JPS5927409A - 電極の形成方法 - Google Patents
電極の形成方法Info
- Publication number
- JPS5927409A JPS5927409A JP13824882A JP13824882A JPS5927409A JP S5927409 A JPS5927409 A JP S5927409A JP 13824882 A JP13824882 A JP 13824882A JP 13824882 A JP13824882 A JP 13824882A JP S5927409 A JPS5927409 A JP S5927409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- forming
- metal
- pattern
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、表示用電極の形成方法に関する。
一般に）表示セルには表示を制御するための表示用電極
が設けられている。例えば、ドツト表示を行なう液晶表
示セルにあっては、液晶を介して対向配置される一対の
ガラス基板１．２のうち一方のガラス基板ｌの内面には
、第１図（ａ）に示すように横方向に延びる帯状電極３
が透明な導電材で形成され、また他方のガラス基板２の
内面には第１図（ｂ）に示すように縦方向に共通接続さ
れた複数のドツト電極Ａが透明な導電材で形成されてい
る。そして、このドツト電＠４を有するガラス基板２に
あっては、電気的導通性を向上させるため％１ｌＫ２Ｂ
ｉｊに示すように、ドツト電極４及びそのリードクｉ旨
上にクロム（Ｃｒ ）等の金属がら“なる金属リード５
を形成している。
が設けられている。例えば、ドツト表示を行なう液晶表
示セルにあっては、液晶を介して対向配置される一対の
ガラス基板１．２のうち一方のガラス基板ｌの内面には
、第１図（ａ）に示すように横方向に延びる帯状電極３
が透明な導電材で形成され、また他方のガラス基板２の
内面には第１図（ｂ）に示すように縦方向に共通接続さ
れた複数のドツト電極Ａが透明な導電材で形成されてい
る。そして、このドツト電＠４を有するガラス基板２に
あっては、電気的導通性を向上させるため％１ｌＫ２Ｂ
ｉｊに示すように、ドツト電極４及びそのリードクｉ旨
上にクロム（Ｃｒ ）等の金属がら“なる金属リード５
を形成している。
然るに）金属リード５を有する表示用電極を形２−
成する場合、従来にあ・りては、ガラス基板２の表面に
酸化インジウム（Ｉｎｎ’ｓ＞等の透明導電膜を形成し
、この透明導電膜ｆヶ・・等の金属膜をり上記リード部
に対応しない箇所のフォトレジスト膜を除去し、この除
去した部分に対応する金属膜のみをエツチングにより除
去することにより、まず、金属膜からなる金属リード５
を形成し、この後再び、金属リード５及び透明導電股上
にフォトレジスト膜を塗布形成し、電極パターンに対応
させて露光し、現像により電極パターンに対応しない不
要部分のフォトレジスト膜を除去し、エツチングにより
更に透明導電膜の不要部分を除去することにより、パタ
ーン電極（ドツト電極４及びそのリード４ａ）を形成を
杉城していた。
酸化インジウム（Ｉｎｎ’ｓ＞等の透明導電膜を形成し
、この透明導電膜ｆヶ・・等の金属膜をり上記リード部
に対応しない箇所のフォトレジスト膜を除去し、この除
去した部分に対応する金属膜のみをエツチングにより除
去することにより、まず、金属膜からなる金属リード５
を形成し、この後再び、金属リード５及び透明導電股上
にフォトレジスト膜を塗布形成し、電極パターンに対応
させて露光し、現像により電極パターンに対応しない不
要部分のフォトレジスト膜を除去し、エツチングにより
更に透明導電膜の不要部分を除去することにより、パタ
ーン電極（ドツト電極４及びそのリード４ａ）を形成を
杉城していた。
しかしながら、このように先に金属リードパターンを形
成し、その後、電極パターンを形成する一方法では、電
極パターン形成用のマスク位置が先に形成したリードパ
ターンとずれると、リード４ａとドツト電極４との間隙
が少なくなり、短絡を起す危険性が極めて高い。すなわ
ち、第３図に示すように金Ｈリード５下の透明導電膜は
金属り一ド５により保護されてエツチングされないので
、マスクの位置ずれ幅Ｘだけ透明電極のり一ド４ａ及び
ドツト電極４の幅が広くなり、本来の絶縁幅Ｙに比べて
実際の絶縁１１ｉｆＺは狭くなり、それだけ短絡を生じ
易い。
成し、その後、電極パターンを形成する一方法では、電
極パターン形成用のマスク位置が先に形成したリードパ
ターンとずれると、リード４ａとドツト電極４との間隙
が少なくなり、短絡を起す危険性が極めて高い。すなわ
