JPH07176525A - 低抵抗配線の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】加熱による異常突起の発生がない低抵抗配線
を、少ない工程数で低コストに形成することができる低
抵抗配線の形成方法を提供する。 【構成】Ａl またはＡl 系合金からなる金属膜１２をパ
ターニングする際の金属膜１２のエッチングを、一般に
用いられているエッチング液よりも硝酸の濃度を高くし
たエッチング液（燐酸と硝酸と酢酸と水を、燐酸１６，
硝酸２〜８，酢酸２，水１の容量比で混合させたエッチ
ング液）によって行ない、配線１２ａの形成と同時にそ
の側面に、加熱による異常突起の発生を抑制するのに十
分な厚さに酸化層１２ｂを生成させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム（以下、
Ａl と記す）またはアルミニウム系合金（以下、Ａl 系
合金と記す）からなる低抵抗の配線を形成する方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を
能動素子とするアクティブマトリックス液晶素子に用い
られる薄膜トランジスタパネル（以下、ＴＦＴパネルと
記す）は、ガラス等からなる基板上に、画素電極とその
能動素子である薄膜トランジスタとをマトリックス状に
配列形成するとともに、前記薄膜トランジスタにゲート
信号およびデータ信号を供給するゲート配線およびデー
タ配線を設けた構成となっている。

【０００３】このＴＦＴパネルにおける薄膜トランジス
タは、一般に逆スタガー構造とされており、基板上に形
成したゲート電極と、このゲート電極を覆うゲート絶縁
膜と、このゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極と対向さ
せて形成されたｉ型半導体膜と、このｉ型半導体膜の両
側部の上にｎ型半導体膜を介して形成されたソース電極
およびドレイン電極とからなっている。

【０００４】なお、前記ゲート絶縁膜はＳi Ｎ（窒化シ
リコン）で形成されており、ｉ型半導体膜はａ−Ｓi
（アモルファスシリコン）で形成され、ｎ型半導体膜は
不純物をドープしたａ−Ｓi で形成されている。

【０００５】また、上記薄膜トランジスタにゲート信号
を供給するゲート配線は、上記基板上に設けられてお
り、薄膜トランジスタのゲート電極は前記ゲート配線に
一体に形成されている。

【０００６】なお、上記薄膜トランジスタのゲート絶縁
膜は、基板のほぼ全面にわたって設けられており、画素
電極は前記ゲート絶縁膜の上に形成され、その一端部に
おいて薄膜トランジスタのソース電極に接続されてい
る。

【０００７】また、上記薄膜トランジスタにデータ信号
を供給するデータ配線は、前記薄膜トランジスタを覆っ
て形成したＳi Ｎからなる層間絶縁膜の上に形成されて
おり、この層間絶縁膜に設けたコンタクト孔において薄
膜トランジスタのドレイン電極に接続されている。

【０００８】ところで、上記ＴＦＴパネルにおいては、
ゲート配線およびデータ配線の抵抗を小さくするため
に、これら配線を、低抵抗金属であるＡl 、または前記
Ａl にＴa （タンタル），Ｔi （チタン），Ｃu
（銅），Ｓi （シリコン），Ｃr （クロム）等の高融点
金属を含有させたＡl 系合金で形成している。

【０００９】なお、上記ゲート配線とデータ配線とのう
ち、基板上に設けられるデータ配線は、基板面との間の
段差を小さくするためにできるだけ薄く形成されてお
り、層間絶縁膜上に設けられるデータ配線は、配線抵抗
をより小さくするためにある程度厚く形成されている。

【００１０】上記データ配線およびデータ配線はそれぞ
れ、その配線を形成する面の上（データ配線においては
基板上、データ配線においては層間絶縁膜の上）にＡl
またはＡl 系合金からなる金属膜をスパッタ装置または
蒸着装置により成膜し、この金属膜をフォトリソグラフ
ィ法により所定の配線形状にパターニングする方法で形
成されており、またデータ配線も同様な方法で形成され
ている。

