JPS58137908A - 透明電極の形成方法 - Google Patents
透明電極の形成方法Info
- Publication number
- JPS58137908A JPS58137908A JP2025782A JP2025782A JPS58137908A JP S58137908 A JPS58137908 A JP S58137908A JP 2025782 A JP2025782 A JP 2025782A JP 2025782 A JP2025782 A JP 2025782A JP S58137908 A JPS58137908 A JP S58137908A
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- Japan
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- transparent
- electrode
- forming
- forming transparent
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は低抵抗の透明電極を形成する方法に係り、さら
に具体的には透明電極に低抵抗金属の補助電極を付設す
る方法の改良に関するものである。
に具体的には透明電極に低抵抗金属の補助電極を付設す
る方法の改良に関するものである。
（ｂ） 従来技術と問題点
例えばエレクトロルミキラセンス表示装置や液晶表示装
置のようなディスプレイパネル等に用いられる透明電極
の低抵抗化を図るために、透明電極に低抵抗金属の補助
電極を付設する方法が採られている。すなわち、第１１
１勘よび第２図に示すように、例えばガラス基板ｌ上に
線状の透明電極配設した構成が採られている。ところで
、従来ニのような補助電極３の形成は、透明電極２ζは
別のホトリソグラフ工程で形成しており、工程数の増加
、目合せの必要性、さらに使用するホトマスクの加工限
界により補助ＩＩＩ極３の−の下限が制限されるという
問題があった。
置のようなディスプレイパネル等に用いられる透明電極
の低抵抗化を図るために、透明電極に低抵抗金属の補助
電極を付設する方法が採られている。すなわち、第１１
１勘よび第２図に示すように、例えばガラス基板ｌ上に
線状の透明電極配設した構成が採られている。ところで
、従来ニのような補助電極３の形成は、透明電極２ζは
別のホトリソグラフ工程で形成しており、工程数の増加
、目合せの必要性、さらに使用するホトマスクの加工限
界により補助ＩＩＩ極３の−の下限が制限されるという
問題があった。
（ｃ） 発明の目的
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、工程が簡単で
、しかも線幅が細く透明″１１１１（極の透明性な充分
維持できる補助ｄｔ極の形成方法の提供を目的とするも
のである。
、しかも線幅が細く透明″１１１１（極の透明性な充分
維持できる補助ｄｔ極の形成方法の提供を目的とするも
のである。
（ｄ） 発明の構成
本発明は、絶縁基板上に所定形状の透明電極を形成し、
しかる後、前記透明電極の上面をＩ１１！Ｉ４１Ｉｋ物
で被覆した状態でその透明゛４極端縁部に金属メッキ層
を形成するようにしたことを′特赦とするものである。
しかる後、前記透明電極の上面をＩ１１！Ｉ４１Ｉｋ物
で被覆した状態でその透明゛４極端縁部に金属メッキ層
を形成するようにしたことを′特赦とするものである。
（ｅ） 発明の実施例
以下、本発明の実施例につ糠図面を参照して説明する。
第３関〜第６図は本発明による透明ｉｔ極の形成方法を
説明するための要部断面図で順次に示した工程図である
。まず第３図に示すように、ガラス基板１１上に例えば
インジウム錫酸化物（Ｉ ＴＯ）の透明電極となるべ鎗
透明導電膜１２ａ（例えば膜厚ｌμ嘴程度）を形成し、
その導電層１２ａ上に所定パターンの例えばポジ形ホト
レジスト層口をパターンユングする。そして前記ホトレ
ジスト層１３をマスクとして透明導電１［１２ｍをエツ
チングすることにより、第４図に示すように、ガラス基
板１１上に所定パターンの透明電極１２ｂを形成する。
説明するための要部断面図で順次に示した工程図である
。まず第３図に示すように、ガラス基板１１上に例えば
インジウム錫酸化物（Ｉ ＴＯ）の透明電極となるべ鎗
透明導電膜１２ａ（例えば膜厚ｌμ嘴程度）を形成し、
その導電層１２ａ上に所定パターンの例えばポジ形ホト
レジスト層口をパターンユングする。そして前記ホトレ
ジスト層１３をマスクとして透明導電１［１２ｍをエツ
チングすることにより、第４図に示すように、ガラス基
板１１上に所定パターンの透明電極１２ｂを形成する。
この際エツチング液として塩酸を用い、４０℃の液温で
エツチングを行うと、透１１Ｉ′ｉｔ極１２ｂの一縁部
が傾斜をもった形状となる。しかる後、繭記ホトレジス
ト増１３を除去しないで、透明電極１２ｂの上面をその
ホトレジスト層肪で被蝋した状態で、例えば硫酸銅と硫
酸の電解液を用いて、前記透明１ｔ４ｉＩＩｌｉ”陰極
として電解メッキを行うと、第５図に示すごとく、透明
電極１２ｂの端縁部のみ番こ銅からなる金属メツ中層１
４が形成される。そしてホトレジスト層肪を除去すると
第６図に示すように、ガラス基板ｌｌ上には両側に銅の
金属メッキ層１４で構成される低抵抗の補助電極を付設
した透明ｖｔ極１２幡が得られる。
エツチングを行うと、透１１Ｉ′ｉｔ極１２ｂの一縁部
が傾斜をもった形状となる。しかる後、繭記ホトレジス
ト増１３を除去しないで、透明電極１２ｂの上面をその
ホトレジスト層肪で被蝋した状態で、例えば硫酸銅と硫
酸の電解液を用いて、前記透明１ｔ４ｉＩＩｌｉ”陰極
として電解メッキを行うと、第５図に示すごとく、透明
電極１２ｂの端縁部のみ番こ銅からなる金属メツ中層１
４が形成される。そしてホトレジスト層肪を除去すると
第６図に示すように、ガラス基板ｌｌ上には両側に銅の
金属メッキ層１４で構成される低抵抗の補助電極を付設
した透明ｖｔ極１２幡が得られる。
このように本発明によれば、透明電懐１２ｂを形成する
際に用いたホトレジスト層１３をマスクとして、透明電
極１２ｂの端縁部に補助電極となる低抵抗の金属メッキ
層１４を形成することができるので、工程の簡略化が可
能となる。また透明″電極１２ｂをパターンユングする
際のエツチング液温や組成などのエツチング条件により
、透明電極１２ｂ端縁部に形成される傾斜を変えて、金
属メッキ層１４つまり補助を極の幅も制御することがで
象る。
際に用いたホトレジスト層１３をマスクとして、透明電
極１２ｂの端縁部に補助電極となる低抵抗の金属メッキ
層１４を形成することができるので、工程の簡略化が可
能となる。また透明″電極１２ｂをパターンユングする
際のエツチング液温や組成などのエツチング条件により
、透明電極１２ｂ端縁部に形成される傾斜を変えて、金
属メッキ層１４つまり補助を極の幅も制御することがで
象る。
なお、透明電極１２ｂは前述のＩＴＯの他にインジウム
カドミウム酸化物（Ｉｎ！Ｏ，： Ｃｄ０）や酸化錫（
ＳｎＯ，）等でもよいし、前記金属メッキ層１４は銅以
外にｆｆｌ （Ａｙ）、 金（Ａｕ）等の他の金属で形
成することもで象る。さらに金属メッキ層の形成は電解
メッキ以外に無電解メッキによることも可能である。
カドミウム酸化物（Ｉｎ！Ｏ，： Ｃｄ０）や酸化錫（
ＳｎＯ，）等でもよいし、前記金属メッキ層１４は銅以
外にｆｆｌ （Ａｙ）、 金（Ａｕ）等の他の金属で形
成することもで象る。さらに金属メッキ層の形成は電解
メッキ以外に無電解メッキによることも可能である。
（ｆ） 発明の効果
以上の発明から明らかなように本発明によれば、簡単な
工程により、透明電極の大部分の透明性を損なうことな
（透明電極の低抵抗化が可能となり、エレクトロルミキ
ラセンス表示装置や液晶表示装置のようなディスプレイ
パネルや座標検出パ４ル等にあける透明電極の抵抗が＾
いことに起因する障害を除去で象る等の効果がある。
工程により、透明電極の大部分の透明性を損なうことな
（透明電極の低抵抗化が可能となり、エレクトロルミキ
ラセンス表示装置や液晶表示装置のようなディスプレイ
パネルや座標検出パ４ル等にあける透明電極の抵抗が＾
いことに起因する障害を除去で象る等の効果がある。
第ｌ＆１１は従来の透明電極の形成方法を説明するため
の要部上両図、第２１１は第１図におけるＡ−Ｎ断面図
、１３１１〜第６図は本発明による透明電極の形成方法
を説明するための要部断ｉｌｉ図で順次に示した工程図
である。 ｗＩＩＩｔニオイテ、ｌｌハガｔｘ基板、１２ａハｙｌ
ｌ＠Ｊｌｌ電展、１２ｂは透明電極、籍はホトレジスト
層、１４は金属メッキ層をそれぞれ示す。 第１図 １８２図 第３図 第４図 ＺＤ 第５閃 １ ＺＤ 第６１１
の要部上両図、第２１１は第１図におけるＡ−Ｎ断面図
、１３１１〜第６図は本発明による透明電極の形成方法
を説明するための要部断ｉｌｉ図で順次に示した工程図
である。 ｗＩＩＩｔニオイテ、ｌｌハガｔｘ基板、１２ａハｙｌ
ｌ＠Ｊｌｌ電展、１２ｂは透明電極、籍はホトレジスト
層、１４は金属メッキ層をそれぞれ示す。 第１図 １８２図 第３図 第４図 ＺＤ 第５閃 １ ＺＤ 第６１１
Claims (1)
- 絶縁基板上に所定形状の透明電極を形成し、しかる後、
前記透明電極の上面を絶縁物で被覆した状態でその透８
明ｖＬｆＩｉ端縁部に金属メッキ層を形成するようにし
たことを特徴とする透明電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2025782A JPS58137908A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 透明電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2025782A JPS58137908A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 透明電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137908A true JPS58137908A (ja) | 1983-08-16 |
| JPH0373083B2 JPH0373083B2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=12022137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2025782A Granted JPS58137908A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 透明電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137908A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614212A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Canon Inc | シ−トコイルの製造方法 |
| JPS616817A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Canon Inc | シ−トコイルの製造方法 |
| WO2011111650A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 太陽誘電株式会社 | 導体構造、透明デバイス及び電子機器 |
-
1982
- 1982-02-09 JP JP2025782A patent/JPS58137908A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614212A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Canon Inc | シ−トコイルの製造方法 |
| JPH037127B2 (ja) * | 1984-06-18 | 1991-01-31 | Canon Kk | |
| JPS616817A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Canon Inc | シ−トコイルの製造方法 |
| WO2011111650A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 太陽誘電株式会社 | 導体構造、透明デバイス及び電子機器 |
| JP5503729B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-05-28 | 太陽誘電株式会社 | 導体構造、透明デバイス及び電子機器 |
| US8889998B2 (en) | 2010-03-09 | 2014-11-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Conductor structure, transparent device, and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373083B2 (ja) | 1991-11-20 |
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