ち、第３図に示すように金Ｈリード５下の透明導電膜は
金属り一ド５により保護されてエツチングされないので
、マスクの位置ずれ幅Ｘだけ透明電極のり一ド４ａ及び
ドツト電極４の幅が広くなり、本来の絶縁幅Ｙに比べて
実際の絶縁１１ｉｆＺは狭くなり、それだけ短絡を生じ
易い。
この発明は）」二連した事情を背景になされたもので、
その目的とするところは、短絡の生じ難い表示用電極の
形成方法を提供することにある。
その目的とするところは、短絡の生じ難い表示用電極の
形成方法を提供することにある。
以下、この発明に係る表示用電極の形成方法を第４図、
第５図を谷照して具体的に説明する。まず、第４図（イ
）に示すように、透明ガラス基板１０の表面に酸化イン
ジウム等からなる透明な導電膜１１を形成し、この導電
膜１１上にクロム等からなる金属膜１２を形成し、更に
この金属膜１２を洗浄してその上にフォトレジスト膜１
３を塗布形成する。
第５図を谷照して具体的に説明する。まず、第４図（イ
）に示すように、透明ガラス基板１０の表面に酸化イン
ジウム等からなる透明な導電膜１１を形成し、この導電
膜１１上にクロム等からなる金属膜１２を形成し、更に
この金属膜１２を洗浄してその上にフォトレジスト膜１
３を塗布形成する。
そして、フォトレジスト膜１３を表示用電極及びそのリ
ードのパターンに対応させて露光し、現像によりフォト
レジスト程１３の不要部分（電極パターンに対応しない
部分）を除去す、る。第４図（ロ）はこの状態を示した
もので、このとき、フォトレジスト９１３がネ方タイプ
のものである場合には、未露光部のフォトレジストが除
去され、またポジタイプのものである場合には、露光部
の７オトレジストが除去される〇 このようにして不要部分のフォトレジスト［１３を除去
した後は、フォトレジスト膜１３を硬化し、エツチング
液によるエツチングで、フォトレジスト膜１３が取り除
かれた筒所の金属膜１２反び導を膜１１を順次除去する
。
ードのパターンに対応させて露光し、現像によりフォト
レジスト程１３の不要部分（電極パターンに対応しない
部分）を除去す、る。第４図（ロ）はこの状態を示した
もので、このとき、フォトレジスト９１３がネ方タイプ
のものである場合には、未露光部のフォトレジストが除
去され、またポジタイプのものである場合には、露光部
の７オトレジストが除去される〇 このようにして不要部分のフォトレジスト［１３を除去
した後は、フォトレジスト膜１３を硬化し、エツチング
液によるエツチングで、フォトレジスト膜１３が取り除
かれた筒所の金属膜１２反び導を膜１１を順次除去する
。
ナオ、金ＪＲ換ｘ ２をエツチングするエツチング液は
金属膜１２の材質によって県なるが、クロムの場合、硝
酸第２セリウムアンモニウムと過塩素際２・を混合した
水溶液であり、また酸化インジコウムからなる透明導１
１ｆｉｌｌをエツチングするエ５− パターンに応じた個所が残るようになる。
金属膜１２の材質によって県なるが、クロムの場合、硝
酸第２セリウムアンモニウムと過塩素際２・を混合した
水溶液であり、また酸化インジコウムからなる透明導１
１ｆｉｌｌをエツチングするエ５− パターンに応じた個所が残るようになる。
その後、残留するフォトレジスト膜１３を第４図（ニ）
に示すように剥離し洗浄して、次の金属リードの製造工
程に移る。
に示すように剥離し洗浄して、次の金属リードの製造工
程に移る。
第４図（ホ）〜（チ）は、金属リードめ製造過程を示し
ている。すなわち、金属膜１２の上から基板１０の表面
に再びフォトレジス）［１４ｔ−ｕ成し、そしてこのフ
ォトレジスト［１４をリードパターンに対応させてａ−
ｈし、現像により第４図（へ）に示すようにフォトレジ
スト膜１４の不要部分（リードパターンに対応しない部
分）を除去する。この後、エツチング液にてエツチング
し、フオトレジス）［１４が取り除かれた箇所の金属膜
１２のみを除去する。この後、フォトレジストに金＃！
膜１２の金属リード１６が形成される。
ている。すなわち、金属膜１２の上から基板１０の表面
に再びフォトレジス）［１４ｔ−ｕ成し、そしてこのフ
ォトレジスト［１４をリードパターンに対応させてａ−
ｈし、現像により第４図（へ）に示すようにフォトレジ
スト膜１４の不要部分（リードパターンに対応しない部
分）を除去する。この後、エツチング液にてエツチング
し、フオトレジス）［１４が取り除かれた箇所の金属膜
１２のみを除去する。この後、フォトレジストに金＃！
膜１２の金属リード１６が形成される。
このように上記表示用電極の形成方法によれば、電極パ
ターンを形成したのち金属リードパターン６一 を形成するようにしたから、リードパターン形成用マス
クの位置が、先に形成した電極パターンに対してずｒ、