【００１１】前記フォトリソグラフィ法は周知のよう
に、金属膜の上に所定の配線形状にエッチングマスクを
形成して前記金属膜をエッチングする方法であり、前記
エッチングマスクは一般に、金属膜の上に感光性レジス
トを塗布し、このレジストを露光・現像処理して所定の
配線形状にパターニングした後、前記レジストを、金属
膜との密着性が十分なマスクが得られる焼成温度で焼成
する方法で形成されている。

【００１２】また、上記金属膜のエッチングは通常ウエ
ットエッチングによって行なわれおり、Ａl またはＡl
系合金からなる金属膜のエッチングには、一般に、燐酸
と硝酸と酢酸と水とを、燐酸１６，硝酸１，酢酸２，水
１の容量比で混合したエッチング液が用いられている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、Ａl またはＡ
l 系合金からなる配線は、その抵抗は低いが、その反
面、数百℃に加熱すると配線の表面に、ヒロックやホイ
スカ等と呼ばれる異常突起が発生するという問題をもっ
ている。

【００１４】この異常突起の発生は、特に、上述したＴ
ＦＴパネルにおけるゲート配線において問題とされてい
る。

【００１５】すなわち、上記ＴＦＴパネルの製造におい
て、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜、ｉ型半導体膜、
ｎ型半導体膜および層間絶縁膜は、いずれもプラズマＣ
ＶＤ装置により成膜されており、Ｓi Ｎ膜からなるゲー
ト絶縁膜および層間絶縁膜は、十分な絶縁耐圧を得るた
めに２５０〜３５０℃の成膜温度（基板温度）で成膜さ
れ、またａ−Ｓi からなるｉ型半導体膜およびｎ型半導
体膜は、良好な半導体特性を得るために約２５０℃の成
膜温度で成膜されている。

【００１６】そして、上記ゲート配線はＴＦＴパネルの
製造工程の最初に基板上に形成されるため、このゲート
配線が、上記絶縁膜および半導体膜の成膜時にその成膜
温度に加熱され、その表面に異常突起の発生が発生す
る。

【００１７】図６は、ガラスからなる基板１の上に従来
の方法によってＡl またはＡl 系合金からなるゲート配
線２を形成し、その上にＳi Ｎからなるゲート絶縁膜３
を２５０〜３５０℃の成膜温度で成膜したときの前記配
線２の異常突起発生状況を示しており、異常突起Ｐのほ
とんどは、図のように配線の側面と上面との間のエッジ
部に発生している。

【００１８】なお、上記異常突起Ｐの発生は、加熱によ
って金属膜に生ずる内部応力の緩和現象、つまり、金属
膜に生じた内部応力が金属膜の弱い部分に集中してその
部分の表面が盛り上がる現象によると考えられており、
したがって異常突起Ｐは、主に配線２のエッジ部に発生
する。

【００１９】そして、配線２に異常突起Ｐが発生する
と、その上に成膜された絶縁膜３が前記異常突起Ｐによ
って突き破られて、この絶縁膜３に図６に二点鎖線で示
したようなクラックやピンホール等の欠陥Ｋが発生し、
上述した薄膜トランジスタのゲート電極とソース，ドレ
イン電極との間や、ゲート配線とデータ配線との間に短
絡が発生する。

【００２０】そこで、従来は、上記異常突起の発生を防
止するために、(1) 配線を、Ｔa ，Ｃu ，Ｓi 等の高融
点金属の含有量を多くした異常突起が発生しにくいＡl
系合金で形成する、(2) 配線を、Ａl またはＡl 系合金
からなる低抵抗金属膜の表面にＴa ，Ｃu ，Ｓi 等の高
融点金属膜を積層した二層構造する。

【００２１】(3) 配線表面を陽極酸化処理して異常突起
の発生を抑制する、等の対策を講じているが、上記 (1)
のように配線を高融点金属の含有量を多くしたＡl 系合
金で形成したのでは、配線の抵抗が高くなってしまう
し、また (2)や(3)のように配線を二層構造としたり、
配線を陽極酸化処理するのでは、配線の形成工程数が多
くなってコスト高となってしまう。

