JP3170445B2 - 太陽電池素子の形成方法 - Google Patents
太陽電池素子の形成方法Info
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- JP3170445B2 JP3170445B2 JP03846696A JP3846696A JP3170445B2 JP 3170445 B2 JP3170445 B2 JP 3170445B2 JP 03846696 A JP03846696 A JP 03846696A JP 3846696 A JP3846696 A JP 3846696A JP 3170445 B2 JP3170445 B2 JP 3170445B2
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- Japan
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- semiconductor substrate
- layer
- solar cell
- forming
- cell element
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池素子の形成
方法の改良に関する。
方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
太陽電池素子の形成方法を図２（ａ）〜（ｇ）に基づい
て説明する。まず、同図（ａ）に示すように、０．２〜
１．０ｍｍ程度の厚みを有する半導体基板１１を用意す
る。この半導体基板１１は、例えばボロン（Ｂ）等のＰ
型不純物を含有し、ＣＺ法、ＦＺ法、ＥＦＧ法、或いは
鋳造法などで形成された単結晶又は多結晶のシリコンの
インゴットをスライスして形成される。半導体基板１１
の表面側に例えばリン（Ｐ）などを熱拡散させたＮ層１
１ｂを設ける。
太陽電池素子の形成方法を図２（ａ）〜（ｇ）に基づい
て説明する。まず、同図（ａ）に示すように、０．２〜
１．０ｍｍ程度の厚みを有する半導体基板１１を用意す
る。この半導体基板１１は、例えばボロン（Ｂ）等のＰ
型不純物を含有し、ＣＺ法、ＦＺ法、ＥＦＧ法、或いは
鋳造法などで形成された単結晶又は多結晶のシリコンの
インゴットをスライスして形成される。半導体基板１１
の表面側に例えばリン（Ｐ）などを熱拡散させたＮ層１
１ｂを設ける。
【０００３】次に、同図（ｂ）に示すように、Ｎ層１１
ｂのうち他の主面側のＮ層１１ｂのみを残して他の部分
を除去する。すなわち、他の主面側のみにエッチングの
レジスト膜を塗布してフッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＮＯ3 ）
の混合液に浸漬することにより、他の主面側以外のＮ層
１１ｂを除去する。
ｂのうち他の主面側のＮ層１１ｂのみを残して他の部分
を除去する。すなわち、他の主面側のみにエッチングの
レジスト膜を塗布してフッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＮＯ3 ）
の混合液に浸漬することにより、他の主面側以外のＮ層
１１ｂを除去する。
【０００４】次に、同図（ｃ）に示すように、半導体基
板１１の他の主面側に反射防止膜１２を形成する。この
反射防止膜１２は半導体基板１１に入射される光を効率
よく吸収するための膜であり、例えばシランとアンモニ
アとの混合ガスをプラズマ化して析出させた窒化シリコ
ン膜などで形成される。
板１１の他の主面側に反射防止膜１２を形成する。この
反射防止膜１２は半導体基板１１に入射される光を効率
よく吸収するための膜であり、例えばシランとアンモニ
アとの混合ガスをプラズマ化して析出させた窒化シリコ
ン膜などで形成される。
【０００５】次に、同図（ｄ）に示すように、半導体基
板１１の一主面側に、アルミニウムペースト１５をスク
リーン印刷法などで塗布して加熱焼成することにより、
半導体基板１１の一主面側にアルミニウム元素を拡散さ
せて半導体基板１１の一主面側にＰ+ 領域１１ａを形成
する。
板１１の一主面側に、アルミニウムペースト１５をスク
リーン印刷法などで塗布して加熱焼成することにより、
半導体基板１１の一主面側にアルミニウム元素を拡散さ
