JPS61285714A - 半導体構造の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明においては、特許請求の範囲第（１１項及び第（
６）項の概念に従って、半導体構造を製造する為の方法
が記載されている。

〔従来の技術〕

本発明は、ＤＥ−＾Ｓ　２８１２６５８に記載の如く、
その概念に基づいて半導体構造を製造する為の技術に関
するものである。この技術においては、単結晶シリコン
半導体基板上へ、純度９９．９９９５％のアルミニウム
フィラメントから成るアルミニウムが、格子構造状態で
、２μｍよりも小さな大きさのアルミニウム源として分
離設置されている。アルミニウムフィラメントは、電子
ビームによって加熱され、アルミニウムは、２３０℃乃
至２５０℃までに加熱されたシリコン基板上で、２７０
μＰａ乃至４０μＰａの範囲の圧力において偏析され、
通常の方法により写真平版構造が与えられる。シリコン
基板は、例えば窒素又はアルゴンの様な非酸化ガスから
成る雰囲気中において０．０５乃至１０の容積パーセン
トの酸素がアルミニウム表面及びシリコン表面で関連の
ある酸化物層を形成するまで加熱される。この場合の欠
点は、電子ビームの放射を受けたアルミニウムフィラメ
ントの周囲の温度も同様に高温になり、これは例えば、
るつぼ材料の蒸発及び、ひいては不都合なアルミニウム
蒸着層の不純化を招く。

Ａｌ−３ｉの溶解物は、中間層が原因で、シリコン表面
上で均一に分布されないので、アルミニウムで層被覆さ
れたシリコン基板が加熱された時に小さなしづくを形成
すると言う問題が生ずる。

その結果、拡散の均一性が保証されなくなる。

シリコンに大きな拡散係数を与えているアルミニウムは
、ダイオードやサイリスクと同様に機能的な半導体構造
素子を製造する為に最も重要な添加物の１つである。

高電圧構造素子に必要な縁の形成、つまり半導体構造素
子の縁を形成する為に、すべての電圧がしゃ断方向で加
わっているプロフキングｐｎ接合箇所の縁が比較的深く
堀り下げられているか、又はいわゆる保護リングを形成
してしているのが望ましい。界磁制御を行っているサイ
リスクの為には、ｐｎ接合部分を深く接合する必要があ
り、その為には、深い、選択的なｐ型拡散が必要である
。この拡散を必要なだけ深（行う為には、添加物として
アルミニウムだけがその対象となる。硼素又はガリウム
の拡散係数は小さ過ぎるからである。アルミニウムの拡
散係数は、硼素の拡散係数の約１０倍である。ガリウム
は、硼素と比較してわずかに速く拡散を行うが、それを
マスキングすることは出来ない。アルミニウムを選択拡
散する際の問題は、今日まで、満足のいく方法で解決さ
れていない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、特許請求の範囲第（１）項及び第（６）項に
記載の如く、シリコン基板を用いてアルミニウムの添加
されている深いゾーンを広い選択性によって設定できる
半導体構造を製造する為の簡単な方法を提供することに
ある。

〔発明の効果〕

特許請求の範囲第（１）項に従った本発明の利点は、不
純物が混合されていないアルミニウム層でシリコン基板
の表面上を被覆できることにある。シリコン基板上にア
ルミニウムの比較的高い純度が得られ、不純物原子、特
に重金属原子による汚染の割合いは低減する。

特許請求の範囲第（２）項に従った不活性ガスを用いた
金属の薄層被覆の利点は、ガスプラズマ中に反応生成物
が生じないことである。

特許請求の範囲第（３）項に従った不活性ガスの衝撃方
法は、被覆されたアルミニウム層がベース上で良好に固
着し、且つシリコンと均一に溶解するので、シリコンの
表面上にアルミニウムのしづくが形成されないと言う利
点がある。

特許請求の範囲第（４）項に従って形成された拡散保護
層は、不都合な不純物原子のシリコンへの拡散を特徴す
る 特許請求の範囲第（５）項に従った温度条件を維持する
ことの利点は、所望の深さのｐｎ接合部分を良好に再生
産可能に調整できることにある。

特許請求の範囲第（６）項に従ったベースのエツチング
は、シリコン基板の上側のメイン表面を研摩及びみがき
仕上げすることによってアルミニウム源の残さいを機械
的に取除く手間が省け、又、不純物の添加されていない
領域になめらかな表面を維持できる利点がある。

特許請求の範囲第（７）項に従った利点は、ベースのエ
ツチングが不純物の添加されている比較的広い表面に使
用できることである。

特許請求の範囲第（８）項に従ったアイソトープの効果
を持つエツチング剤により、エツチングの深さを比較的
小さく維持することが出来る。

特許請求の範囲第（９）項に従った感光性絶縁塗料をマ
スキングすることによる利点は、アルミニウム源の領域
だけをエツチングすることができ、その他の領域は、み
がき仕上げされた状態を維持できることにある。

特許請求の範囲第ａ［１１項に従った半導体構体は比較
的簡単に製造できる利点がある。ｕｓ　−ｐｓ４．１９
９．３８６が捕捉的に示している当該技術状況から明ら
かなことは、シリコン基板上へ複数層から成る複雑な組
織が置かれ、次に構造化され、拡散源としての役目を持
つことである。

ＥＰ−ＢＩ　００５４３１７からは、ｎ型シリコン基板
内にアルミニウムの添加されている領域を生じるために
約６μｍ×６μｍ大の複数個のアルミニウム源を用いる
ことが知られている。アルミニウム源相互間の間隔は約
４μｍであり、厚さは≧０．５μｍ又は、粒子境界のエ
ツチングが行われた後には厚さ５０．２μｍである。酸
化雰囲中で行われる拡散処理以前に、フン化水素水溶液
を用いて３０秒間エツチングが行われ、その際、酸化物
が構体部分の表面から除去される。拡散処理の後に残っ
ているアルミニウム源の残さい、特に残さいから成るア
ルミニウム酸化物をどの様にして除去するかについては
記載されていない。

本発明は、下記の実施例に基づいて詳細に説明される。

〔実施例〕

第１図において、シリコン基板は１で示されており、そ
の上側の主表面２はみがき仕上げされており、アルミニ
ウムで層被覆されることになっている。ｎ型シリコン基
板１は、５０．８　ｔｍの直径を有しており、４０Ω１
乃至６０Ω口の範囲の固有抵抗を有している。ｎ型シリ
コン基板は、シリコン製ベースウェハの上に配置されて
いるので、市販の高真空カソッドスパッタリング装置６
を用いてアルミニウムの層被覆を行う際に、その回転板
４と接触することはない。アルミニウムターゲットは、
５で示されており、これは陰極として反応し、スパッタ
リングする。このアルミニウムターゲット５は、シール
ド電極６によってシールドされている。

プラズマ状態のアルゴンであれば好都合であるが、プラ
ズマ状態の不活性ガスのイオンを照射することによりア
ルミニウムターゲット５が飛散され、例えば、上記１μ
ｍの厚さのアルミニウム被覆又はアルミニウム層７がシ
リコン基板１上で形成される（第２図参照）。その際、
シリコン基板の表面は、スパッタリングの前に約１０分
間、アルゴンイオンを用いて２０μｂａｒのアルゴン圧
において衝撃されることが重要であり、これは、シリコ
ン層及びその上にある５ｉ０２−被覆（純水な酸化物）
の切削を促す。これにより、障壁層が含まれることなく
、アルミニウムとシリコンとの間の直接接合が保証され
、被覆されているアルミニウム層はシリコンと共に均一
に溶解する。

主表面２をアルゴンイオンを用いた衝撃により事前に切
削することなくアルミニウム層７がスパッタリングされ
た場合には、その後の拡散の際に、不都合なアルミニウ
ムのしづくがメイン表面２上に形成され、主表面２の小
さな領域は、アルミニウム層が形成されないま＼になる
。

スパッタリングは、８μｂｅｒのアルゴン圧で、３４０
ｐｍ／秒の沈積速度で、１μｍの層の厚さに至るまで行
われる。これは蒸着方法と比して比較的低温なプロセス
であり、これは沈積されている物質の純度にとって好都
合である。汚染源であるボート又はるつぼが加熱されな
いからである。スパッタリング装置内に見られ、シリコ
ン基板１が置かれている回転皿４による汚染は、わずか
に大きなシリコンベース基板３を下に配置することによ
って阻止されている。このベース基板３は、中央にくぼ
みを有しており、この中に処理されるべきシリコン基板
１が置かれており、ずれ落ちることはない。

