JP2955167B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JP2955167B2 JP2955167B2 JP5281302A JP28130293A JP2955167B2 JP 2955167 B2 JP2955167 B2 JP 2955167B2 JP 5281302 A JP5281302 A JP 5281302A JP 28130293 A JP28130293 A JP 28130293A JP 2955167 B2 JP2955167 B2 JP 2955167B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- solar cell
- silver electrode
- mask
- type substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
に関し、特にPN接合形成,裏電極形状および表電極形
状を改良した太陽電池の製造方法に関する。
よって形成される太陽電池における各製造工程での断面
を示す。以下、図10に従って、従来の太陽電池の製造
方法について説明する。
P型基板1をイソプロピルアルコールを添加した80℃
〜90℃,数%濃度の水酸化ナトリウム溶液に浸漬して
20分〜30分処理する。こうして、P型基板1の表面
に微細なピラミッド状の凹凸(以下、テクスチャと言う)
を形成する。図10(b)において、拡散源(P2O5等)を
含むドーパント液2をスピンフローによってP型基板1
の表面に塗布する。図10(c)において、上記ドーパン
ト液2が塗布されたP型基板1を拡散炉で熱処理(90
0℃,15分)することによって、P型基板1の受光面側
にn+層3が形成されてPN接合が生じる。その際に、
P型基板1における側面や上記受光面の裏面(以下、単
に裏面と言う)にも薄い不要なn+層4が形成される。
N接合が形成されていると、形成された太陽電池の負極
(N側)と正極(P側)とが短絡されて電気特性は低下して
しまう。そこで、上記不要なn+層4を除去してPN接
合を分離する必要がある。図10(d)において、上記P
型基板1の受光面側に印刷法によってレジスト5を形成
後、フッ酸と硝酸の混酸(HF:HNO3=1:3)でエッ
チングして不要なn+層4を除去する。図10(e)におい
て、トリクロルエチレンで処理してレジスト5を剥離す
る。
ける受光面側のn+層3上に反射防止膜6を形成する。
図10(g)において、上記P型基板1の裏面に裏面銀電
極7及びアルミ電極8を印刷した後乾燥し、700℃〜
800℃で高温熱処理して裏電極を形成する。図10
(h)において、上記P型基板1の受光面側の反射防止膜
6上に表面銀電極10を印刷した後乾燥し、600℃〜
700℃で高温熱処理して表電極を形成する。図10
(i)において、上記表面銀電極10および裏面銀電極7
の表面に半田11を被覆して、太陽電池が形成される。
来の太陽電池の製造方法においては、図10(c)に示す
ように、P型基板1の受光面にn+層3を形成する際に
側面や裏面にもPN接合が形成されて不要なn+層4形
成される。したがって、この不要なn+層4を除去して
PN接合を分離するために、レジスト印刷工程,エッチ
ング工程およびレジスト剥離工程の余分な工程が必要と
なり、製造コストが高くなるという問題がある。
るに際しては、先ず図11(b)に示すようなパターンに
裏面銀電極7を印刷し、次に図12(b)に示すようなパ
ターンにアルミ電極8を印刷して乾燥する。そして、高
温熱処理する際にP型基板1であるシリコン中にアルミ
電極8のAlが拡散して合金化して、p+層9が形成され
る。このように裏面にp+層9が形成される(BSF構造
と言う)ことによって太陽電池の性能がアップする。
も拡散してしまい、処理温度と処理時間によっては、図
13に示すように裏面銀電極7の周囲(アルミ電極8に
接触している箇所)に半田が付かない領域7aが形成され
る。図13(a)は断面図であり、図13(a)は底面図であ
り、図13(c)は図13(b)における(イ)部拡大図であ
る。こうした場合には、形成された太陽電池をインター
コネクタを介して接続する際の作業性を著しく悪くし、
信頼性を低下させてしまうという問題がある。
ーンは、図14に示すように格子状になっており、その
主電極部10aは補助電極10bと補助電極10cとの交
点に配置されている。したがって、図10(i)において
表面銀電極10の表面に半田11を被覆するに際して、
細い補助電極10cの方向を半田ディップ方向として太
陽電池セル15を半田槽に浸漬すると図15(a)に示す
ように半田11が補助電極10c上に沿って流れてしま
い、後にインターコネクタ16が接続される主電極部1
0aにはあまり半田11が付着しない。その結果、図1
5(b)に示すように、上記表面銀電極10側の半田11
とインターコネクタ16側の半田17とが部分的にしか
接着せず、表面銀電極10とインターコネクタ16との
接続がうまく行かずに信頼性が低下するという問題があ
る。
合が形成されず、裏面銀電極における半田付着領域が減
少せず、表面銀電極における主電極上の半田量が低下し
ない太陽電池の製造方法を提供することにある。
め、請求項1に係る発明は、半導体基板における一面に
PN接合を形成する太陽電池の製造方法であって、上記
半導体基板における上記一面にドーパント液を塗布する
一方,上記半導体基板の他面にPN接合の形成を防止す
るマスク材を塗布する工程と、熱処理によって上記一面
にPN接合を形成する工程と、マスク除去材による処理
