NL8006668A - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8006668A NL8006668A NL8006668A NL8006668A NL8006668A NL 8006668 A NL8006668 A NL 8006668A NL 8006668 A NL8006668 A NL 8006668A NL 8006668 A NL8006668 A NL 8006668A NL 8006668 A NL8006668 A NL 8006668A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- parts
- aluminum
- treatment
- etching
- aluminum source
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 42
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 101100298295 Drosophila melanogaster flfl gene Proteins 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/761—PN junctions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
"' ..... ’ ............... '·«* ft - —* PHN 9908 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven . “Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting"
De uitvinding heeft betrekking qp een werkwijze voor het' vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij plaatselijk op halfgeleiderlichaam van silicium een aluminium bevattende laag/ hierna de aluminiumbron genoemd/ wordt aangebracht en bij een daaropvolgende 5 diffusiebehandeling aluminium vanuit de aluminiumbron in het silicium-lichaam wordt gediffundeerd en een met aluminium gedoteerd gebied in het siliciumlichaam wordt gevormd.
Een werkwijze van de in de aanhef genoemde soort is bijvoorbeeld bekend uit de Nederlandse octrooiaanvrage 7602960..
10
Hierbij wordt op een siliciumlichaam een aluminiumlaag aangebracht, welke laag met behulp van fotoëtstechnieken wordt beperkt tot plaatsen waar deze laag als dgteringsbron zal dienen bij een diffusiebehandeling.
Diffus iebehandelingen, waarbij een aluminiumbron direkt op 15 een siliciumoppervlak wordt aangebracht, hebben tot nu toe niet de populariteit gekregen die ze uit hoofde van hun eenvoud, bijvoorbeeld ten opzichte van een diffusiebehandeling in een gesloten ampul .-meteen diffusiebron bestaande uit aluminium bevattend siliciumpoeder, toekomt.
20
Hieraan zijn waarschijnlijk de volgende problemen mede debet. Het is met een bron bestaande uit metallisch aluminium op het siliciumoppervlak moeilijk een regelmatig en reproduceerbaar gevormd gediffundeerd gebied in het siliciumlichaam te verkrijgen. Zowel in de diepte- richting als ook in zijwaartse richting vertoont een dergelijk gebied 25 vaak uitstulpingen0
Ook is het mogelijk dat tijdens de diffusiebehandeling in de aluminiumbron zich druppels vormen waardoor zowel in de aluminiumbron als in het met aluminium gedoteerde gebied onderbrekingen kunnen voorkomen. Dergelijke onderbrekingen kunnen bijvoorbeeld bij het diffun-30 deren van gebieden voor eilandisolatie desastreus zijn voor de werking van de te vervaardigen halfgeleiderinrichting0
Bovendien blijkt het vaak moeilijk om een qp de aluminiumr hron na de diffusiebehandeling aanwezige oxydelaag te verwijderen,, 8 0 0 6 66 8 EHN 9908 2
Met de uitvinding wordt onder meer beoogt de genoemde problemen althans in belangrijke mate te vermijden. De uitvinding berust onder andere op het inzicht dat een belangrijke verbetering kan worden bereikt door aanpassing van de vorm van de bron0 5 De in de aanhef vermelde werkwijze wordt volgens de uitvinding derhalve daardoor gekenmerkt, dat de aluminiumbron voorafgaande aan de diffusiebehandeling wordt verdeeld in delen met ieder een oppervlak, dat klein is ten opzichte van het oppervlak van het te vormen gebied, met een onderlinge afstand die kleiner is dan het dubbele van de afstand 10 waarover het aluminium bij de diffusiebehandeling lateraal in het siliciumlichaam wordt gediffundeerd en welke delen een ononderbroken vprm hebben en zodanig klein zijn, dat tijdens de diffusiebehandeling hun ononderbroken vorm ongewijzigd blijft*
Met de werkwijze volgens de uitvinding worden zowel in diepte-15 als in laterale richting regelmatig en reproduceerbaar gevomde net aluminium gedoteerde gebieden verkregen. Druppelvorming in de aluminium-laag en ongewenste onderbrekingen in het gedoteerde gebied worden voorkomen, terwijl een tijdens de diffusie gevormde oxvdelaag zich gemakkelijk laat verwijderen.
