JP2004294804A - 表示装置の製造方法、液晶表示装置並びに金属膜のパターニング方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる表示装置の製造方法は、基板上に透明導電膜1を形成するステップと、透明導電膜1の上に透明導電膜と電気的に接続されたAl膜2を形成するステップと、金属膜の上にレジスト3を塗布するステップと、レジストを露光、現像することにより、厚い部分3a及び薄い部分3bを有するようパターニングするステップと、レジスト3をアッシングして、レジスト3の薄い部分3bに対応するAl膜2を露出させるステップと、Al膜2をエッチングするステップとを有する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置の製造方法及び液晶表示装置に関し、さらに詳しくは配線等の金属膜のパターニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置では、薄膜トランジスタ(TFT)を駆動するために信号線、データ線が必要であるが、近年のパネルの大型化、高精細化、高開口率化の要求が強くなってきているため、配線に低抵抗材料を使用する必要が出て来た。また、従来の透過型液晶表示装置よりも薄型化、低消費電力化が可能な全反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置への要求も強く、その反射膜には反射特性の優れた材料を使用する必要がある。
【0003】
その中でもAlやAl合金は低抵抗で反射特性に優れており、かつ安価な材料として一般的に使用されている。また加工性も非常に優れている。しかし、一方で酸及びアルカリの両方の薬液に腐食しやすい金属でもあるため、以下のような問題があった。
【0004】
AlやAl合金を用いた場合の問題点について図10を用いて説明する。図10は液晶表示装置に用いられるTFTアレイ基板の断面図である。1は透明導電膜、2はAl膜、3はレジスト、4は現像液、5は透明導電膜の還元腐食部、10はAl膜の膜欠損である。
【0005】
AlやAl合金からなるAl膜2をITOやIZO等の透明導電膜1を電気的に接触させた状態で、Al膜がレジスト3の現像液4にさらされるとAl膜2中のアルミニウムが現像液4に溶け出し、電気的に接触している透明導電膜1を還元腐食させるという問題がある。具体的にはAl膜の下層(直下でなくてもよい)にITOやIZO等の透明導電膜が存在し、かつそれらが電気的に接触した構造をしている場合、Al膜のパターン形成時にAlが現像液に溶け出し、それが原因で下層のITOやIZOが還元腐食され、抵抗が劣化したり、歩留りが低下するといった問題があった。Al膜の膜欠損10がある箇所では、透明導電膜1が現像液4に晒されるため、この問題が顕著に表れ、透明導電膜の還元腐食部5が発生していた。
【0006】
また、図11に示す様に透明導電膜1とAl膜2の間に有機膜8のパターンを設けた構成としても、同様にAl膜の膜欠損10がある箇所ではITOが還元腐食されてしまっていた。さらに、有機膜8の上にAl膜の膜欠損10があった場合、有機膜8とAl膜2の界面にレジスト現像液4が入り込んでしまうため、有機膜8へのダメージを完全に防止できなかった。したがって、有機膜8にレジスト現像液による腐食部分11が発生するという問題があった。なお、Al膜2と透明導電膜1の間に窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁膜を設けても有機膜8と同様の問題があった。
【0007】
このような透明導電膜1の還元腐食を防ぐために、図12に示すようにAl膜の上層を高融点金属膜7で覆い、Al膜2が現像液に溶け出ないようにするものが開示されている(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3)。高融点金属膜7にはCrやMoまたはそれらを主成分とする合金を用いることができる。このような構成とすることにより、透明導電膜1であるITOやIZOの還元腐食を防止することができる。また、CrやMo以外のTi、Ta、W、Zrまたはそれらを主成分とする合金でも同様の効果を得ることができる。
【0008】
しかし、Al膜2の上層に前記のような高融点金属膜7を設けると、その部分の成膜工程、加工工程が増加し、歩留り低下やコストアップを招いてしまっていた。特に反射型や半透過型の液晶表示装置の反射率を向上するために、上層の高融点金属層を除去して、AlやAl合金を反射膜の最上層にする必要がある。つまり、透明導電膜の還元腐食防止のためだけに、Al膜の上層にCr等の高融点金属膜をわざわざ設けて、その後全面除去していた。これにより、製造工程の増加のみならず、上層の高融点金属層除去によりAl膜の反射特性の低下を招いていた。
【0009】
【特許文献1】
特開平4−293021号公報(図2)
【特許文献2】
特開平7−86302号公報(図2)
【特許文献3】
特開平7−30118号公報(図1)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の液晶表示装置ではレジストの現像中に、透明電極が還元腐食されるのを防ぐために製造工程が複雑になるという問題点があった。
【0011】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、簡易な工程により、高歩留りを実現する表示装置の製造方法、液晶表示装置並びに下地の透明導電膜の腐食還元を防止することができる金属膜のパターニング方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる表示装置の製造方法は基板上に透明導電膜(例えば、本実施の形態における透明導電膜1)を形成するステップと、前記透明導電膜の上に前記透明導電膜と電気的に接続された金属膜(例えば、本実施の形態におけるAl膜2)を形成するステップと、前記金属膜の上にレジスト(例えば、本実施の形態におけるレジスト3)を塗布するステップと、前記レジストを露光、現像することにより、厚い部分(例えば、本実施の形態におけるレジストの厚い部分3a)及び薄い部分(例えば、本実施の形態におけるレジストの薄い部分3b)を有するようパターニングするステップと、前記レジストをアッシングして、前記レジストの薄い部分に対応する前記金属膜を露出させるステップと、前記金属膜をエッチングするステップとを有するものである。これにより、簡易な工程で、高歩留りの表示装置を製造することができる。
【0013】
上述の表示装置の製造方法において、前記レジストをパターニングするステップでは厚い部分と薄い部分で露光量を変えるように露光することが可能である。
【0014】
上述の製造方法において、前記金属膜をエッチングするステップの後に、前記レジストを除去するようにアッシングする工程をさらに備え、前記金属膜をエッチングするステップではドライエッチングによりエッチングすることが望ましい。これにより、生産性を向上することができる。
【0015】
上述の製造方法の好適な実施例は前記金属膜がアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるものである。これにより、反射効率の高い半透過型又は反射型の液晶表示装置を簡易な工程で歩留り良く製造することができる。
【0016】
上述の製造方法の好適な実施例は、前記金属膜が異なる金属からなる積層膜であり、前記金属膜の最上層がアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなり、前記金属膜の最下層が高融点金属からなるものである。
【0017】
上述の製造方法において前記透明導電膜の上に有機膜又は絶縁膜を形成するステップをさらに備えていても良い。このような構成の液晶表示装置においては、パターニング時の有機膜又は絶縁膜に対するダメージを防ぐことができる。
上述の製造方法の好適な実施例は前記透明導電膜及び前記金属膜が画素電極であるものである。
【0018】
本発明にかかる液晶表示装置は液晶層を挟んで互いに対向して配置された一対の基板を備える液晶表示装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板上に設けられた透明導電膜(例えば、本実施の形態における透明導電膜1)と、前記透明導電膜の上に前記透明導電膜と電気的に接続された金属膜(例えば、本実施の形態におけるAl膜2)を備え、前記金属膜のパターニングにおいて、前記金属膜の上に塗布されたレジストが当該金属膜を覆うように露光、現像され、前記レジストをアッシングすることにより前記金属膜の一部が露出され、当該露出した部分の金属膜がエッチングされたものである。これにより、簡易な工程で、高歩留りの表示装置を製造することができる。
上述の液晶表示装置の好適な実施例は前記透明導電膜及び前記金属膜が画素電極であり、前記金属膜が反射電極であるものである。
【0019】
本発明にかかる金属膜のパターニング方法は透明導電膜を形成するステップと、前記透明導電膜の上に前記透明導電膜と電気的に接続された金属膜を形成するステップと、前記金属膜の上にレジストを塗布するステップと、前記レジストを露光、現像することにより、厚い部分と薄い部分を有するようパターニングするステップと、前記レジストをアッシングして、前記薄い部分のレジストを除去するステップと、前記金属膜をエッチングするステップとを有するものである。これにより、下地の透明導電膜の腐食還元を防止することが出来る。
【0020】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態1.