りとしても、第５図に示すように、本来のリード＠Ｌに
比べて実際のリート幅Ｍはリードパターン形成用マスク
のずれ幅ＮＡ小ざくなるが、絶縁幅は変らず、短絡は起
り蓋くなる。このようにリード幅が小さくなる点に関し
ては、本質的な問題にはならないし、また全翼リード１
６に良導電性のもの、例えば、り四ムにニッケル（Ｎ１
）を積層させたもの或いは更に金を積層させたものを使
用するとか、或いは透明導電層或いば金属層を肉厚（こ
しておくと２の手段により解決できる。
ターンを形成したのち金属リードパターン６一 を形成するようにしたから、リードパターン形成用マス
クの位置が、先に形成した電極パターンに対してずｒ、
りとしても、第５図に示すように、本来のリード＠Ｌに
比べて実際のリート幅Ｍはリードパターン形成用マスク
のずれ幅ＮＡ小ざくなるが、絶縁幅は変らず、短絡は起
り蓋くなる。このようにリード幅が小さくなる点に関し
ては、本質的な問題にはならないし、また全翼リード１
６に良導電性のもの、例えば、り四ムにニッケル（Ｎ１
）を積層させたもの或いは更に金を積層させたものを使
用するとか、或いは透明導電層或いば金属層を肉厚（こ
しておくと２の手段により解決できる。
なお、上記実施例においては、電ｌパターンのパターニ
ングを１度しか行なわないようにしたが、電柵相互或い
はリード間の絶縁幅が微開なＳａパターンにおいては皇
や挨等によりエツチング不良が起こり、１度のパターニ
ングだけでは短絡の問題が屡キ生ずることと考えられる
。この場合には、電極パターンのパター；ングを２度行
なえば良い０第６＠（イ）〜（ニ）は電極パターンの２
度目のパターニングを行なう望ましい方法を示したもの
で、先ず第６図（イ）に示すように、基板１０の表面に
金属膜１２の上から７オトレジスト膜１７を形成すれる
。第６図（イ）は短絡部Ｃが形成された状態を示し、こ
の場合、７オトレジスｌ１７が形成された後に、基板１
０の裏面＠（矢印方向）からその全面を露光する。これ
によって、フォトレジスト膜１７は透明な基板１０及び
導電膜１１を介して露光されるが、金属膜１２に対応す
る部分は光が透過しないので、露光されず、未露光部と
なる。このため、フォトレジストＲ１７がポジタイプの
ものであれば、現像により露光部が除去され、第６図（
ロ）に示すようになる。
ングを１度しか行なわないようにしたが、電柵相互或い
はリード間の絶縁幅が微開なＳａパターンにおいては皇
や挨等によりエツチング不良が起こり、１度のパターニ
ングだけでは短絡の問題が屡キ生ずることと考えられる
。この場合には、電極パターンのパター；ングを２度行
なえば良い０第６＠（イ）〜（ニ）は電極パターンの２
度目のパターニングを行なう望ましい方法を示したもの
で、先ず第６図（イ）に示すように、基板１０の表面に
金属膜１２の上から７オトレジスト膜１７を形成すれる
。第６図（イ）は短絡部Ｃが形成された状態を示し、こ
の場合、７オトレジスｌ１７が形成された後に、基板１
０の裏面＠（矢印方向）からその全面を露光する。これ
によって、フォトレジスト膜１７は透明な基板１０及び
導電膜１１を介して露光されるが、金属膜１２に対応す
る部分は光が透過しないので、露光されず、未露光部と
なる。このため、フォトレジストＲ１７がポジタイプの
ものであれば、現像により露光部が除去され、第６図（
ロ）に示すようになる。
このようにして基ｉｖ裏面側から露光を行って現像する
と、フォトレジスト族１７は金属１ｆｊｉ２が露光用マ
スクとなるので、そのパターンに応じて除去される０そ
の後、第６図（八）に示すように導電膜１１をエツチン
グすると、短絡部Ｃが除去される。続いて、残留するフ
ォトレジストｌ１１７を第６＠（ニ）に示すように剥離
し洗浄する。
と、フォトレジスト族１７は金属１ｆｊｉ２が露光用マ
スクとなるので、そのパターンに応じて除去される０そ
の後、第６図（八）に示すように導電膜１１をエツチン
グすると、短絡部Ｃが除去される。続いて、残留するフ
ォトレジストｌ１１７を第６＠（ニ）に示すように剥離
し洗浄する。
この後は、第４図（ホ）〜（チ）に示した金属リードの
パターニング工程に移ればよい。このパターニング方法
は、１度目のバターニング工程成された金属膜１２のパ
ターンを電光用マスクとして使用するのでマスク合せが
不要であり、作業が簡単であると共に位置合せ精度が良
い− なお、前述した実施例においては、各エツチングをエツ
チング液で行なう形で説明したが、この発明はエツチン
グをプラズマにより行なうことｉ可能であり、その他種
々の変形応用が可能である。
パターニング工程に移ればよい。このパターニング方法
は、１度目のバターニング工程成された金属膜１２のパ
ターンを電光用マスクとして使用するのでマスク合せが