20 De afstand tussen de genoemde delen wordt zo klein mogelijk gekozen aangezien dan de aluminiumconcentratie aan het oppervlak van het gedoteerde gebied zo hoog mogelijk is.
Bij. voorkeur wordt in een eerste variant van de werkwijze volgens de uitvinding aan de aluminiumbron een vorm. gegeven overeenkomend 25 met de vorm van het te vormen gedoteerde gebied en gelijktijdig verdeeld in de genoemde delen.
Voor een dergelijke behandeling is bij toepassing van gebruikelijke fotolithografische technieken slechts êên fotoëtsstap nodig.
De genoemde eerste variant geeft vooral zeer duidelijke resul-30 taten indien de dikte van de aluminiumbron tenminste gelijk Q,5^um wordt gekozen. Lagen van een dergelijke dikte zijn vaak gewenst voor het verkrijgen van diepe gedoteerde gebieden, bijvoorbeeld voor eilandisolatie.
Bij voorkeur wordt het oppervlak van de delen van de aluminium-bron afmetingen van circa 6^um bij 6^um gegeven.
35 De onderlinge afstand van de delen kan betrekkelijk klein zijn, bij voorkeur circa 4^um.
De verwijdering van een op de aluminiumlaag aanwezige oxyde-laag na de diffusiebehandeling bij de genoemde eerste variant is zeer 8 00 6 56 8 ΡΗΝ 9908 3 τ' volledig indien voorafgaande aan de diffusiebehandeling de gevormde delen worden onderworpen aan een etsbehandeling waarbij oxyde van het oppervlak van de delen wordt verwijderd.
Bij voorkeur wordt de etsbehandeling uitgevoerd met behulp 5 van een etsbad bestaande uit enige presenten waterstoffluoride in water en bedraagt de etsduur circa 30 seconden.
Bij voorkeur wordt in een tweede variant van de werkwijze volgens de uitvinding aan de aluminiumbron een vorm gegeven overeenkomend met de vorm van het te verkrijgen gedoteerde gebied en vervolgens ver-10 deeü in de genoemde delen door een behandeling waarbij de korrelgrenzen in de aluminiumbron preferentiëel worden geëtst. Bij deze variant korten de delen overeen met de korrels van de aluminiumbron.
Ook bij toepassing van de tweede variant kan net één foto-etsstap worden volstaan.
15 De genoemde tweede variant geeft vooral zeer duidelijk resultaten indien de dikte van de aluminiumbron hoogstens gelijk Q,2^um wordt gekozen.
Bij de tweede variant wordt de grootte van de delen bepaald door de korrelgrootte van het aluminium van de aluminiumbron. De onder- ' 23 linge afstand van de delen die met laatstgenoemde variant wordt verkregen is voldoende om de bovenbeschreven problemen althans in belangrijke mate te voorkomen.
Een bijzonder gunstig resultaat kan reeds net een zeer korte etsbehandeling worden verkregen, bijvoorbeeld in een etsbad be-9R procenten staande uit enig^/waterstoffluoride in water in circa 30 seconden.
Met de werkwijze volgens de uitvinding kunnen op regelmatige en reproduceerbare wijze betrékkelijk diepe gedoteerde gebieden worden verkregen.
Zo wordt bij eenvoorkeursuitvoering van de werkwijze volgens 30 de uitvinding ter verkrijging van een eilandisolatie door isolatie-diffusie het siliciumlichaam gevormd door op een p-type geleidend substraat een n-type geleidende epitaxiale laag aan te brengen en wordt het gedoteerde gebied gevormd door diffusie vanaf het vrije oppervlak van de epitaxiale laag door de gehele dikte van de epitaxiale laag.
35 Met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding kunnen half geleider inrichtingen met dikke epitaxiale lagen worden gemaakt, bijvoorbeeld bipolaire transistoren met hoge collectoromitter-spanningen bij open basis.
8 00 6 66 8 PHN 9908 4 »- · ^
Bij de diffusiebehandeling legeert aan het oppervlak van het halfgeleiderlichaam het aluminium van de aluminiumbron met het silicium.
Ter vermijding van dotering van naast de diffusiebron gelegen delen van het siliciumlichaam wordt de diffusiebehandeling bij voor-5 keur in een oxyderende omgeving uitgevoerd. Hierbij wordt op de bron en het vrije oppervlak van het siliciumlichaam een oxydelaag gevormd.