【００２２】本発明は、加熱による異常突起の発生がな
い低抵抗配線を、少ない工程数で低コストに形成するこ
とができる低抵抗配線の形成方法を提供することを目的
としたものである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明の低抵抗配線の形
成方法は、配線を形成する面の上にＡl またはＡl 系合
金からなる金属膜を成膜する工程と、前記金属膜の上に
感光性レジストを塗布し、このレジストを露光・現像処
理して所定の配線形状にエッチングマスクを形成する工
程と、前記金属膜を、少なくとも燐酸と硝酸を含みかつ
前記燐酸と硝酸の容量比が燐酸１６に対し硝酸２〜８で
あるエッチング液を用いてエッチングする工程と、から
なることを特徴とするものである。

【００２４】なお、前記エッチング液としては、例え
ば、燐酸と硝酸と酢酸と水との混合液であり、その容量
比が、燐酸１６，硝酸２〜８，酢酸２，水１であるもの
を使用する。

【００２５】また、前記エッチングマスクの形成におい
て、前記レジストは、前記金属膜との密着性が十分なマ
スクが得られる焼成温度で焼成するか、あるいは前記焼
成温度より若干低い温度で焼成する。

【００２６】

【作用】すなわち、本発明は、Ａl またはＡl 系合金か
らなる金属膜をフォトリソグラフィ法により所定の配線
形状にパターニングする際の前記金属膜のエッチング
を、一般に用いられているエッチング液（燐酸と硝酸の
容量比が燐酸１６に対して硝酸１であるエッチング液）
よりも硝酸の濃度を高くしたエッチング液によって行な
うものであり、このように、硝酸の濃度を高くしたエッ
チング液で前記金属膜をエッチングすると、この金属膜
がエッチングされながらその面を硝酸により酸化され、
形成された配線が、その側面を加熱による異常突起の発
生を抑制するのに十分な厚さに酸化された構造となる。

【００２７】そして、Ａl またはＡl 系合金からなる配
線を加熱したときに発生する異常突起は、［発明が解決
しようとする課題］の項で説明したように、そのほとん
どが配線の側面と上面との間のエッジ部に生じるが、配
線の側面が十分な厚さに酸化されていれば、この配線側
面の酸化層によって前記エッジ部への異常突起の発生が
抑制される。

【００２８】したがって、本発明によれば、配線を低抵
抗金属であるＡl または高融点金属の含有量が少ないＡ
l 系合金で形成しても、この配線に加熱による異常突起
が発生することはないし、また、配線の側面の酸化層を
金属膜のエッチング時に形成することができるため、従
来のように配線を低抵抗金属膜の表面に高融点金属膜を
積層した二層構造としたり、配線表面を陽極酸化処理し
たりするのに比べて、配線を少ない工程数で低コストに
形成することができる。

【００２９】また、本発明において、上記金属膜の上に
エッチングマスクを形成する際、露光・現像処理して所
定の配線形状にパターニングしたレジストを、前記金属
膜との密着性が十分なマスクが得られる焼成温度より若
干低い温度で焼成すると、金属膜のエッチング時に上述
したエッチング液がエッチングマスクの側縁部と金属膜
との間にも浸入し、前記金属膜がその上面側からもエッ
チングされるため、形成された配線の側面が、上方に向
かって配線中央方向に傾斜するテーパー面となり、した
がって、配線の側面と上面とのなす角度が大きくなって
配線のエッジ部が緩やかになる。そして、配線のエッジ
部に発生する異常突起は、前記エッジ部が緩やかである
ほど発生しにくくなる。

【００３０】したがって、エッチングマスクを形成する
際に前記レジストを上記のような温度で焼成すれば、よ
り異常突起が発生しにくい配線を形成することができ
る。

【００３１】

【実施例】以下、本発明をＴＦＴパネルの製造における
ゲート配線の形成に適用した実施例を図面を参照して説
明する。

【００３２】［第１の実施例］図１は本発明の第１の実
施例による配線の形成方法を示す各工程での金属膜の断
面図であり、前記配線は次のような工程で形成する。

【００３３】まず、図１の（ａ）に示すように、配線を
形成する面、つまりガラス等からなる基板１１上に、Ａ
l 、または前記Ａl にＴa ，Ｔi ，Ｃu ，Ｓi ，Ｃr 等
の高融点金属を微少量（数重量％程度）含有させたＡl
系合金からなる金属膜を１２を、スパッタ装置または蒸
着装置により所定の膜厚に成膜する。

