JP2955167B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、太陽電池の製造方法
に関し、特にＰＮ接合形成,裏電極形状および表電極形
状を改良した太陽電池の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１０に、従来の太陽電池の製造方法に
よって形成される太陽電池における各製造工程での断面
を示す。以下、図１０に従って、従来の太陽電池の製造
方法について説明する。

【０００３】図１０(a)において、結晶軸が(１００)の
Ｐ型基板１をイソプロピルアルコールを添加した８０℃
〜９０℃,数％濃度の水酸化ナトリウム溶液に浸漬して
２０分〜３０分処理する。こうして、Ｐ型基板１の表面
に微細なピラミッド状の凹凸(以下、テクスチャと言う)
を形成する。図１０(b)において、拡散源(Ｐ₂Ｏ₅等)を
含むドーパント液２をスピンフローによってＰ型基板１
の表面に塗布する。図１０(c)において、上記ドーパン
ト液２が塗布されたＰ型基板１を拡散炉で熱処理(９０
０℃,１５分)することによって、Ｐ型基板１の受光面側
にｎ⁺層３が形成されてＰＮ接合が生じる。その際に、
Ｐ型基板１における側面や上記受光面の裏面(以下、単
に裏面と言う)にも薄い不要なｎ⁺層４が形成される。

【０００４】ここで、上記Ｐ型基板１の全面に亙ってＰ
Ｎ接合が形成されていると、形成された太陽電池の負極
(Ｎ側)と正極(Ｐ側)とが短絡されて電気特性は低下して
しまう。そこで、上記不要なｎ⁺層４を除去してＰＮ接
合を分離する必要がある。図１０(d)において、上記Ｐ
型基板１の受光面側に印刷法によってレジスト５を形成
後、フッ酸と硝酸の混酸(ＨＦ:ＨＮＯ₃＝１:３)でエッ
チングして不要なｎ⁺層４を除去する。図１０(e)におい
て、トリクロルエチレンで処理してレジスト５を剥離す
る。

【０００５】図１０(f)において、上記Ｐ型基板１にお
ける受光面側のｎ⁺層３上に反射防止膜６を形成する。
図１０(g)において、上記Ｐ型基板１の裏面に裏面銀電
極７及びアルミ電極８を印刷した後乾燥し、７００℃〜
８００℃で高温熱処理して裏電極を形成する。図１０
(h)において、上記Ｐ型基板１の受光面側の反射防止膜
６上に表面銀電極１０を印刷した後乾燥し、６００℃〜
７００℃で高温熱処理して表電極を形成する。図１０
(i)において、上記表面銀電極１０および裏面銀電極７
の表面に半田１１を被覆して、太陽電池が形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の太陽電池の製造方法においては、図１０(c)に示す
ように、Ｐ型基板１の受光面にｎ⁺層３を形成する際に
側面や裏面にもＰＮ接合が形成されて不要なｎ⁺層４形
成される。したがって、この不要なｎ⁺層４を除去して
ＰＮ接合を分離するために、レジスト印刷工程,エッチ
ング工程およびレジスト剥離工程の余分な工程が必要と
なり、製造コストが高くなるという問題がある。

【０００７】また、図１０(g)において裏電極を形成す
るに際しては、先ず図１１(b)に示すようなパターンに
裏面銀電極７を印刷し、次に図１２(b)に示すようなパ
ターンにアルミ電極８を印刷して乾燥する。そして、高
温熱処理する際にＰ型基板１であるシリコン中にアルミ
電極８のＡlが拡散して合金化して、ｐ⁺層９が形成され
る。このように裏面にｐ⁺層９が形成される(ＢＳＦ構造
と言う)ことによって太陽電池の性能がアップする。

【０００８】ところが、その後Ａlが裏面銀電極７中に
も拡散してしまい、処理温度と処理時間によっては、図
１３に示すように裏面銀電極７の周囲(アルミ電極８に
接触している箇所)に半田が付かない領域７aが形成され
る。図１３(a)は断面図であり、図１３(a)は底面図であ
り、図１３(c)は図１３(b)における(イ)部拡大図であ
る。こうした場合には、形成された太陽電池をインター
コネクタを介して接続する際の作業性を著しく悪くし、
信頼性を低下させてしまうという問題がある。