スパッタリングの後、アルミニウム層７は、通常の写真
平版方法でマスキングされ、市販の点状感光性被覆塗料
８でコーティングされる。

感光性塗料は、例えば、ＡＺ−１３５０Ｊ−ＳＦ番号で
西ドイツヘキスト社から入手できる。シリコン板が後の
操作において汚染されないように、シリコン基板１の裏
側も感光性塗料でコーティングされている事が好ましい
。

感光性塗料被覆８及び９が行われた後に、アルミニウム
は、西ドイツ、ゾーリンゲン所在のＭ、１．Ｔ、半導体
化学社の“ＩＳＯＦＯＲＭ”アルミニウムエツチング剤
中で、５５℃で、３０秒間エツチングされ、その結果、
第３図に図示されている構体が形成される。アルミニウ
ムエツチング剤としては、下記の組合わせで使用するこ
とが可能である。

７５ｍＡ！　　８５％のリン酸、Ｈ３Ｈ３ＰＯ４１Ｏ水
、Ｈ，０ ５ｍｌ１９８％の酢酸 ３ｍｌ　　６５％と７０％の硝酸、ＨＮＯ，Ｊ及び場合
によっては、 ｌ　ｍ　ｌ　　湿潤剤（例えばトリトン）。

次に、不必要な感光性塗料は、超音波槽中で各々１５秒
間宛、アセトン及びイソプロパツールを用いて除去され
、シリコン基板１は、水で洗浄され、乾燥され、その結
果、第４図に図示されている構造が形成される。

アルミニウムの固着は、真空状態で３０分間４８０℃−
５００℃で焼き戻しされることによりより強化される。

しかしこの方法は、アルゴン４の衝撃と比して劣り、こ
れは実証済みである。次に、アルミニウム被覆７のシリ
コン基板１への拡散が、３００分間、１２５０℃の温度
で、Ｎ。

（１！／分）とＯｔ　　（２０ｍ　１７分）とのガス混
合物を用いて行われ、この場合の加熱速度は３Ｋ７分で
ある。冷却はＩＫ／分の冷却速度で行われる。

酸素は、アルミニウム層から生ずるアルミニウム蒸発気
をアルミニウム酸化物Ａ　１　＊（ｈに転移させる役目
を有している。

Ａ　ｊ！　ｔｏｗは、拡散源としての効力は有しておら
ず、不都合な箇所でｐ型層を形成することはない。

拡散が行われてはならない領域は、パイプ又はすでにシ
リコン基板中に含まれている他の添加物に対する拡散障
壁としてＳｉＯ□層でコーティングされている。

拡散後、Ａ１１ＳＡｌｔＯｓの残さい、Ａｎ！−３ｉの
溶解物及び場合によっては、Ｓｉｎ、がエツチングによ
り取除かれ、ラップ仕上げされる。みがき仕上げによる
切削は、Ａｎの事前の活性化による切削と比較して切削
量が少い。

周辺濃度を低くしたい場合には、いわゆる励起拡散（ｄ
ｒｉｖｅ　−ｉｎ　Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　）が行われる
。

拡散に伴い、シリコン基板１の内部へ向けて拡散深度ｄ
に至るまでアルミニウム原子が拡散され、そこでｎ型シ
リコン中にｐ＋型添加物が添・加されているゾーン１０
を形成する（第５図参照）。

アルミニウム基板７下で行われた拡散状態を示すグラフ
が第６図中に示されており、この図においては、横座標
にμｍ単位のアルミニウム原子の進入深度ａが、縦座標
には対数Ｎ、Ｎ＝アルミニウム濃縮度＝アルミニウム原
子／Ｊの数が記載されている。主表面２から進入深度ａ
が深くなるにつれて、濃縮度Ｎが小さくなる。アルミニ
ウム層７のない領域にはｐ型温加物が見られない。

界磁制御を行うサイリスクを製造する為には、７５μｍ
であれば好都合であるが２５０８ｍの進入深度の深く拡
散されたｐ壁領域と、ＩＱＩ＆ａａ−’１０”Ｃ１１−
”の範囲の周辺濃度が必要とされる。深く拡散されたｐ
壁領域は、素子構造を限定している。これにより高い障
壁容量のｐｎ接合部分の周辺の輪郭形成が可能となる。