.. Het kan daarbij voorkomen dat na de diffusiebehandeling blijkt dat de aluminiumconcentratie aan het vrije oppervlak van het gedoteerde gebied lager is dan in dieper gelegen delen van het gebied.
10 Daarari wordt bij voorkeur - de diffusiebehandeling gékcmpleteerd met een tweede diffusiebehandeling waarbij aan een van het eerstgenoemde gebied, gescheiden deel van het oppervlak van het siliciumlichaam met behulp van borium als doteringsstof een tweede gebied wordt gevormd met een geringere diepte dan het eerste gebied en wordt tegelijkertijd het 15 oppervlak van het eerste gebied aan de tweede diffusiebehandeling onderworpen.
Het tweede gebied is bijvoorbeeld een basis van een transistor.
De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van een voorbeeld en van een tekening. In de tekening stellen de figuren 1 en 20 2 schematisch een doorsnede voor van een deel van een halfgeleider in richting in achtereenvolgende stadia van vervaardiging met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding.
In het voorbeeld wordt de vervaardiging van een transistor beschreven waarbij plaatselijk op een halfgeleiderlichaam 1,2 van sili-25 cium een aluminium bevattende laag 3 wordt aangebracht (zie de figuren). Deze laag fungeert als bron bij een volgende diffusiebehandeling waarbij aluminium vanuit de aluminiumbron 3 in het siliciumlichaam 1,2 wordt gediffundeerd en een met aluminium gedoteerd gebied 4 in het siliciumlichaam 1,2 wordt gevormd.
30 Volgens de uitvinding wordt de aluminiumbron 3 voorafgaande aan de diffusiebehandeling verdeeld in delen 5 met ieder een oppervlak dat klein is ten opzichte van het oppervlak van het te vormen gebied 4. De onderlinge afstand van de delen 5 is kleiner dan het dubbele van de afstand waarover het aluminium bij de diffusiebehandeling lateraal in 35 het siliciumlichaam 1,2 vrordt gediffundeerd. De delen 5 hebben een ononderbroken vorm en zij zijn zo klein dat hun vorm tijdens de diffusiebehandeling ongewijzigd blijft.
8006668 PHN 9908 5 ----- Hierdoor wordt bereikt dat zowel in diepte- als in laterale richting regelmatig en reproduceerbaar met aluminium gedoteerde gebieden worden verkregen. Druppelvorming in de aluminiumlaag en ongewenste onderbrekingen in het gedoteerde gebied worden voor kanen. Een tijdens de dif-5 fusie op het aluminium gevormde oxydelaag kan gemakkelijk worden verwijderd.
De verdeling van de aluminiumbron 3 in de delen 5 kan gelijktijdig plaats vinden met de vormgeving van de bron 3 zelf, namelijk in dezelfde fotoëtsstap. Deze methode wordt vooral toegepast wanneer de dik-. 10 te van de bron niet erg klein, bij voorkeur groter dan 0,5 ^um is.
Ook kan de verdeling van de aluminiumbron 3 in de delen 5 plaats vinden na de vormgeving van de bron 3, namelijk door een behandeling waarbij de korrelgrenzen in de aluminiumbron preferentiëel worden geëtst. Deze methode wordt vooral toegepast wanneer de dikte van de bron 15 niet te groot, bij voorkeur kleiner dan 0,2 ^uin is.
Bij voorkeur wordt het siliciumlichaam gevormd door op een p-type geleidend substraat 1 een n-type geleidende epitaxiale laag 2 aan te brengen en wordt het gedoteerde gebied 4 gevormd door diffusie vanaf het vrije oppervlak 6 van de epitaxiale laag 2 door de gehele dikte 20 van die epitaxiale laag.
Bij voorkeur wordt de diffusiebehandeling in een oxyderende argeving uitgevoerd, waarbij door oxydevorming op de bron en het siliciumlichaam dotering van naast de bron gelegen delen van het siliciumr lichaam wordt tegengegaan.
25 Hierbij kan het gebeuren dat het aluminiumgehalte aan het vrije oppervlak van het gedoteerde gebied 4 lager is dan in dieper gelegen delen van het gebied.
Dit wordt verholpen indien een tweede diffusiebehandeling wordt uitgevoerd waarbij aan een van het eerstgenoemde gebied 4 ge-30 scheiden deel van het oppervlak 6 van het siliciumlichaam 1,2 met behulp van borium een tweede gebied 7 wordt gevormd met een geringere diepte als het eerste gebied 4 en tegelijkertijd het oppervlak van het eerste gebied 4 aan de tweede diffusiebehandeling wordt onderworpen.
