JPS614233A - 透明導電膜のエツチング方法 - Google Patents
透明導電膜のエツチング方法Info
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- JPS614233A JPS614233A JP12455184A JP12455184A JPS614233A JP S614233 A JPS614233 A JP S614233A JP 12455184 A JP12455184 A JP 12455184A JP 12455184 A JP12455184 A JP 12455184A JP S614233 A JPS614233 A JP S614233A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/30604—Chemical etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は表示素子や撮像素子ζ二相いられる透明導電膜
のエツチング方法に関する。
のエツチング方法に関する。
液晶表示素子や撮像素子に用いられる透明導電膜は、酸
化インジウム或は酸化錫を少量添加した酸化インジウム
である場合が多い。この種の透明導電膜のエツチング方
法としては、塩酸或は硝酸添加の塩酸によるウェットエ
ツチングや、四塩化炭素ガス等を用いたガスプラズマに
よるドライエツチングの手法が知られている。
化インジウム或は酸化錫を少量添加した酸化インジウム
である場合が多い。この種の透明導電膜のエツチング方
法としては、塩酸或は硝酸添加の塩酸によるウェットエ
ツチングや、四塩化炭素ガス等を用いたガスプラズマに
よるドライエツチングの手法が知られている。
しかしながら、これらの手法によりエツチングされた透
明導電膜の端面は、傾斜が急になる。第２図は従来技術
でエツチングされた透明導電膜の断面形状を示す図であ
る。即ち同図（、）は塩酸によるウェットエツチングを
、用いた場合の断面形状、同図（ｂ）はプラスマド２イ
エツチングを用いた場合の断面形状を表わしている。な
お同図５＝おいて、（１）は基板、（２）は透明導電膜
である。
明導電膜の端面は、傾斜が急になる。第２図は従来技術
でエツチングされた透明導電膜の断面形状を示す図であ
る。即ち同図（、）は塩酸によるウェットエツチングを
、用いた場合の断面形状、同図（ｂ）はプラスマド２イ
エツチングを用いた場合の断面形状を表わしている。な
お同図５＝おいて、（１）は基板、（２）は透明導電膜
である。
このように基板部上でパターニングされた透明導電膜上
υ上に、第８図に示すように薄膜（Ｌ邊を形成した場合
、段差部のカバレージθ騰は一般的によくなく、段差部
と平坦部の膜質が異なったポーラスな膜になることが多
い。また第４図に示すように、薄膜（１邊上に配線層Ｉ
を形成した場合、段差部で配線層側と透明導電膜上υと
の短絡時や配線層（１４）の断線θｅが発生することが
ある。これらの問題の発生は１バターニングされた透明
導電膜の端面の傾斜が急であることに起因し、従来これ
を防ぐ有効な手法がなかった。
υ上に、第８図に示すように薄膜（Ｌ邊を形成した場合
、段差部のカバレージθ騰は一般的によくなく、段差部
と平坦部の膜質が異なったポーラスな膜になることが多
い。また第４図に示すように、薄膜（１邊上に配線層Ｉ
を形成した場合、段差部で配線層側と透明導電膜上υと
の短絡時や配線層（１４）の断線θｅが発生することが
ある。これらの問題の発生は１バターニングされた透明
導電膜の端面の傾斜が急であることに起因し、従来これ
を防ぐ有効な手法がなかった。
本発明はこのような従来の欠点を解決するためになされ
たもので、表示素子等の電極形成に有効でパターニング
された透明導電膜の端面になだらかな傾斜をもたせるこ
との可能な透明導電膜のエツチング方法の提供を目的と
する。
たもので、表示素子等の電極形成に有効でパターニング
された透明導電膜の端面になだらかな傾斜をもたせるこ
との可能な透明導電膜のエツチング方法の提供を目的と
する。
以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
まず第１図（１１）に示すように、基板（イ）上にイン
ジウム酸化物を主成分とする透明導電膜（２１）例えば
５重量％の酸化錫を含む酸化インジウムを１５ｏｏｉ、
スパッタリングにより形成する。次に第１図（ｂ）に示
すように、透明導電膜（２刀上にモリブデンを主成分と