によって上記他面に形成されたマスク材を除去する工程
を備え、上記マスク材は、ケイ素およびチタンを含む主
溶液からなり、上記マスク除去材は、少なくともフッ酸
を含むことを特徴としている。
係る発明の太陽電池の製造方法において、上記マスク材
を除去した領域上に金属電極を形成する工程と、熱処理
によって上記金属電極から金属元素を拡散させて,上記
他面に上記半導体基板と同一導電層を形成する工程を備
えたことを特徴としている。
説明する。図1は本実施例の太陽電池の製造方法によっ
て形成される太陽電池における各製造工程での断面を示
す図である。以下、図1に従って、本実施例における太
陽電池の製造方法について説明する。
換効率を高めるために結晶軸が(100)のP型基板21
を用いる。先ず、P型基板21を酸溶液あるいはアルカ
リ溶液で処理して、表面のダメージ層を除去する。そし
て、P型基板21を80℃〜90℃の水酸化ナトリウム
溶液(数%の濃度)に浸漬して20分〜30分処理し、P
型基板1の表面に図1(a)における(ハ)部拡大図で示す
ような微細なピラミッド状のテクスチャを形成する。
P型基板21の表面(受光面)にドーパント液22を塗布
する。その際に、裏面における周辺部にはチタン酸を含
むマスク液23を同時に塗布する。このマスク液23の
組成の一例としては、エチルアルコール2000cc,チ
タン酸イソプロピル300cc,酢酸300cc,ケイ酸エチ
ル200ccの混合液である。
塗布は、図2に示すようにして実施される。すなわち、
スピンコータのスピンチャック35に固定されて回転速
度5000rpmで回転されるP型基板21の表面中心部
にノズル36を介してP2O5等を含むドーパント液22
を滴下する。そうすると、ドーパント液22が遠心力に
よってP型基板21の中心部から外方向に向かって全体
に均一に広がる。それと同時に、P型基板21の裏面周
辺部にノズル37を介してマスク液23を吹き付ける。
そうすると、マスク液23は遠心力によってP型基板2
1の外方向に向かって広がる。こうして、図1(b)に示
すように、P型基板21の表面にはドーパント液22が
均一に塗布される。一方、裏面には周辺部にのみマスク
液23が塗布されて、マスク液塗布膜23が形成されて
いる領域と形成されていない領域とが生ずる。
マスク液23が塗布されたP型基板21を拡散炉で熱処
理(900℃,15分)することによって、図1(c)に示す
ように、P型基板21の表面にn+層24を形成する。
その際に、P型基板1の裏面におけるマスク液塗布膜2
3が形成されていない領域にも薄い不要なn+層25が
形成される。一方、P型基板1の裏面におけるマスク液
塗布膜23が形成されている領域にはTiO2とSiO2と
が混在した膜が形成され、その膜の下にはn+層は形成
されない。このように、P型基板21における裏面中心
部には薄いn+層25が形成されるが、このn+層25は
マスク液塗布膜23下に形成された上記TiO2とSiO2
とが混在した膜によって表面のn+層24とは分離され
ているために、太陽電池の性能には影響を及ぼさない。
中に約5分間浸漬して、図1(d)に示すように、裏面の
マスク液塗布膜23とn型不純物が拡散する際に表面に
形成されたPSG(リンシリケートグラス)層26とを剥
離する。そうした後に、スプレー法等によって、P型基
板1におけるn+層24上に図1(e)に示すようにTiO2
によって反射防止膜27を形成する。
示すようなパターンに銀ペーストによって裏面銀電極2
8を印刷して乾燥する。さらに、図4に示すようなパタ
ーンにアルミペーストによってアルミ電極29を印刷し
て乾燥する。そして、700℃〜800℃で高温熱処理
して図1(f)に示すごとく裏電極を形成する。その際に
おける高温熱処理によってP型基板21(シリコン)中に
アルミ電極29のAlが拡散して合金化し、p+層30が
形成される。このように、上記裏電極を裏面銀電極28
とアルミ電極29とで構成することによって、銀ペース
トの使用量を押えて低コスト化を図るのである。
射防止膜27上には、図7(a)に示すようなパターンに
銀ペーストによって表面銀電極31を印刷した後乾燥
し、600℃〜700℃で高温熱処理して図1(g)に示
すごとく表電極を形成する。
ルを、約190℃の半田槽に図7(a)に示す方向に浸漬
し、図1(h)に示すごとく表面銀電極31および裏面銀
電極28の表面に半田32を被覆して、太陽電池が形成
される。こうして形成された太陽電池における表面銀電
極31にインターコネクタ33を半田付けした後、夫々
のインターコネクタ33を直/並列に接続して、図1(i)
に示すような断面を有する太陽電池モジュールが完成す
る。
の製造方法においては、PN接合形成熱処理を実施して
受光面側にn+層24を形成する前に、裏面におけるn+
層を形成させない領域にはPN接合の形成を阻止するマ
スク液23を塗布するようにしている。したがって、P
N接合形成熱処理時に、P型基板21の裏面におけるマ
スク液塗布層23が形成された領域ではn+層が形成さ
れずPN接合は形成されない。こうすることによって、
太陽電池の製造工程から不必要なn+層を除去する工程
を省略することができ、製造コストの大幅な低減が可能
となる。
いられるケイ酸エチル,酢酸,エチルアルコールの混液の
場合にはマスク効果が余りよくない。その理由は、単に
上記マスク液を塗布して熱処理した場合には、形成され
た膜は緻密な膜となってマスク効果は得られる。ところ
が、本実施例のように、P型基板21にn+層形成用の
ドーパント液22とマスク液23とを塗布して同時に熱
処理する工程の場合には、あまりマスク効果は期待でき
