
値で安定化し、う・イフタイムを安定化できることが確
認された。
７二−ル後のウェハばさらに有機物除去用の洗浄処理、
水洗および乾燥などの所要の処理を受ける。これらの処
理において、本実施例のウェハの表面には熱酸化膜が形
成されているので、付着イオンなどの表面異物の除去が
確実に行われ、極めて？？？／７Ｉなウェハが得られる
。
水洗および乾燥などの所要の処理を受ける。これらの処
理において、本実施例のウェハの表面には熱酸化膜が形
成されているので、付着イオンなどの表面異物の除去が
確実に行われ、極めて？？？／７Ｉなウェハが得られる
。
（１）、ウェハに鏡面研摩を施した後、１１２素ドナー
消去のためのアニール処理を酸化雰囲気の下で行い、ウ
ェハ表面に所定厚の酸化１１りを形成することにより、
ウェハ表面がこの酸化膜で安定して保護されるので、ウ
ェハ表面への異物およびイオンの付着を低減でき、また
付着異物の洗浄または水洗除去が促准され、ウェハ表面
を清浄に保つことができる。
消去のためのアニール処理を酸化雰囲気の下で行い、ウ
ェハ表面に所定厚の酸化１１りを形成することにより、
ウェハ表面がこの酸化膜で安定して保護されるので、ウ
ェハ表面への異物およびイオンの付着を低減でき、また
付着異物の洗浄または水洗除去が促准され、ウェハ表面
を清浄に保つことができる。
（２）、前記（１）により、ウェハに形成されるデハ・
イスの耐圧性などの特性が向上し、ブローゾ検査などの
歩留りの向上を達成することができる。
イスの耐圧性などの特性が向上し、ブローゾ検査などの
歩留りの向上を達成することができる。
（３）、前記（１１により、ウェハ表面の光電圧が高い
値で安定化し、う・イフターイノ、の安定化が可能とな
る。
値で安定化し、う・イフターイノ、の安定化が可能とな
る。
（４）、前記（１１，ｆ２＋、（３）により、半導体デ
バイスの高集積度化に好適なウェハを得ることができる
。
バイスの高集積度化に好適なウェハを得ることができる
。
（５）、アニール処理に先立ってウェハをフッ酸中に浸
潤することにより、イｊ機物除去用の洗浄工程などで形
成された膜をエッチオフしてアニールで熱酸化膜のみを
形成することができる。
潤することにより、イｊ機物除去用の洗浄工程などで形
成された膜をエッチオフしてアニールで熱酸化膜のみを
形成することができる。
有機物除去用の洗浄工程で作られた自然酸化膜中には有
害な金属イオンが含まれており、この膜を除去し、てお
くことは、ライフタイムの向上等、バルブの品質向上に
つながる。
害な金属イオンが含まれており、この膜を除去し、てお
くことは、ライフタイムの向上等、バルブの品質向上に
つながる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しないＪｆｉ囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しないＪｆｉ囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
たとえば、アニール処理で形成される熱酸化膜の厚さな
どは任意に選択できる。
どは任意に選択できる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるシリコンウェハの製
造に適用しまた場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、た吉えば、２ＧａＡｓなどの化合物
干導体などよりなる・″７エハの製Ｊ貴にも広く適用で
きる。
をその背景となった利用分野であるシリコンウェハの製
造に適用しまた場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、た吉えば、２ＧａＡｓなどの化合物
干導体などよりなる・″７エハの製Ｊ貴にも広く適用で
きる。
第１図は本発明の一実施例であるウェハの装造方法にお
ける工程を示す説明図である。 〈−ノ
ける工程を示す説明図である。 〈−ノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体材料の単結晶を引き上げてスライスすること
により形成されたウェハに鏡面研摩を施した後、酸素ド
ナーの消去のためのアニール処理を酸化雰囲気の下で行
い、ウェハ表面に所定厚の酸化膜を形成することを特徴
とするウェハの製造方法。 ２、アニールに先立ってウェハをフッ酸中に浸漬するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェハの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23321985A JPS6293950A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23321985A JPS6293950A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | ウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293950A true JPS6293950A (ja) | 1987-04-30 |
Family
ID=16951624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23321985A Pending JPS6293950A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6293950A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114526A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハ及びその研磨方法並びにこのシリコンウエーハを用いた半導体電子装置 |
| JPH02177539A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 保管用保護被膜付きシリコンウエハ及びシリコンウエハの保管用保護被膜の形成方法 |
| JPH02220443A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハのドナーキラー熱処理方法 |
| CN116759325A (zh) * | 2023-08-23 | 2023-09-15 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 用于监控离子注入剂量的阻值监控方法 |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP23321985A patent/JPS6293950A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114526A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハ及びその研磨方法並びにこのシリコンウエーハを用いた半導体電子装置 |
| JPH02177539A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 保管用保護被膜付きシリコンウエハ及びシリコンウエハの保管用保護被膜の形成方法 |
| JPH02220443A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハのドナーキラー熱処理方法 |
| CN116759325A (zh) * | 2023-08-23 | 2023-09-15 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 用于监控离子注入剂量的阻值监控方法 |
| CN116759325B (zh) * | 2023-08-23 | 2023-11-03 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 用于监控离子注入剂量的阻值监控方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6235122B1 (en) | Cleaning method and cleaning apparatus of silicon | |
| JP3066593B2 (ja) | エッチング方法 | |
| EP0603849B1 (en) | Method for producing a semiconducteur substrate by using a bonding process | |
| JPH08264500A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| EP0718873A2 (en) | Cleaning process for hydrophobic silicon wafers | |
| JPS61270830A (ja) | 表面清浄化方法 | |
| KR20010052400A (ko) | 에칭후 알칼리 처리방법 | |
| US20090203212A1 (en) | Surface Grinding Method and Manufacturing Method for Semiconductor Wafer | |
| JP3857314B2 (ja) | シリコン乾燥方法 | |
| US8076219B2 (en) | Reduction of watermarks in HF treatments of semiconducting substrates | |
| JPS6293950A (ja) | ウエハの製造方法 | |
| US20060024970A1 (en) | Method for preparing a semiconductor substrate surface for semiconductor device fabrication | |
| KR20110036990A (ko) | 균일 산화막 형성 방법 및 세정 방법 | |
| US20020175143A1 (en) | Processes for polishing wafers | |
| JP3255103B2 (ja) | シリコンウエーハの保管用水及び保管する方法 | |
| TWI263329B (en) | Method for manufacturing SIMOX wafer and SIMOX wafer manufactured thereby | |
| JP3337895B2 (ja) | 半導体基板洗浄方法 | |
| JPH07211688A (ja) | 化合物半導体基板の製造方法 | |
| JP3611142B2 (ja) | 張り合わせウェーハおよびその製造方法 | |
| JPH11283924A (ja) | 半導体ウエハ製造方法 | |
| JPS63127531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11307485A (ja) | 半導体ウエハ研磨方法、半導体ウエハ研磨装置、及び研磨ウエハ | |
| JP2004343013A (ja) | シリコン材料のエッチング方法 | |
| US11798802B2 (en) | Methods for stripping and cleaning semiconductor structures | |
| JP3161007B2 (ja) | ＩｎＰ単結晶鏡面ウェハの製造方法 |