JPH0682853B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPH0682853B2 JPH0682853B2 JP63184396A JP18439688A JPH0682853B2 JP H0682853 B2 JPH0682853 B2 JP H0682853B2 JP 63184396 A JP63184396 A JP 63184396A JP 18439688 A JP18439688 A JP 18439688A JP H0682853 B2 JPH0682853 B2 JP H0682853B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- semiconductor substrate
- layer
- solar cell
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は太陽電池のPN接合形成の改良に関するものであ
る。
る。
（従来の技術） 第３図は従来の太陽電池の製法を示すものである。同図
〜はそれぞれの工程の断面図を示し、下記の〜
に対応する。
〜はそれぞれの工程の断面図を示し、下記の〜
に対応する。
ｐ型基板１を酸またはアルカリ溶液で処理し、基板
表面のダメージ層を除去する。ｐ型基板は通常シリコン
のウエーハであって、（111）の結晶面を有し、直径100
mmの円板で、厚さ400μ、抵抗率ρＢは１Ωcmのものが
一般に使用されているが、表面が平滑でないので、前記
の処理によりダメージ層を除く。
表面のダメージ層を除去する。ｐ型基板は通常シリコン
のウエーハであって、（111）の結晶面を有し、直径100
mmの円板で、厚さ400μ、抵抗率ρＢは１Ωcmのものが
一般に使用されているが、表面が平滑でないので、前記
の処理によりダメージ層を除く。
拡散源（P2O5等）及び反射防止膜形成材料を含むド
ーパント液をスピンコータで基板の表面に塗布する。表
面にはドーパント液塗布膜２が形成される。
ーパント液をスピンコータで基板の表面に塗布する。表
面にはドーパント液塗布膜２が形成される。
拡散炉で熱処理（900℃,15分）することにより、受
光面側にPN接合及び反射防止膜７を形成する。PN接合は
半導体基板１の表面に形成されたn+層４とＰ型の半導体
基板１との間に形成される。このとき同時に半導体基板
１の側部及び裏面にも薄いn+層５が形成される。
光面側にPN接合及び反射防止膜７を形成する。PN接合は
半導体基板１の表面に形成されたn+層４とＰ型の半導体
基板１との間に形成される。このとき同時に半導体基板
１の側部及び裏面にも薄いn+層５が形成される。
薄いn+層５が半導体基板１の側部及び裏面に拡がっ
ていると、全面にPN接合が形成され、電極形成のために
支障があるので、これを削除する必要がある。そのた
め、受光面側にレジスト膜11をスピン塗布法又は印刷法
で形成後、弗酸及び硝酸の混合液（HF:HNO3＝1:3）でエ
ッチング処理し、薄いn+層５を溶解して、不必要な部分
のPN接合を除去する。
ていると、全面にPN接合が形成され、電極形成のために
支障があるので、これを削除する必要がある。そのた
め、受光面側にレジスト膜11をスピン塗布法又は印刷法
で形成後、弗酸及び硝酸の混合液（HF:HNO3＝1:3）でエ
ッチング処理し、薄いn+層５を溶解して、不必要な部分
のPN接合を除去する。
レジスト膜11をH2SO4で煮沸又はトリクロルエチレ
ンで処理し剥離する。
ンで処理し剥離する。
裏面にAlを数％添加した銀ペーストを、表面には銀
ペーストを、印刷法で印刷し、600〜700℃で高温処理し
電極を形成する。
ペーストを、印刷法で印刷し、600〜700℃で高温処理し
電極を形成する。
表裏の電極にはんだを被覆し、太陽電池が完成す
る。
る。
（発明が解決しようとする課題） 従来の太陽電池の製法においては、不要なPN接合を分離
するために、前述ののレジスト塗布工程、エッチング
工程及びのレジスト剥離工程が必要であり、製造価格
が高くなる。
するために、前述ののレジスト塗布工程、エッチング
工程及びのレジスト剥離工程が必要であり、製造価格
が高くなる。
本発明はこの不要なPN接合除去工程をより低価格で行な
うためのものである。
うためのものである。
（課題を解決するための手段） 本発明においては、PN接合形成熱処理工程の前に、半導
体基板の裏面にPN接合形成を防止する物質を付着し、熱
処理後前記の物質を付着した部分にはPN接合が形成され
ないようにした。
体基板の裏面にPN接合形成を防止する物質を付着し、熱
処理後前記の物質を付着した部分にはPN接合が形成され
ないようにした。
この工程は、スピンコータによって、そのスピンチャッ
クの上に固定された半導体基板の表面にドーパント液を
塗布するのと同時に行なわれる。
クの上に固定された半導体基板の表面にドーパント液を
塗布するのと同時に行なわれる。
（作用） 本発明によれば、半導体基板の裏面には、PN接合の形成
されていない部分が設けられているので、表面の受光面
側のPN接合と完全に分離されるから、従来必要とされた
PN接合除去工程が不要となる。
されていない部分が設けられているので、表面の受光面
側のPN接合と完全に分離されるから、従来必要とされた
PN接合除去工程が不要となる。
（実施例） 第１図は本発明の一実施例の工程を示すものである。同
図の〜はそれぞれの工程の断面図を示し、下記の
〜に対応する。
図の〜はそれぞれの工程の断面図を示し、下記の
〜に対応する。
第３図のと同様である。
半導体基板１の表面にドーパント液をスピンコータ
で塗布することは第３図のと同様であるが、この時同
時に、裏面に例えばチタン酸を含む薬液（以下マスク液
という）を同時に塗布する。このマスク液の組成の一例
は、エチルアルコール100cc,チタン酸イソプロピル20c
c,酢酸10ccの割合の混液である。第２図（ａ）に示され
るように、スピンコータ（図示されない）にスピンチャ
ック22により固定され、5000rpmで回転される半導体基
板１の表面（受光面となる）の中心部に、ノズル23を介
しP2O5等を含むドーパント液を滴下すると、遠心力によ
り全面に拡がる。同図（ｂ）はこのときの受光面側の平
面図であって全面にドーパント液塗布膜２が形成され
る。これは第３図の場合と同様である。裏面側のノズ
ル24から、マスク液21を半導体基板１の裏面の内側の適
宜の場所に噴出させると、この場合も遠心力により外側
に拡がり、その結果第２図（ｃ）のように、半導体基板
１の裏面にはマスク液の塗布されていない部分25とマス
ク液塗布膜３を有する部分とが形成される。スピンチャ
ック22がある為、中心付近にはマスク液の塗布されない
部分が生ずる。液を塗布する例については述べたが、適
宜の手段により付着させれば良い。
で塗布することは第３図のと同様であるが、この時同
時に、裏面に例えばチタン酸を含む薬液（以下マスク液
という）を同時に塗布する。このマスク液の組成の一例
は、エチルアルコール100cc,チタン酸イソプロピル20c
c,酢酸10ccの割合の混液である。第２図（ａ）に示され
るように、スピンコータ（図示されない）にスピンチャ
ック22により固定され、5000rpmで回転される半導体基
板１の表面（受光面となる）の中心部に、ノズル23を介
しP2O5等を含むドーパント液を滴下すると、遠心力によ
り全面に拡がる。同図（ｂ）はこのときの受光面側の平
面図であって全面にドーパント液塗布膜２が形成され
る。これは第３図の場合と同様である。裏面側のノズ
ル24から、マスク液21を半導体基板１の裏面の内側の適
宜の場所に噴出させると、この場合も遠心力により外側
に拡がり、その結果第２図（ｃ）のように、半導体基板
１の裏面にはマスク液の塗布されていない部分25とマス
ク液塗布膜３を有する部分とが形成される。スピンチャ
ック22がある為、中心付近にはマスク液の塗布されない
部分が生ずる。液を塗布する例については述べたが、適
宜の手段により付着させれば良い。
以上のようにした半導体基板１を、熱処理（900℃,
15分間）することにより、受光面にはn+層４と反射防止
膜７が形成される。そしてn+層４とＰ型の半導体基板１
との間にPN接合が形成される。これは第３図のに対応
するが、本発明においては第１図のに示されるよう
に、裏面のマスク液の塗布されていない部分25のみに薄
いn+層５−１を生じ、マスク液塗布膜３を有する部分に
はTiO2膜６が形成される。
15分間）することにより、受光面にはn+層４と反射防止
膜７が形成される。そしてn+層４とＰ型の半導体基板１
との間にPN接合が形成される。これは第３図のに対応
するが、本発明においては第１図のに示されるよう
に、裏面のマスク液の塗布されていない部分25のみに薄
いn+層５−１を生じ、マスク液塗布膜３を有する部分に
はTiO2膜６が形成される。
裏面にはAlを数％添加した銀ーストを、表面には銀
ペーストを、スクリーン印刷法で印刷し、600〜700℃で
高温処理し、電極を形成する。これは第３図のに対応
する。
ペーストを、スクリーン印刷法で印刷し、600〜700℃で
高温処理し、電極を形成する。これは第３図のに対応
する。
表裏の電極にはんだを被覆し、太陽電池が完成す
る。
る。
上記の実施例では、ｐ型の半導体基板を用いたn+/p型太
陽電池の例を示したが、ｎ型基板を用いた場合（但し、
ドーパント液の組成，電極材料を変更する必要がある）
や、BSF型（Back Surface Field）型（n+/p/p+）太陽電
池等についても適用できる。
陽電池の例を示したが、ｎ型基板を用いた場合（但し、
ドーパント液の組成，電極材料を変更する必要がある）
や、BSF型（Back Surface Field）型（n+/p/p+）太陽電
池等についても適用できる。
また、表面n+層形成法としてPOCl3の気相拡散法や、反
射防止膜材料を含まないドーパント液を使用した塗布拡
散法についても適用できる。
射防止膜材料を含まないドーパント液を使用した塗布拡
散法についても適用できる。
なお、前記の実施例ではドーパント液とマスク液とを同
時に塗布したが、液ごとに塗布してもよい。
時に塗布したが、液ごとに塗布してもよい。
半導体基板１の裏面の中心附近に薄いn+層が形成されて
いるが、これは受光面のn+層とTiO2膜６により電気的に
分離されているので、太陽電池の性能上支障ない。
いるが、これは受光面のn+層とTiO2膜６により電気的に
分離されているので、太陽電池の性能上支障ない。
（発明の効果） 本発明によれば、半導体基板の裏面に、PN接合を有しな
い部分を、n+層形成の工程と同時に設けることができる
から、PN接合除去に必要な工程を省略でき、大巾な価格
低減が可能となる。
い部分を、n+層形成の工程と同時に設けることができる
から、PN接合除去に必要な工程を省略でき、大巾な価格
低減が可能となる。
第１図の乃至は本発明の一実施例の各工程毎の断面
図、第２図（ａ）はドーパント液及びマスク液塗布の説
明図、同図（ｂ）はドーパント液塗布後の半導体基板表
面の平面図、同図（ｃ）はマスク液塗布後の半導体基板
の底面図、第３図乃至は従来例の各工程毎の断面図
を示す。 １……半導体基板、２……ドーパント液塗布膜、３……
マスク液塗布膜、４……n+層、５−１……n+層、６……
TiO2層、７……反射防止膜、８……表面電極、９……裏
面電極
図、第２図（ａ）はドーパント液及びマスク液塗布の説
明図、同図（ｂ）はドーパント液塗布後の半導体基板表
面の平面図、同図（ｃ）はマスク液塗布後の半導体基板
の底面図、第３図乃至は従来例の各工程毎の断面図
を示す。 １……半導体基板、２……ドーパント液塗布膜、３……
マスク液塗布膜、４……n+層、５−１……n+層、６……
TiO2層、７……反射防止膜、８……表面電極、９……裏
面電極
Claims (1)
- 【請求項１】PN接合形成熱処理工程の前に、スピンコー
タによって、そのスピンチャック上に固定された半導体
基板の表面にドーパント液を塗布すると同時に、前記半
導体基板の裏面に熱処理工程時にPN接合形成を防止する
膜となるマスク液を塗布する工程を有し、熱処理により
半導体基板の表面にPN接合層を形成し、裏面にPN接合の
形成されない部分を生成することを特徴とする太陽電池
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184396A JPH0682853B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184396A JPH0682853B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233980A JPH0233980A (ja) | 1990-02-05 |