Bij de vervaardiging wordt bijvoorbeeld uitgegaan van een 35 4 50 yUm dik p-type geleidend substraat 1 met een soortelijke weerstand van 35 jCL cm. Op een gebruikelijke wijze wordt hierop een 40 ^um dikke n-type geleidende epitaxiale laag 2 met een soortelijke weerstand van 40 -Λ- cm neergeslagen, 8 00 6 66 8 EHN 9908 6 —...... Op de laag 2 wordt een niet getekende Q,5^um dikke aluminium- laag aangebracht waaruit langs fotolithografische weg op gebruikelijke wijze plaatselijk de aluminiuinbron 3 wordt gevormd.
De bron 3 is plaatselijk qp het oppervlak ca. 36 ^um breed en 5 bestaat uit delen van ca. 6 ^um bij 6 ^um, die op een onderlinge afstand van ca. 4 ^um liggen.
Eventueel bij het aanbrengen van de aluminiumbron 3 gevormd oxyde wordt verwijderd door etsen in een etsbad bestaande uit een oplossing van enige procenten water stof fluor ide in water gedurende 30 10 seconden. Gedurende het etsen kunnen tevens de korrelgrenzen preferentieel worden geëtst doch dat etsen zal bij een aluminiumlaag van de genoemde dikte zich niet door de gehele laag doorzetten.
Bij aluminiumlaagdikten van 0,2 ^um en kleiner kan de verdeling in delen 5 samenvallen met het verwijderen van een oxydelaag in het ge-15 noemde etsbad. Het preferentiële etsen van korrelgrenzen zal zich dan door de gehele aluminiumlaag dóórzetten. De delen 5 hebben dan de vorm van de korrels in de alunaniumlaag.
Bij de diffusiebehandeling wordt aluminium vanuit de bron 3 door de epitaxiale laag 2 gediffundeerd en het gebied 4 gevormd. De 20 diffusiebehandeling duurt 10 uur, vindt plaats bij 1200° C in een atmosfeer die ca 10 vol% zuurstof bevat.
Bij de diffusiebehandeling verdwijnt de bron 3. Op een gebruikelijke wijze kan een ter plaatse van het gebied 4 gevormde oxydelaag worden verwijderd. Met het vormen van de laatstgenoemde oxydelaag 25 kan samenhangen dat de aluminiumconcentratie aan het oppervlak 6 van de epitaxiale laag relatief laag is.
Ter compensatie wordt dan bij een tweede diffusiebehandeling ter plaatse van het gebied 4 en elders via het oppervlak 6 borium gediffundeerd waardoor de concentratie in het gebied 4 weer op peil 30 wordt gebracht en in de epitaxiale laag 2 het tweede gebied 7 wordt gevormd dat als basis van de transistor kan fungeren.
Borium kan op gebruikelijke wijze worden gediffundeerd, uitgaande van boriumbromide als bron, gedurende 4 uur bij 1160°C.
Het tweede gebied 7 is bijvoorbeeld 6 ^um diep.
35 De vervaardiging van de transistor wordt op een gebruikelijke wijze voortgezet.
De uitvinding is niet beperkt tot het gegeven voorbeeld. Het 8 00 6 66 8 ΡΗΝ 9908 7 r ft ......zal de vakman duidelijk zijn dat hem binnen het kader van de uitvinding vele variaties ten dienste staan.
Zo kan in de epitaxiale laag een begraven laag worden gevormd. De toegepaste aluminiumbron kan naast het aluminium ook andere gewenste 5 elementen, bijvoorbeeld silicium, bevatten.
De bovenbeschreven isolatiedif fusie kan met voordeel in het bijzonder bij dikke lagen worden toegepast. De werkwijze volgens de uitvinding kan ook met vrucht worden toegepast voor gebieden net een andere functie en in dunne epitaxiale lagen.
10 15 20 25 30 ft flfl 66 8 35
Claims (10)
- 2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat aan de aluminiumbron een vorm wordt gegeven overeenkomend met de vorm van het te vormen gedoteerde gebied en gelijktijdig wordt verdeeld in de genoemde delen..
