JP2991176B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2991176B2 JP2991176B2 JP9309137A JP30913797A JP2991176B2 JP 2991176 B2 JP2991176 B2 JP 2991176B2 JP 9309137 A JP9309137 A JP 9309137A JP 30913797 A JP30913797 A JP 30913797A JP 2991176 B2 JP2991176 B2 JP 2991176B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- film
- gas
- semiconductor device
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、更に詳しくは、Ａｌ配線の腐食を有効に防
止する半導体装置の製造方法に関する。
方法に関し、更に詳しくは、Ａｌ配線の腐食を有効に防
止する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の素子間を接続するＡｌ配線
の構成材料としてＡｌ又はＡｌ合金が用いられている。
本明細書では、Ａｌ配線とはＡｌ又はＡｌ合金からなる
配線を意味する。
の構成材料としてＡｌ又はＡｌ合金が用いられている。
本明細書では、Ａｌ配線とはＡｌ又はＡｌ合金からなる
配線を意味する。
【０００３】Ａｌ配線を形成するには、塩素を含むガス
を用い、フォトレジストパターンをマスクとしてＡｌ膜
又はＡｌ合金膜をドライエッチングすることによりＡｌ
配線パターンを形成する。ドライエッチング後のフォト
レジスト側面やＡｌ合金膜の側面には、ドライエッチン
グ中に生じる反応生成物がデポジション膜として付着し
て残留する。デポジション膜中には塩素成分が含まれて
おり、そのまま放置すると、大気中の水分と反応して腐
食液が生成され、Ａｌ配線が腐食する。従って、デポジ
ション膜中の塩素成分を除去する必要がある。
を用い、フォトレジストパターンをマスクとしてＡｌ膜
又はＡｌ合金膜をドライエッチングすることによりＡｌ
配線パターンを形成する。ドライエッチング後のフォト
レジスト側面やＡｌ合金膜の側面には、ドライエッチン
グ中に生じる反応生成物がデポジション膜として付着し
て残留する。デポジション膜中には塩素成分が含まれて
おり、そのまま放置すると、大気中の水分と反応して腐
食液が生成され、Ａｌ配線が腐食する。従って、デポジ
ション膜中の塩素成分を除去する必要がある。
【０００４】デポジション膜中の塩素成分を除去する工
程を備えた従来の半導体装置の製造方法が知られてい
る。以下、図面を参照し、ＭＯＳＦＥＴを製造する例を
挙げ、従来の半導体装置の製造方法を説明する。
程を備えた従来の半導体装置の製造方法が知られてい
る。以下、図面を参照し、ＭＯＳＦＥＴを製造する例を
挙げ、従来の半導体装置の製造方法を説明する。
【０００５】従来の第１の製造方法は、特開平４−４２
９２４に開示されている。図２（ａ）及び（ｂ）は、第
１の製造方法での工程毎の基板断面図である。先ず、Ｓ
ｉ基板１０に所定の前処理を行い、次いで、Ｌｏｃｏｓ
構造のフィールド酸化膜１２、Ｐ+又はＮ+の拡散層１
３、ゲート酸化膜１４、ゲート電極１５、及び層間絶縁
膜１６、及びコンタクトホールを形成する。更に、スパ
ッタリングによりＡｌ膜又はＡｌ合金膜を全面に成膜し
た後、Ａｌ膜又はＡｌ合金膜上にフォトレジスト膜を成
膜し、フォトレジストパターンをマスクとして形成す
る。続いて、塩素を含むエッチングガスを用い、Ａｌ膜
又はＡｌ合金膜をドライエッチングしてパターンニング
し、図２（ａ）に示すようなＡｌ配線パターンを形成す
る。この結果、パターンニングにより形成されたＡｌ配
線１８や、フォトレジストパターンを有するフォトレジ
スト膜１９の側壁面に、ドライエッチング中に生じる反
応生成物がデポジション膜２０となって付着する。
９２４に開示されている。図２（ａ）及び（ｂ）は、第
１の製造方法での工程毎の基板断面図である。先ず、Ｓ
ｉ基板１０に所定の前処理を行い、次いで、Ｌｏｃｏｓ
構造のフィールド酸化膜１２、Ｐ+又はＮ+の拡散層１
３、ゲート酸化膜１４、ゲート電極１５、及び層間絶縁
膜１６、及びコンタクトホールを形成する。更に、スパ
ッタリングによりＡｌ膜又はＡｌ合金膜を全面に成膜し
た後、Ａｌ膜又はＡｌ合金膜上にフォトレジスト膜を成
膜し、フォトレジストパターンをマスクとして形成す
る。続いて、塩素を含むエッチングガスを用い、Ａｌ膜
又はＡｌ合金膜をドライエッチングしてパターンニング
し、図２（ａ）に示すようなＡｌ配線パターンを形成す
