JP3073833B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JP3073833B2 JP3073833B2 JP04124991A JP12499192A JP3073833B2 JP 3073833 B2 JP3073833 B2 JP 3073833B2 JP 04124991 A JP04124991 A JP 04124991A JP 12499192 A JP12499192 A JP 12499192A JP 3073833 B2 JP3073833 B2 JP 3073833B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池の製造方法の
改良、特に微細電極の形成に関するもので、高い変換効
率を有する太陽電池を低コストで製造するのに有用であ
る。
改良、特に微細電極の形成に関するもので、高い変換効
率を有する太陽電池を低コストで製造するのに有用であ
る。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池の高効率化を図るためには、受
光面電極の電極占有面積を電極の直列抵抗を増加させな
い範囲で、できるだけ低減させる必要がある。その理由
は、電極は半導体への光を遮蔽するばかりでなく、電極
と基板のシリコン結晶との接触部分での少数キャリアの
再結合が無限大であるからである。また、表面パッシベ
ーションを施した太陽電池では、パッシベーション用の
酸化膜により表面での少数キャリアの再結合低減を目的
としているため、電極占有面積の低減は酸化膜の面積を
広くすることになり、パッシベーション効果を高め、太
陽電池特性たとえば短絡電流密度（Ｊsc），開放電圧
（ＶOC）の向上につながる。また、電極を微細にし高密
度化して配置すれば、同じ電極占有面積であっても、Ｊ
SCやＶOCを低下させることなく、曲線因子（ＦＦ）を向
上させることができる。
光面電極の電極占有面積を電極の直列抵抗を増加させな
い範囲で、できるだけ低減させる必要がある。その理由
は、電極は半導体への光を遮蔽するばかりでなく、電極
と基板のシリコン結晶との接触部分での少数キャリアの
再結合が無限大であるからである。また、表面パッシベ
ーションを施した太陽電池では、パッシベーション用の
酸化膜により表面での少数キャリアの再結合低減を目的
としているため、電極占有面積の低減は酸化膜の面積を
広くすることになり、パッシベーション効果を高め、太
陽電池特性たとえば短絡電流密度（Ｊsc），開放電圧
（ＶOC）の向上につながる。また、電極を微細にし高密
度化して配置すれば、同じ電極占有面積であっても、Ｊ
SCやＶOCを低下させることなく、曲線因子（ＦＦ）を向
上させることができる。
【０００３】以上のように、太陽電池の特性向上には、
微細電極の形成技術の確立が不可欠となってきている。
電極形成には、工程が簡略化でき製造コストの低減化に
つながる金属ペーストを用いたスクリーン印刷法が広く
行なわれている。
微細電極の形成技術の確立が不可欠となってきている。
電極形成には、工程が簡略化でき製造コストの低減化に
つながる金属ペーストを用いたスクリーン印刷法が広く
行なわれている。
【０００４】また、ＦＦを向上させる手段として、受光
面電極をシリコン基板中に埋込む方法がある。これは、
受光面電極占有率を変化させることなく、受光面電極の
シリコン基板との接触面積を増加させるのもであり、Ｆ
Ｆの向上につながる。
面電極をシリコン基板中に埋込む方法がある。これは、
受光面電極占有率を変化させることなく、受光面電極の
シリコン基板との接触面積を増加させるのもであり、Ｆ
Ｆの向上につながる。
【０００５】さらに、電極とシリコン基板との接触部分
付近での少数キャリアの再結合低減には、前述の電極占
有面積を減らすことのほかに、電極と接触する部分にの
みハイドープ層（たとえばｎ++層）を設けることが有効
である。ハイドープ層を形成することにより、電極とシ
リコン基板との接触抵抗を低減することができ、ＦＦの
向上が期待できるばかりでなく、より高い電流を得るた
めに接合を浅くしたときのリーク電流増加によるＶOCお
よびＦＦの低下を防ぐことができる。
付近での少数キャリアの再結合低減には、前述の電極占
有面積を減らすことのほかに、電極と接触する部分にの
みハイドープ層（たとえばｎ++層）を設けることが有効
である。ハイドープ層を形成することにより、電極とシ
リコン基板との接触抵抗を低減することができ、ＦＦの
向上が期待できるばかりでなく、より高い電流を得るた
めに接合を浅くしたときのリーク電流増加によるＶOCお
よびＦＦの低下を防ぐことができる。
【０００６】また、ＪSCを向上させる手段として、反射
防止膜の二層化が挙げられる。これは、単層の反射防止
膜よりも太陽電池表面での反射率をさらに低減し、ＪSC
を向上させるものであり、単層反射防止膜の場合には一
つの波長のみで反射率が極小となるが、異なる屈折率を
持つ膜を二層重ねた二層反射防止膜では、膜厚の設定に
よって二つの波長で反射率の極小点が現われ、単層の場
合よりも大きな反射率の低減効果が期待できる。二層反
射防止膜の形成には、常圧ＣＶＤ法で形成した第一層目
の反射防止膜となるたとえばＴｉＯ2 膜（屈折率：２．
２）上に、蒸着が容易であり機械的に強く安定である、
たとえばＭｇＦ2 膜（屈折率：１．３８）を形成したＭ
ｇＦ2 ／ＴｉＯ2二層反射防止膜が一般的に用いられて
いる。
防止膜の二層化が挙げられる。これは、単層の反射防止
膜よりも太陽電池表面での反射率をさらに低減し、ＪSC
を向上させるものであり、単層反射防止膜の場合には一
つの波長のみで反射率が極小となるが、異なる屈折率を
持つ膜を二層重ねた二層反射防止膜では、膜厚の設定に
よって二つの波長で反射率の極小点が現われ、単層の場
合よりも大きな反射率の低減効果が期待できる。二層反
射防止膜の形成には、常圧ＣＶＤ法で形成した第一層目
の反射防止膜となるたとえばＴｉＯ2 膜（屈折率：２．
２）上に、蒸着が容易であり機械的に強く安定である、
たとえばＭｇＦ2 膜（屈折率：１．３８）を形成したＭ
ｇＦ2 ／ＴｉＯ2二層反射防止膜が一般的に用いられて
いる。
【０００７】このように、受光面電極の微細化，受光面
電極の埋込み，電極形成部にのみハイドープ層の形成，
反射防止膜の二層化等は、太陽電池特性を向上させるの
に非常に有効な手法である。
電極の埋込み，電極形成部にのみハイドープ層の形成，
反射防止膜の二層化等は、太陽電池特性を向上させるの
に非常に有効な手法である。
【０００８】図２（ａ）〜（ｌ）は、従来の二層反射防
止膜を有する受光面電極形成部にｎ ++拡散層を形成した
受光面電極埋込構造の太陽電池の製造工程の一例を示す
略断面図である。
止膜を有する受光面電極形成部にｎ ++拡散層を形成した
受光面電極埋込構造の太陽電池の製造工程の一例を示す
略断面図である。
【０００９】まず、図２（ａ）に示すように、単結晶ま
たは多結晶のたとえばｐ型シリコン基板１の受光面電極
形成部分に、ＩＣチップの切断に汎用されているダイシ
ング装置等によって、受光面電極埋込用の溝１−２を形
成する。
たは多結晶のたとえばｐ型シリコン基板１の受光面電極
形成部分に、ＩＣチップの切断に汎用されているダイシ
ング装置等によって、受光面電極埋込用の溝１−２を形
成する。
【００１０】次に同図（ｂ）に示すように、通常のｎ+
拡散層に比べて表面キャリア濃度が高く深い接合層であ
るｎ++拡散層２を、ｐ型シリコン基板１の全面に形成す
る。
拡散層に比べて表面キャリア濃度が高く深い接合層であ
るｎ++拡散層２を、ｐ型シリコン基板１の全面に形成す
る。
【００１１】次に同図（ｃ）に示すように、受光面電極
埋込用の溝１−２部分に位置合わせをして、スクリーン
印刷法により耐薬品性のワックス３を印刷，乾燥する。
埋込用の溝１−２部分に位置合わせをして、スクリーン
印刷法により耐薬品性のワックス３を印刷，乾燥する。
【００１２】この後同図（ｄ）に示すように、アルカリ
水溶液によりエッチングを行ない、受光面電極形成部以
外のｎ++拡散層２を除去するとともに、表面反射率を低
減するために、表面に微細な凹凸１−３を形成し、テク
