JPH04251986A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH04251986A JPH04251986A JP2408056A JP40805690A JPH04251986A JP H04251986 A JPH04251986 A JP H04251986A JP 2408056 A JP2408056 A JP 2408056A JP 40805690 A JP40805690 A JP 40805690A JP H04251986 A JPH04251986 A JP H04251986A
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims abstract description 8
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- LOUDNWOAODNDEJ-UHFFFAOYSA-N lead;oxotin Chemical compound [Pb].[Sn]=O LOUDNWOAODNDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池の製造方法に係
わり、より詳しくは太陽電池の表面電極の形成方法に関
する。
わり、より詳しくは太陽電池の表面電極の形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の表面電極形成方法を図３を参照し
て説明すると、半導体にｐｎ接合１を形成後、表面に反
射防止膜２を全面に形成し、この反射防止膜２をパター
ニングして表面電極形成部分を除去し、次いでこのパタ
ーニングされた部分に表面電極３を選択的に形成し（銀
ペーストを印刷し、焼き付ける）、それからハンダディ
ップして表面電極の全面にハンダ４を付着している。
て説明すると、半導体にｐｎ接合１を形成後、表面に反
射防止膜２を全面に形成し、この反射防止膜２をパター
ニングして表面電極形成部分を除去し、次いでこのパタ
ーニングされた部分に表面電極３を選択的に形成し（銀
ペーストを印刷し、焼き付ける）、それからハンダディ
ップして表面電極の全面にハンダ４を付着している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来方法では、
ｐｎ接合形成し反射防止膜（絶縁性）を製膜した後に表
面電極を形成するので、表面電極と半導体との接触を取
るために反射防止膜をパターニングする必要がある。そ
して、パターニング後の半導体上に表面電極を形成する
ためにも印刷の位置合わせが必要である。したがって、
このパターニング、位置合わせ等の工程が複雑であると
いう不都合がある。
ｐｎ接合形成し反射防止膜（絶縁性）を製膜した後に表
面電極を形成するので、表面電極と半導体との接触を取
るために反射防止膜をパターニングする必要がある。そ
して、パターニング後の半導体上に表面電極を形成する
ためにも印刷の位置合わせが必要である。したがって、
このパターニング、位置合わせ等の工程が複雑であると
いう不都合がある。
【０００４】さらに、表面電極形成後、ハンダディップ
して表面電極上にハンダを付着させるが、このとき表面
電極の全面にハンダが付着し、補助電極（フィンガー）
上にもハンダが付着するため、ハンダディップの条件が
厳しいという不都合がある。そこで、本発明はこれらの
不都合を解消した太陽電池の表面電極の形成方法を提供
することを目的とするものである。
して表面電極上にハンダを付着させるが、このとき表面
電極の全面にハンダが付着し、補助電極（フィンガー）
上にもハンダが付着するため、ハンダディップの条件が
厳しいという不都合がある。そこで、本発明はこれらの
不都合を解消した太陽電池の表面電極の形成方法を提供
することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体にｐｎ接合を形成後、半導体表面
に電極を焼付けて形成し、次いで該電極のうち外部取出
し部分にマスクをして残り全面に反射防止膜を製膜し、
マスク除去後、ハンダディップして前記電極外部取出し
部分に選択的にハンダを付着せしめ、よって該電極外部
取出し部分にリード線を接続可能にすることを特徴とす
る太陽電池の製造方法を提供する。
成するために、半導体にｐｎ接合を形成後、半導体表面
に電極を焼付けて形成し、次いで該電極のうち外部取出
し部分にマスクをして残り全面に反射防止膜を製膜し、
マスク除去後、ハンダディップして前記電極外部取出し
部分に選択的にハンダを付着せしめ、よって該電極外部
取出し部分にリード線を接続可能にすることを特徴とす
る太陽電池の製造方法を提供する。
【０００６】この方法では、反射防止膜のパターニング
および表面電極形成の位置合わせが不要になるとともに
、ハンダディップされるのは電極外部取出し部分（典型
的にはバスバー部分）だけで、例えば補助電極（フィン
ガー）のようにハンダ条件が厳しい部分はハンダディッ
プされないため、ハンダディップの条件が広くなり、プ