半導体構造素子の表面は、少くとも添加物の含まれてい
ない領域はみがき仕上げされている必要があり、これに
よりマスキングの際にマスクが良好に固着し、更には構
造素子の繊細な組織を形成することが可能となる。

製造プロセスは下記に記載されている。

１）　アルミニウム層をシリコン基板表面上へ配置し、
第１図乃至第４図に図示の接合方法で構造を形成させる
。この構造の周期は、この場合、次に続く拡散の進入深
度と比較して進入深度の３分の１より小さければ好都合
であるが、非常に小さい。第８図に従ってアルミニウム
の添加されているゾーン１０上には、２５μｍの周期で
複数個のアルミニウム源１１が生ずる（第７図参照）、
アルミニウム源１１は、円形、四角形、帯状の形又はそ
の他の断面形を呈している。

辺の長さが約ｌＯμｍの四角形を用いるのが望ましい。

２）所望の浸透度に至るまで（３００分）、Ｎ２と１０
容積百分率までのＯｔとの混合ガスを用いて、１２００
℃乃至１３００℃の範囲で拡散が行われる。加熱は３Ｋ
７分、冷却はＩＫ／分で行われる。拡散後、アルミニウ
ム源１１の残さい１１′が残り（第８図参照）、これは
、シリコン基板１の上の部のメイン表面２に接して約２
μｍ乃至３μｍ突出しており、その表面にはアルミニウ
ム酸化物Ａ　１　ｇｏｚが見られる。

３）　シリコン表面で拡散されていない領域上へ感光性
被覆塗料１３が塗られ、シリコン基板１の裏側には全面
的に感光性被覆塗料１４が塗られる（第９図参照）。こ
の場合、米国のＨｖｎｔ化学社から入手できる５Ｃ−４
５０番の感光性被覆塗料が用いられる。

４）　アルミニウム源１１の残さい１１′のエツチング
。アルミニウム酸化物及びアルミニウム窒化物の形でシ
リコン表面上に残っている残さい１１′は湿式化学方法
で除却することは出来ない。これを除去する為には、 ２３０ｍ１　弗化水素酸　ＨＦ、 ４７０ｍｌ　　硝酸　■ＮＯ３， ２００ｍｆ　　酢酸　Ｃ１ｈＣＯＯＨ。

１００ｍｊ！　　りん酸　ＨｓＰＯ４、から成る腐食混
合液又は六弗化硫黄ＳＦ、であれば好都合であるがシリ
コン腐食剤液に２℃乃至４℃の範囲の浴液温度で、約２
乃至３分間漫され、シリコンがエツチングされる。この
シリコン腐食剤は、感光性被覆１３又は１４で保護さ　
　　　−れていない表面のシリコンを、残りのアルミニ
ウム層に見られるすき間を通ってエツチングする。アイ
ソトープ効果を持つエツチング剤は、第１０図に図示の
如く構体のベースをエツチングするのに用いられる。次
にアルミニウム源１１の残さい１１′が分離され、腐食
剤を用いて洗浄される。アルミニウム源１１が除去され
た場所の下には、アルミニウムの添加されているゾーン
１０の表面にピラミッド状の又は円すい状の突起が残り
、これにより、このゾーンは市松模様状を呈している（
第１１図）。

５）発煙硝酸ＨＮＯ３を用いて感光性被覆層１３及び１
４が取除かれる（第１１図） このプロセスにおいては、従来の措置が用いられている
。アルミニウムとシリコンの溶解物の融合は広範囲に渡
って阻止されている。これは、危険を全く伴わずに比較
的厚いアルミニウム層に使用することができるが、この
場合、非常に深い進入度で拡散が行われる。不純物の添
加されていないシリコン表面には損失又は損傷は発生し
ない。添加物の添加されている領域上の表面は、窪んで
おり、次に続（写真平板プロセスの際にマスクに危険が
及ぶことはないからである。拡散後にアルミニウムの残
さいをエツチングする際にシリコン層も除去されるが、
このシリコン層は、冷却の際にアルミニウムとシリコン
の溶解物が硬化するに伴いぴんと張り、次の高温プロセ
スの際に不完全結晶源として用いられる。

コンパクトで構体化されていないアルミニウム層と比較
して、上記構体は、比較的弱い拡散源である。拡散が行
われている間に、アルミニウム層中に見られるすき間を
通ってアルミニウムが拡散し尽してしまうからである。

