JP2952075B2 - 液晶素子の製造法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示素子、シャッタア
レイ等に用いられる液晶素子に関し、特に表示電極とし
てＩＴＯ（インジウムチンオキサイド；Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）と金属配線の積層構成を有する液
晶素子の製造法に関するものである。
レイ等に用いられる液晶素子に関し、特に表示電極とし
てＩＴＯ（インジウムチンオキサイド；Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）と金属配線の積層構成を有する液
晶素子の製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子の電極配線の低抵抗
化を目的としてＩＴＯ（インジウムチンオキサイド；Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）と金属配線の積層構
造が用いられてきた。上記金属配線を形成する金属とし
ては、ＩＴＯとの選択エッチングが可能で、かつ通常の
フォトリソプロセスに耐えるＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ等が
用いられてきた。
化を目的としてＩＴＯ（インジウムチンオキサイド；Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）と金属配線の積層構
造が用いられてきた。上記金属配線を形成する金属とし
ては、ＩＴＯとの選択エッチングが可能で、かつ通常の
フォトリソプロセスに耐えるＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ等が
用いられてきた。
【０００３】また、近年、液晶表示素子の大面積化、高
精細化への要求が高まり、電極配線の抵抗をさらに小さ
くする必要から、抵抗が低く安価で微細加工が可能なＡ
ｌが金属配線として用いられるようになった。
精細化への要求が高まり、電極配線の抵抗をさらに小さ
くする必要から、抵抗が低く安価で微細加工が可能なＡ
ｌが金属配線として用いられるようになった。
【０００４】ＩＴＯとＡｌからなる電極配線の積層構成
を、通常のフォトリソプロセスで形成する際には、ＩＴ
Ｏにピンホール状の欠陥が発生し易いという問題があっ
たが、このような欠陥を防止するための技術として、Ｉ
ＴＯ層とＡｌ層の間にＭｏまたはＭｏ合金からなる層を
設けた３層積層構成の表示電極を用いることが特願平０
２−０４２６１１に提案されている。
を、通常のフォトリソプロセスで形成する際には、ＩＴ
Ｏにピンホール状の欠陥が発生し易いという問題があっ
たが、このような欠陥を防止するための技術として、Ｉ
ＴＯ層とＡｌ層の間にＭｏまたはＭｏ合金からなる層を
設けた３層積層構成の表示電極を用いることが特願平０
２−０４２６１１に提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】本発明者らが上記
提案のＩＴＯ、Ｍｏ、またはＭｏ合金Ａｌの３層構造か
らなる表示電極について検討を重ねたところ、次のよう
な問題点を見出した。 １．通常フォトプロセス工程の最終工程としてレジスト
剤剥離を行うが、剥離液を用いた剥離時間がＡｌ膜保護
のために制約を受け、剥離工程の最適条件設定が難し
い。 ２．ＡｌよりＭｏの方がエッチング速度が大きく、Ａｌ
電極がオーバーハングになるので、基板に配向処理を施
し、該基板２枚を貼り合わせ、液晶を封入して液晶表示
素子を得ると、配向欠陥が発生する場合がある。
提案のＩＴＯ、Ｍｏ、またはＭｏ合金Ａｌの３層構造か
らなる表示電極について検討を重ねたところ、次のよう
な問題点を見出した。 １．通常フォトプロセス工程の最終工程としてレジスト
剤剥離を行うが、剥離液を用いた剥離時間がＡｌ膜保護
のために制約を受け、剥離工程の最適条件設定が難し
い。 ２．ＡｌよりＭｏの方がエッチング速度が大きく、Ａｌ
電極がオーバーハングになるので、基板に配向処理を施
し、該基板２枚を貼り合わせ、液晶を封入して液晶表示
素子を得ると、配向欠陥が発生する場合がある。
【０００６】本発明が解決しようとしている課題は上記
の２点である。
の２点である。
【０００７】すなわち本発明の一つの目的は、ＩＴＯと
Ａｌ配線の積層構成を有する表示電極を作製する場合
に、フォトリソプロセスの剥離工程における最適条件
を、剥離工程を複雑化することなく得ることである。
Ａｌ配線の積層構成を有する表示電極を作製する場合
に、フォトリソプロセスの剥離工程における最適条件
を、剥離工程を複雑化することなく得ることである。
【０００８】また本発明の別の目的は、液晶表示素子と
して用いる場合に、配向欠陥を生じにくい表示電極を提
供することである。
して用いる場合に、配向欠陥を生じにくい表示電極を提
供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、 （ａ）透明基板上に透明導電膜からなる第１層を形成す