【００３４】次に、図１の（ｂ）に示すように、上記金
属膜１２の上に、所定の配線形状にエッチングマスク１
３を形成する。このエッチングマスク１３は、金属膜１
２の上に感光性レジストを塗布してプレベークにより乾
燥し、このレジストを露光・現像処理して所定の配線形
状にパターニングした後、前記レジストを、金属膜１２
との密着性が十分なマスクが得られる焼成温度で焼成
（ポストベーク）する方法で形成する。

【００３５】次に、図１の（ｃ）に示すように、上記金
属膜１２をエッチングし、この金属膜１２を上記エッチ
ングマスク１３と同形状にパターニングして、前記金属
膜１２からなる配線１２ａを形成する。この金属膜１２
のエッチングは、少なくとも燐酸と硝酸を含みかつ前記
燐酸と硝酸の容量比が燐酸１６に対し硝酸２〜８である
エッチング液によって行なう。

【００３６】このエッチング液としては、例えば、燐酸
と硝酸と酢酸と水との混合液であり、その容量比が、燐
酸１６，硝酸２〜８，酢酸２，水１であるものを使用す
る。このエッチング液は、一般に用いられているエッチ
ング液、つまり［従来の技術］の項に記載したような、
燐酸と硝酸と酢酸と水とを、燐酸１６，硝酸１，酢酸
２，水１の容量比で混合したエッチング液よりも硝酸の
濃度が高いエッチング液である。

【００３７】このように、硝酸の濃度を高くしたエッチ
ング液で金属膜１２をエッチングすると、この金属膜１
２がエッチングされながらその面を硝酸により酸化さ
れ、形成された配線１２ａが、その側面を加熱による異
常突起の発生を抑制するのに十分な厚さに酸化された構
造となる。

【００３８】すなわち、Ａl またはＡl 系合金からなる
金属膜を、一般に用いられているエッチング液（燐酸と
硝酸の容量比が燐酸１６に対して硝酸１であるエッチン
グ液）でエッチングした場合は、金属膜のエッチング面
が硝酸により酸化されながら燐酸により溶解されてゆく
が、このエッチング液では、硝酸によって酸化された層
が燐酸によって溶解されてしまうため、形成された配線
の側面には、通常の不動態層程度の酸化層しか残らな
い。この通常の不動態層の厚さは１〜２ｎｍ程度であ
る。

【００３９】これに対して、前記Ａl またはＡl 系合金
からなる金属膜を、硝酸濃度を高くしたエッチング液で
エッチングすると、金属膜のエッチング面が硝酸によっ
てより深く酸化されるため、形成された配線の側面に、
１０ｎｍ程度の厚さの酸化層が残る。

【００４０】上記のように金属膜１２をパターニングし
て配線１２ａを形成した後は、図１の（ｄ）に示すよう
に上記エッチングマスク１３を剥離し、配線１２ａの形
成を終了する。

【００４１】図２は上記のような工程で形成された配線
１２ａの拡大断面図であり、この配線１２ａの両側面に
はその全高さにわたって、加熱による異常突起の発生を
抑制するのに十分な厚さの酸化層１２ｂが生成してい
る。

【００４２】なお、この酸化層１２ｂは、Ａl またはＡ
l 系合金の低級酸化物からなる層であり、上記金属膜１
２のエッチングに用いるエッチング液の硝酸濃度を高く
するほどより厚く生成するが、エッチング液の硝酸濃度
を上げすぎると、レジストからなるエッチングマスク１
３の溶解等により配線１２ａのパターニング精度が悪く
なる。

【００４３】このため、上記実施例では、金属膜１２の
エッチングを、一般に用いられているエッチング液の２
〜８倍の硝酸濃度、つまり、燐酸１６に対して硝酸２〜
８の硝酸濃度のエッチング液を用いて行なっており、こ
の硝酸濃度のエッチング液により前記金属膜１２をエッ
チングすれば、形成された配線１２ａの側面に十分な厚
さの酸化層１２ｂを生成させ、しかも配線１２ａのパタ
ーニング精度も良くすることができる。

【００４４】すなわち、上記配線の形成方法は、Ａl ま
たはＡl 系合金からなる金属膜１２をフォトリソグラフ
ィ法により所定の配線形状にパターニングする際の前記
金属膜１２のエッチングを、一般に用いられているエッ
チング液よりも硝酸の濃度を高くしたエッチング液によ
って行なうものであり、この方法によれば、配線１２ａ
の形成と同時に、この配線１２ａの側面に加熱による異
常突起の発生を抑制するのに十分な厚さの酸化層１２ｂ
を生成させることができる。

【００４５】そして、Ａl またはＡl 系合金からなる配
線を加熱したとき、つまりプラズマＣＶＤ装置による絶
縁膜の成膜時等にその成膜温度に配線が加熱されること
によって発生する異常突起は、［発明が解決しようとす
る課題］の項で説明したように、そのほとんどが配線の
側面と上面との間のエッジ部に生じるが、上記のように
配線１２ａの側面が十分な厚さに酸化されていれば、こ
の配線側面の酸化層１２ｂによって前記エッジ部への異
常突起の発生が抑制される。

【００４６】したがって、上記方法で配線１２ａを形成
すれば、配線１２ａを低抵抗金属であるＡl または高融
点金属の含有量が少ないＡl 系合金で形成しても、この
配線１２ａに加熱による異常突起が発生することはない
し、また、配線１２ａの側面の酸化層１２ｂを金属膜１
２のエッチング時に形成することができるため、従来の
ように配線を低抵抗金属膜の表面に高融点金属膜を積層
した二層構造としたり、配線表面を陽極酸化処理したり
するのに比べて、配線１２ａを少ない工程数で低コスト
に形成することができる。

【００４７】なお、上記実施例では、エッチングマスク
１３の形成に際して、レジストを金属膜１２との密着性
が十分なマスクが得られる焼成温度で焼成したが、この
レジストを金属膜１２との密着性が十分なマスクが得ら
れる焼成温度より若干低い温度で焼成すれば、異常突起
が発生しにくい配線を形成することができる。

【００４８】［第２の実施例］図３は本発明の第２の実
施例による配線の形成方法を示す各工程での金属膜の断
面図であり、前記配線は次のような工程で形成する。

【００４９】まず、図３の（ａ）に示すように、ゲート
配線を形成する面、つまりガラス等からなる基板１１上
に、Ａl 、または前記Ａl にＴa ，Ｔi ，Ｃu ，Ｓi ，
Ｃr等の高融点金属を微少量（数重量％程度）含有させ
たＡl 系合金からなる金属膜を１２を、スパッタ装置ま
たは蒸着装置により所定の膜厚に成膜する。

【００５０】次に、図３の（ｂ）に示すように、上記金
属膜１２の上に、所定の配線形状にエッチングマスク１
３を形成する。このエッチングマスク１３は、金属膜１
２の上に感光性レジストを塗布してプレベークにより乾
燥し、このレジストを露光・現像処理して所定の配線形
状にパターニングした後、前記レジストを、金属膜１２
との密着性が十分なマスクが得られる焼成温度より若干
（数〜十数℃程度）低次に、図３の（ｃ）に示すよう
に、上記金属膜１２をエッチングし、この金属膜１２を
上記エッチングマスク１３と同形状にパターニングし
て、前記金属膜１２からなる配線１２ａを形成する。こ
の金属膜１２のエッチングは、少なくとも燐酸と硝酸を
含みかつ前記燐酸と硝酸の容量比が燐酸１６に対し硝酸
２〜８であるエッチング液によって行なう。

【００５１】なお、このエッチング液としては、上述し
た第１の実施例と同様に、例えば、燐酸と硝酸と酢酸と
水との混合液であり、その容量比が、燐酸１６，硝酸２
〜８，酢酸２，水１であるものを使用する。

【００５２】このように、硝酸の濃度を高くしたエッチ
ング液で金属膜１２をエッチングすると、この金属膜１
２がエッチングされながらその面を硝酸により酸化さ
れ、形成された配線１２ａが、その側面を加熱による異
常突起の発生を抑制するのに十分な厚さに酸化された構
造となる。

【００５３】また、この実施例では、金属膜１２の上に
エッチングマスク１３を形成する際に、露光・現像処理
して所定の配線形状にパターニングしたレジストを、金
属膜１２との密着性が十分なマスクが得られる焼成温度
より若干低い温度で焼成するしているため、金属膜１２
のエッチング時に上述したエッチング液がエッチングマ
スク１３の側縁部と金属膜１２との間にも浸入して、金
属膜１２がその上面側からもエッチングされ、形成され
た配線１２ａの側面が、上方に向かって配線中央方向に
傾斜するテーパー面となる。

【００５４】上記のように金属膜１２をパターニングし
て配線１２ａを形成した後は、図３の（ｄ）に示すよう
に上記エッチングマスク１３を剥離し、配線１２ａの形
成を終了する。

【００５５】図４は上記のような工程で形成された配線
１２ａの拡大断面図であり、この配線１２ａの両側面
は、上方に向かって配線中央方向に傾斜するテーパー面
となっている。このため、この配線１２ａは、その側面
と上面とのなす角度が大きい、エッジ部が緩やかな断面
形状をもっている。

【００５６】そして、配線のエッジ部に発生する異常突
起は、前記エッジ部が緩やかであるほど発生しにくいた
め、上記のように配線１２ａのエッジ部を緩やかにして
やれば、異常突起の発生を抑制することができる。

【００５７】この異常突起は、配線１２ａの側面のテー
パー角（基板１１面に対する角度）θを小さくするほ
ど、つまり配線１２ａのエッジ部を緩やかにするほど発
生しにくくなり、例えば前記テーパー角θを４５°以下
にすれば、仮に配線１２ａの側面（テーパー面）が酸化
されていなくても、加熱温度が２５０℃程度以下であれ
ば異常突起は生じない。

【００５８】ただし、前記テーパー角θを小さくしすぎ
ると、配線１２ａの断面形状が山形に近くなってその両
側部の膜厚がかなり薄くなり、配線を良好なパターンに
形成できなくなるため、前記テーパー角θは、１０〜５
０°の範囲、望ましくは１５〜４５°の範囲にするが好
ましい。

【００５９】そして、この実施例の方法で形成された配
線１２ａは、そのエッジ部が緩やかな、異常突起が発生
しにくい断面形状をもっているだけでなく、図４に示し
たように、両側のテーパー面にそれぞれ加熱による異常
突起の発生を抑制するのに十分な厚さの酸化層１２ｂが
生成しているため、ゲート絶縁膜および層間絶縁膜等の
成膜温度（２５０〜３５０℃）や、ｉ型半導体膜および
ｎ型半導体膜の成膜温度（約２５０℃）に加熱されたと
きの異常突起の発生をより確実に防ぐことができる。

【００６０】なお、上記配線１２ａの側面のテーパー角
θは、エッチングマスク１３を形成する際のレジストの
焼成温度と、上記エッチング液の硝酸濃度とによって決
まり、レジストの焼成温度が一定であれば、エッチング
液の硝酸濃度を上げるほどテーパー角θが小さくなる。

【００６１】図５は、レジストの焼成温度を一定にした
ときのエッチング液の硝酸濃度と配線側面のテーパー角
θとの関係を示しており、エッチング液の硝酸濃度（燐
酸１６に対する硝酸の容量比）が２〜８であれば、配線
側面のテーパー角θが１０〜５０°になり、エッチング
液の硝酸濃度が２・５〜６であれば、配線側面のテーパ
ー角θが１５〜４５°になる。

【００６２】すなわち、この実施例は、金属膜１２の上
にエッチングマスク１３を形成する際に、レジストを金
属膜１２との密着性が十分なマスクが得られる焼成温度
より若干低い温度で焼成することにより、金属膜１２の
エッチング時にエッチング液をエッチングマスク１３の
側縁部と金属膜１２との間にも浸入させて、金属膜１２
をその上面側からもエッチングすることにより、エッジ
部が緩やかな断面形状をもつ配線１２ａを形成するよう
にしたものであり、この実施例によれば、異常突起が発
生しにくい配線を形成することができる。