しかしこれは、不純物添加グラフの動きを所望通りに調
整する為に利用すると同時に、アルミニウム層被覆の施
されている面と、層被覆の施されていない面の比率を変
えることも出来る。

第１２図は、第１１図に図示されているｐ型不純物添加
ゾーン１０に及んでいる第６図に関連したアルミニウム
濃度のグラフを示しており、このグラフから、表面から
の進入深度ａ１約７３μｍにおけるアルミニウム濃度Ｎ
は１０１アルミニウム原子／ｄであり、表面のアルミニ
ウム濃度Ｎは、約８Ｘ１０”アルミニウム原子／ｄであ
ることが判る。

第１３図は、第７図乃至第１１図に記載の分離拡散プロ
セスの実施例を示しており、この分離拡散プロセスにお
いて、シリコン基板１の両生表面のアルミニウム源１１
のアルミニウムは、ｐ型不純物添加ゾーン１０が貫通す
るまでシリコン基板中へ向けて拡散される０分離拡散の
際、構造のしづく形成及び潮解がいつもながらに一番大
きな問題である。

第１４図乃至第１８図には、内部のアウトライン形成、
つまり、場所に依存した進入深度を有しているｐ型拡散
の実施例が示されている。

その他の実施例としては、あらゆるプロセスが考えられ
、その場合、シリコンとアルミニウムが均一に溶解して
いることが重要である。例えば移行（マイグレイジョン
）が重要なのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、シリコン基板にアルミニウムを層被覆する為
の配置を示す図。 第２図は、アルミニウム及び感光性塗料でコーティング
されている第１図に従ったシリコン基板を示す図。 第３図は、エツチングによりアルミニウムが取除かれた
後の第２図に従ったシリコン基板を示す図。 第４図は、感光性塗料が除去された後の第３図に従った
シリコン基板を示す図。 第５図は、酸素の含有されている雰囲気中で拡散された
後のアルミニウム添加ゾーンを有する第４図に従ったシ
リコン基板を示す図。 第６図は、第５図に従ったアルミニウム添加ゾーンに関
する拡散を示すグラフ。 第７図は、アルミニウム添加ゾーンを作る為に複数個の
アルミニウム源を有しているシリコン基板を示す図。 第８図は、アルミニウム添加ゾーンを拡散処理した後の
第７図に従ったシリコン基板を示す図。 第９図は、感光性被覆塗料でマスキングされた第８図に
従ったシリコン基板を示す図。 第１０図は、シリコンエツチング処理中の第９図に従っ
たシリコン基板を示す図。 第１１図は、シリコンエツチング処理及び感光性塗料が
除去された後の第１０図に従ったシリコン基板を示す図
。 第１２図は、アルミニウム添加ゾーンに渡る拡散を示す
第１１図に従ったグラフ。 第１３図は、分離拡散を行う為の部分的に示されている
シリコン基板上のアルミニウム源の配列を示す図。 第１４図は、平らなｐ゛型ゾーンを有するシリコン基板
の部分図。 第１５図は、部分的に深みのあるｐ゛ゾーン作る為の複
数個のアルミニウム源を有する第１４図に従ったシリコ
ン基板を示す図。 第１６図は、拡散処理後の第１５図に従ったシリコン基
板を示す図。 第１７図は、シリコンエツチング処理中の第１６図に従
ったシリコン基板を示す図。 第１８図は、シリコンエツチング処理及び感光性塗料を
除去した後の第１７図に従ったシリコン基板を示す図。 １・・・シリコン基板、２・・・主表面、３・・・ベー
ス基板、４・・・回転板、５・・・ターゲット、５・・
・タルミニラムターゲット、６・・・シールド電極、７
・・・アルミニウム層、８．９．１３．１４・・・感光
性被覆塗料、１１・・・アルミニウム源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ａ）シリコン基板（１）の少くとも１つの主表面
   （２）上で、アルミニウム（７）は分離されており、 ｂ）上記アルミニウムは、上記組織に従って局部的に構
   造化されており、 ｃ）アルミニウム組織でコーティングされた上記シリコ
   ン基板は、酸素の含有されている雰囲気中で拡散温度に
   まで加熱される半導体構造の製造方法にして、 ｄ）上記アルミニウムは、非腐食性ガスプラズマを用い
