JP3044418B2 - 電極基板の製造方法 - Google Patents
電極基板の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明電極及び金属配線
のそれぞれに選択性を持つエッチング液を利用し、スト
ライプパターン間のエッチング残欠陥を修復する電極基
板の製造方法に関するものである。
のそれぞれに選択性を持つエッチング液を利用し、スト
ライプパターン間のエッチング残欠陥を修復する電極基
板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ドットマトリックス型液晶表示素
子による大容量大画面のフラット型液晶表示装置が注目
されている。かかる大容量、大画面化に伴ない、各ドッ
トを構成する電極の低抵抗化が要求され、その為にＩＴ
Ｏ等の透明電極上に補助電極としての金属配線パターン
を積層することが一般的に行なわれているが、ドットマ
トリックスの画素数の増加に伴い、電極間の挟間が、狭
められてきており、パターニング時に於ける歩留まりの
向上と共に、欠陥の修復技術が重要になってきた。
子による大容量大画面のフラット型液晶表示装置が注目
されている。かかる大容量、大画面化に伴ない、各ドッ
トを構成する電極の低抵抗化が要求され、その為にＩＴ
Ｏ等の透明電極上に補助電極としての金属配線パターン
を積層することが一般的に行なわれているが、ドットマ
トリックスの画素数の増加に伴い、電極間の挟間が、狭
められてきており、パターニング時に於ける歩留まりの
向上と共に、欠陥の修復技術が重要になってきた。
【０００３】従来は、ストライプ状の透明電極残欠陥及
び金属配線パターン残欠陥を、選択性を持たないエッチ
ング液で修復していた。
び金属配線パターン残欠陥を、選択性を持たないエッチ
ング液で修復していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、図７に示す如く使用するエッチング液がスト
ライプ状の透明電極２及び金属配線４パターンに対して
選択性を持たない透明電極金属配線共通エッチャント１
２であるため、フォトレジストに欠損部９がある場合に
は、該透明電極及び金属配線パターン上のレジスト像欠
陥部分のいずれもがエッチングされてしまう為、図７
（ｆ）、図８の如く透明電極金属配線両電極断線部１３
を生じライン欠陥を発生するという欠点があった。
来例では、図７に示す如く使用するエッチング液がスト
ライプ状の透明電極２及び金属配線４パターンに対して
選択性を持たない透明電極金属配線共通エッチャント１
２であるため、フォトレジストに欠損部９がある場合に
は、該透明電極及び金属配線パターン上のレジスト像欠
陥部分のいずれもがエッチングされてしまう為、図７
（ｆ）、図８の如く透明電極金属配線両電極断線部１３
を生じライン欠陥を発生するという欠点があった。
【０００５】そこで、上記ライン欠陥を防ぐために、ま
ず該透明電極残欠陥修復用レジスト像を形成し、透明電
極残欠陥を修復後、レジスト像を剥離し、再度レジスト
像を形成し、金属配線パターン残欠陥を修復するという
複雑なプロセス工程が行われていた。
ず該透明電極残欠陥修復用レジスト像を形成し、透明電
極残欠陥を修復後、レジスト像を剥離し、再度レジスト
像を形成し、金属配線パターン残欠陥を修復するという
複雑なプロセス工程が行われていた。
【０００６】また、エッチングにかわる方法として一般
的には、レーザーによってストライプパターン間のエッ
チング残欠陥部を切断する方法が用いられている。しか
し、切断時の飛散物や切断箇所のめくれなどが発生し、
その結果パネルのＧＡＰ不良、上下基板間ショート等の
原因となる場合がある。
的には、レーザーによってストライプパターン間のエッ
チング残欠陥部を切断する方法が用いられている。しか
し、切断時の飛散物や切断箇所のめくれなどが発生し、
その結果パネルのＧＡＰ不良、上下基板間ショート等の
原因となる場合がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、透明電
極及び金属配線のストライプパターン間のエッチング残
欠陥を修復するさいに、透明電極又は金属配線を選択的
にエッチングするエッチング液を用い、かつ、下層電極
の残欠陥から上層電極の残欠陥という順に修復すること
により、修復時のフォトレジストにピンホール等欠損部
があっても、電極のストライプパターンに断線が生じる
事無く、しかも一度のレジストパターニングによって、
透明電極及び金属配線の残欠陥を連続的に修復できるよ
うにしたものである。
極及び金属配線のストライプパターン間のエッチング残
欠陥を修復するさいに、透明電極又は金属配線を選択的
にエッチングするエッチング液を用い、かつ、下層電極
の残欠陥から上層電極の残欠陥という順に修復すること
により、修復時のフォトレジストにピンホール等欠損部
があっても、電極のストライプパターンに断線が生じる
事無く、しかも一度のレジストパターニングによって、
透明電極及び金属配線の残欠陥を連続的に修復できるよ
うにしたものである。
【０００８】
実施例１ 硝子基板１上に、透明電極２として膜厚１５００Åの酸
化インジウム（ＩＴＯ）薄膜をスパッタリング法で成膜
した基板に、フォトレジストを約１μｍの厚みに塗布
し、画素電極パターンマスクによって露光した後、現像
し、３０ｖｏｌ％塩化第二鉄を含んだヨウ化水素酸でエ
ッチングし、画素電極パターンを形成した。次に、上記
画素電極パターン付き基板上に金属配線４として該スパ
ッタリング法でモリブデン（Ｍｏ）薄膜を膜厚１５００
Åの厚さに成膜した。
化インジウム（ＩＴＯ）薄膜をスパッタリング法で成膜
した基板に、フォトレジストを約１μｍの厚みに塗布
し、画素電極パターンマスクによって露光した後、現像
し、３０ｖｏｌ％塩化第二鉄を含んだヨウ化水素酸でエ
ッチングし、画素電極パターンを形成した。次に、上記
画素電極パターン付き基板上に金属配線４として該スパ
ッタリング法でモリブデン（Ｍｏ）薄膜を膜厚１５００
Åの厚さに成膜した。
【０００９】上記モリブデン薄膜４成膜済み基板上に、
再度フォトレジストを約１μｍの厚みに塗布し、金属配
線パターンマスクを用いて露光した後、現像し、燐酸−
硝酸系エッチング液により室温で６０秒間エッチングを
行い、図１（ａ）に示す金属配線パターンを形成した。
再度フォトレジストを約１μｍの厚みに塗布し、金属配
線パターンマスクを用いて露光した後、現像し、燐酸−
硝酸系エッチング液により室温で６０秒間エッチングを
行い、図１（ａ）に示す金属配線パターンを形成した。
【００１０】次に、上記金属配線パターン形成済みの基
板に、図１（ｂ）に示すように再度フォトレジスト６を
約１μｍの厚みに塗布し、画素電極パターンマスクと同
じか又はそれより電極間が狭いパターンマスクによって
露光した後、現像し、図１（ｃ）に示す透明電極残欠陥
３及び金属配線パターン残欠陥５修復用レジストパター
ンを形成した。
板に、図１（ｂ）に示すように再度フォトレジスト６を
約１μｍの厚みに塗布し、画素電極パターンマスクと同
じか又はそれより電極間が狭いパターンマスクによって
露光した後、現像し、図１（ｃ）に示す透明電極残欠陥
３及び金属配線パターン残欠陥５修復用レジストパター
ンを形成した。
【００１１】この後、図１（ｄ）に示すように、透明電
極エッチャント７としてヨウ化水素酸（塩化第２鉄３０
ｖｏｌ％含）によってＩＴＯ透明電極のストライプパタ
ーン間残欠陥３の修復を行ない、引き続き図１（ｅ）に
示すように、金属配線エッチャント８として燐酸−酢酸
−硝酸系エッチング液（同上）によってＭｏ金属配線の
ストライプパターン間エッチング残欠陥５の修復を行な
った。
極エッチャント７としてヨウ化水素酸（塩化第２鉄３０
ｖｏｌ％含）によってＩＴＯ透明電極のストライプパタ
ーン間残欠陥３の修復を行ない、引き続き図１（ｅ）に
示すように、金属配線エッチャント８として燐酸−酢酸
−硝酸系エッチング液（同上）によってＭｏ金属配線の
ストライプパターン間エッチング残欠陥５の修復を行な
った。
【００１２】以上本実施例に述べた電極のエッチング残
欠陥修復方法によれば、図３に示すように、修復時にピ
ンホール、キズ等、電極のストライプパターンに断線を
生じるサイズのフォトレジスト欠損部９があっても、透
明電極２が金属配線パターン４部だけ保護されることに
より図３（ｆ）、図４に示すように断線を免がれ、駆動
時のライン欠陥となることを防止することができる。
欠陥修復方法によれば、図３に示すように、修復時にピ
ンホール、キズ等、電極のストライプパターンに断線を
生じるサイズのフォトレジスト欠損部９があっても、透
明電極２が金属配線パターン４部だけ保護されることに
より図３（ｆ）、図４に示すように断線を免がれ、駆動
時のライン欠陥となることを防止することができる。
【００１３】実施例２ 硝子基板上に金属配線４として膜厚１５００Åのモリブ
デン薄膜（Ｍｏ）をスパッタリング法で成膜し、通常の
フォトリソ工程によって図６に示した梯子状の金属配線
パターンを形成した。このモリブデン薄膜のエッチング
には燐酸−酢酸−硝酸系エッチング液（体積比１６：
１：１）を使用した。
デン薄膜（Ｍｏ）をスパッタリング法で成膜し、通常の
フォトリソ工程によって図６に示した梯子状の金属配線
パターンを形成した。このモリブデン薄膜のエッチング
には燐酸−酢酸−硝酸系エッチング液（体積比１６：
１：１）を使用した。
【００１４】この金属配線４パターン上に透明電極２と
して１５００ÅのＩＴＯ薄膜をやはりスパッタリング法
で成膜し、通常のフォトリソ工程によってストライプパ
ターンを形成した。このＩＴＯ薄膜のエッチングにはヨ
ウ化水素酸を使用した。
して１５００ÅのＩＴＯ薄膜をやはりスパッタリング法
で成膜し、通常のフォトリソ工程によってストライプパ
ターンを形成した。このＩＴＯ薄膜のエッチングにはヨ
ウ化水素酸を使用した。
【００１５】次に上記金属配線４及び透明電極２パター
ン形成済みの基板に、フォトレジストパターンを形成
し、燐酸−酢酸−硝酸系エッチング液（体積比１６：
１：１）によってＭｏ金属配線のストライプパターン間
エッチング残欠陥を修復した後、引き続きヨウ化水素酸
によってＩＴＯ透明電極のストライプパターン間エッチ
ング残欠陥の修復を行なった。
ン形成済みの基板に、フォトレジストパターンを形成
し、燐酸−酢酸−硝酸系エッチング液（体積比１６：
１：１）によってＭｏ金属配線のストライプパターン間
エッチング残欠陥を修復した後、引き続きヨウ化水素酸
によってＩＴＯ透明電極のストライプパターン間エッチ
ング残欠陥の修復を行なった。
【００１６】以上本実施例に述べた電極構成及び電極の
エッチング残欠陥修復方法により、図５に示すように、
修復時にピンホール等電極のストライプパターンに断線
を生じるサイズのフォトレジスト欠損部９があっても、
図５（ｆ）、図６の如く金属配線４が保持されることに
より、図４に示すＩＴＯのみで断線を防ぐ場合と比較し
て、配線抵抗の変化を防止すると共に、画素間からの漏
洩光を遮断する機能を維持することができる。
エッチング残欠陥修復方法により、図５に示すように、
修復時にピンホール等電極のストライプパターンに断線
を生じるサイズのフォトレジスト欠損部９があっても、
図５（ｆ）、図６の如く金属配線４が保持されることに
より、図４に示すＩＴＯのみで断線を防ぐ場合と比較し
て、配線抵抗の変化を防止すると共に、画素間からの漏
洩光を遮断する機能を維持することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように透明電極及び金属配
線のストライプパターン間残欠陥を、それぞれ選択的に
エッチングするエッチング液を用いて、先に下層電極の
残欠陥、次に上層電極の残欠陥という順に修復すること
により、一度の修復用レジストのパターニングで連続的
に、かつこの修復用レジストに欠損部があっても電極の
断線を生じさせることなく修復が可能となり、工程の簡
略化及び生産性向上に多大な効果を有するものである。
線のストライプパターン間残欠陥を、それぞれ選択的に
エッチングするエッチング液を用いて、先に下層電極の
残欠陥、次に上層電極の残欠陥という順に修復すること
により、一度の修復用レジストのパターニングで連続的
に、かつこの修復用レジストに欠損部があっても電極の
断線を生じさせることなく修復が可能となり、工程の簡
略化及び生産性向上に多大な効果を有するものである。
【図１】本発明の電極基板の製造方法における、透明電
極及び金属配線のストライプパターン間の残欠陥修復方
法を示す工程図。
極及び金属配線のストライプパターン間の残欠陥修復方
法を示す工程図。
【図２】 図１（ｆ）に示した残欠陥修復後の透明電極
及び金属配線のパターン形状の平面図。
及び金属配線のパターン形状の平面図。
【図３】 実施例１における本発明の作用効果を説明す
る工程図。
る工程図。
【図４】 図３（ｆ）に示した残欠陥修復後の透明電極
及び金属配線のパターン形状の平面図。
及び金属配線のパターン形状の平面図。
【図５】 実施例２における本発明の作用効果を説明す
る工程図。
る工程図。
【図６】 図５（ｆ）に示した残欠陥修復後の透明電極
及び金属配線のパターン形状の平面図。
及び金属配線のパターン形状の平面図。
【図７】 従来技術の欠点を説明する工程図。
【図８】 図７（ｆ）に示した残欠陥修復後の透明電極
及び金属配線のパターン形状の平面図。
及び金属配線のパターン形状の平面図。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 透明電極残欠陥 ４ 金属配線 ５ 金属配線残欠陥 ６ フォトレジスト ７ 透明電極エッチャント ８ 金属配線エッチャント ９ フォトレジスト欠損部 １０ 金属配線断線部 １１ 透明電極断線部 １２ 透明電極金属配線共通エッチャント １３ 透明電極金属配線両電極断線部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−137827（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−924（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−77086（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−2519（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−107823（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−289916（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1362 G02F 1/13 101
Claims (3)
- 【請求項１】 ａ．基板を準備する工程、 ｂ．前記基板上に画素電極パターンとなる透明薄膜を設
ける工程、 ｃ．前記透明薄膜上にフォトレジスト膜を設け、該フォ
トレジスト膜を画素電極パターンマスクを通して露光し
た後、現像し、該現像されたフォトレジスト膜をエッチ
ングマスクとして、該透明薄膜を第１のエッチング液に
よってエッチングし、画素電極パターンを作成する工
程、 ｄ．前記画素電極パターンが形成されている基板上に、
金属配線パターンとなる金属薄膜を設ける工程、 ｅ．前記金属薄膜上にフォトレジスト膜を設け、該フォ
トレジスト膜を金属配線パターンマスクを通して露光し
た後、現像し、該現像されたフォトレジスト膜をエッチ
ングマスクとして、該金属薄膜を第２のエッチング液に
よってエッチングし、金属配線パターンを作成する工
程、 ｆ．前記画素電極パターン及び金属配線パターンに残欠
陥が発生していた場合、前記ｅ．工程を経た基板上にフ
ォトレジスト膜を設け、前記ｃ．工程で用いた画素電極
パターンマスクと同一か、または画素電極間を狭くした
画素電極パターンマスクを通して、露光した後、現像
し、該現像されたフォトレジスト膜をエッチングマスク
として、前記第２のエッチング液による前記金属配線パ
ターン残欠陥をエッチング除去するに先立って、前記画
素電極パターン残欠陥を第１のエッチング液によってエ
ッチング除去する工程、並びに、 ｇ．前記金属配線パターン残欠陥を前記第２のエッチン
グ液によってエッチング除去するする工程、 を有することを特徴とする電極基板の製造方法（但し、
前記第１のエッチング液は、選択的に、前記透明薄膜を
エッチングするものであり、前記第２のエッチング液
は、選択的に、前記金属薄膜をエッチングするものであ
る）。 - 【請求項２】 ａ．基板を準備する工程、 ｂ．前記基板上に金属配線パターンとなる金属薄膜を設
ける工程、 ｃ．前記金属薄膜上にフォトレジスト膜を設け、該フォ
トレジスト膜を金属配線パターンマスクを通して露光し
た後、現像し、該現像されたフォトレジスト膜を エッチ
ングマスクとして、該金属薄膜を第２のエッチング液に
よってエッチングし、金属配線パターンを作成する工
程、 ｄ．前記金属配線パターンが形成されている基板上に、
画素電極パターンとなる透明薄膜を設ける工程、 ｅ．前記透明薄膜上にフォトレジスト膜を設け、該フォ
トレジスト膜を画素電極パターンマスクを通して露光し
た後、現像し、該現像されたフォトレジスト膜をエッチ
ングマスクとして、該透明薄膜を第１のエッチング液に
よってエッチングし、画素電極パターンを作成する工
程、 ｆ．前記画素電極パターン及び金属配線パターンに残欠
陥が発生していた場合、前記ｅ．工程を経た基板上にフ
ォトレジスト膜を設け、前記ｃ．工程で用いた金属配線
パターンマスクと同一か、または金属配線間を狭くした
金属配線パターンマスクを通して、露光した後、現像
し、該現像されたフォトレジスト膜をエッチングマスク
として、前記第１のエッチング液による前記画素電極パ
ターン残欠陥をエッチング除去するに先立って、前記金
属配線パターン残欠陥を第２のエッチング液によってエ
ッチング除去する工程、並びに、 ｇ．前記画素電極パターン残欠陥を前記第１のエッチン
グ液によってエッチング除去する工程、 を有することを特徴とする電極基板の製造方法（但し、
前記第１のエッチング液は、選択的に、前記透明薄膜を
エッチングするものであり、前記第２のエッチング液
は、選択的に、前記金属薄膜をエッチングするものであ
る）。 - 【請求項３】 前記透明薄膜は、酸化インジウムを有す
る薄膜であり、前記金属薄膜は、モリブデン又はモリブ
デン合金を有する薄膜であることを特徴とする請求項１
又は２記載の電極基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3310131A JP3044418B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 電極基板の製造方法 |
| US07/964,949 US5451292A (en) | 1991-10-30 | 1992-10-22 | Method of manufacturing liquid-crystal elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3310131A JP3044418B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 電極基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05127185A JPH05127185A (ja) | 1993-05-25 |
| JP3044418B2 true JP3044418B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=18001543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3310131A Expired - Fee Related JP3044418B2 (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 電極基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5451292A (ja) |
| JP (1) | JP3044418B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751391A (en) * | 1995-04-27 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with elongated projection height smaller than liquid crystal thickness and process for producing same |
| DE19640542A1 (de) * | 1995-10-13 | 1997-04-10 | Nordson Corp | Verfahren und Vorrichtung zum Verflüssigen von thermoplastischem Material |
| US5976978A (en) * | 1997-12-22 | 1999-11-02 | General Electric Company | Process for repairing data transmission lines of imagers |
| US6207471B1 (en) * | 1998-01-28 | 2001-03-27 | Citizen Watch, Co., Ltd | Method of producing solar cell device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4838656A (en) * | 1980-10-06 | 1989-06-13 | Andus Corporation | Transparent electrode fabrication |
| US4822146A (en) * | 1986-04-07 | 1989-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation element |
| US4850681A (en) * | 1986-04-07 | 1989-07-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device |
| JPH0833548B2 (ja) * | 1988-11-30 | 1996-03-29 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5150239A (en) * | 1990-02-09 | 1992-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | One-pack type epoxy sealant with amine-type curing agent, for liquid crystal cell, display apparatus and recording apparatus |
| JP2814155B2 (ja) * | 1990-08-13 | 1998-10-22 | キヤノン株式会社 | Ｉｔｏ膜パターンの形成方法および液晶表示素子用基板の製造方法 |
| US5366588A (en) * | 1992-03-13 | 1994-11-22 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an electrically conductive pattern of tin-doped indium oxide (ITO) on a substrate |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3310131A patent/JP3044418B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-10-22 US US07/964,949 patent/US5451292A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5451292A (en) | 1995-09-19 |
| JPH05127185A (ja) | 1993-05-25 |
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