る第１工程、 （ｂ）前記第１層をパターニングすることからなる第２
工程、 （ｃ）前記パターニングされた透明導電膜を有する透明
基板上に、順次、Ｍｏ−Ｔａ合金又はＭｏ―Ｔｉ合金か
らなり、該Ｔａ又はＴｉの含有率を３０ｗｔ％以下とし
た第２層と、Ａｌ又はＡｌ合金からなる第３層と、Ｍｏ
又はＭｏ合金からなる第４層を積層し、該第２層、該第
３層及び該第４層のエッチング速度をそれぞれｔ2、ｔ3
及びｔ4とした時、ｔ2＜ｔ3＜ｔ4の関係を満たす様に設
定した第３工程、 （ｄ）前記積層された積層膜上にフォトレジスト膜を設
け、該フォトレジスト膜にパターン露光し、アルカリ現
像液によって現像しフォトレジストパターンを形成する
第４工程、 （ｅ）前記フォトレジストパターンを介して前記第２
層、第３層及び第４層からなる積層体をエッチングする
第５工程、及び （ｆ）前記フォトレジストパターンを剥離する第６工程 を有する液晶素子の製造法に、特徴を有する。
る第１工程、 （ｂ）前記第１層をパターニングすることからなる第２
工程、 （ｃ）前記パターニングされた透明導電膜を有する透明
基板上に、順次、Ｍｏ−Ｔａ合金又はＭｏ―Ｔｉ合金か
らなり、該Ｔａ又はＴｉの含有率を３０ｗｔ％以下とし
た第２層と、Ａｌ又はＡｌ合金からなる第３層と、Ｍｏ
又はＭｏ合金からなる第４層を積層し、該第２層、該第
３層及び該第４層のエッチング速度をそれぞれｔ2、ｔ3
及びｔ4とした時、ｔ2＜ｔ3＜ｔ4の関係を満たす様に設
定した第３工程、 （ｄ）前記積層された積層膜上にフォトレジスト膜を設
け、該フォトレジスト膜にパターン露光し、アルカリ現
像液によって現像しフォトレジストパターンを形成する
第４工程、 （ｅ）前記フォトレジストパターンを介して前記第２
層、第３層及び第４層からなる積層体をエッチングする
第５工程、及び （ｆ）前記フォトレジストパターンを剥離する第６工程 を有する液晶素子の製造法に、特徴を有する。
【００１０】以下本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明の液晶表示素子は、ＩＴＯからなる
第１層と、前記第１層上に設けられたＭｏ又はＭｏ合金
からなる第２層と、前記第２層上に設けられたＡｌ又は
Ａｌ合金からなる第３層と、前記第３層上に設けられた
Ｍｏ又はＭｏ合金からなる第４層とから構成された表示
電極を備えた基板に配向処理を施し、前記基板２枚を貼
りあわせた後、液晶を注入して構成される。
第１層と、前記第１層上に設けられたＭｏ又はＭｏ合金
からなる第２層と、前記第２層上に設けられたＡｌ又は
Ａｌ合金からなる第３層と、前記第３層上に設けられた
Ｍｏ又はＭｏ合金からなる第４層とから構成された表示
電極を備えた基板に配向処理を施し、前記基板２枚を貼
りあわせた後、液晶を注入して構成される。
【００１２】本発明の製造法の好ましい態様において、
前記第２層、第３層及び第４層の積層膜の上に、ポジ型
フォトレジストを塗布した後、露光、現像してパターン
を形成する。次に、硝酸、酢酸及び水からなるエッチン
グ液で前記積層膜をエッチングした後、フォトレジスト
膜を剥離する。
前記第２層、第３層及び第４層の積層膜の上に、ポジ型
フォトレジストを塗布した後、露光、現像してパターン
を形成する。次に、硝酸、酢酸及び水からなるエッチン
グ液で前記積層膜をエッチングした後、フォトレジスト
膜を剥離する。
【００１３】本発明において、Ｍｏ合金中のＴａ又はＴ
ｉの含有率を調整することによりエッチング速度をコン
トロールすることができる。図４は、Ｍｏ合金中のＴａ
含有率をエッチング速度の関係を図示するものである。
ｉの含有率を調整することによりエッチング速度をコン
トロールすることができる。図４は、Ｍｏ合金中のＴａ
含有率をエッチング速度の関係を図示するものである。
【００１４】本発明において、第２層、第３層及び第４
層のエッチング速度がｔ2＜ｔ3＜ｔ4の関係を満たす様
に、Ｍｏ−Ｔａ合金又はＭｏ―Ｔｉ合金中のＴａ又はＴ
ｉの含有率を３０ｗｔ％以下、好ましくは、５〜１５ｗ
ｔ％の範囲に設定する。
層のエッチング速度がｔ2＜ｔ3＜ｔ4の関係を満たす様
に、Ｍｏ−Ｔａ合金又はＭｏ―Ｔｉ合金中のＴａ又はＴ
ｉの含有率を３０ｗｔ％以下、好ましくは、５〜１５ｗ
ｔ％の範囲に設定する。
【００１５】また、Ｍｏ又はＭｏ合金からなる第２層、
第４層の膜厚は５０〜２０００Å、好ましくは３００〜
１０００Åの範囲が望ましい。
第４層の膜厚は５０〜２０００Å、好ましくは３００〜
１０００Åの範囲が望ましい。
【００１６】本発明においては、第３層を形成する材料
は、各実施例で用いたＡｌに限定されることなく、エレ
クトロマイグレーションや耐蝕性の観点から、Ａｌのか
わりにＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｔｉ等の
Ａｌ合金を用いることもできる。この場合、Ｍｏ合金膜
のエッチング速度は、用いるＡｌ合金に応じて適宜設定
可能であることは図４より明らかである。
は、各実施例で用いたＡｌに限定されることなく、エレ