- 3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de dikte 20 van de aluminiumbron tenminste gelijk 0,5 ^um wordt gekozen.
- 4. Werkwijze volgens conclusie 2 of 3, met het kenmerk, dat het oppervlak van de delen van de aluminiumbron afmetingen van ca. 6 ^um bij 6 ^um wordt gegeven.
- 5. Werkwijze volgens een der voorgaande conclusies, met het 25 kenmerk, dat de onderlinge afstand van de delen ca. 4 ^,um bedraagt.
- 6. Werkwijze volgens een van de conclusies 2 tot en met 5, met het kenmerk, dat voorafgaande aan de diffusiebehandeling de gevormde delen worden onderworpen aan een etsbehandeling waarbij oxyde van het oppervlak van de delen wordt verwijderd.
- 7. Werkwijze volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de ets behandeling wordt uitgevoerd met behulp van een etsbad bestaande uit enige procenten waterstoffluoride in water en de etsduur ca. 30 seconden bedraag.
- 8. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat aan de 35 aluminiumbron een vorm gegeven wordt overeenkomend met de vorm van het te vormen gedoteerde gebied en vervolgens wordt verdeeld in de genoemde delen door een behandeling waarbij de korrelgrenzen in de aluminiumbron preferentieel worden geëtst. 8 00 6 66 8 *· f- H3N 9908 9 __.9. Werkwijze volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat de dikte van de aluminiumbron hoogstens gelijk 0,2 ^um wordt gekozen.
- 10. Werkwijze volgens conclusie 8 of 9, met het kenmerk, dat de etsbehandeling wordt uitgevoerd met behulp van een etsbad bestaande 5 uit enige procenten waterstoffluoride in water en de etsduur ca. 30 seconden bedraagt. 1T. Werkwijze volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat het siliciumlichaam wordt gevormd door op een p-type geleidend substraat een n-type geleidende epitaxale laag aan te brengen ΙΟ en dat het gedoteerde gebied wordt gevormd door diffusie vanaf het vrije oppervlak van de epitaxiale laag door de gehele dikte van die epitaxiale laag.
- 12. Werkwijze volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat de diffusiebehandeling in een oxyderende omgeving wordt 15 uitgevoerd.
- 13. Werkwijze volgens een van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat de diffusiebehandeling wordt gekcmpleteèrd met een tweede diffusiebehandeling waarbij aan een van het eerstgenoemde Λ gebied gescheiden deel van het oppervlak van het siliciumlichaam met 2o behulp van borium als dcteringsstof een tweede gebied wordt gevormd met een geringere diepte als het eerste gebied en tegelijkertijd het oppervlak van het eerste gebied aan de tweede diffusiebehandeling wordt onderworpen. 25 30 35 - 8 0 0 6 66 8
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8006668A NL8006668A (nl) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
| US06/321,960 US4381957A (en) | 1980-12-09 | 1981-11-16 | Method of diffusing aluminum |
| DE8181201282T DE3169109D1 (en) | 1980-12-09 | 1981-11-20 | Method of diffusing aluminium from a layer that contains aluminium into a silicon body |
| EP81201282A EP0054317B1 (en) | 1980-12-09 | 1981-11-20 | Method of diffusing aluminium from a layer that contains aluminium into a silicon body |
| JP56195137A JPS57121222A (en) | 1980-12-09 | 1981-12-05 | Method of producing semiconductor device |
| IE2870/81A IE52979B1 (en) | 1980-12-09 | 1981-12-07 | Method of manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8006668 | 1980-12-09 | ||
| NL8006668A NL8006668A (nl) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8006668A true NL8006668A (nl) | 1982-07-01 |
Family
ID=19836296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8006668A NL8006668A (nl) | 1980-12-09 | 1980-12-09 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4381957A (nl) |
| EP (1) | EP0054317B1 (nl) |
| JP (1) | JPS57121222A (nl) |
| DE (1) | DE3169109D1 (nl) |
| IE (1) | IE52979B1 (nl) |
| NL (1) | NL8006668A (nl) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0693509B2 (ja) * | 1983-08-26 | 1994-11-16 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| DE3520699A1 (de) * | 1985-06-10 | 1986-01-23 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau | Verfahren zum selektiven diffundieren von aluminium in ein siliziumsubstrat |
| DE3782608D1 (de) * | 1986-09-30 | 1992-12-17 | Siemens Ag | Verfahren zum erzeugen eines p-dotierten halbleitergebiets in einem n-leitenden halbleiterkoerper. |