【０００９】また、従来における表面銀電極１０のパタ
ーンは、図１４に示すように格子状になっており、その
主電極部１０aは補助電極１０bと補助電極１０cとの交
点に配置されている。したがって、図１０(i)において
表面銀電極１０の表面に半田１１を被覆するに際して、
細い補助電極１０cの方向を半田ディップ方向として太
陽電池セル１５を半田槽に浸漬すると図１５(a)に示す
ように半田１１が補助電極１０c上に沿って流れてしま
い、後にインターコネクタ１６が接続される主電極部１
０aにはあまり半田１１が付着しない。その結果、図１
５(b)に示すように、上記表面銀電極１０側の半田１１
とインターコネクタ１６側の半田１７とが部分的にしか
接着せず、表面銀電極１０とインターコネクタ１６との
接続がうまく行かずに信頼性が低下するという問題があ
る。

【００１０】そこで、この発明の目的は、不要なＰＮ接
合が形成されず、裏面銀電極における半田付着領域が減
少せず、表面銀電極における主電極上の半田量が低下し
ない太陽電池の製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、半導体基板における一面に
ＰＮ接合を形成する太陽電池の製造方法であって、上記
半導体基板における上記一面にドーパント液を塗布する
一方,上記半導体基板の他面にＰＮ接合の形成を防止す
るマスク材を塗布する工程と、熱処理によって上記一面
にＰＮ接合を形成する工程と、マスク除去材による処理
によって上記他面に形成されたマスク材を除去する工程
を備え、上記マスク材は、ケイ素およびチタンを含む主
溶液からなり、上記マスク除去材は、少なくともフッ酸
を含むことを特徴としている。

【００１２】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
係る発明の太陽電池の製造方法において、上記マスク材
を除去した領域上に金属電極を形成する工程と、熱処理
によって上記金属電極から金属元素を拡散させて,上記
他面に上記半導体基板と同一導電層を形成する工程を備
えたことを特徴としている。

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【実施例】以下、この発明を図示の実施例により詳細に
説明する。図１は本実施例の太陽電池の製造方法によっ
て形成される太陽電池における各製造工程での断面を示
す図である。以下、図１に従って、本実施例における太
陽電池の製造方法について説明する。

【００１６】本実施例においては、太陽電池の光/電変
換効率を高めるために結晶軸が(１００)のＰ型基板２１
を用いる。先ず、Ｐ型基板２１を酸溶液あるいはアルカ
リ溶液で処理して、表面のダメージ層を除去する。そし
て、Ｐ型基板２１を８０℃〜９０℃の水酸化ナトリウム
溶液(数％の濃度)に浸漬して２０分〜３０分処理し、Ｐ
型基板１の表面に図１(a)における(ハ)部拡大図で示す
ような微細なピラミッド状のテクスチャを形成する。

【００１７】次に、従来と同様にスピンコータによって
Ｐ型基板２１の表面(受光面)にドーパント液２２を塗布
する。その際に、裏面における周辺部にはチタン酸を含
むマスク液２３を同時に塗布する。このマスク液２３の
組成の一例としては、エチルアルコール２０００cc,チ
タン酸イソプロピル３００cc,酢酸３００cc,ケイ酸エチ
ル２００ccの混合液である。

【００１８】上記ドーパント液２２及びマスク液２３の
塗布は、図２に示すようにして実施される。すなわち、
スピンコータのスピンチャック３５に固定されて回転速
度５０００rpmで回転されるＰ型基板２１の表面中心部
にノズル３６を介してＰ₂Ｏ₅等を含むドーパント液２２
を滴下する。そうすると、ドーパント液２２が遠心力に
よってＰ型基板２１の中心部から外方向に向かって全体
に均一に広がる。それと同時に、Ｐ型基板２１の裏面周
辺部にノズル３７を介してマスク液２３を吹き付ける。
そうすると、マスク液２３は遠心力によってＰ型基板２
１の外方向に向かって広がる。こうして、図１(b)に示
すように、Ｐ型基板２１の表面にはドーパント液２２が
均一に塗布される。一方、裏面には周辺部にのみマスク
液２３が塗布されて、マスク液塗布膜２３が形成されて
いる領域と形成されていない領域とが生ずる。

【００１９】そうした後、上記ドーパント液２２および
マスク液２３が塗布されたＰ型基板２１を拡散炉で熱処
理(９００℃,１５分)することによって、図１(c)に示す
ように、Ｐ型基板２１の表面にｎ⁺層２４を形成する。
その際に、Ｐ型基板１の裏面におけるマスク液塗布膜２
３が形成されていない領域にも薄い不要なｎ⁺層２５が
形成される。一方、Ｐ型基板１の裏面におけるマスク液
塗布膜２３が形成されている領域にはＴiＯ₂とＳiＯ₂と
が混在した膜が形成され、その膜の下にはｎ⁺層は形成
されない。このように、Ｐ型基板２１における裏面中心
部には薄いｎ⁺層２５が形成されるが、このｎ⁺層２５は
マスク液塗布膜２３下に形成された上記ＴiＯ₂とＳiＯ₂
とが混在した膜によって表面のｎ⁺層２４とは分離され
ているために、太陽電池の性能には影響を及ぼさない。

【００２０】次に、上記Ｐ型基板２１を４９％のフッ酸
中に約５分間浸漬して、図１(d)に示すように、裏面の
マスク液塗布膜２３とｎ型不純物が拡散する際に表面に
形成されたＰＳＧ(リンシリケートグラス)層２６とを剥
離する。そうした後に、スプレー法等によって、Ｐ型基
板１におけるｎ⁺層２４上に図１(e)に示すようにＴiＯ₂
によって反射防止膜２７を形成する。

【００２１】次に、上記Ｐ型基板２１の裏面に、図３に
示すようなパターンに銀ペーストによって裏面銀電極２
８を印刷して乾燥する。さらに、図４に示すようなパタ
ーンにアルミペーストによってアルミ電極２９を印刷し
て乾燥する。そして、７００℃〜８００℃で高温熱処理
して図１(f)に示すごとく裏電極を形成する。その際に
おける高温熱処理によってＰ型基板２１(シリコン)中に
アルミ電極２９のＡlが拡散して合金化し、ｐ⁺層３０が
形成される。このように、上記裏電極を裏面銀電極２８
とアルミ電極２９とで構成することによって、銀ペース
トの使用量を押えて低コスト化を図るのである。

【００２２】一方、上記Ｐ型基板２１の表面における反
射防止膜２７上には、図７(a)に示すようなパターンに
銀ペーストによって表面銀電極３１を印刷した後乾燥
し、６００℃〜７００℃で高温熱処理して図１(g)に示
すごとく表電極を形成する。

【００２３】次に、図１(g)の構造を有する太陽電池セ
ルを、約１９０℃の半田槽に図７(a)に示す方向に浸漬
し、図１(h)に示すごとく表面銀電極３１および裏面銀
電極２８の表面に半田３２を被覆して、太陽電池が形成
される。こうして形成された太陽電池における表面銀電
極３１にインターコネクタ３３を半田付けした後、夫々
のインターコネクタ３３を直/並列に接続して、図１(i)
に示すような断面を有する太陽電池モジュールが完成す
る。

【００２４】上述のように、本実施例における太陽電池
の製造方法においては、ＰＮ接合形成熱処理を実施して
受光面側にｎ⁺層２４を形成する前に、裏面におけるｎ⁺
層を形成させない領域にはＰＮ接合の形成を阻止するマ
スク液２３を塗布するようにしている。したがって、Ｐ
Ｎ接合形成熱処理時に、Ｐ型基板２１の裏面におけるマ
スク液塗布層２３が形成された領域ではｎ⁺層が形成さ
れずＰＮ接合は形成されない。こうすることによって、
太陽電池の製造工程から不必要なｎ⁺層を除去する工程
を省略することができ、製造コストの大幅な低減が可能
となる。

【００２５】尚、上記マスク液２３として、一般的に用
いられるケイ酸エチル,酢酸,エチルアルコールの混液の
場合にはマスク効果が余りよくない。その理由は、単に
上記マスク液を塗布して熱処理した場合には、形成され
た膜は緻密な膜となってマスク効果は得られる。ところ
が、本実施例のように、Ｐ型基板２１にｎ⁺層形成用の
ドーパント液２２とマスク液２３とを塗布して同時に熱
処理する工程の場合には、あまりマスク効果は期待でき
ないのである。そうかと言って、Ｐ型基板２１に一旦マ
スク液２３を塗布して熱処理した後に、改めてドーパン
ト液２２を塗布してｎ⁺層２４を形成するのでは、製造
工程が長くなって適当ではない。

【００２６】一方、上記マスク液２３として、チタン酸
イソプロピル,酢酸,イソプロピルアルコールの混液の場
合には、本実施例の場合と同様のマスク効果が得られ
る。ところが、形成される膜は、フッ酸等の薬剤を使用
しても剥離しにくく(太陽電池用のＰ型基板２１の場合
にはその表面にピラミッド型のテクスチャが形成されて
いるので余計剥離しにくい)、残った膜が裏面銀電極２
８やアルミ電極２９形成時に以下のようなトラブルの原
因となるのである。

【００２７】すなわち、銀ペーストを印刷焼成する際
に、Ｓi(Ｐ型基板２１)とＡgとの界面に上記膜が介在す
るによって、裏面銀電極２８とＰ型基板２１との接着強
度が低下する場合がある。また、アルミペーストを印刷
焼成する際に、Ｓi(Ｐ型基板２１)とＡlとの界面に上記
膜が介在するによって、アルミ電極２９上にＡl粒が発
生し、その後の工程においてＰ型基板２１が割れる原因
となる。

【００２８】これに対して、本実施例におけるマスク液
２３はチタン酸イソプロピルを含むためにマスク効果が
良好である。さらに、ケイ酸エチルを含むために、形成
された膜を熱処理後フッ酸で処理すれば簡単に剥離でき
る。したがって、残った上記膜がその後の工程で問題と
なることはないのである。

【００２９】尚、この発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、この発明の範囲内で上記実施例に種々の
修正や変更を加え得ることは言うまでもない。

【００３０】例えば、上記実施例では、Ｐ型基板２１を
用いたｎ⁺/ｐ/ｐ⁺型(バック・サーフェイス・フィールド
(ＢＳＦ)型)太陽電池を例に上げて説明しているが、ｎ⁺
/ｐ型太陽電池や、ｎ型基板を用いたｎ型太陽電池(但
し、ドーパントや電極材料を変更する必要がある)にも
適用できる。

【００３１】また、上記基板の受光面側にｎ⁺層２４を
形成する方法として、ＰＯＣl₃を使用した気相拡散法や
反射防止膜材料を含むドーパント液を使用した塗布拡散
法も適用可能である。

【００３２】また、上記マスク液２３を塗布するに際し
て、上記実施例のようにドーパント液２２とマスク液２
３とを同時に塗布してもよいが、夫々の液を個別に塗布
してもよい。尚、マスク液の組成は上述の組成に限定さ
れるものではなく、チタンとケイ素とを含む液であれば
よい。したがって、主溶液,チタンおよびケイ素を含む
溶液,副溶液の組み合わせとしては、以下のような組み
合わせがある。但し、副溶液は必ずしも必要ではない。

【００３３】上記主溶液としては、イソプロピルアルコ
ール,エチルアルコール,メチルアルコール,ブチルアル
コール等のアルコール類やメチルエチルケトン等のケト
ン類がある。また、チタンを含む溶液としては、テトラ
イソプロピルチタネート,テトラ・ｎブチルチタネート,
塩化チタン等の溶液、その他、酸,アルカリ,アルコー
ル,エステル等にチタン粉末やホウ化チタン,炭化チタ
ン,二酸化チタン等の固形のチタンを溶解させた溶液が
ある。また、ケイ素を含む溶液としては、ケイ酸エチ
ル,ケイ酸メチル,ケイ酸イソプロピル,シリコンのハロ
ゲン化物等の溶液がある。また、副溶液としては、ギ
酸,酢酸,シュウ酸,安息香酸等のカルボン酸がある。

【００３４】図５は上記裏電極が形成された状態におけ
るＰ型基板２１を示す。但し、図５(a)は断面図であ
り、図５(b)は底面図であり、図５(c)は図５(a)におけ
る(ニ)部拡大図であり、図５(d)は図５(b)における(ホ)
部拡大図である。

【００３５】上述したように、上記Ｐ型基板２１におけ
る裏面に形成される裏面銀電極２８は図３(b)に示すよ
うな円形のパターンを有している。また、アルミ電極２
９は図４(b)に示すような円形の穴が開いたパターンを
有している。そして、裏面銀電極２８のパターンとアル
ミ電極２９のパターンとを位置併せを行って重ねた場合
には、図５(d)に示すように裏面銀電極２８の円パター
ンとアルミ電極２９の穴のパターンとは一方向にずれて
いる。したがって、図５(c)および図５(d)から分かるよ
うに、裏面銀電極２８とアルミ電極２９とは(Ａ)では空
隙を有し、(Ｂ)では重なり合うことになる。