不要であり、作業が簡単であると共に位置合せ精度が良
い− なお、前述した実施例においては、各エツチングをエツ
チング液で行なう形で説明したが、この発明はエツチン
グをプラズマにより行なうことｉ可能であり、その他種
々の変形応用が可能である。
以上説明したようにこの発明に係る表示用電極の形成方
法によれば、先ず、電極パターンを形成し、その後、リ
ードパターンを形成す−るようにしたから、短絡がｉ？
り難くなるとし）う効果を有する。
法によれば、先ず、電極パターンを形成し、その後、リ
ードパターンを形成す−るようにしたから、短絡がｉ？
り難くなるとし）う効果を有する。
第１図は液晶セルを示し、第１図（ａ）はその帯状電極
、第１図（ｂ）はドツト電極の平面図、第２図（ａ）、
（ｂ）は第１図（ｎｉｌの要部断面図、第３図は従来に
係る表示用電極形成９一 方法によって製造されたリード部とトッド電極部間の大
きさを示す図、第４図（イ）〜（チ）はこの発明に係る
表示用電極形成方法における製歳過程図、第５図はこの
発明に係る形成方法で製造されたリード部とドツト電極
部間の大きさを示す図Ａ第６１ｆｆｌ（イ）〜（ニ）は
電極パターンの２度目のバターニング工程を示す図であ
る。 】０・・・・・・基板、ｌｌ・・・・・・導電膜、１２
・・・・・・金属膜、１３、ｌ ４・・・・・・フォト
レジスト膜、ｌ ５・−−−−−透明電極、１６・・・
・・・金属リード。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 ゛ト二′ 、パ・弓゛ −１〇− 第１図 （ａ） 第２図 第３図 第５図 １〃 ４６ 第６図 （イ） （ロ） ７ （ニ）
、第１図（ｂ）はドツト電極の平面図、第２図（ａ）、
（ｂ）は第１図（ｎｉｌの要部断面図、第３図は従来に
係る表示用電極形成９一 方法によって製造されたリード部とトッド電極部間の大
きさを示す図、第４図（イ）〜（チ）はこの発明に係る
表示用電極形成方法における製歳過程図、第５図はこの
発明に係る形成方法で製造されたリード部とドツト電極
部間の大きさを示す図Ａ第６１ｆｆｌ（イ）〜（ニ）は
電極パターンの２度目のバターニング工程を示す図であ
る。 】０・・・・・・基板、ｌｌ・・・・・・導電膜、１２
・・・・・・金属膜、１３、ｌ ４・・・・・・フォト
レジスト膜、ｌ ５・−−−−−透明電極、１６・・・
・・・金属リード。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 ゛ト二′ 、パ・弓゛ −１〇− 第１図 （ａ） 第２図 第３図 第５図 １〃 ４６ 第６図 （イ） （ロ） ７ （ニ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電膜上に金属膜を形成する金属膜成形工程と１この金属
膜上にレジスト膜を塗布形成する＃！ｌのレジストＪｌ
ｌＩ成形工程と、このレジスト膜を１ｌｉｉ ／＜ター
ンに対応させて露光したのち不要部分のレジスト膜を除
去する第１の露光・現像工程と、この後に金属膜及び導
電膜をエツチングし電極パターンに対応しない不要部分
の金属膜及び導電膜を除去する第１のエツチング工程と
、この後に残留するレジスト膜を剥離する第１の剥離工
程と、その後再び金ｊ！膜上から基板の表面にレジスト
膜を塗布形成する第２のレジスト膜成形工程と、このレ
ジスト膜をリードパターンに対応させて露光したのち不
要部分のレジスト膜を除去する第２ｆ１．ｊｌ光・現像
工程と、この後に金属膜をエツチングしリー１− ドパターンに対応しない不要部分の金ａＳを除去する第
２のｆツチング工程とを有する表示用電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13824882A JPS5927409A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13824882A JPS5927409A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927409A true JPS5927409A (ja) | 1984-02-13 |
| JPH043044B2 JPH043044B2 (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=15217522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13824882A Granted JPS5927409A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927409A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215353A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-23 | カネボウ株式会社 | 通気性防水布 |
| JPH04174741A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-06-22 | Kanebo Ltd | カシミア調織物及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58145014A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-29 | 株式会社日立製作所 | 電極板及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP13824882A patent/JPS5927409A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58145014A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-29 | 株式会社日立製作所 | 電極板及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215353A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-23 | カネボウ株式会社 | 通気性防水布 |
| JPH04174741A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-06-22 | Kanebo Ltd | カシミア調織物及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH043044B2 (ja) | 1992-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4246298B2 (ja) | 液晶ディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPH1062818A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS5927409A (ja) | 電極の形成方法 | |
| JP3200639B2 (ja) | 薄膜トランジスタパネルの製造方法 | |
| JP2008187322A (ja) | メサ型圧電振動素子の製造方法 | |
| JPH022519A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS5927408A (ja) | 表示用電極の形成方法 | |
| JPS5927407A (ja) | 表示用電極の形成方法 | |
| JP3044418B2 (ja) | 電極基板の製造方法 | |
| JPH02272774A (ja) | アクティブマトリクス回路基板 | |
| JPH0239044B2 (ja) | ||
| JPS58137908A (ja) | 透明電極の形成方法 | |
| JPH02130551A (ja) | 薄膜パターンとその製造方法ならびにそれを用いたマトリクス回路基板と画像表示装置 | |
| JP2845929B2 (ja) | 非線形素子の製造方法 | |
| JP2980803B2 (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JPS58115708A (ja) | 表示用電極の形成方法 | |
| JP2934731B2 (ja) | 非線形抵抗素子とその製造方法 | |
| CN112186103A (zh) | 一种电阻结构及其制作方法 | |
| JPS60181776A (ja) | デイスプレイパネルの製造方法 | |
| JPS6364081A (ja) | 配線電極の形成方法 | |
| JPH0381734A (ja) | 表示パネルの電極形成方法 | |
| JPS61183620A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS6377086A (ja) | 薄膜トランジスタマトリツクスの形成方法 | |
| JPS6255896A (ja) | 透明導電膜のパタ−ン形成方法 | |
| JPS6097691A (ja) | 厚膜薄膜配線基板の製造方法 |