JPH0233980A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH0233980A JPH0233980A JP63184396A JP18439688A JPH0233980A JP H0233980 A JPH0233980 A JP H0233980A JP 63184396 A JP63184396 A JP 63184396A JP 18439688 A JP18439688 A JP 18439688A JP H0233980 A JPH0233980 A JP H0233980A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は太陽電池のＰＮ接合形成の改良に関するもので
ある。
ある。
（従来の技術）
第８図は従来の太陽電池の製法を示すものである。同図
■〜■はそれぞれの工程の断面図を示し、下記の■〜■
に対応する。
■〜■はそれぞれの工程の断面図を示し、下記の■〜■
に対応する。
■ ｐ型基板ｉ１酸ま九はアルカリ溶液で処理し、基板
表面のダメージ層を除去する。ｐ型基板は通常シリコン
のウェーハであって、（Ｉｌｌ）の結晶面を有し、直径
１００ｍの円板で、厚さ４００μ、抵抗率戸 は１０ｍ
のものが一般に使用されているが、表面が平滑でないの
で、前記の処理によりダメージ層を除く、 ■ 拡散源（Ｐ２Ｏ３等）及び反射防止膜形成材料を含
むドーパント液をスピンコータで基板の表面に塗布する
。表面にはドーパント液塗布膜２が形成される。
表面のダメージ層を除去する。ｐ型基板は通常シリコン
のウェーハであって、（Ｉｌｌ）の結晶面を有し、直径
１００ｍの円板で、厚さ４００μ、抵抗率戸 は１０ｍ
のものが一般に使用されているが、表面が平滑でないの
で、前記の処理によりダメージ層を除く、 ■ 拡散源（Ｐ２Ｏ３等）及び反射防止膜形成材料を含
むドーパント液をスピンコータで基板の表面に塗布する
。表面にはドーパント液塗布膜２が形成される。
■ 拡散炉で熱処理（９００℃、１５分）することによ
り、受光面側にＰＮ接合及び反射防止膜７ｔ−形成する
。ＰＮ接合は半導体基板ｌの表面に形成され７ｔｎ＋層
４とＰ型の半導体基板ｌとの間に形成される。このとき
同時に半導体基板ｌの側部及び裏面にも薄いｎ＋層５が
形成される。
り、受光面側にＰＮ接合及び反射防止膜７ｔ−形成する
。ＰＮ接合は半導体基板ｌの表面に形成され７ｔｎ＋層
４とＰ型の半導体基板ｌとの間に形成される。このとき
同時に半導体基板ｌの側部及び裏面にも薄いｎ＋層５が
形成される。
■ 薄いｎ＋層５が半導体基板ｌの側部及び裏面に拡が
っていると、全面にＰＮ接合が形成され、電極形成のた
めに支障があるので、これを削除する必要がある。その
之め、受光面側にレジスト膜ＩＩをスピン塗布法又は印
刷法で形成後、弗酸及び硝酸の混合液（ＨＦ：ＨＮＯ３
＝ １ ： ｓ ）でエツチング処理し、薄いｎ−層５
を溶解して、不必要な部分のＰＮ接合を除去する。
っていると、全面にＰＮ接合が形成され、電極形成のた
めに支障があるので、これを削除する必要がある。その
之め、受光面側にレジスト膜ＩＩをスピン塗布法又は印
刷法で形成後、弗酸及び硝酸の混合液（ＨＦ：ＨＮＯ３
＝ １ ： ｓ ）でエツチング処理し、薄いｎ−層５
を溶解して、不必要な部分のＰＮ接合を除去する。
■ レジスト膜ｉ ｉ １Ｈ２ｓＯ４で煮沸又はトリク
ロルエチレンで処理し剥離する。
ロルエチレンで処理し剥離する。
■ 裏面に／ｌ？を数％添加した鋏ペーストを、表面に
は銀ベース）ｋ、印刷法で印刷し、６００〜７００℃で
高温処理し電極を形成する。
は銀ベース）ｋ、印刷法で印刷し、６００〜７００℃で
高温処理し電極を形成する。
■ 表裏の電極にはんだを被覆し、太陽電池が完成する
。
。
（発明が解決しようとする課題）
従来の太陽電池の製法においては、不要なＰＮ接合を分
離するために、前述の■のレジスト塗布工程、エツチン
グ工程及び■のレジスト剥離工程が必要であり、製造価
格が高くなる。
離するために、前述の■のレジスト塗布工程、エツチン
グ工程及び■のレジスト剥離工程が必要であり、製造価
格が高くなる。
本発明はこの不要なＰＮ接合除去工程をより低価格で行
なうためのものである。
なうためのものである。
（課題全解決するための手段）
本発明においては、ＰＮ接合形成熱処理工程の前に、半
導体基板の裏面にＰＮ接合形成全防止する物質全付着し
、熱処理後前記の物質を付着した部分にはＰＮ接合が形
成されないようにし友。
導体基板の裏面にＰＮ接合形成全防止する物質全付着し
、熱処理後前記の物質を付着した部分にはＰＮ接合が形
成されないようにし友。
（作用）
本発明によれば、半導体基板の裏面には、ＰＮ接合の形
成されていない部分が設けられているので、表面の受光
面側のＰＮ接合と完全に分離されるから、従来必要とさ
れ７′ｃＰＮ接合除去工程が不要となる。
成されていない部分が設けられているので、表面の受光
面側のＰＮ接合と完全に分離されるから、従来必要とさ
れ７′ｃＰＮ接合除去工程が不要となる。
（実施例）
第１因は本発明の一実施例の工程を示すものである。同
図の■〜■はそれぞれの工程の断面図全示し、下記の■
〜■に対応する。
図の■〜■はそれぞれの工程の断面図全示し、下記の■
〜■に対応する。
■ 第８図の■と同様である。
■ 半導体基板ｌの表面にドーパント液をスピンコータ
で塗布することは第８図の■と同様であるが、この時同
時に、裏面に例えばチタン酸を含む薬液（以下マスク液
という）′ｔ−同時に塗布する。このマスク液の組成の
一例は、エチルアルコール１００ ｃｃ、チタン酸イソ
プロピル２０ｃｃ＋酢酸１０ ｃｃの割合の混液である
。第２図（ａ）に示されるように、スピンコータ（図示
されない）にスピンチャック２２により固定され、５０
００ｒｐｒｎ で回転される半導体基板Ｉの表面（受光
面となる）の中心部に、ノズル２８を介しＰ２Ｏ５等を