ないのである。そうかと言って、P型基板21に一旦マ
スク液23を塗布して熱処理した後に、改めてドーパン
ト液22を塗布してn+層24を形成するのでは、製造
工程が長くなって適当ではない。
イソプロピル,酢酸,イソプロピルアルコールの混液の場
合には、本実施例の場合と同様のマスク効果が得られ
る。ところが、形成される膜は、フッ酸等の薬剤を使用
しても剥離しにくく(太陽電池用のP型基板21の場合
にはその表面にピラミッド型のテクスチャが形成されて
いるので余計剥離しにくい)、残った膜が裏面銀電極2
8やアルミ電極29形成時に以下のようなトラブルの原
因となるのである。
に、Si(P型基板21)とAgとの界面に上記膜が介在す
るによって、裏面銀電極28とP型基板21との接着強
度が低下する場合がある。また、アルミペーストを印刷
焼成する際に、Si(P型基板21)とAlとの界面に上記
膜が介在するによって、アルミ電極29上にAl粒が発
生し、その後の工程においてP型基板21が割れる原因
となる。
23はチタン酸イソプロピルを含むためにマスク効果が
良好である。さらに、ケイ酸エチルを含むために、形成
された膜を熱処理後フッ酸で処理すれば簡単に剥離でき
る。したがって、残った上記膜がその後の工程で問題と
なることはないのである。
ものではなく、この発明の範囲内で上記実施例に種々の
修正や変更を加え得ることは言うまでもない。
用いたn+/p/p+型(バック・サーフェイス・フィールド
(BSF)型)太陽電池を例に上げて説明しているが、n+
/p型太陽電池や、n型基板を用いたn型太陽電池(但
し、ドーパントや電極材料を変更する必要がある)にも
適用できる。
形成する方法として、POCl3を使用した気相拡散法や
反射防止膜材料を含むドーパント液を使用した塗布拡散
法も適用可能である。
て、上記実施例のようにドーパント液22とマスク液2
3とを同時に塗布してもよいが、夫々の液を個別に塗布
してもよい。尚、マスク液の組成は上述の組成に限定さ
れるものではなく、チタンとケイ素とを含む液であれば
よい。したがって、主溶液,チタンおよびケイ素を含む
溶液,副溶液の組み合わせとしては、以下のような組み
合わせがある。但し、副溶液は必ずしも必要ではない。
ール,エチルアルコール,メチルアルコール,ブチルアル
コール等のアルコール類やメチルエチルケトン等のケト
ン類がある。また、チタンを含む溶液としては、テトラ
イソプロピルチタネート,テトラ・nブチルチタネート,
塩化チタン等の溶液、その他、酸,アルカリ,アルコー
ル,エステル等にチタン粉末やホウ化チタン,炭化チタ
ン,二酸化チタン等の固形のチタンを溶解させた溶液が
ある。また、ケイ素を含む溶液としては、ケイ酸エチ
ル,ケイ酸メチル,ケイ酸イソプロピル,シリコンのハロ
ゲン化物等の溶液がある。また、副溶液としては、ギ
酸,酢酸,シュウ酸,安息香酸等のカルボン酸がある。
るP型基板21を示す。但し、図5(a)は断面図であ
り、図5(b)は底面図であり、図5(c)は図5(a)におけ
る(ニ)部拡大図であり、図5(d)は図5(b)における(ホ)
部拡大図である。
る裏面に形成される裏面銀電極28は図3(b)に示すよ
うな円形のパターンを有している。また、アルミ電極2
9は図4(b)に示すような円形の穴が開いたパターンを
有している。そして、裏面銀電極28のパターンとアル
ミ電極29のパターンとを位置併せを行って重ねた場合
には、図5(d)に示すように裏面銀電極28の円パター
ンとアルミ電極29の穴のパターンとは一方向にずれて
いる。したがって、図5(c)および図5(d)から分かるよ
うに、裏面銀電極28とアルミ電極29とは(A)では空
隙を有し、(B)では重なり合うことになる。
ストを順次印刷した後に高温熱処理した際に、Alが裏
面銀電極28中に拡散して形成される半田が付かない領
域28aは大略上記両電極が重なり合う領域(B)に形成
されて空隙(A)の箇所には形成されない。したがって、
裏面銀電極28におけるインターコネクタとの半田付け
面積を従来より大きく確保して、作業性を向上させ、高
信頼性を得ることができるのである。
面銀電極パターンおよびアルミ電極パターンは図5に示
すパターンに限定されるものではなく、要は裏面銀電極
と28とアルミ電極29との重なり領域が電気的接続を
十分得ることができる範囲でなるべく少ないパターンで
あればよい。図6に裏面銀電極とアルミ電極との他のパ
ターンを示す。
おける穴のパターンは円形である。そして、図6(a)に
おける裏面銀電極42は矩形をなし、マトリックス状に
配列された矩形の孔を有する。そして、Alが裏面銀電
極42中に拡散して形成される半田が付かない領域は上
記両電極41,42が重なり合う点線で示す領域42aと
なる。この場合、裏面銀電極42におけるアルミ電極4
1と重なり合っていない領域へのAlの拡散は多くの孔
によって食い止められるので、裏面銀電極42における
半田付着領域を大きく確保できる。
は、アルミ電極41の穴径よりも小径の円形を有する本
体とこの本体から8方に放射状に突出する突出部とを有
する。そして、上記半田が付かない領域は両電極41,
43が重なり合う上記突出部における点線で示す領域4
3aとなる。この場合、裏面銀電極43の上記本体はア
ルミ電極41とは重なり合わないので、この本体におけ
るAlの拡散領域が少なく裏面銀電極43における半田
付着領域を大きく確保できる。
は、一辺の長さがアルミ電極41の穴径よりも短く、対
角線の長さが上記穴径よりも長い正方形を有する。そし
て、上記半田が付かない領域は両電極41,43が重な
り合う裏面銀電極44の四隅における点線で示す領域4