せて半導体基板１１の一主面側にＰ+ 領域１１ａを形成
する。
【０００６】次に、同図（ｅ）に示すように、半導体基
板１１の他の主面側に形成した反射防止膜１２を表面電
極の形状に応じて除去する。すなわち、表面電極のパタ
ーンと逆パターンを形づくるように反射防止膜１２を除
去する。
板１１の他の主面側に形成した反射防止膜１２を表面電
極の形状に応じて除去する。すなわち、表面電極のパタ
ーンと逆パターンを形づくるように反射防止膜１２を除
去する。
【０００７】次に、同図（ｆ）に示すように、半導体基
板１１の他の主面側の反射防止膜１２の除去部分に表面
電極１３及び裏面電極１４を形成する。表面電極１３及
び裏面電極１４は、銀粉末を主成分とするペーストを半
導体基板１１の表裏面に厚膜手法で塗布して加熱焼成す
ることにより焼き付けて形成する。
板１１の他の主面側の反射防止膜１２の除去部分に表面
電極１３及び裏面電極１４を形成する。表面電極１３及
び裏面電極１４は、銀粉末を主成分とするペーストを半
導体基板１１の表裏面に厚膜手法で塗布して加熱焼成す
ることにより焼き付けて形成する。
【０００８】この表面電極１３および裏面電極１４上に
は、必要に応じて半田層（不図示）などが形成される。
なお、表面電極１３および裏面電極１４は、メッキ法や
真空蒸着法を用いて形成してもよい。
は、必要に応じて半田層（不図示）などが形成される。
なお、表面電極１３および裏面電極１４は、メッキ法や
真空蒸着法を用いて形成してもよい。
【０００９】ところが、この従来の太陽電池素子の形成
方法では、図２（ｄ）に示す工程で、半導体基板１１の
裏面側にＰ+ 層１１ａを形成する場合、半導体基板１１
の裏面側全面にアルミニウムペースト１５を塗布して加
熱焼成することから、半導体基板１１とアルミニウム１
４の熱膨張係数の相違に起因して、半導体基板１１にソ
リを生じ、製造歩留り低下の原因になるという問題があ
った。
方法では、図２（ｄ）に示す工程で、半導体基板１１の
裏面側にＰ+ 層１１ａを形成する場合、半導体基板１１
の裏面側全面にアルミニウムペースト１５を塗布して加
熱焼成することから、半導体基板１１とアルミニウム１
４の熱膨張係数の相違に起因して、半導体基板１１にソ
リを生じ、製造歩留り低下の原因になるという問題があ
った。
【００１０】また、半導体基板１１にソリなどを生じさ
せない太陽電池素子の形成方法として、ＢＢｒ3 などを
用いた熱拡散方法によってＰ+ 層１１ａを形成すること
も考えられる（例えば"HIGH-EFFICIENCY SOLAR CELLS F
ROM FZ, CZ, AND MC SILICONMATERIAL", 0-7 803-1220-
1/93, 1993, IEEE, P271-P276）。この太陽電池素子の
形成方法では、まず図３（ａ）に示すように、半導体基
板１１を１０００℃程度の酸化雰囲気中で加熱して８０
ｎｍ程度の厚みを有する酸化膜１６を形成する。次に、
同図（ｂ）に示すように、酸化膜１６のうち、半導体基
板１１の他の主面側の酸化膜１６を除去し、この酸化膜
１６をマスクとしてＢＢｒ3 などを用いてボロン（Ｂ）
を熱拡散させて、Ｐ+ 層１１ａを形成する。次に、同図
（ｃ）に示すように、半導体基板１１の表面部に再度酸
化シリコン膜１６を形成して一主面側の酸化シリコン膜
を除去し、この半導体基板１１の一主面側に酸化膜１６
をマスクとしてＰＯＣｌ3 などを用いてリン（Ｐ）を熱
拡散する。なお、反射防止膜、表面電極及び裏面電極の
形成方法は、図２（ｃ）（ｅ）（ｆ）に示す形成工程と
同一である。
せない太陽電池素子の形成方法として、ＢＢｒ3 などを
用いた熱拡散方法によってＰ+ 層１１ａを形成すること
も考えられる（例えば"HIGH-EFFICIENCY SOLAR CELLS F
ROM FZ, CZ, AND MC SILICONMATERIAL", 0-7 803-1220-
1/93, 1993, IEEE, P271-P276）。この太陽電池素子の
形成方法では、まず図３（ａ）に示すように、半導体基
板１１を１０００℃程度の酸化雰囲気中で加熱して８０
ｎｍ程度の厚みを有する酸化膜１６を形成する。次に、
同図（ｂ）に示すように、酸化膜１６のうち、半導体基
板１１の他の主面側の酸化膜１６を除去し、この酸化膜
１６をマスクとしてＢＢｒ3 などを用いてボロン（Ｂ）
