JP5170701B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5170701B2 JP5170701B2 JP2009176471A JP2009176471A JP5170701B2 JP 5170701 B2 JP5170701 B2 JP 5170701B2 JP 2009176471 A JP2009176471 A JP 2009176471A JP 2009176471 A JP2009176471 A JP 2009176471A JP 5170701 B2 JP5170701 B2 JP 5170701B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type impurity
- silicon substrate
- boron
- diffusion region
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
なお、上記の一般式(1)において、R1は、メチル基、エチル基またはフェニル基を示す。また、上記の一般式(1)において、R2は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数1〜4の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を示す。また、上記の一般式(1)において、nは0〜4の整数を示す。
Claims (3)
- シリコン基板にボロンを拡散させることによって前記シリコン基板にp型不純物拡散領域を形成する工程と、
前記p型不純物拡散領域の形成の際に生じた前記p型不純物拡散領域上のボロンシリサイド層上に酸化シリコンおよび酸化シリコン前駆体の少なくとも一方からなる拡散抑制マスクを設置する工程と、
前記p型不純物拡散領域を形成する工程と前記拡散抑制マスクを設置する工程との間に前記p型不純物拡散領域の形成の際に前記ボロンシリサイド層上に生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程と、
前記拡散抑制マスクが設置された前記シリコン基板にn型不純物を拡散させることによって前記シリコン基板にn型不純物拡散領域を形成する工程と、
前記n型不純物拡散領域の形成の際に前記ボロンシリサイド層と前記拡散抑制マスクとの反応により生じたボロンシリケートガラス層を除去する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記拡散抑制マスクは、気相法およびマスキングペーストの塗布の少なくとも一方を用いて前記ボロンシリサイド層上に設置されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記p型不純物拡散領域は、ボロンを含むp型不純物拡散剤が塗布された前記シリコン基板を加熱することによって形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009176471A JP5170701B2 (ja) | 2009-07-29 | 2009-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009176471A JP5170701B2 (ja) | 2009-07-29 | 2009-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029553A JP2011029553A (ja) | 2011-02-10 |
JP5170701B2 true JP5170701B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=43637926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009176471A Expired - Fee Related JP5170701B2 (ja) | 2009-07-29 | 2009-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5170701B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201341453A (zh) * | 2012-01-26 | 2013-10-16 | Nippon Synthetic Chem Ind | 擴散防止層形成用塗佈液及利用此塗佈液之設有摻雜物擴散層的半導體基板之製造方法、及太陽能電池之製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2870231B2 (ja) * | 1991-06-17 | 1999-03-17 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板への硼素拡散方法 |
JP3170445B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2001-05-28 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の形成方法 |
JP4599915B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2010-12-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
JP4684056B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-05-18 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP5277485B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2013-08-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
-
2009
- 2009-07-29 JP JP2009176471A patent/JP5170701B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011029553A (ja) | 2011-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8377809B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
JP5271189B2 (ja) | 裏面電極型太陽電池セルの製造方法 | |
US7846823B2 (en) | Masking paste, method of manufacturing same, and method of manufacturing solar cell using masking paste | |
EP2395544A1 (en) | Semiconductor device producing method and semiconductor device | |
US20100224251A1 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
US20130037102A1 (en) | Back electrode type solar cell and method for producing back electrode type solar cell | |
US8574951B1 (en) | Process of manufacturing an interdigitated back-contact solar cell | |
JP2007049079A (ja) | マスキングペースト、その製造方法およびマスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法 | |
JP4827550B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2010267787A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8361836B2 (en) | Method for manufacturing photoelectric conversion element and photoelectric conversion element | |
CN105122461A (zh) | 太阳能电池的制造方法 | |
JP2010205965A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5756352B2 (ja) | 裏面電極型太陽電池の製造方法 | |
JP2010157654A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2014112600A (ja) | 裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池 | |
JP2006156646A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
US20130040244A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US9130101B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5636760B2 (ja) | シリコンウエハ、半導体装置、シリコンウエハの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP5170701B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9214430B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2010161309A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法および太陽電池の製造方法 | |
JP2015167260A (ja) | 裏面電極型太陽電池及びその製造方法 | |
JP2014086587A (ja) | 太陽電池セルの製造方法および太陽電池セル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121009 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121220 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |