JP5362379B2 - 太陽電池のi−v特性の測定方法 - Google Patents
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Description
(太陽電池モジュールの概略構成)
本発明の第1実施形態に係る太陽電池モジュール100の概略構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る太陽電池モジュール100の側面図である。
次に、第1実施形態に係る第1太陽電池10aの構成について、図2を参照しながら説明する。図2(a)は、第1太陽電池10aを受光面側から見た平面図である。図2(b)は、第1太陽電池10aを裏面側から見た平面図である。
次に、第1実施形態に係る第2太陽電池10bの構成について、図4を参照しながら説明する。図4(a)は、第2太陽電池10bを受光面側から見た平面図である。図4(b)は、第2太陽電池10bを裏面側から見た平面図である。
次に、本実施形態に係る太陽電池モジュール100の製造方法について説明する。
まず、p型主面とn型主面とをそれぞれ有する複数枚の光電変換部を準備する。
次に、太陽電池10のI−V特性の測定を行なう。以下、I−V特性の測定方法の一例として、いわゆる「4端子測定法」を例に挙げて説明する。
次に、配列方向に沿って、第1太陽電池10a及び第2太陽電池10bを交互に配列する。そして、隣接する太陽電池10どうしの連結線の平面形状が相違していることを確認する。
次に、ガラス基板(受光面側保護材2)上に、EVA(封止材4)シート、太陽電池ストリング1、EVA(封止材4)シート及びPETシート(裏面側保護材3)を順次積層して積層体とする。
本実施形態において、太陽電池10のI−V特性の測定方法は、第1連結線40Aに電圧測定用プローブピン51を当接させる工程と、複数の第1細線電極30Aのうち第1連結線40Aによって連結された細線電極を含む2以上の細線電極に、電気的に互いに接続された2以上の電流測定用プローブピン50,50…を当接させる工程と、受光面FSに光を照射しながら、電圧測定用プローブピン51によって、第1連結線40Aに電圧を印加する工程とを備える。
以下において、本発明の第2実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下においては、上記第1実施形態との相違点について主に説明する。具体的には、第2実施形態では、複数の第1細線電極30A及び複数の第2細線電極30Bそれぞれは、互いに電気的に接続されている。
第2実施形態に係る第1太陽電池10aの構成について、図6を参照しながら説明する。図6(a)は、第1太陽電池10aを受光面側から見た平面図である。図2(b)は、第1太陽電池10aを裏面側から見た平面図である。
上述の通り、第2太陽電池10bは、第1太陽電池10aの表裏を反転させた構成を有する。従って、図示しないが、第2太陽電池10bは、受光面FS上に第2接続線50Bを有し、裏面BS上に第1接続線50Aを有する。
第2実施形態に係る第1太陽電池10aは、複数の第1細線電極30Aを電気的に接続する第1接続線50Aを有する。従って、第1配線材20aが第1太陽電池10aの受光面から剥離した場合であっても、電気的に孤立した第1細線電極30Aが発生しないようにすることができる。その結果、第1太陽電池10aの太陽電池特性が低下することを抑制できる。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
Claims (4)
- 主面上において所定方向に沿ってそれぞれ形成される複数の細線電極と、前記主面上に形成され、前記複数の細線電極のうち一部の細線電極であって少なくとも2本の細線電極を電気的に連結する連結線とを備える太陽電池のI−V特性の測定方法であって、
前記連結線に電圧測定用プローブピンを当接させる工程と、
前記複数の細線電極のうち前記連結線によって連結された細線電極を含む2以上の細線電極に、電気的に互いに接続された2以上の電流測定用プローブピンを当接させる工程と、
前記主面に光を照射しながら、前記I−V特性を測定する工程と
を備え、
前記連結線の線幅は、前記細線電極の線幅よりも広い
ことを特徴とする太陽電池のI−V特性の測定方法。 - 前記太陽電池は、
前記主面上に形成され、前記複数の細線電極を互いに電気的に接続する接続線をさらに備え、
前記複数の細線電極のうち前記連結線により連結される細線電極の本数は、前記複数の細線電極のうち前記接続線により接続される細線電極の本数よりも少なく、
前記連結線の線幅は、前記接続線の線幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池のI−V特性の測定方法。 - 前記太陽電池は、配線材に接続されるものであって、
前記連結線及び前記接続線は、前記第1主面のうち前記配線材が接続される接続領域に形成される
ことを特徴とする請求項2に記載の太陽電池のI−V特性の測定方法。 - 前記連結線及び前記接続線は、前記接続領域内で連結されている
ことを特徴とする請求項3に記載の太陽電池のI−V特性の測定方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10465868B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-11-05 | Korea Institute Of Energy Research | Jig for sample for solar photovoltaic device and solar simulator including the same |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2003390C2 (en) * | 2009-08-25 | 2011-02-28 | Stichting Energie | Solar cell and method for manufacturing such a solar cell. |
JP5631661B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-11-26 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
JP5911127B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2016-04-27 | デクセリアルズ株式会社 | 太陽電池セル用出力測定装置及び測定方法 |
KR101621989B1 (ko) * | 2011-01-27 | 2016-05-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 패널 |
CN102222706B (zh) | 2011-06-28 | 2012-11-14 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种高倍聚光太阳能电池芯片 |
FR2977980B1 (fr) * | 2011-07-12 | 2013-07-26 | Letsact | Dispositif de surveillance d'une installation photovoltaique. |
EP2546634B1 (en) | 2011-07-14 | 2019-04-17 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Inspection apparatus and inspection method |
JP6016292B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2016-10-26 | デクセリアルズ株式会社 | 太陽電池用測定治具及び太陽電池セルの出力測定方法 |
TWI432752B (zh) * | 2011-12-14 | 2014-04-01 | Ind Tech Res Inst | 太陽能晶片電性檢測裝置與方法 |
JP5892597B2 (ja) | 2012-02-24 | 2016-03-23 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
CN104091841A (zh) * | 2013-04-02 | 2014-10-08 | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 | 一种太阳能电池的栅线结构 |
CN104184413A (zh) * | 2013-05-27 | 2014-12-03 | 新科实业有限公司 | 太阳能电池板的测试方法及测试装置 |
JP6342622B2 (ja) | 2013-07-10 | 2018-06-13 | 株式会社Screenホールディングス | フォトデバイス検査装置およびフォトデバイス検査方法 |
CN104702207B (zh) * | 2013-12-03 | 2017-06-06 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池测量设备 |
JP6406599B2 (ja) * | 2014-07-30 | 2018-10-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 評価方法 |
US10938342B2 (en) * | 2018-04-25 | 2021-03-02 | Kyoshin Electric Co., Ltd. | Probe and solar battery cell measurement apparatus |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3982964A (en) * | 1975-01-17 | 1976-09-28 | Communications Satellite Corporation (Comsat) | Dotted contact fine geometry solar cell |
JP2955167B2 (ja) * | 1993-11-10 | 1999-10-04 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP3248336B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2002-01-21 | 富士電機株式会社 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JP3050064B2 (ja) * | 1994-11-24 | 2000-06-05 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、この導電性ペーストからなるグリッド電極が形成された太陽電池及びその製造方法 |
EP0729189A1 (en) * | 1995-02-21 | 1996-08-28 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method of preparing solar cells and products obtained thereof |
JPH10173211A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Canon Inc | 光起電力素子 |
EP0881694A1 (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-02 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Solar cell and process of manufacturing the same |
US6071437A (en) * | 1998-02-26 | 2000-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrically conductive composition for a solar cell |
EP0969521A1 (de) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | ISOVOLTAÖsterreichische IsolierstoffwerkeAktiengesellschaft | Fotovoltaischer Modul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2003069055A (ja) * | 2001-06-13 | 2003-03-07 | Sharp Corp | 太陽電池セルとその製造方法 |
US20060112987A1 (en) * | 2003-01-10 | 2006-06-01 | Toshinobu Nakata | Transparent thin-film solar cell module and its manufacturing method |
JP4565650B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2010-10-20 | 株式会社Neomaxマテリアル | 電極線材およびその製造方法並びに前記電極線材によって形成された接続用リード線を備えた太陽電池 |
EP1711967A1 (en) * | 2004-01-23 | 2006-10-18 | Origin Energy Solar Pty Ltd. | Solar panel |
WO2005074039A1 (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Corporation | 太陽電池モジュール及び太陽光発電装置 |
US8106291B2 (en) * | 2004-05-07 | 2012-01-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Solar battery and manufacturing method therefor |
US7390961B2 (en) * | 2004-06-04 | 2008-06-24 | Sunpower Corporation | Interconnection of solar cells in a solar cell module |
JP4287473B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2009-07-01 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の製造方法 |
US20080223429A1 (en) * | 2004-08-09 | 2008-09-18 | The Australian National University | Solar Cell (Sliver) Sub-Module Formation |
US7732229B2 (en) * | 2004-09-18 | 2010-06-08 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates |
JP2006118983A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Sharp Corp | 太陽電池セルの測定治具 |
JP2007019069A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
DE102005032807A1 (de) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Merck Patent Gmbh | Kombinierte Ätz- und Dotiermedien für Siliziumdioxidschichten und darunter liegendes Silizium |
US20070163634A1 (en) * | 2005-07-14 | 2007-07-19 | Kyocera Corporation | Solar cell, manufacturing method and manufacturing management system thereof, and solar cell module |
US20080178922A1 (en) * | 2005-07-26 | 2008-07-31 | Solaria Corporation | Method and system for manufacturing solar panels using an integrated solar cell using a plurality of photovoltaic regions |
JP5171001B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2013-03-27 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール |
US20070144578A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-28 | Bp Corporation North America Inc. | Means and Method for Electrically Connecting Photovoltaic Cells in a Solar Module |
WO2007088751A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 太陽電池素子および太陽電池モジュール |
JP5142980B2 (ja) * | 2006-03-01 | 2013-02-13 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池セル、及び、この太陽電池セルを用いた太陽電池モジュール |
JP4182174B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2008-11-19 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
US20070235077A1 (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Kyocera Corporation | Solar Cell Module and Manufacturing Process Thereof |
JP4568254B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2010-10-27 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP5121181B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2013-01-16 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子及びその製造方法 |
TWI487124B (zh) | 2006-08-25 | 2015-06-01 | Sanyo Electric Co | 太陽電池模組及太陽電池模組的製造方法 |
JP4781948B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2011-09-28 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池電極用検査装置及び太陽電池電極の検査方法 |
US20080092942A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | The Boeing Company | Front contact design for high-intensity solar cells and optical power converters |
JP2008135655A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池セル |
JP5089157B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2012-12-05 | 新光電気工業株式会社 | 色素増感型太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
TWI330891B (en) * | 2006-12-29 | 2010-09-21 | Ind Tech Res Inst | Thin film solar cell module of see-through type |
US7804021B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-09-28 | Lintec Corporation | Light transmissible solar cell module, process for manufacturing same, and solar cell panel thereof |
JP5367230B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2013-12-11 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP2008235521A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板の割断方法及び太陽電池の割断方法並びに太陽電池 |
TWI335085B (en) * | 2007-04-19 | 2010-12-21 | Ind Tech Res Inst | Bifacial thin film solar cell and method for fabricating the same |
US8119902B2 (en) * | 2007-05-21 | 2012-02-21 | Solaria Corporation | Concentrating module and method of manufacture for photovoltaic strips |
US20080295882A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Thinsilicon Corporation | Photovoltaic device and method of manufacturing photovoltaic devices |
US20080302405A1 (en) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Michael Intrieri | Supplemental solar energy collector |
US8299350B2 (en) * | 2007-08-02 | 2012-10-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar cell module and method for manufacturing the same |
JP5458485B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2014-04-02 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP5147672B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2013-02-20 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP5094509B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2012-12-12 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP5279334B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2013-09-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP4986945B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2012-07-25 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
-
2009
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-
2010
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10465868B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-11-05 | Korea Institute Of Energy Research | Jig for sample for solar photovoltaic device and solar simulator including the same |
Also Published As
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