を熱拡散させて、Ｐ+ 層１１ａを形成する。次に、同図
（ｃ）に示すように、半導体基板１１の表面部に再度酸
化シリコン膜１６を形成して一主面側の酸化シリコン膜
を除去し、この半導体基板１１の一主面側に酸化膜１６
をマスクとしてＰＯＣｌ3 などを用いてリン（Ｐ）を熱
拡散する。なお、反射防止膜、表面電極及び裏面電極の
形成方法は、図２（ｃ）（ｅ）（ｆ）に示す形成工程と
同一である。
【００１１】ところが、このような太陽電池素子の形成
方法では、２回の酸化膜形成工程と２回のフォトリソ工
程があり、形成工程が煩雑になると共に、図３（ｃ）の
工程では、ボロンの拡散層１１ａの上に酸化膜１６をつ
けるため、半導体基板１１中に拡散したボロンが酸化膜
１６中に取り込まれ、Ｐ+ 層のボロンの拡散濃度の制御
が困難であるという問題がある。
方法では、２回の酸化膜形成工程と２回のフォトリソ工
程があり、形成工程が煩雑になると共に、図３（ｃ）の
工程では、ボロンの拡散層１１ａの上に酸化膜１６をつ
けるため、半導体基板１１中に拡散したボロンが酸化膜
１６中に取り込まれ、Ｐ+ 層のボロンの拡散濃度の制御
が困難であるという問題がある。
【００１２】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みて発明されたものであり、太陽電池素子の製造工程
において、半導体基板にソリが発生して製造歩留りが低
下することを解消すると共に、太陽電池素子の製造工程
の煩雑化を解消することを目的とする。
鑑みて発明されたものであり、太陽電池素子の製造工程
において、半導体基板にソリが発生して製造歩留りが低
下することを解消すると共に、太陽電池素子の製造工程
の煩雑化を解消することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る太陽電池素子の形成方法では、Ｐ型不
純物を含有する半導体基板の一主面側にＰ+ 層を形成す
ると共に他の主面側にＮ層を形成して、この半導体基板
の両主面に電極を形成する太陽電池素子の形成方法にお
いて、前記半導体基板の表面部にボロンシリケートガラ
ス層を形成しながらＰ+ 層を形成し、この半導体基板表
面部のボロンシリケートガラス層とＰ+層を前記半導体
基板の一主面側を除いて除去し、この半導体基板に前記
ボロンシリケートガラス層をマスクとしてリンを拡散さ
せ、この半導体基板側面部のリンが拡散した領域を除去
して、この半導体基板の他の主面側に前記Ｎ層を形成す
る。
に、本発明に係る太陽電池素子の形成方法では、Ｐ型不
純物を含有する半導体基板の一主面側にＰ+ 層を形成す
ると共に他の主面側にＮ層を形成して、この半導体基板
の両主面に電極を形成する太陽電池素子の形成方法にお
いて、前記半導体基板の表面部にボロンシリケートガラ
ス層を形成しながらＰ+ 層を形成し、この半導体基板表
面部のボロンシリケートガラス層とＰ+層を前記半導体
基板の一主面側を除いて除去し、この半導体基板に前記
ボロンシリケートガラス層をマスクとしてリンを拡散さ
せ、この半導体基板側面部のリンが拡散した領域を除去
して、この半導体基板の他の主面側に前記Ｎ層を形成す
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づき詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｇ）は本発
明に係る太陽電池素子の形成方法の一実施形態を示す図
であり、１は半導体基板、１ａはＰ+ 層、１ｂはＮ層、
２は反射防止膜、３は表面電極、４は裏面電極である。
面に基づき詳細に説明する。図１（ａ）〜（ｇ）は本発
明に係る太陽電池素子の形成方法の一実施形態を示す図
であり、１は半導体基板、１ａはＰ+ 層、１ｂはＮ層、
２は反射防止膜、３は表面電極、４は裏面電極である。
【００１５】まず、同図（ａ）に示すように、０．２〜
１ｍｍ程度の厚みを有する半導体基板１を用意する。こ
の半導体基板１は、ＣＺ法、ＦＺ法、ＥＦＧ法、あるい
は鋳造法などで形成された単結晶又は多結晶のシリコン
インゴットなどをスライスして形成され、例えばボロン
（Ｂ）などのＰ型不純物を１×１０16〜１×１０18ｃｍ
-3程度含有する。ＢＢｒ3 を窒素ガスや酸素ガスなどで
バブリングしながら、半導体基板１が搬入された石英チ