含むドーパント液を滴下すると、遠心力により全面に拡
がる。同図（ｂ）はこのときの受光面側の平面図であっ
て全面にドーパント液塗布膜２が形成される。これは第
３図■の場合と同様である。裏面側のノズル２４から、
マスク液２１を半導体基板ｌの裏面の内側の適宜の場所
に噴出させると、この場合も遠心力により外側に拡がり
、その結果第２図（ｅ）のように、半導体基板１の裏面
にはマスク液の塗布されてい々い部分２５とマスク液塗
布膜８を有する部分とが形成される。スピンチャック２
２がある為、中心付近にはマスク液の塗布されない部分
が生ずる。
で塗布することは第８図の■と同様であるが、この時同
時に、裏面に例えばチタン酸を含む薬液（以下マスク液
という）′ｔ−同時に塗布する。このマスク液の組成の
一例は、エチルアルコール１００ ｃｃ、チタン酸イソ
プロピル２０ｃｃ＋酢酸１０ ｃｃの割合の混液である
。第２図（ａ）に示されるように、スピンコータ（図示
されない）にスピンチャック２２により固定され、５０
００ｒｐｒｎ で回転される半導体基板Ｉの表面（受光
面となる）の中心部に、ノズル２８を介しＰ２Ｏ５等を
含むドーパント液を滴下すると、遠心力により全面に拡
がる。同図（ｂ）はこのときの受光面側の平面図であっ
て全面にドーパント液塗布膜２が形成される。これは第
３図■の場合と同様である。裏面側のノズル２４から、
マスク液２１を半導体基板ｌの裏面の内側の適宜の場所
に噴出させると、この場合も遠心力により外側に拡がり
、その結果第２図（ｅ）のように、半導体基板１の裏面
にはマスク液の塗布されてい々い部分２５とマスク液塗
布膜８を有する部分とが形成される。スピンチャック２
２がある為、中心付近にはマスク液の塗布されない部分
が生ずる。
液を塗布する例につｂて述べたが、適宜の手段により付
着させれば良い。
着させれば良い。
■ 以上のようにした半導体基板１ｔ−１熱処理（９０
０℃、１５分間）することにより、受光面にはｎ＋層４
と反射防止膜７が形成される。
０℃、１５分間）することにより、受光面にはｎ＋層４
と反射防止膜７が形成される。
そしてｎ＋層４とＰ型の半導体基板Ｉとの間にＰＮ接合
が形成される。これは第８因の■に対応するが、本発明
においては第１図の■に示されるように、裏面のマスク
液の塗布されていない部分２５のみに薄いｎ１層５−１
’！ｉ生じ、マスク液塗布膜８を有する部分には”ｒｉ
ｏ２膜６が形成される。
が形成される。これは第８因の■に対応するが、本発明
においては第１図の■に示されるように、裏面のマスク
液の塗布されていない部分２５のみに薄いｎ１層５−１
’！ｉ生じ、マスク液塗布膜８を有する部分には”ｒｉ
ｏ２膜６が形成される。
■ 裏面にはＡＩ！を数％添加し九銀ペーストを、表面
には銀ベースｌ、スクリーン印刷法で印刷し、６００〜
７００℃で高温処理し、電極全形成する。これは第８図
の■に対応する。
には銀ベースｌ、スクリーン印刷法で印刷し、６００〜
７００℃で高温処理し、電極全形成する。これは第８図
の■に対応する。
■ 表裏の電極にはんだを被覆し、太陽電池が完成する
。
。
上記の実施例では、Ｐ型の半導体基板を用いたｎ＋／ｐ
型太陽電池の例を示したが、ｎ型基板音用いた場合（但
し、ドーパント液の組成１ｇ！１極材料を変更する必要
があるンや、ＢＳＦ型（ＢａｃｋＳｕｒｆａｃｅ Ｆ
ｉｅｌｄ）型 （ｎ”／Ｐ／Ｐ”）太陽電池等について
も適用できる。
型太陽電池の例を示したが、ｎ型基板音用いた場合（但
し、ドーパント液の組成１ｇ！１極材料を変更する必要
があるンや、ＢＳＦ型（ＢａｃｋＳｕｒｆａｃｅ Ｆ
ｉｅｌｄ）型 （ｎ”／Ｐ／Ｐ”）太陽電池等について
も適用できる。
ま几、表面ｎ 層形成法としてＰＯＣｌ ８の気相拡散
法や、反射防止膜材料を含まないドーパント液を使用し
友塗布拡散法についても適用できる。
法や、反射防止膜材料を含まないドーパント液を使用し
友塗布拡散法についても適用できる。
なお、前記の実施例ではドーパント液とマスク液とを同
時に塗布し友が、液ごとに塗布してもよい。
時に塗布し友が、液ごとに塗布してもよい。
半導体基板ｌの裏面の中心附近に薄いｎ＋層が形成され
ているが、これは受光面の１１とＴｉｏ２膜６により電
気的に分離されているので、太陽電池の性能上支障ない
。
ているが、これは受光面の１１とＴｉｏ２膜６により電
気的に分離されているので、太陽電池の性能上支障ない
。
（発明の効果）
本発明によれば、半導体基板の裏面に、ＰＮ接合を有し
ない部分を、ｎ＋層形成の工程と同時に設けることがで
きるから、ＰＮ接合除去に必要な工程を省略でき、大巾
な価格低減が可能となる。
ない部分を、ｎ＋層形成の工程と同時に設けることがで
きるから、ＰＮ接合除去に必要な工程を省略でき、大巾
な価格低減が可能となる。
第１図の■乃至■は本発明の一実施例の各工程毎の断面
図、第２図（ａ）はドーパント液及びマスク液塗布の説
明図、同図（ｂ）はドーパント液塗布後の半導体基板表
面の平面図、同図（ｃ）はマスク液塗布後の半導体基板
の底面図、第８図■乃至■は従来例の各工程毎の断面図
を示す。 ｌ・・・半導体基板、２・・・ドーパント液塗布膜、８
・・・マスク液塗布膜、４・・・ｎ＋層、５−１・−・
ｎ＋層、６・・・Ｔｉ０ｚ膜、７・・・反射防止膜、８
・・・表面電極９・・・裏面電極 ｊ≧） ｔσノ （ｂ） （Ｃ） 第１図 篤２ 図
図、第２図（ａ）はドーパント液及びマスク液塗布の説
明図、同図（ｂ）はドーパント液塗布後の半導体基板表
面の平面図、同図（ｃ）はマスク液塗布後の半導体基板
の底面図、第８図■乃至■は従来例の各工程毎の断面図
を示す。 ｌ・・・半導体基板、２・・・ドーパント液塗布膜、８
・・・マスク液塗布膜、４・・・ｎ＋層、５−１・−・
ｎ＋層、６・・・Ｔｉ０ｚ膜、７・・・反射防止膜、８
・・・表面電極９・・・裏面電極 ｊ≧） ｔσノ （ｂ） （Ｃ） 第１図 篤２ 図
Claims (1)
- １、ＰＮ接合形成熱処理工程の前に、半導体基板の裏面