| JPH0682853B2 true JPH0682853B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16152439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63184396A Expired - Lifetime JPH0682853B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682853B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7365024B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-04-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Chemical solution coating method and chemical solution coating apparatus |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04256374A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-11 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP3032422B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2000-04-17 | シャープ株式会社 | 太陽電池セルとその製造方法 |
| US7402448B2 (en) | 2003-01-31 | 2008-07-22 | Bp Corporation North America Inc. | Photovoltaic cell and production thereof |
| JP4827550B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-11-30 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59182577A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-17 | Hoxan Corp | 太陽電池用シリコンウエハの製造方法 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63184396A patent/JPH0682853B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7365024B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-04-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Chemical solution coating method and chemical solution coating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0233980A (ja) | 1990-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4359487A (en) | Method for applying an anti-reflection coating to a solar cell | |
| JP2955167B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP3032422B2 (ja) | 太陽電池セルとその製造方法 | |
| US5637510A (en) | Method for fabricating solar cell | |
| US6278053B1 (en) | Decals and methods for providing an antireflective coating and metallization on a solar cell | |
| JPS5812747B2 (ja) | 薄肉基板結像装置の製造法 | |
| JP3430068B2 (ja) | 太陽電池の電極 | |
| JP2000183379A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH02177569A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP3326343B2 (ja) | 太陽電池セルを製造するための方法と治具 | |
| JPH0682853B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP3238003B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JPH05259487A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2006210385A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP3238945B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JPH04256374A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS5910059B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| GB2079537A (en) | A method for applying an anti-reflection coating and an electrode to a solar cell | |
| JP2764682B2 (ja) | 半導体基板の製造方法及びその装置 | |
| JPS62108579A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH04251986A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2000332267A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JPS5979580A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2003303980A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP3007734B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071019 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081019 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081019 Year of fee payment: 14 |