クトロマイグレーションや耐蝕性の観点から、Ａｌのか
わりにＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｔｉ等の
Ａｌ合金を用いることもできる。この場合、Ｍｏ合金膜
のエッチング速度は、用いるＡｌ合金に応じて適宜設定
可能であることは図４より明らかである。
【００１７】本発明の液晶表示素子は特に限定されるこ
となく、ＳＴＮ液晶素子ＴＮ−アクティブマトリクス液
晶素子、強誘電性液晶素子等を含む全ての液晶表示素子
に適用することができる。
となく、ＳＴＮ液晶素子ＴＮ−アクティブマトリクス液
晶素子、強誘電性液晶素子等を含む全ての液晶表示素子
に適用することができる。
【００１８】以下、実際に作製した例を示し、本発明を
さらに具体的に説明する。
さらに具体的に説明する。
【００１９】
【実施例】（参考例１） 図１（ａ）〜（ｄ）は参考例にかかる液晶表示素子に用
いられる基板の電極配線の製造工程を示す工程図であ
る。図１において１０１はガラス基板、１０２はＩＴＯ
からなる第１層、１０３はＭｏからなる第２層、１０４
はＡｌからなる第３層、１０５はＭｏからなる第４層、
１０６はフォトレジストを示している。
いられる基板の電極配線の製造工程を示す工程図であ
る。図１において１０１はガラス基板、１０２はＩＴＯ
からなる第１層、１０３はＭｏからなる第２層、１０４
はＡｌからなる第３層、１０５はＭｏからなる第４層、
１０６はフォトレジストを示している。
【００２０】製造工程を説明する。先ず、ガラス基板１
０１上に、スパッタ法により膜厚１０００ÅのＩＴＯ層
１０２を形成し、通常のフォトリソ技術により、ストラ
イプ状のパターンを形成した（図１（ａ））。
０１上に、スパッタ法により膜厚１０００ÅのＩＴＯ層
１０２を形成し、通常のフォトリソ技術により、ストラ
イプ状のパターンを形成した（図１（ａ））。
【００２１】次に、膜厚５００ÅのＭｏ膜１０３、膜厚
３０００ÅのＡｌ膜１０４、膜厚５００ÅのＭｏ膜１０
５を順次スパッタ法によりＩＴＯ層上に積層形成した。
３０００ÅのＡｌ膜１０４、膜厚５００ÅのＭｏ膜１０
５を順次スパッタ法によりＩＴＯ層上に積層形成した。
【００２２】更に、ポジ型フォトレジスト１０６を形成
するため、ＯＦＰＲ−８００（東京応化（株）製）をロ
ールコーターを用いて約１μｍの厚さに塗布した後（図
１（ｂ））、露光し、有機アルカリを主成分とする現像
液ＮＭＤ−２（東京応化（株）製）に浸漬してパターン
を形成した（図１（ｃ））。
するため、ＯＦＰＲ−８００（東京応化（株）製）をロ
ールコーターを用いて約１μｍの厚さに塗布した後（図
１（ｂ））、露光し、有機アルカリを主成分とする現像
液ＮＭＤ−２（東京応化（株）製）に浸漬してパターン
を形成した（図１（ｃ））。
【００２３】次に、リン酸：硝酸：酢酸：水＝１６：
１：２：１（容量比）のエッチング液でＡｌおよびＭｏ
をエッチングした後、フォトレジスト１０６を剥離液Ｎ
−３０３Ｃ（ナガセ（株）製）を用いて剥離し、表示電
極を形成した（図１（ｄ））。
１：２：１（容量比）のエッチング液でＡｌおよびＭｏ
をエッチングした後、フォトレジスト１０６を剥離液Ｎ
−３０３Ｃ（ナガセ（株）製）を用いて剥離し、表示電
極を形成した（図１（ｄ））。
【００２４】この、フォトレジスト剥離工程において、
第４層のＭｏ膜１０５が剥離液に対して第３層のＡｌ膜
１０４を保護する働きがあるので、レジスト剥離に十分
な時間をかけてもＡｌ膜１０４が侵食されることなく好
適にレジスト剥離を行うことができた。
第４層のＭｏ膜１０５が剥離液に対して第３層のＡｌ膜
１０４を保護する働きがあるので、レジスト剥離に十分
な時間をかけてもＡｌ膜１０４が侵食されることなく好
適にレジスト剥離を行うことができた。
【００２５】（実施例１） 図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例にかか
る、液晶表示素子に用いられる基板の電極配線の製造工
程を示す工程図である。図２において、２０１はガラス
基板、２０２はＩＴＯからなる第１層、２０７はＭｏ−
Ｔａ合金からなる第２層、２０４はＡｌからなる第３
層、２０５はＭｏからなる第４層、２０６はフォトレジ
ストである。
る、液晶表示素子に用いられる基板の電極配線の製造工
程を示す工程図である。図２において、２０１はガラス
基板、２０２はＩＴＯからなる第１層、２０７はＭｏ−
Ｔａ合金からなる第２層、２０４はＡｌからなる第３
層、２０５はＭｏからなる第４層、２０６はフォトレジ
ストである。
【００２６】本実施例は、参考例１で示した電極構成に
対して、第２層としてＭｏ−Ｔａ合金を用いた点で異な
る。
対して、第２層としてＭｏ−Ｔａ合金を用いた点で異な
る。
【００２７】製造工程を説明する。
【００２８】先ず、ガラス基板２０１上に実施例１と同
様にＩＴＯ２０２のパターン（第１層）を形成した（図
２（ａ））後、ＩＴＯ層上に順次、第２層２０７として
のＭｏ−Ｔａ合金（Ｍｏ：Ｔａ＝９０：１０（ｗｔ
％））の薄膜（膜厚５００Å）、第３層２０４としての
Ａｌ薄膜（膜厚３０００Å）、第４層２０５としてのＭ
ｏ薄膜（膜厚５００Å）をスパッタ法により成膜した。
様にＩＴＯ２０２のパターン（第１層）を形成した（図
２（ａ））後、ＩＴＯ層上に順次、第２層２０７として
のＭｏ−Ｔａ合金（Ｍｏ：Ｔａ＝９０：１０（ｗｔ
％））の薄膜（膜厚５００Å）、第３層２０４としての
Ａｌ薄膜（膜厚３０００Å）、第４層２０５としてのＭ
ｏ薄膜（膜厚５００Å）をスパッタ法により成膜した。
【００２９】以下、参考例１と同様にフォトレジスト２
０６を塗布し（図２（ｂ））、更に同様のプロセスで表
示電極を形成した（図２（ｃ）、（ｄ））。
０６を塗布し（図２（ｂ））、更に同様のプロセスで表
示電極を形成した（図２（ｃ）、（ｄ））。
【００３０】Ｍｏ−Ｔａ合金のエッチング速度は図４に
示した通りであり、Ｔａの含有率によってコントロール
することが可能である。本実施例では、Ａｌのエッチン
グ速度よりＭｏ−Ｔａ合金のエッチング速度を遅くする
ため、Ｔａの含有率が１０ｗｔ％のＭｏ−Ｔａ合金を用
いた。この結果各層のエッチング速度が Ｍｏ−Ｔａ（第２層）＜Ａｌ（第３層）＜Ｍｏ（第４
層） という関係になっているので、図２（ｅ）に示すよう
に、上層が小さく下層が大きいピラミッド型の断面形状
を有する理想的な電極パターンを形成することができ
た。
示した通りであり、Ｔａの含有率によってコントロール
することが可能である。本実施例では、Ａｌのエッチン
グ速度よりＭｏ−Ｔａ合金のエッチング速度を遅くする
ため、Ｔａの含有率が１０ｗｔ％のＭｏ−Ｔａ合金を用
いた。この結果各層のエッチング速度が Ｍｏ−Ｔａ（第２層）＜Ａｌ（第３層）＜Ｍｏ（第４
層） という関係になっているので、図２（ｅ）に示すよう
に、上層が小さく下層が大きいピラミッド型の断面形状
を有する理想的な電極パターンを形成することができ
た。
【００３１】以上のようにして作製した表示電極を有す
る２枚の基板にそれぞれ配向処理を施し、前記基板２枚
を貼り合わせ、強誘電性液晶ＣＳ−１０１４（チッソ
（株）製）を封入して液晶表示素子を作製したところ、
電極近傍に液晶の配向欠陥の生じない良好な表示が可能
な表示素子とすることができた。
る２枚の基板にそれぞれ配向処理を施し、前記基板２枚
を貼り合わせ、強誘電性液晶ＣＳ−１０１４（チッソ
（株）製）を封入して液晶表示素子を作製したところ、
電極近傍に液晶の配向欠陥の生じない良好な表示が可能
な表示素子とすることができた。
【００３２】（実施例２） 図３は本実施例において作製した表示電極の断面形状を
示す図である。
示す図である。
【００３３】図３において、３０２はＩＴＯからなる第
１層、３０７はＭｏ−Ｔａ合金からなる第２層、３０４
はＡｌからなる第３層、３０５はＭｏからなる第４層で
ある。
１層、３０７はＭｏ−Ｔａ合金からなる第２層、３０４
はＡｌからなる第３層、３０５はＭｏからなる第４層で
ある。
【００３４】Ｍｏ−Ｔａ合金のＴａ含有率が７．５ｗｔ
％のものを用いた以外は、実施例１と同様のプロセスに
よって表示電極を形成した。
％のものを用いた以外は、実施例１と同様のプロセスに
よって表示電極を形成した。
【００３５】本実施例においては、第２層としてのＭｏ
−Ｔａ膜３０７のエッチング速度と、第３層としてのＡ
ｌ膜３０４のエッチング速度がほぼ同じであるため、表
示電極の断面形状はピラミッド型の形状にならず、図３
に示した形状になった。
−Ｔａ膜３０７のエッチング速度と、第３層としてのＡ
ｌ膜３０４のエッチング速度がほぼ同じであるため、表
示電極の断面形状はピラミッド型の形状にならず、図３
に示した形状になった。
【００３６】このような断面形状の表示電極において
も、液晶素子としたときに液晶の配向欠陥がない、良好
な表示が可能であった。
も、液晶素子としたときに液晶の配向欠陥がない、良好
な表示が可能であった。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表示電極を、ＩＴＯからなる第１層と、Ｍｏ合金からな
る第２層と、Ａｌ又はＡｌ合金からなる第３層と、Ｍｏ
又はＭｏ合金からなる第４層から構成することにより、
製造プロセス、特にフォトレジスト剥離工程を複雑化す
ることなく、電極近傍に液晶配向欠陥を生じない電極パ
ターンを得ることができ、表示の良好な液晶素子を得る
ことができる。
表示電極を、ＩＴＯからなる第１層と、Ｍｏ合金からな
る第２層と、Ａｌ又はＡｌ合金からなる第３層と、Ｍｏ
又はＭｏ合金からなる第４層から構成することにより、
製造プロセス、特にフォトレジスト剥離工程を複雑化す
ることなく、電極近傍に液晶配向欠陥を生じない電極パ
ターンを得ることができ、表示の良好な液晶素子を得る
ことができる。
【図１】参考例にかかる電極配線の製造工程を示す工程
図である。
図である。
【図２】本発明の第１の実施例にかかる電極配線の製造
工程を示す工程図である。
工程を示す工程図である。
【図３】本発明の第２の実施例にかかる電極配線の断面
形状を示す図である。
形状を示す図である。
【図４】Ｍｏ−Ｔａ合金中のＴａ含有率とエッチング速
度との関係を示す図である。
度との関係を示す図である。
１０１、２０１ ガラス基板 １０２、２０２、３０２ ＩＴＯからなる第１層 １０３ Ｍｏからなる第２層 １０４、２０４、３０４ Ａｌからなる第３層 １０５、２０５、３０５ Ｍｏからなる第４層 １０６、２０６ フォトレジスト ２０７、３０７ Ｍｏ−Ｔａ合金からなる第２層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−132833（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−260631（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1345
Claims (4)
- 【請求項１】 （ａ）透明基板上に透明導電膜からなる
第１層を形成する第１工程、 （ｂ）前記第１層をパターニングすることからなる第２
工程、 （ｃ）前記パターニングされた透明導電膜を有する透明
基板上に、順次、Ｍｏ−Ｔａ合金又はＭｏ―Ｔｉ合金か
らなり、該Ｔａ又はＴｉの含有率を３０ｗｔ％以下とし
た第２層と、Ａｌ又はＡｌ合金からなる第３層と、Ｍｏ
又はＭｏ合金からなる第４層を積層し、該第２層、該第
３層及び該第４層のエッチング速度をそれぞれｔ2、ｔ3
及びｔ4とした時、ｔ2＜ｔ3＜ｔ4の関係を満たす様に設
定した第３工程、 （ｄ）前記積層された積層膜上にフォトレジスト膜を設
け、該フォトレジスト膜にパターン露光し、アルカリ現
像液によって現像しフォトレジストパターンを形成する
第４工程、 （ｅ）前記フォトレジストパターンを介して前記第２
層、第３層及び第４層からなる積層体をエッチングする
第５工程、及び （ｆ）前記フォトレジストパターンを剥離する第６工程 を有する液晶素子の製造法。 - 【請求項２】 前記第２層及び第４層の層厚がそれぞれ
５０Å〜２０００Åの範囲である請求項１に記載の液晶
素子の製造法。 - 【請求項３】 前記液晶素子が強誘電性液晶である請求
項１に記載の液晶素子の製造法。 - 【請求項４】 前記Ｍｏ−Ｔａ合金又はＭｏ―Ｔｉ合金
のＴａ又はＴｉの含有率を５〜１５ｗｔ％とした請求項
１に記載の液晶素子の製造法。
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| US5342477A (en) * | 1993-07-14 | 1994-08-30 | Micron Display Technology, Inc. | Low resistance electrodes useful in flat panel displays |
| GB2283123B (en) * | 1993-10-23 | 1997-10-22 | Samsung Display Devices Co Ltd | A method of forming an electrode for a liquid crystal display |
| US5566011A (en) * | 1994-12-08 | 1996-10-15 | Luncent Technologies Inc. | Antiflector black matrix having successively a chromium oxide layer, a molybdenum layer and a second chromium oxide layer |
| US5751391A (en) * | 1995-04-27 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with elongated projection height smaller than liquid crystal thickness and process for producing same |
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| US5670062A (en) * | 1996-06-07 | 1997-09-23 | Lucent Technologies Inc. | Method for producing tapered lines |
| JP2985124B2 (ja) * | 1997-06-12 | 1999-11-29 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| KR100660811B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-12-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치용 배선 형성방법 |
| JP3617458B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2005-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置用基板、液晶装置及び電子機器 |
| JP4943589B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2012-05-30 | ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー | 液晶表示装置の製造方法 |
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| KR100883769B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2009-02-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| JP4093147B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2008-06-04 | 三菱電機株式会社 | エッチング液及びエッチング方法 |
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Family Cites Families (33)
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|---|---|---|---|---|
| JPS57161882A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Hitachi Ltd | Display body panel |
| US4763995A (en) * | 1983-04-28 | 1988-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Spacers with alignment effect and substrates having a weak alignment effect |
| JPS60188925A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
| JPS60220316A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-05 | Canon Inc | 液晶光学素子 |
| US4979805A (en) * | 1984-07-23 | 1990-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device containing optically active azo or azoxy benzene type mesomorphic compound with extended life |
| JPS61147232A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-04 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS61260222A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US4775225A (en) * | 1985-05-16 | 1988-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having pillar spacers with small base periphery width in direction perpendicular to orientation treatment |
| JPS6259922A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
| JPH0685032B2 (ja) * | 1985-10-17 | 1994-10-26 | キヤノン株式会社 | カイラルスメクティック液晶素子 |
| DE3688700T2 (de) * | 1985-12-18 | 1993-11-11 | Canon Kk | Flüssigkristallvorrichtung. |
| US4709934A (en) * | 1985-12-18 | 1987-12-01 | Kabushiki Kaisha Showa Seisakusho | Vehicle leveling system |
| JP2654940B2 (ja) * | 1985-12-24 | 1997-09-17 | キヤノン株式会社 | 電気光学素子の製造方法 |
| US4682758A (en) * | 1986-03-05 | 1987-07-28 | Keystone International, Inc. | Disk/stem connection apparatus for butterfly valve |
| JPS62284334A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-10 | Canon Inc | 液晶装置 |
| US4773738A (en) * | 1986-08-27 | 1988-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device using ferroelectric liquid crystal and AC and DC driving voltages |
| US4853296A (en) * | 1986-10-22 | 1989-08-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Electrode plate for color display device |
| US4859036A (en) * | 1987-05-15 | 1989-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Device plate having conductive films selected to prevent pin-holes |
| JPS63289533A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶ディスプレイ装置 |
| US5000545A (en) * | 1987-05-28 | 1991-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with metal electrode partially overlying transparent electrode |
| DE3867949D1 (de) * | 1987-07-28 | 1992-03-05 | Canon Kk | Optisch aktive verbindung und sie enthaltende fluessigkristalline zusammensetzung. |
| JP2660551B2 (ja) * | 1987-07-28 | 1997-10-08 | キヤノン株式会社 | 光学活性化合物及びそれを含む液晶組成物、液晶素子 |
| JP2770944B2 (ja) * | 1987-08-19 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| US5005953A (en) * | 1987-10-06 | 1991-04-09 | Canon Kabushiki Kaisha | High contrast liquid crystal element |
| JP2566807B2 (ja) * | 1987-11-11 | 1996-12-25 | キヤノン株式会社 | 光学活性物質、その製造方法およびそれを含む液晶組成物 |
| JP2610467B2 (ja) * | 1987-11-12 | 1997-05-14 | キヤノン株式会社 | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 |
| JPH01179915A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-18 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US5034151A (en) * | 1988-03-28 | 1991-07-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound, ferroelectric liquid crystal composition containing same and ferroelectric liquid crystal device |
| EP0722111A1 (en) * | 1988-06-23 | 1996-07-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| DE3841843C1 (ja) * | 1988-12-13 | 1990-02-15 | Th. Goldschmidt Ag, 4300 Essen, De | |
| JP2801269B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1998-09-21 | キヤノン株式会社 | 化合物およびこれを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 |
| JP2763339B2 (ja) * | 1989-07-31 | 1998-06-11 | キヤノン株式会社 | 液晶組成物およびこれを使用した液晶素子 |
| JP2673460B2 (ja) * | 1990-02-26 | 1997-11-05 | キヤノン株式会社 | 液晶表示素子 |
-
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