する金属薄膜（２乃例えばモリブデンを５ｏｏｎ 、ス
パッタリングにより形成する。続いて第１図（ｃ）に示
すように、金属薄膜（２擾上にポジ形フォトレジスト（
至）として東京応化ＱＦ’ＰＲ−８００を塗布した後、
第１図（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィーによ
り所定のレジストパターンを形成する。そしてポストベ
ーク後、硝酸を含む塩酸例えば濃度６１チの硝酸と濃度
３６チの塩酸と純水とをそれぞれ１：９：１０の割合で
混合してできたエツチング液中に、基板−を浸す。する
と最初に金属＊ ＃（２榎がエツチング液中の硝酸と反
応し、硝酸はモリブデンに対し等方性エッチャントであ
るので、金属薄膜り擾は第１図（ｅ）に示すようにエツ
チングされる。それから透明導電膜（２１）も、エツチ
ング液中の硝酸や塩酸と反応して等方的にエツチングさ
れるようになる。なおこのエツチング液によれば、金属
薄膜（２）のエツチング速度は、透明導電膜０１）のエ
ツチング速度よりも大きくなる。従って金属薄膜ｃ２擾
の横方向Ｑ荀のエツチング速度は、透明導電膜（２ｊ）
の横方向（財）と下方向（ハ）のエツチング速度に比べ
て大きい。これは透明導電膜（２旬のマスク開口部が、
時間とともに大きくなることを意味している。そして透
明導Ｎ膜（２ηの（ホ）の部分のエツチングされた深さ
は、同の部分のエツチングされた深さに比べ、エツチン
グ液に触れた時間の差の分だけ小さい。それで結局、透
明導電膜（２１）は端面の傾斜が徐々になだらかになる
ようにエツチングされていく。こうしてエツチング液中
に基板−を５分間浸すことにより、第１図（ｆ）に示す
ように不所望の透明導電ＭＡＱ１）及び霊鳥薄膜（２乃
はエツチングされる。最後に第１図（ｇ）に示すように
、残ったレジスト（ハ）を剥離する。こうしてパターニ
ングされた透明導電膜（２１）を観察した結果、透明導
電膜上）の端面の基本法線（至）に対する角度（イ）、
即ち斜度は７０変で充分になだらかであった。
ジウム酸化物を主成分とする透明導電膜（２１）例えば
５重量％の酸化錫を含む酸化インジウムを１５ｏｏｉ、
スパッタリングにより形成する。次に第１図（ｂ）に示
すように、透明導電膜（２刀上にモリブデンを主成分と
する金属薄膜（２乃例えばモリブデンを５ｏｏｎ 、ス
パッタリングにより形成する。続いて第１図（ｃ）に示
すように、金属薄膜（２擾上にポジ形フォトレジスト（
至）として東京応化ＱＦ’ＰＲ−８００を塗布した後、
第１図（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィーによ
り所定のレジストパターンを形成する。そしてポストベ
ーク後、硝酸を含む塩酸例えば濃度６１チの硝酸と濃度
３６チの塩酸と純水とをそれぞれ１：９：１０の割合で
混合してできたエツチング液中に、基板−を浸す。する
と最初に金属＊ ＃（２榎がエツチング液中の硝酸と反
応し、硝酸はモリブデンに対し等方性エッチャントであ
るので、金属薄膜り擾は第１図（ｅ）に示すようにエツ
チングされる。それから透明導電膜（２１）も、エツチ
ング液中の硝酸や塩酸と反応して等方的にエツチングさ
れるようになる。なおこのエツチング液によれば、金属
薄膜（２）のエツチング速度は、透明導電膜０１）のエ
ツチング速度よりも大きくなる。従って金属薄膜ｃ２擾
の横方向Ｑ荀のエツチング速度は、透明導電膜（２ｊ）
の横方向（財）と下方向（ハ）のエツチング速度に比べ
て大きい。これは透明導電膜（２旬のマスク開口部が、
時間とともに大きくなることを意味している。そして透
明導Ｎ膜（２ηの（ホ）の部分のエツチングされた深さ
は、同の部分のエツチングされた深さに比べ、エツチン
グ液に触れた時間の差の分だけ小さい。それで結局、透
明導電膜（２１）は端面の傾斜が徐々になだらかになる
ようにエツチングされていく。こうしてエツチング液中
に基板−を５分間浸すことにより、第１図（ｆ）に示す
ように不所望の透明導電ＭＡＱ１）及び霊鳥薄膜（２乃
はエツチングされる。最後に第１図（ｇ）に示すように
、残ったレジスト（ハ）を剥離する。こうしてパターニ
ングされた透明導電膜（２１）を観察した結果、透明導
電膜上）の端面の基本法線（至）に対する角度（イ）、
即ち斜度は７０変で充分になだらかであった。
なお残っている戴ｋ１４薄膜０４が不必要な場合には、
希硝酸に浸したりケミカルドライエツチングを行なった
りして容易に除去できる。
希硝酸に浸したりケミカルドライエツチングを行なった
りして容易に除去できる。
パターニングされた透明導電膜の端面の斜度は、透明導
電膜の膜厚と釜属薄膜の膜厚との比、即ち透明導電膜の
膜厚を監属薄膜の膜厚で割った値である膜厚比に依存す
る。例えば透明導電膜と金属−薄膜の膜厚をそれぞれ島
ｏｏＡ 、 １ｏｏｏＡとして膜厚比が１．５であると
き、斜度は８０度となる。また透明導電膜と誠属薄ｊ１
見の膜厚をそれぞれ１５ｏｏＡ、 １５ｏＡとして膜厚
比１０であるとき、斜度は（２）度となろうそして実用
的な膜厚比は０．１から１０ｔでの間でちる。
電膜の膜厚と釜属薄膜の膜厚との比、即ち透明導電膜の
膜厚を監属薄膜の膜厚で割った値である膜厚比に依存す
る。例えば透明導電膜と金属−薄膜の膜厚をそれぞれ島
ｏｏＡ 、 １ｏｏｏＡとして膜厚比が１．５であると
き、斜度は８０度となる。また透明導電膜と誠属薄ｊ１
見の膜厚をそれぞれ１５ｏｏＡ、 １５ｏＡとして膜厚
比１０であるとき、斜度は（２）度となろうそして実用
的な膜厚比は０．１から１０ｔでの間でちる。
更にエツチング液として使われる塩酸中の硝酸の成分比
も、パターニングされた透明導電膜の端面の形状に大き
な影響を与える。即ち硝酸の成分比が高いｔｌど斜度が
大きくなるが、最適な範囲は１％から２０チまでである
。
も、パターニングされた透明導電膜の端面の形状に大き
な影響を与える。即ち硝酸の成分比が高いｔｌど斜度が
大きくなるが、最適な範囲は１％から２０チまでである
。
なお透明導電膜は、酸化インジウムが主体である限り、
酸化錫の重量％はこの実施例とＷ、なってもよく、或は
酸化インジウムそのものでもよい。
酸化錫の重量％はこの実施例とＷ、なってもよく、或は
酸化インジウムそのものでもよい。
また金属薄膜は、シリコンを含んだモリブデンシリサイ
ド等でもよい。そしてエツチングの際のレジストとして
は、有機フォトレジストのほか、クロム等の金属薄膜や
ＣＶＤＳｉＯ２等の無機絶縁薄膜でもよい、、マたパタ
ーニングは、フォトレジストを用いたリソグラフィーに
限らず、印刷（−よるパターニング或はクロムや５ｉ０
２等のマスク被着でもよい。
ド等でもよい。そしてエツチングの際のレジストとして
は、有機フォトレジストのほか、クロム等の金属薄膜や
ＣＶＤＳｉＯ２等の無機絶縁薄膜でもよい、、マたパタ
ーニングは、フォトレジストを用いたリソグラフィーに
限らず、印刷（−よるパターニング或はクロムや５ｉ０
２等のマスク被着でもよい。
以上説明したように本発明の透明導電膜のエツチング方
法は、透明導電膜上にモリブデンを主成分とする金属薄
膜を積層した後にバターニング及４ ５”′グな行
なう０１・パターニングされた透明導電膜の端面は傾斜
がゆるやかになり、表示素子等の電極形成に用いると有
効である。
法は、透明導電膜上にモリブデンを主成分とする金属薄
膜を積層した後にバターニング及４ ５”′グな行
なう０１・パターニングされた透明導電膜の端面は傾斜
がゆるやかになり、表示素子等の電極形成に用いると有
効である。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
の方法でエツチングした透明導電膜のエツチング形状を
示す断面図、第３図と第４図は従来の方法でエツチング
した透明導電膜上に他の薄膜を形成した場合に生じる問
題点を説明するための断面図である。 （２１）・・・透明導電膜 （２２・・・金属薄膜 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第１０
図 （ＤＬ）（ｆ）） ＬＣ） ・ ＜ｃｂ ＜９＞ 第２図 （α） （ｆ、＞ 第３図 第４図
の方法でエツチングした透明導電膜のエツチング形状を
示す断面図、第３図と第４図は従来の方法でエツチング
した透明導電膜上に他の薄膜を形成した場合に生じる問
題点を説明するための断面図である。 （２１）・・・透明導電膜 （２２・・・金属薄膜 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第１０
図 （ＤＬ）（ｆ）） ＬＣ） ・ ＜ｃｂ ＜９＞ 第２図 （α） （ｆ、＞ 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）インジウム酸化物を主成分とする透明導電膜上に
モリブデンを主成分とする金属薄膜を形成する工程と、
前記金属薄膜上に所定のレジストパターンを形成する工
程と、硝酸を含む塩酸で前記透明導電膜及び前記金属薄
膜をエッチングする工程とを備えたことを特徴とする透
明導電膜のエッチング方法。 - （２）前記透明導電膜の膜厚を前記金属薄膜の膜厚で割
つた値が０．１から１０までの間にあることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の透明導電膜のエッチング
方法。 - （３）前記塩酸中の硝酸の成分比が１％から２０％まで
の間にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の透明導電膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12455184A JPS614233A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12455184A JPS614233A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614233A true JPS614233A (ja) | 1986-01-10 |
| JPH0434815B2 JPH0434815B2 (ja) | 1992-06-09 |
Family
ID=14888275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12455184A Granted JPS614233A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614233A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660381A1 (en) * | 1993-12-21 | 1995-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a transparent conductor pattern and a liquid crystal display device |
| JPH0941158A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-10 | Asahi Denka Kogyo Kk | 酸化物エッチング製品の製造方法および装置 |
| US6329300B1 (en) | 1999-07-29 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Method for manufacturing conductive pattern layer by two-step wet etching process |
| KR100513051B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법_ |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12455184A patent/JPS614233A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660381A1 (en) * | 1993-12-21 | 1995-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a transparent conductor pattern and a liquid crystal display device |
| JPH0941158A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-10 | Asahi Denka Kogyo Kk | 酸化物エッチング製品の製造方法および装置 |
| KR100513051B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법_ |
| US6329300B1 (en) | 1999-07-29 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Method for manufacturing conductive pattern layer by two-step wet etching process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0434815B2 (ja) | 1992-06-09 |
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