本実施の形態にかかる液晶表示装置の製造方法について図1を用いて説明する。図1は本実施の形態にかかる液晶表示装置の製造方法を示すTFTアレイ基板の断面図である。この製造プロセスでは、6回の写真工程により半透過型a−SiのTFTアレイを製造している。図1ではゲート端子部、ソース端子部、ゲート電極とソース電極のクロス部、TFT部、反射部(補助容量電極)、透過部の断面を示している。21は第1の金属薄膜、22は第1の絶縁膜、23は半導体能動膜、24はオーミックコンタクト膜、25はソース電極、26はドレイン電極、27は第2の絶縁膜、28は有機膜、29は透明導電膜、30は第3の金属膜である。
本実施の形態にかかる液晶表示装置ではまず、ガラス基板等の基板上にスパッタリングなどの方法で第1の金属薄膜21を成膜する。第1の金属薄膜21としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金などあるいはこれらの積層からなる100nmから500nm程度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例では、200nmの膜厚のクロムが用いられる。そして、第1のフォトリソグラフィープロセス(写真工程)で第1の金属薄膜21をゲート電極およびゲート配線、補助容量電極および補助容量配線をパターニングする。これにより図1(a)に示す構成となる。
【0021】
つぎに、プラズマCVDにより第1の絶縁膜22、半導体能動膜23、オーミックコンタクト膜24を連続で成膜する。好ましい実施例では、300nmのSiN膜を成膜した後、100nmのSiN膜を成膜することにより、第1の絶縁膜22を形成する。半導体能動膜23としてはアモルファスシリコン(a−Si)膜、ポリシリコン(p−Si)膜が用いられる。好適な実施例では、半導体能動膜23として150nmのi−a−Si膜を成膜する。オーミックコンタクト膜24としては、a−Siにリン(P)を微量にドーピングしたn−a−Si膜、n−p−Si膜が用いられる。オーミックコンタクト膜24の膜厚は、20nmから70nm程度とすることができる。好適な実施例では、オーミックコンタクト膜24として30nmのn−a−Si膜を成膜する。そして、第2のフォトリソグラフィープロセスで半導体能動膜23およびオーミックコンタクト膜24を少なくともTFT部が形成される部分にパターニングする。半導体能動膜23およびオーミックコンタクト膜24のエッチングは、公知のガス組成(たとえば、SF6とO2の混合ガスまたはCF4とO2の混合ガス)でドライエッチングが可能である。これにより図1(b)に示す構成となる。
【0022】
次にスパッタリングなどの方法で第2の金属薄膜を成膜する。第2の金属薄膜としては、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金あるいはこれらの積層膜が用いられる。好適な実施例では、200nmの膜厚を有するクロムが成膜される。そして、第3のフォトリソグラフィープロセスでソース配線、ソース電極25及びドレイン電極26を形成するように第2の金属薄膜をパターニングする。これにより図1(c)に示す構成となる。
【0023】
次に、プラズマCVDにより第2の絶縁膜27を成膜し、その上から塗布、転写により有機膜28を形成する。好適な実施例では、第2の絶縁膜27として100nmの膜厚のSiNが用いられる。また、有機膜28は、公知の感光性有機膜であり、例えば、JSR製PC335又はPC405が用いられる。有機膜28は3.0〜4.0μm程度の膜厚、望ましくは3.2〜3.9μmの膜厚で塗布される。そして第4のフォトリソグラフィープロセスで有機膜28、第2の絶縁膜27をパターニングし、コンタクトホール等を形成する。これにより図1(d)の構成となる。
【0024】
次にスパッタリングなどの方法で透明導電膜29を成膜する。透明導電膜29としては、ITO、IZO、SnO2などを用いることができ、とくに化学的安定性の点からITOが好ましい。好適な実施例では、透明導電膜29は、80nmの膜厚を有するITOが用いられる。そして、第5のフォトリソグラフィープロセスで透明導電膜29を画素電極等の形状にパターニングする。これにより図1(e)の構成となる。
【0025】
次に、スパッタリングなどの方法で第3の金属薄膜30を成膜する。第3の金属薄膜30にはクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミニウム、銅、銀やこれらに他の物質を微量に添加した合金あるいはこれらの積層した薄膜が用いられる。第3の金属薄膜30の最上層には反射率を高くするためにAl又はAlを主成分とする合金からなるAl膜が用いられる。好適な実施例では300nmの膜厚を有するアルミニウムとCuの合金を成膜している。この第3の金属薄膜30及び透明導電膜29が液晶を駆動するための画素電極を構成する。そして、第6のフォトリソグラフィープロセスで第3の金属薄膜30を反射電極等の形状にパターニングする。これにより図1(f)の構成となる。このパターニング工程については後述する。
【0026】
この上から配向膜が塗布され、一定の方向にラビングすることによってTFTアレイ基板が製造される。このように製造されたTFTアレイ基板は対向配置されたCF基板とスペーサーを介して貼り合わされ、その間に液晶が注入される。この液晶層が狭持された液晶パネルをバックライトユニットに取り付けることにより、液晶表示装置が製造される。
【0027】
第3の金属薄膜30をパターニングする工程について図2、図3を用いて詳細に説明する。図2はTFTアレイ基板の構成を示す断面図であり、第3の金属薄膜を反射電極等の形状にパターニングするためのレジストを現像する工程の図である。図3はTFTアレイ基板の構成を示す断面図であり、反射電極をパターニングするためのレジストにアッシング処理をしている工程の図である。図2、図3は例えば、画素電極の反射部を示す図であり、その下の有機膜等は省略している。1は透明導電膜、2はAl膜、3はレジスト、3aはレジストの厚い部分、3bはレジストの薄い部分、3cはレジストの残存部分、4は現像液、6はアッシング、10はAl膜の膜欠損である。本実施の形態では第3の金属薄膜30はAl膜2の単層構成となっている。
【0028】
図2に示すように前述のパターニングされた透明導電膜1の上から第3の金属薄膜であるAl膜2が全体に成膜されている。なお、Al膜2は、Al又はAlを主成分とする合金から構成される。まずAl膜2の上からレジストを塗布する。そして、レジスト膜厚の厚い部分3aと薄い部分3bを設けるためにハーフトーン露光を用いて露光量を変えて露光し、現像している。これにより、図2に示す様に現像される。すなわち、Al膜2を除去する部分ではレジストが完全に除去可能な光量より少ない光量を照射しているため現像時にレジスト3の一部が除去され、レジストの薄い部分3bが形成される。Al膜2を除去しない部分は光が照射されていないため、現像時にレジスト3は除去されず、レジストの厚い部分3aが形成される。したがって、現像後でもレジスト3が完全に除去されている部分がないため、図2に示す様にAl膜2は完全にレジスト3で覆われている。現像時にAl膜2の表面がレジスト現像液4に晒されないので、Al膜2中のAlがレジスト現像液4に溶け出すことはなく、透明導電膜1の還元腐食を防止することができる。Al膜の膜欠損10があったとしても、その上にレジスト3が設けられているため透明導電膜1が現像液に晒されない。これにより、透明導電膜1の還元腐食を防ぐことができ、抵抗の劣化及び歩留りの低下を防止できる。さらに従来のように上層に設けた高融点金属膜を除去する必要がないので反射膜の反射特性を改善することができる。
【0029】
その後、図3に示すようにアッシング6を施すと、レジスト3が全体に膜減りする。レジストの薄い部分3bではレジスト3が完全に除去され、Al膜2が露出する。しかし、レジストの厚い部分3aでは、レジスト3の膜厚自体は薄くなるが完全には除去されないため、レジスト3が残存しAl膜2は露出しない。Al膜のウェットエッチング処理を施すことにより、Al膜2がパターニングされる。この時、レジストの残存部分3cの下に設けられているAl膜2はエッチングされず、レジスト3が除去されている部分のAl膜2のみエッチングされる。そして、レジスト3を除去するとAl膜2による反射電極が完成する。なお、Al膜2のエッチングはBCl3やCl2等の公知のガスを用いれば、ドライエッチングすることも可能であり、最後のレジスト除去もアッシングを用いることが出来る。これにより、レジストパターン形成のアッシング、Al膜2のドライエッチング及びレジスト除去のアッシングと加工するようにすれば、アッシング機構を備えたドライエッチング装置1台のドライプロセスでパターニングを行うことが可能になる。すなわち、レジスト3のアッシングはO2やCF4等の公知のガスを用いてドライプロセスにより処理可能であるため、ガスを変えることにより、ドライエッチング装置1台でパターニングすることができる。これにより、製造工程の簡略化を図ることができ、生産性を向上することができる。
【0030】
発明の実施の形態2.
本実施の形態にかかる液晶表示装置の製造方法について図4、図5を用いて説明する。図4はTFTアレイ基板の構成を示す断面図であり、反射電極をパターニングするためのレジストを現像する工程の図である。図5はTFTアレイ基板の構成を示す断面図であり、反射電極をパターニングするためのレジストにアッシング処理をしている工程の図である。図2、図3で付した符号と同一の符号は同一の構成をしめすため説明を省略する。9は高融点金属膜である。なお、本実施の形態にかかる液晶表示装置は実施の形態1と同様の工程により製造されるため、実施の形態1と同様の内容については説明を省略する。
【0031】
本実施の形態では実施の形態1で示した液晶表示装置の構成において、図4に示すようにAl膜2の下層に高融点金属膜9を設けている。つまり、第3の金属薄膜がAl膜2と高融点金属膜9の異なる金属からなる積層膜となり、最上層がAl膜2、最下層が高融点金属膜9により構成されている。この高融点金属膜9はスパッタリング等により100nmの膜厚のCrを用いている。Cr以外にもMo、Ti、Ta、W、Zr等でもよく、これらを主成分とする合金でもよい。本実施の形態ではAl膜2の下地に高融点金属膜9を設けることにより、ITOやその他の配線とAl膜2の接触抵抗を下げることが出来る。さらに、Al膜2のカバレッジを良好にし、かつAl膜2と下地との密着力を上げることができ、その上層のレジストパターンをより安定したものにすることが可能となる。
【0032】
このような構成の液晶表示装置においても、実施の形態1と同様にレジストを塗布し、ハーフトーン露光により露光する。これにより、図4に示すようにレジストが厚い部分3a及び薄い部分3bの2種類の膜厚を有するように現像される。これにより、現像中でもAl膜2の上にレジスト3が設けられているため透明導電膜1が露出せず、透明導電膜1の還元腐食を防ぐことができ、抵抗の劣化及び歩留りの低下を防止できる。そして、図5に示す様にアッシング処理が行われる。アッシング処理により、レジストの薄い部分3bはレジスト3が完全に除去されAl膜2が露出する。レジストの厚い部分3aはレジスト3の一部が除去されるが、レジスト3が残存している。
【0033】
この後、実施の形態1と同様にAl膜2のエッチングを行い、さらにその下層の高融点金属膜9のエッチングを行う。さらにレジストの除去を行うことにより、反射電極であるAl膜2及び高融点金属膜9のパターンが完成する。もちろん、実施の形態1と同様にレジストパターン形成のためのアッシング、Al膜2のドライエッチング、高融点金属層9のドライエッチング及びレジスト除去のアッシングのように加工すれば、アッシング機構を備えたドライエッチング装置1台のドライプロセスによりAl膜2と高融点金属膜9との積層膜のパターン形成をすることも可能である。なお、高融点金属9のドライエッチングにはCF4やSF6等にO2を混合した公知のガスを用いることができる。これにより、生産性を向上することができる。さらに上層に高融点金属膜を設け、除去する必要がないので反射膜の反射特性を改善することができる。これにより製造工程数の削減、歩留りの改善、反射膜の反射特性を改善することができる。
【0034】
発明の実施の形態3.
本実施の形態にかかる液晶表示装置について図6、図7を用いて説明する。図6はTFTアレイ基板の構成を示す断面図であり、反射電極をパターニングするためのレジストを現像する工程の図である。図7はTFTアレイ基板の構成を示す断面図であり、反射電極をパターニングするためのレジストにアッシング処理をしている工程の図である。図2、図3で付した符号と同一の符号は同一の構成をしめすため説明を省略する。8は有機膜である。なお、本実施の形態にかかる液晶表示装置は実施の形態1と同様の工程により製造されるため、実施の形態1と同様の内容については説明を省略する。
【0035】
本実施の形態では実施の形態1で示した構成において、図6に示すように透明導電膜1とAl膜2の間に有機膜8を設けている。この有機膜8はAl膜2を成膜する前に、パターニングされている。有機膜8は公知の感光性有機膜であり、例えば、JSR製PC335又はPC405が用いられる。有機膜8は3.0〜4.0μm程度の膜厚、望ましくは3.2〜3.9μmの膜厚で塗布される。そしてフォトリソグラフィープロセスでパターニングされる。そしてその上からAl膜2を成膜している。実施の形態1と同様にレジスト3を塗布し、ハーフトーン露光を行い、現像する。これにより、レジストの厚い部分3aと薄い部分3bが形成される。現像中でも、Al膜2がレジスト3に覆われているので、現像液4に晒されることがない。よって、透明導電膜1との還元腐食を防ぐことができる。さらに、有機膜8もレジスト3で覆われているため、有機膜8の上のAl膜に膜欠損があった場合でも有機膜8とAl膜2との界面にレジストの現像液4が入り込むことはなく、現像液4による有機膜8へのダメージを防ぐことができる。そして、図7に示すようにアッシングを行うことによって、Al膜2を露出させることができる。そして、実施の形態1と同様にAl膜2のエッチングを行う。これにより製造工程数の削減、歩留りの改善、反射膜の反射特性を改善することができる。なお、有機膜8の代わりに窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁膜を設けても同様の効果を得ることができ、絶縁膜へのダメージを防ぐことができる。
【0036】
発明の実施の形態4.
本実施の形態にかかる液晶表示装置の製造方法について図8、図9を用いて説明する。図8はTFTアレイ基板の構成を示す断面図であり、反射電極をパターニングするためのレジストを現像する工程の図である。図9はTFTアレイ基板の構成を示す断面図であり、反射電極をパターニングするためのレジストにアッシング処理をしている工程の図である。図1乃至図7で付した符号と同一の符号は同一の構成を示すため説明を省略する。なお、本実施の形態にかかる液晶表示装置は実施の形態1と同様の工程により製造されるため、実施の形態1と同様の内容については説明を省略する。
【0037】
本実施の形態では実施の形態1と同様に透明導電膜1を形成した後、有機膜8をパターニングしている。有機膜8は実施の形態1と同様の材料、膜厚で形成され、パターニングされる。そして、高融点金属膜9及びAl膜2をスパッタリング等により積層成膜する。高融点金属9は膜厚が100nmのCrが用いられる。Al膜の下地に高融点金属膜9を設けることにより、透明導電膜1やその他の配線とAl膜2の接触抵抗を低減することができる。さらにAl膜2のカバレッジを良好にし、かつAl膜2のその下地の密着力を上げ、さらにその上層のレジストパターンをより安定したものにすることが可能となる。
【0038】
さらにレジスト3を塗布し、ハーフトーン露光により、レジストの厚い部分3aと薄い部分3bを形成するよう現像している。これにより、図8に示す構成となる。Al膜2が露出することがなくなり、現像液に溶け出すのを防止することが出来る。よって、透明導電膜1の腐食還元を防ぐことができる。さらに、有機膜8へのダメージも防ぐことができる。そして、図9に示すようにアッシング行い、Al膜2及び高融点金属膜9をエッチングする。なお、有機膜8の代わりに窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁膜を設けても同様の効果を得ることができる。これにより製造工程数の削減、歩留りの改善、反射膜の反射特性を改善することができる。
【0039】
その他の実施の形態.
本発明は上述した実施の形態だけに限られず、様々な変更が可能である。上述の実施の形態において示した液晶表示装置のTFTアレイ基板の製造工程は典型的な一例であり、これ以外の製造工程を用いても良い。もちろん、膜の材質、膜厚は上述のものに限られるものではない。レジストの厚い部分と薄い部分をパターニングする工程ではハーフトーン露光により露光して現像していたが、これに限られるものではない。露光工程で露光量をレジストの厚い部分と薄い部分で変えるように、2種類のマスク等を用いてもよい。あるいはレジストの薄い部分でも完全に現像されないように、露光時間や露光量等を調整してもよい。さらに本発明はAl又はAlを主成分とする合金以外でも、酸又はアルカリの薬液に腐食しやすい銀等の金属膜のパターニングに対しても利用可能であり、液晶表示装置以外の表示装置にも利用可能である。なお、Al膜のパターニングにはネガ型、ポジ型いずれのレジストも用いることができ、レジストの代わりに感光性の有機膜を用いることができる。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、簡易な工程により、高歩留りを実現する液晶表示装置及びその製造方法並びに下地の透明導電膜の腐食還元を防止することができる金属膜のパターニング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の現像時の構成を示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置のアッシング時の構成を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態2に係る液晶表示装置の現像時の構成を示す断面図である。
【図5】本発明の実施の形態2に係る液晶表示装置のアッシング時の構成を示す断面図である。
【図6】本発明の実施の形態3に係る液晶表示装置の現像時の構成を示す断面図である。
【図7】本発明の実施の形態3に係る液晶表示装置のアッシング時の構成を示す断面図である。
【図8】本発明の実施の形態4に係る液晶表示装置の現像時の構成を示す断面図である。
【図9】本発明の実施の形態4に係る液晶表示装置のアッシング時の構成を示す断面図である。
【図10】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図11】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図12】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 透明導電膜、2 Al膜、3 レジスト、4 現像液、5 還元腐食部、
6 アッシング、7 高融点金属膜、8 有機膜、9 高融点金属膜、
10 Al膜の膜欠損、11 レジスト現像液による腐食部分
21 第1の金属膜、22 第1の絶縁膜、23 半導体能動膜
24 オーミックコンタクト膜、25 ソース電極、26 ドレイン電極
27 第2の絶縁膜、28 有機膜、29 透明導電膜 30 第3の金属膜
Claims (10)
- 基板上に透明導電膜を形成するステップと、
前記透明導電膜の上に前記透明導電膜と電気的に接続された金属膜を形成するステップと、
前記金属膜の上にレジストを塗布するステップと、
露光、現像することにより、厚い部分及び薄い部分を有するようレジストをパターニングするステップと、
前記レジストをアッシングして、前記レジストの薄い部分に対応する前記金属膜を露出させるステップと、
前記金属膜をエッチングするステップとを有する表示装置の製造方法。 - 前記レジストをパターニングするステップでは前記厚い部分と前記薄い部分で露光量を変えるように露光することを特徴する請求項1記載の表示装置の製造方法。
- 前記金属膜をエッチングするステップの後に、前記レジストを除去するようにアッシングする工程をさらに備え、
前記金属膜をエッチングするステップではドライエッチングによりエッチングすることを特徴とする請求項1又は2記載の表示装置の製造方法。 - 前記金属膜の露出面がアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる請求項1乃至3いずれかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記金属膜が異なる金属からなる積層膜であり、前記金属膜の最上層がアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなり、
前記金属膜の最下層が高融点金属からなる請求項1乃至3いずれかに記載の表示装置の製造方法。 - 前記透明導電膜の上に有機膜又は絶縁膜を形成するステップをさらに備えた請求項1乃至5いずれかに記載の液晶表示装置。
- 前記透明導電膜及び前記金属膜が画素電極であることを特徴とする請求項1乃至6いずれかに記載の液晶表示装置。
- 液晶層を挟んで互いに対向して配置された一対の基板を備える液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうちの一方の基板上に設けられた透明導電膜と、
前記透明導電膜の上に前記透明導電膜と電気的に接続された金属膜を備え、
前記金属膜のパターニングにおいて、前記金属膜の上に塗布されたレジストが当該金属膜を覆うように露光、現像され、前記レジストをアッシングすることにより前記金属膜の一部が露出され、当該露出した部分の金属膜がエッチングされた液晶表示装置。 - 前記透明導電膜及び前記金属膜が画素電極であり、
前記金属膜が反射電極であることを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置。 - 透明導電膜を形成するステップと、
前記透明導電膜の上に前記透明導電膜と電気的に接続された金属膜を形成するステップと、
前記金属膜の上にレジストを塗布するステップと、
前記レジストを露光、現像することにより、厚い部分と薄い部分を有するようパターニングするステップと、
前記レジストをアッシングして、前記薄い部分のレジストを除去するステップと、
前記金属膜をエッチングするステップとを有する金属膜のパターニング方法。
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