スチャ構造にする。
水溶液によりエッチングを行ない、受光面電極形成部以
外のｎ++拡散層２を除去するとともに、表面反射率を低
減するために、表面に微細な凹凸１−３を形成し、テク
スチャ構造にする。
【００１３】次に同図（ｅ）に示すように、ワックス３
を除去する。次に同図（ｆ）に示すように、ｐ型シリコ
ン基板１の全面にｎ+ 拡散層４を形成する。
を除去する。次に同図（ｆ）に示すように、ｐ型シリコ
ン基板１の全面にｎ+ 拡散層４を形成する。
【００１４】次に同図（ｇ）に示すように、表面安定化
のための例えばＳｉＯ2 によるパッシベーション膜５を
ドライ酸化法により形成する。次に同図（ｈ）に示すよ
うに、反射防止膜の第一層目となるＴｉＯ2 膜を常圧Ｃ
ＶＤ法により積層する。
のための例えばＳｉＯ2 によるパッシベーション膜５を
ドライ酸化法により形成する。次に同図（ｈ）に示すよ
うに、反射防止膜の第一層目となるＴｉＯ2 膜を常圧Ｃ
ＶＤ法により積層する。
【００１５】続いて同図（ｉ）に示すように、エッチン
グにより裏面および側面の不要なｎ + 接合層を除去す
る。次に同図（ｊ）に示すように、裏面にＡｌペースト
を印刷，焼成により、ＢＳＦ層となるｐ+ 層７と裏面電
極８を形成する。
グにより裏面および側面の不要なｎ + 接合層を除去す
る。次に同図（ｊ）に示すように、裏面にＡｌペースト
を印刷，焼成により、ＢＳＦ層となるｐ+ 層７と裏面電
極８を形成する。
【００１６】次に同図（ｋ）に示すように、位置合わせ
を行ないＴｉＯ2 膜６の上から、スクリーン印刷法によ
り例えば銀ペーストのような金属ペースト９の印刷，焼
成により受光面電極を形成する。
を行ないＴｉＯ2 膜６の上から、スクリーン印刷法によ
り例えば銀ペーストのような金属ペースト９の印刷，焼
成により受光面電極を形成する。
【００１７】最後に同図（ｌ）に示すように、反射防止
膜の第二層目となるＭｇＦ2 膜１０を蒸着法により表面
に形成して太陽電池が完成される。
膜の第二層目となるＭｇＦ2 膜１０を蒸着法により表面
に形成して太陽電池が完成される。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】従来は、前述のよう
に、受光面電極埋込用の凹所たとえば溝の形成，ｎ++層
の形成および反射防止膜の形成がそれぞれ別々の工程に
よって行なわれているために、プロセスが複雑になりコ
スト高になっていた。また、従来のＡｇペースト等の金
属ペーストを用いたスクリーン印刷法では、スクリーン
マスクのパターン精度から、線幅５０μｍ程度が限界で
あり、電極の微細化ができない。
に、受光面電極埋込用の凹所たとえば溝の形成，ｎ++層
の形成および反射防止膜の形成がそれぞれ別々の工程に
よって行なわれているために、プロセスが複雑になりコ
スト高になっていた。また、従来のＡｇペースト等の金
属ペーストを用いたスクリーン印刷法では、スクリーン
マスクのパターン精度から、線幅５０μｍ程度が限界で
あり、電極の微細化ができない。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明においては、光電
変換層およびパッシベーション膜の形成を含む表面の処
理を施した第１の導電型のシリコン基板の表面に第２の
導電型のドーパントを含む材料を塗布乾燥し、その表面
にフィルムを貼付け、レーザ光を受光面電極のパターン
に従ってフィルムの表面に照射し、電極埋込用の開口部
形成とともに開口部周辺部に第２の導電型の拡散層を形
成し、前記の開口部およびその周辺のフィルムの表面に
金属ペーストを塗布し、その後フィルムを剥して電極を
焼成するようにした。
変換層およびパッシベーション膜の形成を含む表面の処
理を施した第１の導電型のシリコン基板の表面に第２の
導電型のドーパントを含む材料を塗布乾燥し、その表面
にフィルムを貼付け、レーザ光を受光面電極のパターン
に従ってフィルムの表面に照射し、電極埋込用の開口部
形成とともに開口部周辺部に第２の導電型の拡散層を形
成し、前記の開口部およびその周辺のフィルムの表面に
金属ペーストを塗布し、その後フィルムを剥して電極を
焼成するようにした。
【００２０】
【作用】ドーパントを含む材料を基板の表面に塗布乾燥
し、その表面にフィルムを貼付け、受光面電極パターン
どおりにレーザ光を照射することにより、受光面電極埋
込用の開口部形成と同時に、その開口部周辺にハイドー
プ層を形成する。その後、前記の開口部よりも広い幅で
金属ペーストを印刷し、余分な金属ペーストをフィルム
ごと除去し残った金属ペースト乾燥，焼成すれば微細な
受光面埋込電極が形成できる。また、受光面電極部以外
の残ったドーパントを含む材料の膜は、金属ペースト焼
成時に緻密化し、第二層目の反射防止膜として機能す
る。
し、その表面にフィルムを貼付け、受光面電極パターン
どおりにレーザ光を照射することにより、受光面電極埋
込用の開口部形成と同時に、その開口部周辺にハイドー
プ層を形成する。その後、前記の開口部よりも広い幅で
金属ペーストを印刷し、余分な金属ペーストをフィルム
ごと除去し残った金属ペースト乾燥，焼成すれば微細な
受光面埋込電極が形成できる。また、受光面電極部以外
の残ったドーパントを含む材料の膜は、金属ペースト焼
成時に緻密化し、第二層目の反射防止膜として機能す
る。
【００２１】
【実施例】図１（ａ）〜（ｋ）は、本発明の一実施例の
製造工程の略断面図である。
製造工程の略断面図である。
【００２２】まず図１（ａ）に示されるように、単結晶
または多結晶のｐ型シリコン基板１をアルカリ水溶液中
でエッチングすることにより微細なピラミッド構造のテ
クスチャ構造にし、低反射率の表面を形成する。
または多結晶のｐ型シリコン基板１をアルカリ水溶液中
でエッチングすることにより微細なピラミッド構造のテ
クスチャ構造にし、低反射率の表面を形成する。
【００２３】次に同図（ｂ）に示すように、８５０℃の
石英管の炉中で２０分間ＰＯＣｌ3の熱拡散を行ない、
全面にｎ+ 拡散層４を形成する。
石英管の炉中で２０分間ＰＯＣｌ3の熱拡散を行ない、
全面にｎ+ 拡散層４を形成する。
【００２４】次に同図（ｃ）のように、表面安定化のた
めのＳｉＯ2 によるパッシベーション膜５をドライ酸化
法により形成する。
めのＳｉＯ2 によるパッシベーション膜５をドライ酸化
法により形成する。
【００２５】次に同図（ｄ）のように、反射防止膜の第
一層目となるＴｉＯ2 膜６を常圧ＣＶＤ法により積層す
る。
一層目となるＴｉＯ2 膜６を常圧ＣＶＤ法により積層す
る。
【００２６】続いて同図（ｅ）に示すように、エッチン
グにより裏面および側面の不要なｎ + 拡散層４を除去す
る。
グにより裏面および側面の不要なｎ + 拡散層４を除去す
る。
【００２７】次に同図（ｆ）に示すように、裏面にＡｌ
ペーストの印刷，焼成によりｐ+ 層７と裏面電極８を形
成する。
ペーストの印刷，焼成によりｐ+ 層７と裏面電極８を形
成する。
【００２８】次に同図（ｇ）に示すように、リン不純物
を含む塗布液（ＰＳＧ液）を塗布，乾燥することによ
り、表面にＰＳＧ膜１１を形成する。ＰＳＧ液の成分は
エチルアルコールＣ2 Ｈ5 ＯＨ：８０ｃｃに、五酸化リ
ンＰ2 Ｏ5 ：５グラム，珪酸エチルＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
4 ：１０ｃｃおよび酢酸ＣＨ3 ＣＯＯＨ：８ｃｃを溶解
させたものである。
を含む塗布液（ＰＳＧ液）を塗布，乾燥することによ
り、表面にＰＳＧ膜１１を形成する。ＰＳＧ液の成分は
エチルアルコールＣ2 Ｈ5 ＯＨ：８０ｃｃに、五酸化リ
ンＰ2 Ｏ5 ：５グラム，珪酸エチルＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
4 ：１０ｃｃおよび酢酸ＣＨ3 ＣＯＯＨ：８ｃｃを溶解
させたものである。
【００２９】次に同図（ｈ）に示すように、ポリイミド
フィルム１２（厚さ２５μｍ）を表面に貼付ける。次に
同図（ｉ）に示すように、前述の基板を短波長レーザ装
置のＸ−Ｙステージに保持し、水素ガス雰囲気中で線幅
２０μｍでＸｅＣｌエキシマレーザ光（λ＝３０８ｎ
ｍ）を、所定のパターンの受光面電極形成位置に照射す
ることにより、受光面電極埋込用の開口部である溝１−
１の形成と、溝周辺部にｎ++拡散層２を形成するととも
に、ポリイミドフィルム１２に開口部１２−１を設け
る。レーザ照射条件を下記の表１に示す。
フィルム１２（厚さ２５μｍ）を表面に貼付ける。次に
同図（ｉ）に示すように、前述の基板を短波長レーザ装
置のＸ−Ｙステージに保持し、水素ガス雰囲気中で線幅
２０μｍでＸｅＣｌエキシマレーザ光（λ＝３０８ｎ
ｍ）を、所定のパターンの受光面電極形成位置に照射す
ることにより、受光面電極埋込用の開口部である溝１−
１の形成と、溝周辺部にｎ++拡散層２を形成するととも
に、ポリイミドフィルム１２に開口部１２−１を設け
る。レーザ照射条件を下記の表１に示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】次に同図（ｊ）に示すように、ポリイミド
フィルム１２の開口部１２−１より広く（本実施例では
６０μｍ）金属ペースト９を印刷する。
フィルム１２の開口部１２−１より広く（本実施例では
６０μｍ）金属ペースト９を印刷する。
【００３２】次に同図（ｋ）に示すように、ポリイミド
フィルム１２を余分な金属ペースト９ごと除去する。残
った金属ペースト９を７００℃で焼成することにより、
微細な受光面埋込電極９−１を形成する。この焼成の際
に、受光面電極形成部以外に残されたＰＳＧ膜１１は緻
密化し、屈折率が１．４５になり、第一層目の反射防止
膜であるＴｉＯ2 膜６（屈折率２．２）とともに二層反
射防止膜として機能する。
フィルム１２を余分な金属ペースト９ごと除去する。残
った金属ペースト９を７００℃で焼成することにより、
微細な受光面埋込電極９−１を形成する。この焼成の際
に、受光面電極形成部以外に残されたＰＳＧ膜１１は緻
密化し、屈折率が１．４５になり、第一層目の反射防止
膜であるＴｉＯ2 膜６（屈折率２．２）とともに二層反
射防止膜として機能する。
【００３３】本実施例では、ＸｅＣｌレーザ（λ＝３０
８ｎｍ）を用いたが、ＫｒＦレーザ（λ＝２４８ｎｍ）
を使用しても、同様のことが可能である。また、本実施
例では、基板がｐ型であるのでリンを含む塗布液を用い
たが、基板がｎ型の場合にはボロンを含む塗布液を用い
ると同様の効果が得られる。
８ｎｍ）を用いたが、ＫｒＦレーザ（λ＝２４８ｎｍ）
を使用しても、同様のことが可能である。また、本実施
例では、基板がｐ型であるのでリンを含む塗布液を用い
たが、基板がｎ型の場合にはボロンを含む塗布液を用い
ると同様の効果が得られる。
【００３４】上記実施例による太陽電池と従来の方法に
よる同様の太陽電池の特性の比較を表２に示す。
よる同様の太陽電池の特性の比較を表２に示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】本発明の方法で作製した太陽電池の特性
は、従来の方法と比較して、主に曲線因子と短絡電流密
度の向上により、変換効率で０．９％改善された。
は、従来の方法と比較して、主に曲線因子と短絡電流密
度の向上により、変換効率で０．９％改善された。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、従来のようなワックス
印刷やスクリーンマスクの位置合わせ等の複雑な工程を
必要とせず、受光面電極埋込用の溝とｎ++拡散層が同じ
プロセスで形成でき、また、微細な受光面電極形成を可
能とし、さらに第２層目の反射防止膜も受光面の電極焼
成と同時に形成できるから、高い変換効率を有する太陽
電池を低コストで製造できる。
印刷やスクリーンマスクの位置合わせ等の複雑な工程を
必要とせず、受光面電極埋込用の溝とｎ++拡散層が同じ
プロセスで形成でき、また、微細な受光面電極形成を可
能とし、さらに第２層目の反射防止膜も受光面の電極焼
成と同時に形成できるから、高い変換効率を有する太陽
電池を低コストで製造できる。
【図１】（ａ）〜（ｋ）は本発明の一実施例の各工程の
略断面図である。
略断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｌ）は従来の製法の一例の各工程の
略断面図である。
略断面図である。
１ ｐ型シリコン基板 ２ ｎ++拡散層 ４ ｎ+ 拡散層 ５ パッシベーション膜 ６ ＴｉＯ2 膜 ７ ｐ+ 層 ８ 裏面電極 ９ 金属ペースト １１ ＰＳＧ膜 １２ ポリイミドフィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 誠 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 利根川 正 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−33980（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−298078（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−275722（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36998（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−192372（ＪＰ，Ａ) 米国特許5011565（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (1)
- 【請求項１】 光電変換層およびパッシベーション膜の
形成を含む表面の処理を施した第１の導電型のシリコン
基板の表面に第２の導電型のドーパントを含む材料を塗
布乾燥する工程と、 前記の材料を塗布乾燥した表面にフィルムを貼付ける工
程と、 レーザ光を受光面電極のパターンに従ってフィルムの表
面に照射し、電極埋込用の開口部形成とともに開口部周
辺部に第２の導電型の拡散層を形成する工程と、 レーザ光により形成された開口部の表面に金属ペースト
を塗布する工程と、 フィルムを剥して電極を焼成する工程、を有することを
特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04124991A JP3073833B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04124991A JP3073833B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326989A JPH05326989A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3073833B2 true JP3073833B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=14899205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04124991A Expired - Lifetime JP3073833B2 (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3073833B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017102296A1 (de) * | 2017-02-07 | 2018-08-09 | Hanwha Q Cells Gmbh | Solarzellenherstellungsverfahren, Solarzelle-Halbzeug und Solarzelle |
| KR102711243B1 (ko) * | 2022-08-26 | 2024-09-27 | 한국로봇융합연구원 | 허니콤 코어용 지그장치 및 이를 포함하는 허니콤 코어 가공시스템 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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