ューブに導入して、半導体基板１の表面部に、ボロンを
熱拡散し、Ｐ+ 層１ａを形成する。この場合、バブリン
グガスまたはキャリアガスとして用いられる酸素がシリ
コンと反応して半導体基板１の表面に、ボロンシリケー
トガラス層５が形成される。このＰ+ 層１ａはボロンを
１×１０19〜１×１０22ｃｍ-3程度含有するように、
０．５μｍ〜５μｍ程度の深さに形成される。このよう
に、半導体基板１の表面部近傍にＢＢｒ3 を熱拡散し
て、Ｐ+ 層１ａを形成すると、従来のようにアルミニウ
ムペーストを用いることなく、Ｐ+ 層１ａを形成するこ
とができる。もって、本発明の太陽電池の形成方法で
は、Ｐ+ 層１ａの形成工程で半導体基板１にソリなどを
生じることがない。
１ｍｍ程度の厚みを有する半導体基板１を用意する。こ
の半導体基板１は、ＣＺ法、ＦＺ法、ＥＦＧ法、あるい
は鋳造法などで形成された単結晶又は多結晶のシリコン
インゴットなどをスライスして形成され、例えばボロン
（Ｂ）などのＰ型不純物を１×１０16〜１×１０18ｃｍ
-3程度含有する。ＢＢｒ3 を窒素ガスや酸素ガスなどで
バブリングしながら、半導体基板１が搬入された石英チ
ューブに導入して、半導体基板１の表面部に、ボロンを
熱拡散し、Ｐ+ 層１ａを形成する。この場合、バブリン
グガスまたはキャリアガスとして用いられる酸素がシリ
コンと反応して半導体基板１の表面に、ボロンシリケー
トガラス層５が形成される。このＰ+ 層１ａはボロンを
１×１０19〜１×１０22ｃｍ-3程度含有するように、
０．５μｍ〜５μｍ程度の深さに形成される。このよう
に、半導体基板１の表面部近傍にＢＢｒ3 を熱拡散し
て、Ｐ+ 層１ａを形成すると、従来のようにアルミニウ
ムペーストを用いることなく、Ｐ+ 層１ａを形成するこ
とができる。もって、本発明の太陽電池の形成方法で
は、Ｐ+ 層１ａの形成工程で半導体基板１にソリなどを
生じることがない。
【００１６】次に、同図（ｂ）に示すように、一主面側
のＰ+ 層１ａとボロンシリケートガラス５のみを残して
他の部分を除去する。すなわち、一主面側のみにエッチ
ングのレジスト膜を塗布してフッ酸（ＨＦ）と硝酸（Ｎ
Ｏ3 ）の混合液に浸漬し、一主面側のＰ+ 層１ａとボロ
ンシリケートガラス層５以外のＰ+ 層１ａとボロンリケ
ートガラス層５を除去する。その後、レジスト膜を除去
して半導体基板１を純水で洗浄する。
のＰ+ 層１ａとボロンシリケートガラス５のみを残して
他の部分を除去する。すなわち、一主面側のみにエッチ
ングのレジスト膜を塗布してフッ酸（ＨＦ）と硝酸（Ｎ
Ｏ3 ）の混合液に浸漬し、一主面側のＰ+ 層１ａとボロ
ンシリケートガラス層５以外のＰ+ 層１ａとボロンリケ
ートガラス層５を除去する。その後、レジスト膜を除去
して半導体基板１を純水で洗浄する。
【００１７】次に、同図（ｃ）に示すように、半導体基
板１の表面にＮ層１ｂを設ける。このＮ層１ｂは、リン
を含むを気体例えばオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）など
のバブリングガスを流しながら、半導体基板１を８５０
〜９００℃の温度に加熱してリンを半導体基板１に拡散
させることによって形成する。このＮ層１ｂを形成する
ことによって、半導体基板１内にＰＮ接合部が形成され
る。このＮ層１ｂはリンなどを１×１０16〜１×１０18
ｃｍ-3程度含有するように形成され、２０００Å〜１μ
ｍ程度の深さに形成される。このＮ層１ｂは、半導体基
板１の一主面側のボロンシリケートガラス層５を露出さ
せたままで形成する。この場合、リンはシリコンに対す
る拡散係数よりボロンシリケートガラスに対する拡散係
数が小さいため、ボロンシリケートガラス層５をリン拡
散のマスク層として半導体基板１にリンを拡散させるこ
とができる。このように、ボロンシリケトガラス層５を
残したままＮ層１ｂを形成すると、従来のようにマスク
としての酸化膜などを新たに形成する必要がなく、太陽
電池素子の形成工程を簡略化できる。
板１の表面にＮ層１ｂを設ける。このＮ層１ｂは、リン
を含むを気体例えばオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）など
のバブリングガスを流しながら、半導体基板１を８５０
〜９００℃の温度に加熱してリンを半導体基板１に拡散