ロセスが大幅に簡素化される。なお、本発明において、
電極外部取出し部分にマスクを形成することは、電極外
部取出し部分（バスバーは例えば幅２ｍｍ位）の形状か
らして簡単にできる。
および表面電極形成の位置合わせが不要になるとともに
、ハンダディップされるのは電極外部取出し部分（典型
的にはバスバー部分）だけで、例えば補助電極（フィン
ガー）のようにハンダ条件が厳しい部分はハンダディッ
プされないため、ハンダディップの条件が広くなり、プ
ロセスが大幅に簡素化される。なお、本発明において、
電極外部取出し部分にマスクを形成することは、電極外
部取出し部分（バスバーは例えば幅２ｍｍ位）の形状か
らして簡単にできる。
【０００７】また、従来技術では、反射防止膜上から表
面電極を形成する方法として銀ペーストを高温で焼き付
ける方法も採用されるが、この場合には導電ペーストと
して高温型のものしか使用できない不都合がある。さら
に、本出願人は先に、ｐｎ接合形成後、表面電極を形成
し、ハンダディップしてから、ＩＴＯ膜（反射防止膜）
を形成する方法を開示したが、ハンダディップ後、フラ
ックス洗浄するが、洗浄不良がＩＴＯ／ｎ層の接触不良
につながり、電池の特性を落とすおそれがあった。
面電極を形成する方法として銀ペーストを高温で焼き付
ける方法も採用されるが、この場合には導電ペーストと
して高温型のものしか使用できない不都合がある。さら
に、本出願人は先に、ｐｎ接合形成後、表面電極を形成
し、ハンダディップしてから、ＩＴＯ膜（反射防止膜）
を形成する方法を開示したが、ハンダディップ後、フラ
ックス洗浄するが、洗浄不良がＩＴＯ／ｎ層の接触不良
につながり、電池の特性を落とすおそれがあった。
【０００８】
【実施例】図面を参照して説明する。図１において、典
型的にはシリコン半導体基板１１にｐｎ接合形成後、先
ず表面電極１２を形成する（図１（ア））。表面電極は
、例えば、銀ペーストをスクリーン印刷し、焼成して形
成する。図２に太陽電池の平面図、すなわち表面電極パ
ターンを示す。表面電極１２は幅約２ｍｍのバスバー１
３とこのバスバー１３から直角方向に延びる幅約０．２
ｍｍ のフィンガー１４とからなる。銀ペーストの焼成
温度は ２００℃である。
型的にはシリコン半導体基板１１にｐｎ接合形成後、先
ず表面電極１２を形成する（図１（ア））。表面電極は
、例えば、銀ペーストをスクリーン印刷し、焼成して形
成する。図２に太陽電池の平面図、すなわち表面電極パ
ターンを示す。表面電極１２は幅約２ｍｍのバスバー１
３とこのバスバー１３から直角方向に延びる幅約０．２
ｍｍ のフィンガー１４とからなる。銀ペーストの焼成
温度は ２００℃である。
【０００９】次いで、形成した表面電極のうち外部取出
し部分（バスバー）１３に、幅２ｍｍ以下の紙製などの
テープを貼付して、ハンダディップ用のマスク１５とす
る。この状態で、全面に反射防止膜、例えばＩＴＯ（酸
化スズ鉛）膜１６を製膜する。製膜法はスパッタ法等を
用いることができる。そして、製膜後、マスク１５をそ
の上の反射防止膜１６とともに除去して、外部取出し部
分（バスバー）１３を露出せしめる。
し部分（バスバー）１３に、幅２ｍｍ以下の紙製などの
テープを貼付して、ハンダディップ用のマスク１５とす
る。この状態で、全面に反射防止膜、例えばＩＴＯ（酸
化スズ鉛）膜１６を製膜する。製膜法はスパッタ法等を
用いることができる。そして、製膜後、マスク１５をそ
の上の反射防止膜１６とともに除去して、外部取出し部
分（バスバー）１３を露出せしめる。
【００１０】それから、ハンダディップすると、外部取
出し部分（バスバー）１３上にはハンダ１７が付着する
が、フィンガー１４部分は反射防止膜１６で覆われてい
るためにハンダが付着しない。フィンガー１４部分は太
陽電池の活性部分上にあり、かつ受光面積を上げるため
に幅が狭いので、ハンダディップする場合には条件が厳
しかったが、この実施例では外部取出し部分（バスバー
）１３上だけにハンダが付着するので、ハンダディップ
の条件が厳しくなくてもよい。具体的には、ハンダ槽温
度１９０ 〜２００ ℃、浸漬時間１０〜２０秒である
。
出し部分（バスバー）１３上にはハンダ１７が付着する
が、フィンガー１４部分は反射防止膜１６で覆われてい
るためにハンダが付着しない。フィンガー１４部分は太
陽電池の活性部分上にあり、かつ受光面積を上げるため
に幅が狭いので、ハンダディップする場合には条件が厳
しかったが、この実施例では外部取出し部分（バスバー
）１３上だけにハンダが付着するので、ハンダディップ
の条件が厳しくなくてもよい。具体的には、ハンダ槽温
度１９０ 〜２００ ℃、浸漬時間１０〜２０秒である
。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、太陽電池の表面電極の
形成工程が簡素化される効果がある。
形成工程が簡素化される効果がある。
【図１】本発明の実施例の太陽電池の製造工程を説明す
る模式図である。
る模式図である。
【図２】太陽電池の平面図であり、表面電極にパターン
を示す。
を示す。
【図３】従来の太陽電池の製造工程を説明する模式図で
ある。 １…半導体（ｐｎ接合） ２…反射防止膜 ３…表面電極 ４…ハンダ １１…シリコン半導体 １２…表面電極 １３…バスバー １４…フィンガー １５…マスク １６…反射防止膜 １７…ハンダ
ある。 １…半導体（ｐｎ接合） ２…反射防止膜 ３…表面電極 ４…ハンダ １１…シリコン半導体 １２…表面電極 １３…バスバー １４…フィンガー １５…マスク １６…反射防止膜 １７…ハンダ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体にｐｎ接合を形成後、半導体表
面に電極を焼付けて形成し、次いで該電極のうち外部取
出し部分にマスクをして残り全面に反射防止膜を製膜し
、マスク除去後、ハンダディップして前記電極外部取出
し部分に選択的にハンダを付着せしめ、よって該電極外
部取出し部分にリード線を接続可能にすることを特徴と
する太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408056A JPH04251986A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2408056A JPH04251986A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04251986A true JPH04251986A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=18517559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2408056A Pending JPH04251986A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04251986A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004247402A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| JP2005317904A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-11-10 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
| JP2009141380A (ja) * | 2003-11-27 | 2009-06-25 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュールおよび太陽電池素子構造体 |
| JP2010232530A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Sharp Corp | 光電変換素子の製造方法および光電変換素子 |
| JP2013197295A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Kyocera Corp | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP2408056A patent/JPH04251986A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004247402A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| JP2005317904A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-11-10 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
| JP2009141380A (ja) * | 2003-11-27 | 2009-06-25 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュールおよび太陽電池素子構造体 |
| JP2009141381A (ja) * | 2003-11-27 | 2009-06-25 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュールおよび太陽電池素子構造体 |
| JP2010232530A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Sharp Corp | 光電変換素子の製造方法および光電変換素子 |
| JP2013197295A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Kyocera Corp | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
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