4aとなる。この場合、裏面銀電極44は、上記四隅以
外ではアルミ電極41と重なり合わないので、裏面銀電
極44におけるアルミ電極41と重なり合っていない領
域へのAlの拡散領域が少なく裏面銀電極44における
半田付着領域を大きく確保できる。
す。本実施例における表面銀電極31のパターンは格子
状になっており、その主電極31aは円形を成して補助
電極31bと補助電極31cとの交点間における補助電極
31b上に配置されている。したがって、表面銀電極3
1の表面に半田32を被覆するに際して、細い補助電極
31cの方向を半田ディップ方向として太陽電池セル4
5を半田槽に浸漬しても、図8(a)に示すように半田3
2が補助電極31c上に沿って流れずに主電極31a上に
水滴状に多く溜まる。その結果、図8(b)に示すよう
に、上記表面銀電極31側の半田32とインターコネク
タ33側の半田46とが完全に融合して、表面銀電極3
1とインターコネクタ33とが完全に接続されて高信頼
性が得られるのである。
成される表面銀電極31の主電極31aは補助電極31b
と補助電極31cの交点間に形成されていればよく、そ
の形状は特に限定されるものではない。したがって、図
7に示すような円形の他に、例えば図9(a)に示すよう
な矩形や、図9(b)に示すような楕円形や、図9(c)に示
すようなサイズの異なる2種類の楕円形49,50等が
考えられる。
21の受光面にn+層24を形成するに際してn+層を形
成させない領域にマスク液23を塗布する第1の方法
と、上記裏電極を形成する際に裏面銀電極28とアルミ
電極29の重なり領域を少なくする第2の方法と、表面
銀電極31の主電極31aを補助電極31bと補助電極3
1cとの交点間に配置する第3の方法とを総て実施して
いる。しかしながら、この発明はこれに限定されるもの
ではなく、上記3つの方法を適宜に組み合わせて実施し
ても何ら差し支えない。
る発明の太陽電池の製造方法は、半導体基板における一
面にドーパント液を塗布する一方、他面にPN接合の形
成を防止するマスク材を塗布し、熱処理によって上記一
面にPN接合を形成し、マスク除去材による処理によっ
て上記他面に形成されたマスク材を除去するので、PN
接合形成熱処理に際して上記他面におけるマスク材塗布
領域にはPN接合が形成されない。したがって、上記半
導体基板には不要なPN接合が形成されず、PN接合分
離工程を削除できる。すなわち、この発明によれば、製
造コストの大幅な削減を図ることができる。
ンを含む主溶液であるので、上記マスク材は高いPN接
合防止効果を呈すると共に、少なくともフッ酸を含む上
記マスク除去材によって容易に除去できる。
造方法は、上記マスク材を除去した領域上に金属電極を
形成し、熱処理によって上記金属電極から金属元素を拡
散させて上記他面に上記半導体基板と同一導電層を形成
するので、上記BSF構造を得ることができ、太陽電池
の性能を向上できる。
れる太陽電池における各製造工程での断面図である。
図である。
面銀電極へのAlの拡散結果の説明図である。
とのパターンを示す図である。
およびインターコネクタとの接続状態の説明図である。
である。
る太陽電池における各製造工程での断面図である。
図である。
図である。
ミ電極との位置関係および裏面銀電極へのAlの拡散結
果の説明図である。
図である。
状態およびインターコネクタとの接続状態の説明図であ
る。
液、23…マスク液塗布膜、 24,25…
n+層、28,42,43,44…裏面銀電極、29,41
…アルミ電極、 30…p+層、31…表面銀
電極、 31a,47,48,49,50…
主電極、31b,31c…補助電極、32,46…半田、
33…インターコネクタ、35…スピ
ンチャック、 36,37…ノズル。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体基板における一面にPN接合を形
成する太陽電池の製造方法であって、 上記半導体基板における上記一面にドーパント液を塗布
する一方、上記半導体基板の他面にPN接合の形成を防
止するマスク材を塗布する工程と、 熱処理によって上記一面にPN接合を形成する工程と、 マスク除去材による処理によって上記他面に形成された
マスク材を除去する工程を備え、 上記マスク材は、ケイ素およびチタンを含む主溶液から
なり、上記マスク除去材は、少なくともフッ酸を含むこ
とを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の太陽電池の製造方法に
おいて、 上記マスク材を除去した領域上に金属電極を形成する工
程と、 熱処理によって上記金属電極から金属元素を拡散させ
て、上記他面に上記半導体基板と同一導電層を形成する
工程を備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5281302A JP2955167B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5281302A JP2955167B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 太陽電池の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10870999A Division JP3430068B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 太陽電池の電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07135333A JPH07135333A (ja) | 1995-05-23 |
