JP4827550B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)p型ドーパントを含んだドーパントペーストおよびn型ドーパントを含んだドーパントペーストをそれぞれシリコン基板の裏面にスクリーン印刷することによって直接パターンニングする手法。
(2)シリコン基板の裏面に形成された拡散制御膜やパッシベーション膜にエッチングペーストをスクリーン印刷し、印刷されたエッチングペーストを加熱して、エッチングペーストの印刷箇所をエッチングすることによってパターンニングを行なう手法(たとえば、特許文献2参照)。
(3)シリコン基板の裏面にマスキングペーストをスクリーン印刷することによってシリコン基板の裏面に直接的に拡散マスク機能を有する膜を形成する手法(たとえば、特許文献3参照)。
まず、ガラス瓶に、酸化チタン前駆体としてTPT(テトライソプロポキシチタン)を2gおよび酸化チタン前駆体の安定化剤としてアセチルアセトンを0.7g入れ、10分間よく攪拌した。次に、攪拌後のガラス瓶に、溶剤としてブチルセロソルブを50g入れてよく攪拌した。そして、最後に、ガラス瓶に、増粘剤としてのエチルセルロースを7.0g入れて十分に攪拌して、酸化チタン前駆体を含むマスキングペーストを作製した。
酸化チタン前駆体を含むマスキングペーストを以下のようにして作製したこと以外は実施例1と同様にして裏面電極型の太陽電池を作製した。
まず、実施例1と同様にして酸化チタン前駆体を含むマスキングペーストを作製した。
酸化チタン前駆体を含むマスキングペーストを実施例2で作製したマスキングペーストに変更したこと以外は実施例3と同様にして裏面電極型の太陽電池を作製した。
Claims (18)
- 半導体基板の主面に誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に酸化チタン前駆体を含むマスキングペーストを開口部を有するようにスクリーン印刷する工程と、前記マスキングペーストを加熱して酸化チタン膜を形成する工程と、前記酸化チタン膜から露出している前記誘電体膜の部分をエッチングして前記半導体基板の主面の一部を露出させる工程と、前記酸化チタン膜から露出している前記主面の一部に不純物ドーピング領域を形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法。
- 前記誘電体膜は、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記マスキングペーストは、少なくとも溶剤および増粘剤を含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記マスキングペースト中における、前記酸化チタン前駆体の量から換算した酸化チタン濃度が、前記マスキングペーストの0.5質量%以上3質量%以下であることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記酸化チタン前駆体は、R’nTi(OR)4-nの一般式で表わされる化合物であり、前記一般式において、R’はメチル、エチルまたはフェニルを示し、Rはメチル、エチル、ノルマルプロピルまたはイソプロピルを示し、nは0、1または2のいずれかの実数を示すことを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記酸化チタン前駆体は、Ti(OH)4、TiCl4、TiF4およびTiOSO4からなる群から選択された少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記マスキングペーストは前記酸化チタン前駆体の安定化剤を含み、前記安定化剤は少なくとも1種のジケトン化合物であることを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記誘電体膜は、フッ化水素水溶液またはリン酸水溶液によってエッチングされることを特徴とする、請求項1から7のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記マスキングペーストの加熱温度が500℃以上1000℃以下であることを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 半導体基板の主面に第1の誘電体膜を形成する工程と、前記第1の誘電体膜上に酸化チタン前駆体を含む第1のマスキングペーストを第1の開口部を有するようにスクリーン印刷する工程と、前記第1のマスキングペーストを加熱して第1の酸化チタン膜を形成する工程と、前記第1の酸化チタン膜から露出している前記第1の誘電体膜の部分をエッチングして前記半導体基板の前記主面の一部を露出させる工程と、前記第1の酸化チタン膜から露出している前記主面の一部に第1導電型不純物ドーピング領域を形成する工程と、前記半導体基板の前記主面に第2の誘電体膜を形成する工程と、前記第2の誘電体膜上に酸化チタン前駆体を含む第2のマスキングペーストを前記第1の開口部とは異なる位置に第2の開口部を有するようにスクリーン印刷する工程と、前記第2のマスキングペーストを加熱して第2の酸化チタン膜を形成する工程と、前記第2の酸化チタン膜から露出している前記第2の誘電体膜の部分をエッチングして前記半導体基板の前記主面の一部を露出させる工程と、前記第2の酸化チタン膜から露出している前記主面の一部に第2導電型不純物ドーピング領域を形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法。
- 前記第1の誘電体膜および前記第2の誘電体膜の少なくとも一方が、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜であることを特徴とする、請求項10に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1のマスキングペーストおよび前記第2のマスキングペーストの少なくとも一方が、少なくとも溶剤および増粘剤を含むことを特徴とする、請求項10または11に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1のマスキングペーストおよび前記第2のマスキングペーストの少なくとも一方における前記酸化チタン前駆体の量から換算した酸化チタン濃度が0.5質量%以上3質量%以下であることを特徴とする、請求項10から12のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記酸化チタン前駆体は、R’ n Ti(OR) 4-n の一般式で表わされる化合物であり、前記一般式において、R’はメチル、エチルまたはフェニルを示し、Rはメチル、エチル、ノルマルプロピルまたはイソプロピルを示し、nは0、1または2のいずれかの実数を示すことを特徴とする、請求項10から13のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記酸化チタン前駆体は、Ti(OH) 4 、TiCl 4 、TiF 4 およびTiOSO 4 からなる群から選択された少なくとも1種であることを特徴とする、請求項10から13のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1のマスキングペーストおよび前記第2のマスキングペーストの少なくとも一方は前記酸化チタン前駆体の安定化剤を含み、前記安定化剤は少なくとも1種のジケトン化合物であることを特徴とする、請求項10から15のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1の誘電体膜および前記第2の誘電体膜の少なくとも一方は、フッ化水素水溶液またはリン酸水溶液によってエッチングされることを特徴とする、請求項10から16のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1のマスキングペーストおよび前記第2のマスキングペーストの少なくとも一方の加熱温度が500℃以上1000℃以下であることを特徴とする、請求項10から17のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
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