【００３６】そこで、上記銀ペーストおよびアルミペー
ストを順次印刷した後に高温熱処理した際に、Ａlが裏
面銀電極２８中に拡散して形成される半田が付かない領
域２８aは大略上記両電極が重なり合う領域(Ｂ)に形成
されて空隙(Ａ)の箇所には形成されない。したがって、
裏面銀電極２８におけるインターコネクタとの半田付け
面積を従来より大きく確保して、作業性を向上させ、高
信頼性を得ることができるのである。

【００３７】尚、このような効果を得ることができる裏
面銀電極パターンおよびアルミ電極パターンは図５に示
すパターンに限定されるものではなく、要は裏面銀電極
と２８とアルミ電極２９との重なり領域が電気的接続を
十分得ることができる範囲でなるべく少ないパターンで
あればよい。図６に裏面銀電極とアルミ電極との他のパ
ターンを示す。

【００３８】図６においては、総てのアルミ電極４１に
おける穴のパターンは円形である。そして、図６(a)に
おける裏面銀電極４２は矩形をなし、マトリックス状に
配列された矩形の孔を有する。そして、Ａlが裏面銀電
極４２中に拡散して形成される半田が付かない領域は上
記両電極４１,４２が重なり合う点線で示す領域４２aと
なる。この場合、裏面銀電極４２におけるアルミ電極４
１と重なり合っていない領域へのＡlの拡散は多くの孔
によって食い止められるので、裏面銀電極４２における
半田付着領域を大きく確保できる。

【００３９】また、図６(b)における裏面銀電極４３
は、アルミ電極４１の穴径よりも小径の円形を有する本
体とこの本体から８方に放射状に突出する突出部とを有
する。そして、上記半田が付かない領域は両電極４１,
４３が重なり合う上記突出部における点線で示す領域４
３aとなる。この場合、裏面銀電極４３の上記本体はア
ルミ電極４１とは重なり合わないので、この本体におけ
るＡlの拡散領域が少なく裏面銀電極４３における半田
付着領域を大きく確保できる。

【００４０】また、図６(c)における裏面銀電極４４
は、一辺の長さがアルミ電極４１の穴径よりも短く、対
角線の長さが上記穴径よりも長い正方形を有する。そし
て、上記半田が付かない領域は両電極４１,４３が重な
り合う裏面銀電極４４の四隅における点線で示す領域４
４aとなる。この場合、裏面銀電極４４は、上記四隅以
外ではアルミ電極４１と重なり合わないので、裏面銀電
極４４におけるアルミ電極４１と重なり合っていない領
域へのＡlの拡散領域が少なく裏面銀電極４４における
半田付着領域を大きく確保できる。

【００４１】図７は上記表面銀電極３１のパターンを示
す。本実施例における表面銀電極３１のパターンは格子
状になっており、その主電極３１aは円形を成して補助
電極３１bと補助電極３１cとの交点間における補助電極
３１b上に配置されている。したがって、表面銀電極３
１の表面に半田３２を被覆するに際して、細い補助電極
３１cの方向を半田ディップ方向として太陽電池セル４
５を半田槽に浸漬しても、図８(a)に示すように半田３
２が補助電極３１c上に沿って流れずに主電極３１a上に
水滴状に多く溜まる。その結果、図８(b)に示すよう
に、上記表面銀電極３１側の半田３２とインターコネク
タ３３側の半田４６とが完全に融合して、表面銀電極３
１とインターコネクタ３３とが完全に接続されて高信頼
性が得られるのである。

【００４２】本実施例の太陽電池の製造方法によって形
成される表面銀電極３１の主電極３１aは補助電極３１b
と補助電極３１cの交点間に形成されていればよく、そ
の形状は特に限定されるものではない。したがって、図
７に示すような円形の他に、例えば図９(a)に示すよう
な矩形や、図９(b)に示すような楕円形や、図９(c)に示
すようなサイズの異なる２種類の楕円形４９,５０等が
考えられる。

【００４３】尚、上記実施例においては、上記Ｐ型基板
２１の受光面にｎ⁺層２４を形成するに際してｎ⁺層を形
成させない領域にマスク液２３を塗布する第１の方法
と、上記裏電極を形成する際に裏面銀電極２８とアルミ
電極２９の重なり領域を少なくする第２の方法と、表面
銀電極３１の主電極３１aを補助電極３１bと補助電極３
１cとの交点間に配置する第３の方法とを総て実施して
いる。しかしながら、この発明はこれに限定されるもの
ではなく、上記３つの方法を適宜に組み合わせて実施し
ても何ら差し支えない。

【００４４】

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１に係
る発明の太陽電池の製造方法は、半導体基板における一
面にドーパント液を塗布する一方、他面にＰＮ接合の形
成を防止するマスク材を塗布し、熱処理によって上記一
面にＰＮ接合を形成し、マスク除去材による処理によっ
て上記他面に形成されたマスク材を除去するので、ＰＮ
接合形成熱処理に際して上記他面におけるマスク材塗布
領域にはＰＮ接合が形成されない。したがって、上記半
導体基板には不要なＰＮ接合が形成されず、ＰＮ接合分
離工程を削除できる。すなわち、この発明によれば、製
造コストの大幅な削減を図ることができる。

【００４５】さらに、上記マスク材はケイ素およびチタ
ンを含む主溶液であるので、上記マスク材は高いＰＮ接
合防止効果を呈すると共に、少なくともフッ酸を含む上
記マスク除去材によって容易に除去できる。

【００４６】また、請求項２に係る発明の太陽電池の製
造方法は、上記マスク材を除去した領域上に金属電極を
形成し、熱処理によって上記金属電極から金属元素を拡
散させて上記他面に上記半導体基板と同一導電層を形成
するので、上記ＢＳＦ構造を得ることができ、太陽電池
の性能を向上できる。

【００４７】

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の太陽電池の製造方法によって形成さ
れる太陽電池における各製造工程での断面図である。

【図２】ドーパント液およびマスク液の塗布方法の説明
図である。

【図３】裏面銀電極のパターンの説明図である。

【図４】アルミ電極のパターンの説明図である。

【図５】裏面銀電極とアルミ電極との位置関係および裏
面銀電極へのＡlの拡散結果の説明図である。

【図６】図３〜図５とは異なる裏面銀電極とアルミ電極
とのパターンを示す図である。

【図７】表面銀電極のパターンの説明図である。

【図８】図７に示す表面銀電極に対する半田の付着状態
およびインターコネクタとの接続状態の説明図である。

【図９】図７とは異なる表面銀電極のパターンを示す図
である。

【図１０】従来の太陽電池の製造方法によって形成され
る太陽電池における各製造工程での断面図である。

【図１１】図１０における裏面銀電極のパターンの説明
図である。

【図１２】図１０におけるアルミ電極のパターンの説明
図である。

【図１３】図１１および図１２に示す裏面銀電極とアル
ミ電極との位置関係および裏面銀電極へのＡlの拡散結
果の説明図である。

【図１４】図１０における表面銀電極のパターンの説明
図である。

【図１５】図１４に示す表面銀電極に対する半田の付着
状態およびインターコネクタとの接続状態の説明図であ
る。

【符号の説明】

２１…Ｐ型基板、 ２２…ドーパント
液、２３…マスク液塗布膜、 ２４,２５…
ｎ⁺層、２８,４２,４３,４４…裏面銀電極、２９,４１
…アルミ電極、 ３０…ｐ⁺層、３１…表面銀
電極、 ３１a,４７,４８,４９,５０…
主電極、３１b,３１c…補助電極、３２,４６…半田、
３３…インターコネクタ、３５…スピ
ンチャック、 ３６,３７…ノズル。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 31/04

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板における一面にＰＮ接合を形
   成する太陽電池の製造方法であって、 上記半導体基板における上記一面にドーパント液を塗布
   する一方、上記半導体基板の他面にＰＮ接合の形成を防
   止するマスク材を塗布する工程と、 熱処理によって上記一面にＰＮ接合を形成する工程と、 マスク除去材による処理によって上記他面に形成された
   マスク材を除去する工程を備え、 上記マスク材は、ケイ素およびチタンを含む主溶液から
   なり、上記マスク除去材は、少なくともフッ酸を含むこ
   とを特徴とする太陽電池の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の太陽電池の製造方法に
   おいて、 上記マスク材を除去した領域上に金属電極を形成する工
   程と、 熱処理によって上記金属電極から金属元素を拡散させ
   て、上記他面に上記半導体基板と同一導電層を形成する
   工程を備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法。