にＰＮ接合形成を防止する物質を付着する工程を有し、
熱処理により半導体基板の表面にＰＮ接合層を形成し裏
面にＰＮ接合の形成されない部分を生成することを特徴
とする太陽電池の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184396A JPH0682853B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184396A JPH0682853B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233980A true JPH0233980A (ja) | 1990-02-05 |
| JPH0682853B2 JPH0682853B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16152439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63184396A Expired - Lifetime JPH0682853B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682853B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04256374A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-11 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| US5609694A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and a method of manufacturing thereof |
| EP1544896A2 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Chemical solution coating method and chemical solution coating apparatus |
| JP2007220707A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| US7402448B2 (en) | 2003-01-31 | 2008-07-22 | Bp Corporation North America Inc. | Photovoltaic cell and production thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59182577A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-17 | Hoxan Corp | 太陽電池用シリコンウエハの製造方法 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63184396A patent/JPH0682853B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59182577A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-17 | Hoxan Corp | 太陽電池用シリコンウエハの製造方法 |
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| US5609694A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and a method of manufacturing thereof |
| EP0680099A3 (en) * | 1994-04-28 | 1997-08-20 | Sharp Kk | Solar cell and manufacturing method. |
| US7402448B2 (en) | 2003-01-31 | 2008-07-22 | Bp Corporation North America Inc. | Photovoltaic cell and production thereof |
| EP1544896A2 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Chemical solution coating method and chemical solution coating apparatus |
| EP1544896A3 (en) * | 2003-12-19 | 2006-02-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Chemical solution coating method and chemical solution coating apparatus |
| US7365024B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-04-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Chemical solution coating method and chemical solution coating apparatus |
| JP2007220707A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682853B2 (ja) | 1994-10-19 |
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