【００６３】

【発明の効果】本発明は、Ａl またはＡl 系合金からな
る金属膜をフォトリソグラフィ法により所定の配線形状
にパターニングする際の前記金属膜のエッチングを、一
般に用いられているエッチング液よりも硝酸の濃度を高
くしたエッチング液によって行なうことにより、側面を
加熱による異常突起の発生を抑制するのに十分な厚さに
酸化した配線を形成するものであるから、配線を低抵抗
金属であるＡl または高融点金属の含有量が少ないＡl
系合金で形成しても、この配線に加熱による異常突起が
発生することはないし、また、配線の側面の酸化層を金
属膜のエッチング時に形成することができるため、従来
のように配線を低抵抗金属膜の表面に高融点金属膜を積
層した二層構造としたり、配線表面を陽極酸化処理した
りするのに比べて、配線を少ない工程数で低コストに形
成することができる。

【００６４】また、本発明において、上記金属膜の上に
エッチングマスクを形成する際、露光・現像処理して所
定の配線形状にパターニングしたレジストを、前記金属
膜との密着性が十分なマスクが得られる焼成温度より若
干低い温度で焼成すると、金属膜のエッチング時に上述
したエッチング液がエッチングマスクの側縁部と金属膜
との間にも浸入し、前記金属膜がその上面側からもエッ
チングされるため、形成された配線の側面が、上方に向
かって配線中央方向に傾斜するテーパー面となり、した
がって、配線の側面と上面とのなす角度が大きくなって
配線のエッジ部が緩やかになるため、より異常突起が発
生しにくい配線を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による低抵抗配線の形成
方法を示す各工程での金属膜の断面図。

【図２】第１の実施例によって形成された配線の拡大断
面図。

【図３】本発明の第２の実施例による低抵抗配線の形成
方法を示す各工程での金属膜の断面図。

【図４】第２の実施例によって形成された配線の拡大断
面図。

【図５】第２の実施例におけるエッチング液の硝酸濃度
と配線側面のテーパー角との関係を示す図。

【図６】従来の方法によって形成した低抵抗配線の上に
絶縁膜を成膜したときの異常突起発生状況を示す断面
図。

【符号の説明】

１１…基板 １２…金属膜（Ａl またはＡl 系合金） １２ａ…配線 １２ｂ…酸化層 １３…エッチングマスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/306 21/3213 21/3205 29/786 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｍ Ｅ // Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｎ 9056−4Ｍ 29/78 ３１１ Ａ 9056−4Ｍ ３１１ Ｇ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アルミニウムまたはアルミニウム系合金か
   らなる低抵抗の配線を形成する方法であって、 配線を形成する面の上にアルミニウムまたはアルミニウ
   ム系合金からなる金属膜を成膜する工程と、 前記金属膜の上に感光性レジストを塗布し、このレジス
   トを露光・現像処理して所定の配線形状にエッチングマ
   スクを形成する工程と、 前記金属膜を、少なくとも燐酸と硝酸を含みかつ前記燐
   酸と硝酸の容量比が燐酸１６に対し硝酸２〜８であるエ
   ッチング液を用いてエッチングする工程と、からなるこ
   とを特徴とする低抵抗配線の形成方法。
2. 【請求項２】エッチング液は、燐酸と硝酸と酢酸と水と
   の混合液であり、その容量比が、燐酸１６，硝酸２〜
   ８，酢酸２，水１であることを特徴とする請求項１に記
   載の低抵抗配線の形成方法。
3. 【請求項３】レジストは、金属膜との密着性が十分なマ
   スクが得られる焼成温度で焼成されることを特徴とする
   請求項１または請求項２に記載の低抵抗配線の形成方
   法。
4. 【請求項４】レジストは、金属膜との密着性が十分なマ
   スクが得られる焼成温度より若干低い温度で焼成される
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の低抵
   抗配線の形成方法。