る。この結果、パターンニングにより形成されたＡｌ配
線１８や、フォトレジストパターンを有するフォトレジ
スト膜１９の側壁面に、ドライエッチング中に生じる反
応生成物がデポジション膜２０となって付着する。
【０００６】次いで、Ｏ2ガスに少量のＣＦ4ガスを混合
した混合ガス雰囲気内でＡｌ配線１８をプラズマ処理
し、フォトレジストパターンを除去する。デポジション
膜２０は、フォトレジスト膜１９からの炭素成分だけで
なくＡｌ成分も含まれているため、デポジション膜２０
が前記プラズマ処理で除去されることはない。
した混合ガス雰囲気内でＡｌ配線１８をプラズマ処理
し、フォトレジストパターンを除去する。デポジション
膜２０は、フォトレジスト膜１９からの炭素成分だけで
なくＡｌ成分も含まれているため、デポジション膜２０
が前記プラズマ処理で除去されることはない。
【０００７】この後、基板を温水で洗浄する温水洗浄処
理工程を行い、デポジション膜等の表面に付着している
塩素成分を除去し、かつＡｌ配線１８の上面に酸化アル
ミニウム層２１を形成して不動態化し、Ａｌ配線１８の
腐食防止を図っている。図２（ｂ）は、このようにして
得られた基板の側面断面図である。
理工程を行い、デポジション膜等の表面に付着している
塩素成分を除去し、かつＡｌ配線１８の上面に酸化アル
ミニウム層２１を形成して不動態化し、Ａｌ配線１８の
腐食防止を図っている。図２（ｂ）は、このようにして
得られた基板の側面断面図である。
【０００８】また、半導体装置を製造する従来の第２の
製造方法は、特開平３−２７８５３６に開示されてい
る。図２（ａ）及び図３は、第２の製造方法での工程毎
の基板断面図である。先ず、第１の製造方法と同様にし
て図２（ａ）に示すようなＡｌ配線パターンを形成す
る。
製造方法は、特開平３−２７８５３６に開示されてい
る。図２（ａ）及び図３は、第２の製造方法での工程毎
の基板断面図である。先ず、第１の製造方法と同様にし
て図２（ａ）に示すようなＡｌ配線パターンを形成す
る。
【０００９】続いて、ドライエッチングに用いたチャン
バ内で、ＣＦ4ガスを用いたプラズマ処理をＡｌ配線１
８に行うことにより、層間絶縁膜１６、Ａｌ配線１８、
及び、フォトレジスト膜１９の各表面に付着している塩
素成分を除去し、かつ、デポジション膜２０のＡｌ成分
をフッ化アルミニウムに変化させる。
バ内で、ＣＦ4ガスを用いたプラズマ処理をＡｌ配線１
８に行うことにより、層間絶縁膜１６、Ａｌ配線１８、
及び、フォトレジスト膜１９の各表面に付着している塩
素成分を除去し、かつ、デポジション膜２０のＡｌ成分
をフッ化アルミニウムに変化させる。
【００１０】更に、ランプアニーラや電気炉を用いてＣ
Ｆ4ガス雰囲気中でＡｌ配線１８の加熱処理を行い、Ａ
ｌ配線１８の上面に付着している塩素成分を除去し、か
つ、Ａｌ配線１８の上面にフッ化アルミニウム層２２を
形成して、Ａｌ配線１８の腐食防止を図っている。図３
は、このようにして得られた基板の側面断面図である。
Ｆ4ガス雰囲気中でＡｌ配線１８の加熱処理を行い、Ａ
ｌ配線１８の上面に付着している塩素成分を除去し、か
つ、Ａｌ配線１８の上面にフッ化アルミニウム層２２を
形成して、Ａｌ配線１８の腐食防止を図っている。図３
は、このようにして得られた基板の側面断面図である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
の製造方法では、フォトレジストやＡｌ配線の側壁面に
付着するデポジション膜を、Ａｌ又はＡｌ合金膜のドラ
イエッチング中に除去することが出来ない。一方、デポ
ジション膜が形成される際に、デポジション膜中に及び
Ａｌ配線とデポジション膜との界面に、塩素成分が残留
する。このため、塩素成分によりＡｌ配線が腐食される
という問題があった。また、デポジション膜が付着した
状態で層間絶縁膜を形成すると、層間絶縁膜の平坦性が
悪いという問題もあった。以上のような事情に照らし
て、本発明の目的は、Ａｌ配線の腐食を有効に防止する
ようにした半導体装置の製造方法を提供することであ
る。
の製造方法では、フォトレジストやＡｌ配線の側壁面に
付着するデポジション膜を、Ａｌ又はＡｌ合金膜のドラ
イエッチング中に除去することが出来ない。一方、デポ
ジション膜が形成される際に、デポジション膜中に及び
Ａｌ配線とデポジション膜との界面に、塩素成分が残留
する。このため、塩素成分によりＡｌ配線が腐食される
という問題があった。また、デポジション膜が付着した
状態で層間絶縁膜を形成すると、層間絶縁膜の平坦性が
悪いという問題もあった。以上のような事情に照らし
て、本発明の目的は、Ａｌ配線の腐食を有効に防止する
ようにした半導体装置の製造方法を提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、塩素を含むガス
を用い、フォトレジストパターンをマスクとしてＡｌ膜
又はＡｌ合金膜をドライエッチングすることによりＡｌ
配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、Ｏ2
ガスにフッ素系ガスを所定範囲内で混合した混合ガス雰
囲気内で前記Ａｌ配線パターンをプラズマ処理すること
により、Ａｌ配線の表面に付着した膜のＡｌ成分をフッ
化アルミニウムに変化させるプラズマ処理工程と、前記
プラズマ処理工程後、Ａｌ配線パターンを温水で洗浄
し、前記Ａｌ配線の表面に付着した膜を除去する温水洗
浄処理工程とを備えることを特徴とする。
に、本発明の半導体装置の製造方法は、塩素を含むガス
を用い、フォトレジストパターンをマスクとしてＡｌ膜
又はＡｌ合金膜をドライエッチングすることによりＡｌ
配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、Ｏ2
ガスにフッ素系ガスを所定範囲内で混合した混合ガス雰
囲気内で前記Ａｌ配線パターンをプラズマ処理すること
により、Ａｌ配線の表面に付着した膜のＡｌ成分をフッ
化アルミニウムに変化させるプラズマ処理工程と、前記
プラズマ処理工程後、Ａｌ配線パターンを温水で洗浄
し、前記Ａｌ配線の表面に付着した膜を除去する温水洗
浄処理工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】所定範囲とは、Ａｌ配線の側壁面に付着し
たＡｌ膜を充分にフッ化アルミニウム層に変化させる範
囲である。本発明の半導体装置の製造方法は、好適に
は、プラズマ処理工程が、Ａｌ配線上のフォトレジスト
パターンを除去するステップと、Ａｌ配線の露出した表
面をフッ化アルミニウム層に変化させるステップとを有
する。露出した表面とは、ドライエッチング時に形成さ
れたＡｌ配線の側壁面、及びフォトレジストパターンの
除去により露出したＡｌ配線の上面である。温水洗浄処
理工程により、フッ化アルミニウム層は温水に溶解して
除去される。
たＡｌ膜を充分にフッ化アルミニウム層に変化させる範
囲である。本発明の半導体装置の製造方法は、好適に
は、プラズマ処理工程が、Ａｌ配線上のフォトレジスト
パターンを除去するステップと、Ａｌ配線の露出した表
面をフッ化アルミニウム層に変化させるステップとを有
する。露出した表面とは、ドライエッチング時に形成さ
れたＡｌ配線の側壁面、及びフォトレジストパターンの
除去により露出したＡｌ配線の上面である。温水洗浄処
理工程により、フッ化アルミニウム層は温水に溶解して
除去される。
【００１４】本発明の好適な実施態様は、フッ素系ガス
が、２０％〜６０％のＣＦ4ガスを含む。また、本発明
の別の好適な実施態様は、フッ素系ガスが、１０％〜３
０％のＳＦ6ガスを含む。
が、２０％〜６０％のＣＦ4ガスを含む。また、本発明
の別の好適な実施態様は、フッ素系ガスが、１０％〜３
０％のＳＦ6ガスを含む。
【００１５】従来の第１の製造方法では、プラズマ処理
で形成されたフッ化アルミニウム層を除去しているが、
Ａｌ配線の側壁面に付着した膜のＡｌ成分を積極的にフ
ッ化アルミニウムに変化させる旨については記載されて
いない。本発明では、Ａｌ配線の側壁面に付着して塩素
を含む膜のＡｌ成分を積極的にフッ化アルミニウムに変
化させ、更に、フッ化アルミニウムを温水洗浄処理工程
で溶解して膜を脆くし、温水洗浄処理工程の物理的な力
で前記膜を除去することにより、塩素を完全に除去して
Ａｌ配線が腐食されることを防止する。
で形成されたフッ化アルミニウム層を除去しているが、
Ａｌ配線の側壁面に付着した膜のＡｌ成分を積極的にフ
ッ化アルミニウムに変化させる旨については記載されて
いない。本発明では、Ａｌ配線の側壁面に付着して塩素
を含む膜のＡｌ成分を積極的にフッ化アルミニウムに変
化させ、更に、フッ化アルミニウムを温水洗浄処理工程
で溶解して膜を脆くし、温水洗浄処理工程の物理的な力
で前記膜を除去することにより、塩素を完全に除去して
Ａｌ配線が腐食されることを防止する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。実施形態例１ 図１（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、本実施形態例の各
工程での基板断面図であり、図１（ａ）は図２（ａ）と
同じ図である。本実施形態例では、従来と同様にして、
図１（ａ）に示すようにＡｌ配線パターンを形成する。
Ａｌ配線パターンやフォトレジスト膜１９の側壁面に
は、デポジション膜２０が付着している。次いで、Ｏ2
ガスにＣＦ4ガスを２０％〜６０％の範囲内で混合した
混合ガス雰囲気内でＡｌ配線１８をプラズマ処理する。
この結果、デポジション膜２０は、Ａｌ成分が全てフッ
化アルミニウムに変化してなる膜２３（以下、説明の都
合上、フッ化アルミニウム膜２３と言う）に変換され
る。また、Ａｌ配線１８の上面のフォトレジストパター
ンが除去され、かつ、Ａｌ配線１８の露出した上面がフ
ッ化アルミニウム層２４に変化する。
図面を参照して説明する。実施形態例１ 図１（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、本実施形態例の各
工程での基板断面図であり、図１（ａ）は図２（ａ）と
同じ図である。本実施形態例では、従来と同様にして、
図１（ａ）に示すようにＡｌ配線パターンを形成する。
Ａｌ配線パターンやフォトレジスト膜１９の側壁面に
は、デポジション膜２０が付着している。次いで、Ｏ2
ガスにＣＦ4ガスを２０％〜６０％の範囲内で混合した
混合ガス雰囲気内でＡｌ配線１８をプラズマ処理する。
この結果、デポジション膜２０は、Ａｌ成分が全てフッ
化アルミニウムに変化してなる膜２３（以下、説明の都
合上、フッ化アルミニウム膜２３と言う）に変換され
る。また、Ａｌ配線１８の上面のフォトレジストパター
ンが除去され、かつ、Ａｌ配線１８の露出した上面がフ
ッ化アルミニウム層２４に変化する。
【００１７】引き続いて、６０℃〜１００℃の温水でＡ
ｌ配線１８を洗浄する温水洗浄処理工程を行う。この結
果、フッ化アルミニウム膜２３のフッ化アルミニウム成
分が溶解し、更に、主として炭素成分からなる残留して
いる膜は、脆いため洗浄時に受ける物理的な力により除
去される。また、フッ化アルミニウム層２４が溶解して
除去される。図１（ｃ）は、このようにして得られた基
板の側面断面図である。
ｌ配線１８を洗浄する温水洗浄処理工程を行う。この結
果、フッ化アルミニウム膜２３のフッ化アルミニウム成
分が溶解し、更に、主として炭素成分からなる残留して
いる膜は、脆いため洗浄時に受ける物理的な力により除
去される。また、フッ化アルミニウム層２４が溶解して
除去される。図１（ｃ）は、このようにして得られた基
板の側面断面図である。
【００１８】本実施形態例では、デポジション膜２０が
フッ化アルミニウム膜２３に変換されて除去されるの
で、Ａｌ配線１８の腐食を有効に防止できる。一例を挙
げると、従来は１２時間程度しかＡｌ配線１８の腐食を
防止出来なかったが、７２時間以上防止することが可能
になる。また、温水洗浄処理工程後に基板上に層間絶縁
膜を形成しても、層間絶縁膜の平坦性がＡｌ配線１８の
膜厚による段差以上に悪くなることはない。
フッ化アルミニウム膜２３に変換されて除去されるの
で、Ａｌ配線１８の腐食を有効に防止できる。一例を挙
げると、従来は１２時間程度しかＡｌ配線１８の腐食を
防止出来なかったが、７２時間以上防止することが可能
になる。また、温水洗浄処理工程後に基板上に層間絶縁
膜を形成しても、層間絶縁膜の平坦性がＡｌ配線１８の
膜厚による段差以上に悪くなることはない。
【００１９】実施形態例２ 本実施形態例は、実施形態例１に比べ、Ｏ2ガスに混合
するガスがＣＦ4ガスに代えてＳＦ6ガスであることが異
なる。Ｏ2ガスに混合するＳＦ6ガスの割合は、１０％〜
３０％の範囲内である。
するガスがＣＦ4ガスに代えてＳＦ6ガスであることが異
なる。Ｏ2ガスに混合するＳＦ6ガスの割合は、１０％〜
３０％の範囲内である。
【００２０】一般に、Ｏ2ガスに混合するＣＦ4ガスの割
合が１０％以上になると、混合割合が高くなるに従い、
Ｏ2ガスの分圧が低下し、フォトレジスト膜１９をアッ
シングする速度が徐々に低下する、すなわちプラズマ処
理にかかる時間が徐々に長くなる。一方、ＣＦ4ガスの
添加量が少ないと、プラズマ処理に必要なフッ素ラジカ
ル量が不足し、デポジション膜２０中のＡｌ成分がフッ
化アルミニウムに変化しきらず、温水洗浄処理工程を行
っても、Ａｌ成分を含むデポジション膜がＡｌ配線１８
の側壁面に残留する。
合が１０％以上になると、混合割合が高くなるに従い、
Ｏ2ガスの分圧が低下し、フォトレジスト膜１９をアッ
シングする速度が徐々に低下する、すなわちプラズマ処
理にかかる時間が徐々に長くなる。一方、ＣＦ4ガスの
添加量が少ないと、プラズマ処理に必要なフッ素ラジカ
ル量が不足し、デポジション膜２０中のＡｌ成分がフッ
化アルミニウムに変化しきらず、温水洗浄処理工程を行
っても、Ａｌ成分を含むデポジション膜がＡｌ配線１８
の側壁面に残留する。
【００２１】ＳＦ6ガスは、ＣＦ4ガスに比べ、プラズマ
処理時にフッ素ラジカルを多量に供給する。従って、Ｓ
Ｆ4ガスの混合割合が１０％〜３０％であり実施形態例
１のＣＦ4ガスの混合割合に比べて低くても、デポジシ
ョン膜２０のＡｌ成分を全てフッ化アルミニウムに変化
させることが出来る。よって、本実施形態例では、実施
形態例１に比べ、プラズマ処理工程にかかる時間が短縮
される。
処理時にフッ素ラジカルを多量に供給する。従って、Ｓ
Ｆ4ガスの混合割合が１０％〜３０％であり実施形態例
１のＣＦ4ガスの混合割合に比べて低くても、デポジシ
ョン膜２０のＡｌ成分を全てフッ化アルミニウムに変化
させることが出来る。よって、本実施形態例では、実施
形態例１に比べ、プラズマ処理工程にかかる時間が短縮
される。
【００２２】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明の半導体装置の製造方法は、
上記実施形態例にのみ限定されるものではなく、上記実
施形態例から種々の修正及び変更を施したものも、本発
明の範囲に含まれる。
づいて説明したが、本発明の半導体装置の製造方法は、
上記実施形態例にのみ限定されるものではなく、上記実
施形態例から種々の修正及び変更を施したものも、本発
明の範囲に含まれる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
プラズマ処理工程を行うことにより、Ａｌ配線に付着し
た膜のＡｌ成分を積極的にフッ化アルミニウムに変化さ
せ、続いて温水洗浄処理工程を行うことにより、前記の
膜を溶解して除去している。従って、Ａｌ配線パターン
を形成後、Ａｌ配線の表面に塩素成分が触れたまま残留
することはなく、Ａｌ配線の腐食が有効に防止される。
プラズマ処理工程を行うことにより、Ａｌ配線に付着し
た膜のＡｌ成分を積極的にフッ化アルミニウムに変化さ
せ、続いて温水洗浄処理工程を行うことにより、前記の
膜を溶解して除去している。従って、Ａｌ配線パターン
を形成後、Ａｌ配線の表面に塩素成分が触れたまま残留
することはなく、Ａｌ配線の腐食が有効に防止される。
【図１】図１（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施形態
例１の各工程での基板断面図。
例１の各工程での基板断面図。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、従来の第１の製造方
法での工程毎の基板断面図。
法での工程毎の基板断面図。
【図３】従来の第２の製造方法で形成される基板の断面
図。
図。
１０ シリコン基板 １２ Ｌｏｃｏｓ構造のフィールド酸化膜 １３ 拡散層 １４ ゲート酸化膜 １５ ゲート電極 １６ 層間絶縁膜 １８ Ａｌ配線 １９ フォトレジスト膜 ２０ デポジション膜 ２１ 酸化アルミニウム層 ２２ フッ化アルミニウム層 ２３ フッ化アルミニウム膜 ２４ フッ化アルミニウム層
Claims (4)
- 【請求項１】 塩素を含むガスを用い、フォトレジスト
パターンをマスクとしてＡｌ膜又はＡｌ合金膜をドライ
エッチングすることによりＡｌ配線パターンを形成する
配線パターン形成工程と、 Ｏ2ガスにフッ素系ガスを所定範囲内で混合した混合ガ
ス雰囲気内で前記Ａｌ配線パターンをプラズマ処理する
ことにより、Ａｌ配線の表面に付着した膜のＡｌ成分を
フッ化アルミニウムに変化させるプラズマ処理工程と、 前記プラズマ処理工程後、Ａｌ配線パターンを温水で洗
浄し、前記Ａｌ配線の表面に付着した膜を除去する温水
洗浄処理工程とを備えることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】 プラズマ処理工程が、Ａｌ配線上のフォ
トレジストパターンを除去するステップと、 Ａｌ配線の露出した表面をフッ化アルミニウム層に変化
させるステップとを有することを特徴とする請求項１に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 フッ素系ガスが、２０％〜６０％のＣＦ
4ガスを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 フッ素系ガスが、１０％〜３０％のＳＦ
6ガスを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9309137A JP2991176B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9309137A JP2991176B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145119A JPH11145119A (ja) | 1999-05-28 |
| JP2991176B2 true JP2991176B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=17989356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9309137A Expired - Lifetime JP2991176B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2991176B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7394648B2 (en) * | 2004-01-19 | 2008-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electric double-layer capacitor, its manufacturing method, and electronic device using same |
-
1997
- 1997-11-12 JP JP9309137A patent/JP2991176B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11145119A (ja) | 1999-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5792672A (en) | Photoresist strip method | |
| JPH08153710A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3236225B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100524450B1 (ko) | 반도체 제조시 엣칭후 웨이퍼 층 스택을 처리하는 방법 및조성물 | |
| JP2003023072A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
| JP2991176B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006319151A (ja) | エッチング残渣除去方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| US20050085163A1 (en) | Method for preventing edge peeling defect | |
| JP2661355B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100732860B1 (ko) | 반도체 기판 상의 산화막 식각 후 애싱 방법 | |
| JPH1027745A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08288255A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000269209A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0451520A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09270407A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0137813B1 (ko) | 모스 트랜지스터(mosfet)의 금속 배선 형성 방법 | |
| JP2001176961A (ja) | 半導体装置及び製造方法 | |
| JP2003007690A (ja) | エッチング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH09260349A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06181207A (ja) | Ａｌ配線形成方法 | |
| JP2002164324A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0210839A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11274127A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960005865A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JP2001176960A (ja) | 半導体装置及び製造方法 |