| EP0262356B1 (de) * | 1986-09-30 | 1993-03-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs hoher Spannungsfestigkeit |
| US8481414B2 (en) | 2011-04-08 | 2013-07-09 | Micron Technology, Inc. | Incorporating impurities using a discontinuous mask |
| CN113053736B (zh) * | 2021-03-11 | 2024-05-03 | 捷捷半导体有限公司 | 一种半导体器件制作方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1227154B (de) * | 1963-07-23 | 1966-10-20 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines pn-UEbergangs in einer einkristallinen Halbleiteranordnung |
| FR1495766A (nl) * | 1965-12-10 | 1967-12-20 | ||
| DE1811277C3 (de) * | 1968-11-27 | 1978-06-08 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von p-dotierten Zonen mit unterschiedlichen Eindringtiefen in einer n-Silicium-Schicht |
| DE2506436C3 (de) * | 1975-02-15 | 1980-05-14 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Diffusionsverfahren zum Herstellen aluminiumdotierter Isolationszonen für Halbleiterbauelemente |
| GB1536545A (en) * | 1975-03-26 | 1978-12-20 | Mullard Ltd | Semiconductor device manufacture |
| US4021269A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-03 | General Electric Company | Post diffusion after temperature gradient zone melting |
| US3998662A (en) * | 1975-12-31 | 1976-12-21 | General Electric Company | Migration of fine lines for bodies of semiconductor materials having a (100) planar orientation of a major surface |
| JPS5310265A (en) * | 1976-07-15 | 1978-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | Impurity diffusion method |
| US4066485A (en) * | 1977-01-21 | 1978-01-03 | Rca Corporation | Method of fabricating a semiconductor device |
| JPS53118367A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-16 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor |
| JPS54144889A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-12 | Hitachi Ltd | Manufacture for semiconductor device |
| JPS55140241A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-01 | Matsushita Electronics Corp | Method of fabricating semiconductor device |
-
1980
- 1980-12-09 NL NL8006668A patent/NL8006668A/nl not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-11-16 US US06/321,960 patent/US4381957A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-11-20 EP EP81201282A patent/EP0054317B1/en not_active Expired
- 1981-11-20 DE DE8181201282T patent/DE3169109D1/de not_active Expired
- 1981-12-05 JP JP56195137A patent/JPS57121222A/ja active Granted
- 1981-12-07 IE IE2870/81A patent/IE52979B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4381957A (en) | 1983-05-03 |
| EP0054317B1 (en) | 1985-02-20 |
| JPS57121222A (en) | 1982-07-28 |
| DE3169109D1 (en) | 1985-03-28 |
| IE52979B1 (en) | 1988-04-27 |
| JPS6262457B2 (nl) | 1987-12-26 |
| IE812870L (en) | 1983-06-09 |
| EP0054317A1 (en) | 1982-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4791074A (en) | Method of manufacturing a semiconductor apparatus | |
| US4407060A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JPH05175420A (ja) | 半導体基板加工方法 | |
| JPH051623B2 (nl) | ||
| US2934685A (en) | Transistors and method of fabricating same | |
| NL8006668A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| US3338758A (en) | Surface gradient protected high breakdown junctions | |
| JPH04280900A (ja) | 固体ソースを用いたドーピングドーパントの拡散方法 | |
| US3290188A (en) | Epitaxial alloy semiconductor devices and process for making them | |
| US3698077A (en) | Method of producing a planar-transistor | |
| US4132573A (en) | Method of manufacturing a monolithic integrated circuit utilizing epitaxial deposition and simultaneous outdiffusion | |
| US3006789A (en) | Method of producing transistors | |
| US3364085A (en) | Method for making semiconductor device | |
| US2975085A (en) | Transistor structures and methods of manufacturing same | |
| JPH042119A (ja) | 不純物拡散方法 | |
| US3475235A (en) | Process for fabricating a semiconductor device | |
| US3798083A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
| JPS641064B2 (nl) | ||
| JPS59148327A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH023291A (ja) | ツェナーダイオードの二重インプラント製作法 | |
| SU987711A1 (ru) | Способ изготовлени интегрального транзистора | |
| JPS5989460A (ja) | サイリスタの製造方法 | |
| JPS6097637A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61292327A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6010719A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |