JP2004096115A - 半導体素子の接触部及びその製造方法並びに表示装置用薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上にゲート線、ゲート絶縁膜、非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層及びクロムの下部膜とアルミニウムまたはアルミニウム合金の上部膜を形成し、感光膜パターンの中でデータ線が形成される部分に位置した第1部分はデータ線とドレーン電極の間のチャンネル部に位置した第2部分より厚さが大きく、その他の部分の感光膜は全て除去し、その他部分に露出されている上部膜を湿式エッチングして下部膜及び非晶質シリコン層を感光膜の第2部分と共に乾式エッチング方法で除去し、上部膜の表面に残っている感光膜クズをアッシング(ashing)を通じて除去した後、チャンネル部の上部膜と下部膜及びその下部の不純物非晶質シリコン層をエッチングして除去することによって、データ線とドレーン電極を分離する。
【選択図】図1a
Description
(2)チャンネル領域(C)に位置した感光膜の第2部分54を除去、
(3)チャンネル領域(C)に位置した導電体層170及び不純物非晶質シリコン層160のそれぞれ第2部分を除去、そして
(4)配線領域(A)に位置した感光膜の第1部分52を除去。
(2)チャンネル領域(C)に位置した感光膜の第2部分54除去、
(3)その他の領域(B)に位置した不純物非晶質シリコン層160及び真性非晶質シリコン層150の各第3部分を除去、
(4)チャンネル領域(C)に位置した導電体層170の第2部分除去、
(5)配線領域(A)に位置した感光膜の第1部分52除去、そして
(6)チャンネル領域(C)に位置した不純物非晶質シリコン層160の第2部分除去。
44、50、66、68 感光膜
52 感光膜の第1部分
54 感光膜の第2部分
70 基板
72p、121p、171p、174p、175p、177p 下部膜
72q、121q、171q、174q、175q、177q 上部膜
74 絶縁膜
75 接触孔
76 IZO導電体
78 レジスト膜
92、97 接触補助部材
100、200 表示板
110 基板
121 ゲート線
123 ゲート電極
125 ゲート線の端部分
127 拡張部
131 維持電極線
140 ゲート絶縁膜
151、157、154 半導体
160 不純物非晶質シリコン層
161、165、163 抵抗性接触部材
171 データ線
173 ソース電極
174 導電体
175 ドレイン電極
177 維持蓄電器用導電体
179 データ線の端部分
180 保護膜
182、185、187、189 接触孔
186 溝または孔
190 画素電極
270 共通電極
d 接触孔内周と下部膜縁との間隔
Claims (36)
- パターン化された下部導電膜と、
前記下部導電膜上にアルミニウム系の金属により形成されており縁部が前記下部導電膜上に位置する上部導電膜と、
前記下部導電膜を露出する接触孔を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されていて前記接触孔を通じて前記下部導電膜と接触しているIZO層とを含むことを特徴とする半導体素子の接触部。 - 前記接触孔は前記下部導電膜の少なくとも一部の縁部を露出することを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の接触部。
- 前記下部導電膜の縁部は、何処にあっても、前記上部導電膜の縁部と実質的に同一な距離だけ離れていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の接触部。
- 前記下部導電膜はクロムからなることを特徴とする、請求項1に記載の半導体素子の接触部。
- 下部導電膜を積層する段階と、
前記下部導電膜上にアルミニウム系の金属からなる上部導電膜を積層する段階と、
前記上部導電膜上に感光膜を形成する段階と、
前記感光膜をエッチングマスクとして前記上部導電膜を等方性または弱異方性でエッチングし前記感光膜の下部にアンダーカットを作る段階と、
前記感光膜をエッチングマスクとして前記下部導電膜を乾式エッチングする段階と、
前記下部導電膜を露出する接触孔を有する絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜上に前記接触孔を通じて前記下部導電膜と接触するIZO層を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体素子の接触部形成方法。 - 前記接触孔は前記下部導電膜の少なくとも一部の縁部を露出することを特徴とする、請求項5に記載の半導体素子の接触部形成方法。
- 前記下部導電膜はクロムからなることを特徴とする、請求項5に記載の半導体素子の接触部形成方法。
- 絶縁基板上に形成されているゲート導電体と、
前記ゲート導電体上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層と、
少なくとも一部分が前記半導体層上部に形成されているデータ導電体と、
前記データ導電体上に形成されている保護膜と、
前記保護膜上部に形成されているIZO導電体とを含み、
前記ゲート導電体又は前記データ導電体のうちの少なくとも一方は乾式エッチングによりパターン化された下部膜と、前記下部膜上に位置しアルミニウム系の金属からなり縁部が前記下部膜上に位置する上部膜を含み、前記IZO導電体は前記下部膜と接触することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。 - 前記下部膜の縁部は前記上部膜の縁部付近に位置することを特徴とする、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記IZO導電体は前記下部膜の縁と接触することを特徴とする、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記IZO導電体は前記上部膜と接触することを特徴とする、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記下部膜の縁と前記上部膜の縁の間の距離は実質的に均一であることを特徴とする、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記下部膜はクロムからなっていることを特徴とする、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記下部膜の厚さは500Å以下であることを特徴とする、請求項13に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記データ導電体は互いに分離されているデータ線とドレーン電極を含み、
前記IZO導電体は前記ドレーン電極と接触する画素電極、前記ゲート導電体の一部分と接触するゲート接触補助部材及び前記データ線の一部分と接触するデータ接触補助部材を含むことを特徴とする、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 前記データ線と前記ドレーン電極の間の部分を除いた前記半導体層は前記データ導電体と実質的に同一な平面模様を有することを特徴とする、請求項15に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記保護膜は前記半導体層と接触することを特徴とする、請求項8に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 絶縁基板上にゲート導電体を形成する段階と、
ゲート絶縁膜を形成する段階と、
半導体層を形成する段階と、
データ線とドレーン電極を含むデータ導電体を形成する段階と、
前記半導体層を覆って前記ゲート導電体及び前記データ導電体のうちの少なくとも一つの一部を露出する接触孔を有する保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上部に前記接触孔を通じて前記ゲート導電体及び前記データ導電体のうちの少なくとも一つと連結されているIZO導電体を形成する段階とを含み、
前記ゲート導電体及び前記データ導電体のうちの少なくとも一つは乾式エッチングによりパターン化された下部膜とアルミニウム系の金属からなる上部膜を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記ゲート導電体及び前記データ導電体のうちの少なくとも一つの形成段階は、
下部導電膜と上部導電膜を順次に積層する段階と、
前記上部導電膜上に感光膜を形成する段階と、
前記上部膜を湿式エッチングする段階と、
前記下部膜を乾式エッチングする段階とを含むことを特徴とする、請求項18に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記下部膜はクロムを含むことを特徴とする、請求項19に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記下部膜の厚さは500Å以下であることを特徴とする、請求項20に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記半導体層は真性膜と不純物膜を含むことを特徴とする、請求項18に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記データ導電体と前記半導体層の形成は一つの感光膜を使用したエッチング工程によって行われ、前記感光膜は配線領域に位置し第1厚さを有する第1部分と前記データ線と前記ドレーン電極の間のチャンネル領域に位置し、前記第1厚さより薄い厚さを有する第2部分及びその他の領域に位置し前記第2部分より薄い厚さを有する第3部分を含むことを特徴とする、請求項22に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記感光膜は一つのマスクを使用して形成することを特徴とする、請求項23に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜、前記真性膜、前記不純物膜及び前記データ導電体の形成段階は、
前記配線領域に位置した第1部分、前記チャンネル領域に位置した第2部分、前記その他の領域に位置した第3部分を各々含む前記ゲート絶縁膜、真性非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層及び下部膜と上部膜を順次に積層する段階と、
前記上部膜上に感光膜を塗布する段階と、
前記感光膜を前記マスクを通じて露光する段階と、
前記感光膜を現像する段階と、
前記上部膜、前記下部膜、前記不純物非晶質シリコン層及び前記真性非晶質シリコン層の前記第3部分、そして前記感光膜、前記上部膜、前記下部膜及び前記不純物非晶質シリコン層の前記第2部分を除去して前記データ導電体、前記不純物膜及び前記真性膜を形成する段階と、
前記感光膜を除去する段階とを含むことを特徴とする、請求項24に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記データ導電体、前記不純物膜及び前記真性膜の形成段階は、
湿式エッチングを実施して前記上部膜の第3部分を除去し前記下部膜の第3部分を露出させる段階と、
乾式エッチングを実施して前記下部膜の第3部分を除去し前記不純物非晶質シリコン層の第3部分を露出させる段階と、
乾式エッチングを実施して前記不純物非晶質シリコン層及び前記真性非晶質シリコン層の第3部分と前記感光膜の前記第2部分を除去し前記上部膜の第2部分を露出して前記真性非晶質シリコン層からなる前記真性膜を完成する段階と、
前記上部膜の第2部分を除去する段階と、
前記下部膜の第2部分を除去して前記データ導電体を完成する段階と、
前記不純物非晶質シリコン層の第2部分を除去して前記不純物膜を完成する段階と、
前記感光膜の第1部分を除去する段階とを含むことを特徴とする、請求項25に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記感光膜の第1部分除去段階は前記上部膜の第2部分除去段階と前記下部膜の第2部分除去段階の間に行われることを特徴とする、請求項26に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されているゲート線と、
前記基板上に形成されているゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成されている半導体層と、
少なくとも一部は前記半導体層上部に位置するデータ線と、
少なくとも一部は前記半導体層上部に位置し前記データ線と分離されているドレーン電極と、
前記半導体層を覆っていて前記ドレーン電極を露出する第1接触孔、前記ゲート線の一部を露出する第2接触孔、前記データ線の一部を露出する第3接触孔を有する保護膜と、
前記保護膜上に形成されていて前記第1接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極と、
前記保護膜上に形成されていて前記第2接触孔を通じて前記ゲート線と連結されているゲート接触補助部材と、
前記保護膜上に形成されていて前記第3接触孔を通じて前記データ線に連結されるデータ接触補助部材とを含み、
前記データ接触補助部材は凹凸を有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。 - 前記データ線はクロム層と前記クロム層上のアルミニウム層を含むことを特徴とする、請求項28に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記データ接触補助部材はIZOを含むことを特徴とする、請求項29に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記半導体層と前記データ線及び前記ドレーン電極の間に形成されていて前記データ線及び前記ドレーン電極と実質的に同一な平面模様を有する抵抗性接触部材をさらに含み、
前記半導体層は前記データ線と前記ドレーン電極の間を除けば前記抵抗性接触部材と実質的に同一な平面模様を有することを特徴とする、請求項28に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されているゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されているゲート絶縁層と、
前記ゲート電極と対応される前記ゲート絶縁層上に形成されている半導体層と、
少なくとも一部が前記半導体層上部に位置し溝を有しているデータ線と、
少なくとも一部は前記半導体層上部に位置し、前記データ線から分離されているドレーン電極と、
前記半導体層を覆っており、前記ドレーン電極を露出する第1接触孔、前記データ線の溝を露出する第2接触孔を有する保護膜と、
前記保護膜上に形成されていて前記第1接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極と、
前記保護膜上に形成されていて前記第2接触孔を通じて前記データ線に連結されるデータ接触補助部材とを含み、
前記データ接触補助部材は前記データ線の前記溝に沿って連結されることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。 - 前記データ線はクロム層と前記クロム層上のアルミニウム層を含むことを特徴とする、請求項32に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記データ接触補助部材はIZOを含むことを特徴とする、請求項33に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記アルミニウム層が前記溝を有することを特徴とする、請求項33に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記溝は前記基板を露出することを特徴とする、請求項32に記載の薄膜トランジスタ表示板。
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