JP2955167B2 true JP2955167B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=17637185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5281302A Expired - Fee Related JP2955167B2 (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2955167B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006046601A1 (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | 半導体基板の製造方法、ソーラー用半導体基板及びエッチング液 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3906385B2 (ja) * | 1999-05-19 | 2007-04-18 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
JP4443098B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2010-03-31 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
JP4199495B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2008-12-17 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
WO2007001004A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Mitsubishi Electric Corporation | 太陽電池セル |
JP2007049079A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Sharp Corp | マスキングペースト、その製造方法およびマスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法 |
JP4684056B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-05-18 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
US7846823B2 (en) | 2005-08-12 | 2010-12-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Masking paste, method of manufacturing same, and method of manufacturing solar cell using masking paste |
JP4827550B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-11-30 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP2010092961A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP5362379B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2013-12-11 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池のi−v特性の測定方法 |
JP5274405B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-08-28 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池セル |
DE102010002521B4 (de) * | 2010-03-02 | 2021-03-18 | Hanwha Q.CELLS GmbH | Solarzelle mit spezieller Busbarform, diese Solarzelle enthaltende Solarzellenanordnung sowie Verfahren zur Herstellung der Solarzelle |
JP2014017277A (ja) * | 2010-10-27 | 2014-01-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
JP5874011B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2016-03-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
JP5687506B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2015-03-18 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