させることによって形成する。このＮ層１ｂを形成する
ことによって、半導体基板１内にＰＮ接合部が形成され
る。このＮ層１ｂはリンなどを１×１０16〜１×１０18
ｃｍ-3程度含有するように形成され、２０００Å〜１μ
ｍ程度の深さに形成される。このＮ層１ｂは、半導体基
板１の一主面側のボロンシリケートガラス層５を露出さ
せたままで形成する。この場合、リンはシリコンに対す
る拡散係数よりボロンシリケートガラスに対する拡散係
数が小さいため、ボロンシリケートガラス層５をリン拡
散のマスク層として半導体基板１にリンを拡散させるこ
とができる。このように、ボロンシリケトガラス層５を
残したままＮ層１ｂを形成すると、従来のようにマスク
としての酸化膜などを新たに形成する必要がなく、太陽
電池素子の形成工程を簡略化できる。
【００１８】次に、同図（ｄ）に示すように、半導体基
板１の周辺側部のＮ層１ｂをエッチング除去する。すな
わち、半導体基板１の両主面側にエチングのレジスト膜
を塗布し、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＮＯ3 ）の混合液に
浸漬して、半導体基板１の周辺側部のＮ層１ｂを除去す
る。半導体基板１周辺側部のＮ層１ａを除去した後にレ
ジスト膜を除去し、半導体基板１を純水で洗浄する。
板１の周辺側部のＮ層１ｂをエッチング除去する。すな
わち、半導体基板１の両主面側にエチングのレジスト膜
を塗布し、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＮＯ3 ）の混合液に
浸漬して、半導体基板１の周辺側部のＮ層１ｂを除去す
る。半導体基板１周辺側部のＮ層１ａを除去した後にレ
ジスト膜を除去し、半導体基板１を純水で洗浄する。
【００１９】次に、同図（ｅ）に示すように、半導体基
板１の主面側に反射防止膜２を形成する。この反射防止
膜２は、半導体基板１に入射される光を効率よく吸収す
るための膜であり、その厚みが５００〜１０００Å、屈
折率が１．９０〜２．３０程度になるように形成され
る。例えばシラン（ＳｉＨ4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）
との混合ガスをプラズマ化して析出させた窒化シリコン
膜等で形成される。具体的には、プラズマＣＶＤ装置内
で半導体基板１を１５０〜４００℃にまで加熱し、シラ
ンとアンモニアとキャリアガスとしての水素（Ｈ2 ）の
ガス圧を０．２〜２．０Ｔｏｒｒに維持しながら、高周
波電圧を印加する。この反射防止膜２の材料としては窒
化シリコン膜の他に、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、二酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）な
どを用いてもよい。
板１の主面側に反射防止膜２を形成する。この反射防止
膜２は、半導体基板１に入射される光を効率よく吸収す
るための膜であり、その厚みが５００〜１０００Å、屈
折率が１．９０〜２．３０程度になるように形成され
る。例えばシラン（ＳｉＨ4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）
との混合ガスをプラズマ化して析出させた窒化シリコン
膜等で形成される。具体的には、プラズマＣＶＤ装置内
で半導体基板１を１５０〜４００℃にまで加熱し、シラ
ンとアンモニアとキャリアガスとしての水素（Ｈ2 ）の
ガス圧を０．２〜２．０Ｔｏｒｒに維持しながら、高周
波電圧を印加する。この反射防止膜２の材料としては窒
化シリコン膜の他に、一酸化シリコン（ＳｉＯ）、二酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2 ）な
どを用いてもよい。
【００２０】次に、同図（ｆ）に示すように、半導体基
板１の表面側に形成した反射防止膜２を表面電極５の形
状に応じて除去する。すなわち、表面電極５のパターン
と逆パターンで反射防止膜２を除去する。
板１の表面側に形成した反射防止膜２を表面電極５の形
状に応じて除去する。すなわち、表面電極５のパターン
と逆パターンで反射防止膜２を除去する。
【００２１】次に、同図（ｇ）に示すように、半導体基
板１の一主面側の反射防止膜２の除去部分に表面電極３
を形成すると共に、半導体基板１の裏面側に裏面電極４
を形成する。表面電極３および裏面電極４は、銀粉末を
主成分とするペーストを半導体基板１の表裏面に厚膜手
法などで印刷塗布して焼き付けることにより形成する。
板１の一主面側の反射防止膜２の除去部分に表面電極３
を形成すると共に、半導体基板１の裏面側に裏面電極４
を形成する。表面電極３および裏面電極４は、銀粉末を
主成分とするペーストを半導体基板１の表裏面に厚膜手
法などで印刷塗布して焼き付けることにより形成する。
【００２２】この表面電極３および裏面電極４上には、
必要に応じて半田層（不図示）などが形成される。な
お、表面電極３および裏面電極４は、メッキ法や真空蒸
着法を用いて形成してもよい。
必要に応じて半田層（不図示）などが形成される。な
お、表面電極３および裏面電極４は、メッキ法や真空蒸
着法を用いて形成してもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池素
子の形成方法によれば、半導体基板の表面部にボロンシ
リケートガラス層を形成しながらＰ+ 層を形成し、この
半導体基板表面部のボロンシリケートガラス層とＰ+ 層
を前記半導体基板の一主面側を除いて除去し、この半導
体基板に前記ボロンシリケートガラス層をマスクとして
リンを拡散させ、この半導体基板側面部のリンが拡散し
た領域を除去して、この半導体基板の他の主面側に前記
Ｎ層を形成することから、従来のような酸化膜形成工程
や酸化膜除去工程がなく、太陽電池素子の形成工程を簡
素化できる。
子の形成方法によれば、半導体基板の表面部にボロンシ
リケートガラス層を形成しながらＰ+ 層を形成し、この
半導体基板表面部のボロンシリケートガラス層とＰ+ 層
を前記半導体基板の一主面側を除いて除去し、この半導
体基板に前記ボロンシリケートガラス層をマスクとして
リンを拡散させ、この半導体基板側面部のリンが拡散し
た領域を除去して、この半導体基板の他の主面側に前記
Ｎ層を形成することから、従来のような酸化膜形成工程
や酸化膜除去工程がなく、太陽電池素子の形成工程を簡
素化できる。
【００２４】また、半導体基板にＰ+ 層を形成する際に
従来のようなアルミニウムペーストを使用しないことか
ら、半導体基板にソリなどを発生することがなく、製造
歩留りの低下を防止できる。
従来のようなアルミニウムペーストを使用しないことか
ら、半導体基板にソリなどを発生することがなく、製造
歩留りの低下を防止できる。
【図１】本発明に係る太陽電池素子の形成方法の一実施
形態を示す図である。
形態を示す図である。
【図２】従来の太陽電池素子の形成方法を示す図であ
る。
る。
【図３】従来の他の太陽電池素子の形成方法を示す図で
ある。
ある。
１・・・半導体基板、１ａ・・・Ｐ+ 層、１ｂ・・・Ｎ
層、２・・・反射防止膜、３・・・表面電極、４・・・
裏面電極、５・・・ボロンシリケートガラス層
層、２・・・反射防止膜、３・・・表面電極、４・・・
裏面電極、５・・・ボロンシリケートガラス層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−41874（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−58867（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−58335（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｐ型不純物を含有する半導体基板の一主
面側にＰ+ 層を形成すると共に他の主面側にＮ層を形成
して、この半導体基板の両主面に電極を形成する太陽電
池素子の形成方法において、前記半導体基板の表面部に
ボロンシリケートガラス層を形成しながらＰ+ 層を形成
し、この半導体基板表面部のボロンシリケートガラス層
とＰ+ 層を前記半導体基板の一主面側を除いて除去し、
この半導体基板に前記ボロンシリケートガラス層をマス
クとしてリンを拡散させ、この半導体基板側面部のリン
が拡散した領域を除去して、この半導体基板の他の主面
側に前記Ｎ層を形成することを特徴とする太陽電池素子
の形成方法。
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