   たカソッドスパッタリン方式により上記シリコン基板上
   で分離されることを特徴とする半導体構造の製造方法。 （２）ａ）上記スパッタリングは、非活性ガスプラズマ
   、特にアルゴンプラズマを用いて行われることを特徴と
   する特許請求の範囲第（１）項記載の半導体構造の製造
   方法。 （３）ａ）上記シリコン基板（１）は、上記アルミニウ
   ム分離プロセスの前に非活性ガスイオン、ｂ）特にアル
   ゴンイオンを用いて衝撃されることを特徴とする特許請
   求の範囲第（１）項又は第（２）項の何れか１つに記載
   の半導体構造の製造方法。 （４）ａ）アルミニウム組織でコーティングされた上記
   シリコン基板（１）の少くとも１つの主表面（２）上は
   、上記拡散温度に加熱される前に拡散保護層で被覆され
   、 ｂ）特に、ＳｉＯ＿２拡散保護層で被覆されることを特
   徴とする特許請求の範囲第（１）項乃至第（３）項の何
   れか１つに記載の半導体構造の製造方法。 （５）ａ）約５００℃のシリコン基板（１）の加熱は約
   １２５０℃の拡散温度にまで、１分当りの加熱速度３Ｋ
   で行われ、 ｂ）上記シリコン基板は、約３００分間この拡散温度状
   態に保たれ、 ｃ）次に１分当り約１Ｋの冷却速度で、約５００℃にま
   で冷却されることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
   項乃至第（４）項の何れか１つに記載の方法。 （６）ａ）シリコン基板（１）の少くとも１つの主表面
   （２）の上にアルミニウム（７）が分離設置されており
   、 ｂ）上記アルミニウムは、決められた組織に従って局部
   的に構造化されており、 ｃ）アルミニウム組織で層被覆された上記シリコン基板
   は、酸素を含有した雰囲気中で拡散温度にまで加熱され
   、その際、上記構造化によって生じたアルミニウム源（
   ７）及び（１１）から成る上記アルミニウムは、シリコ
   ン基質（１）中へ向けて拡散され、上記シリコン基板、
   （１）内にアルミニウムの添加されている少くとも１つ
   のゾーン（１０）を形成する半導体構造を製造する為の
   方法にして、 ｄ）上記拡散温度にまで加熱された後に、上記主表面（
   ２）上に残っている上記アルミニウム源（７）及び（１
   １）の残さいは、シリコンエッチング剤を用いたエッチ
   ングにより上記ベースから分離されることを特徴とする
   特許請求の範囲第（１）項乃至第（５）項の何れか１つ
   に記載の半導体構造の製造方法。 （７）上記各々のアルミニウムの添加されたゾーン（１
   ０）の為に、複数個のお互いに間隔を保ったアルミニウ
   ム源（１１）は構造化されていることを特徴とする特許
   請求の範囲第（６）項記載の方法。 （８）アルミニウムエッチング剤として ａ）アイソトープ効果を持つ液体、 ｂ）特に２３容積％のＨＦ、 ４７容積％のＨＮＯ＿３、 ２０容積％のＣＨ＿３ＣＯＯＨ、 １０容積％のＨ＿３ＰＯ＿４の組合せから成るエッチン
   グ剤、 ｃ）又は六弗化硫黄が使用されることを特徴とする特許
   請求の範囲第（６）項又は第（７）項の何れか１つに記
   載の方法。 （９）ａ）上記アルミニウム源（１１）の残さいを除去
   する前に、上記シリコン基板（１）の上記主表面（２）
   の非拡散領域上に感光性塗料 （１３）が、又 ｂ）上記シリコン基質の裏側（１４）全面に感光性塗料
   が塗られることを特徴とする特許請求の範囲第（６）項
   乃至第（８）項の何れか１つに記載の方法。 （１０）ａ）シリコン基板（１）を有しており、ｂ）上
   記シリコン基板は、少くとも１つのアルミニウムの添加
   されたゾーン（１０）を有している半導体構造にして、 ｃ）アルミニウムの添加されている少くとも１つのゾー
   ンの表面には、複数個の主にピラミッド状又は円すい状
   の突起（１２）が見られ、上記突起は、上記シリコン基
   板（１）の主表面（２）の非拡散領域のレベルを越えて
   突出していないことを特徴とする半導体構造。