JP5605244B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2014-10-15 | 信越化学工業株式会社 | スピンコーターを用いた太陽電池の製造方法 |
KR102065595B1 (ko) * | 2013-01-17 | 2020-01-13 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지의 제조 방법 |
JP6491555B2 (ja) * | 2014-07-07 | 2019-03-27 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池モジュールとその製造方法 |
-
1993
- 1993-11-10 JP JP5281302A patent/JP2955167B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006046601A1 (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | 半導体基板の製造方法、ソーラー用半導体基板及びエッチング液 |
CN101019212B (zh) * | 2004-10-28 | 2010-12-08 | 三益半导体工业株式会社 | 半导体基板的制造方法、太阳能用半导体基板及蚀刻液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07135333A (ja) | 1995-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2955167B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP3032422B2 (ja) | 太陽電池セルとその製造方法 | |
JP3430068B2 (ja) | 太陽電池の電極 | |
JP2004006565A (ja) | 太陽電池とその製造方法 | |
JP2000183379A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPH02177569A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2989373B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP2006156646A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP3238003B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
JPH10173208A (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP3676954B2 (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JP2003298080A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPH0233980A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPH04256374A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP3585391B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
GB2079537A (en) | A method for applying an anti-reflection coating and an electrode to a solar cell | |
JP4646584B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP7126909B2 (ja) | バックコンタクト型太陽電池セルの製造方法 | |
JP3741565B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JP4212292B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP2001332529A (ja) | 単結晶半導体基板の表面処理方法、および単結晶半導体基板の電極層形成方法 | |
JP3105999B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPH0722634A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP3007734B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPH0945945A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070716 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120716 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120716 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |