KR100750919B1 - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 60
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 57
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 16
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 9
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 21
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 14
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 11
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
먼저, 알루미늄 계열의 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막을 형성하고, 그 상부에 반도체층 및 저항 접촉층을 차례로 형성한다. 이어, 알루미늄 계열의 데이터 배선용 도전 물질 및 도전성의 버퍼층을 차례로 연속하여 적층하고 어닐링하여 적어도 버퍼층의 도전성 물질을 포함하는 인터메탈릭 컴파운드를 형성한 다음 버퍼층을 제거한다. 이어, 데이터 배선용 금속층을 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 각각 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이어, IZO를 적층하고 패터닝하여 버퍼층을 통하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 연결되는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.
알루미늄, IZO, 접촉저항, 인터메탈릭 컴파운드
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판이고,
도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 3a, 4a, 6a 및 7a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 중간 과정에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 3b는 도 3a에서 IIIb-IIIb' 선을 따라 절단한 단면도이고,
도 4b는 도 4a에서 IVb-IVb' 선을 따라 잘라 도시한 도면으로서 도 3b의 다음 단계를 도시한 단면도이고,
도 5는 4b의 다음 단계를 도시한 단면도이고,
도 6b는 도 6a에서 VIb-VIb' 선을 따라 잘라 도시한 도면으로서 도 5의 다음 단계를 도시한 단면도이고,
도 7b는 도 7a에서 VIIb-VIIb' 선을 따라 잘라 도시한 도면으로서 도 6b의 다음 단계를 도시한 단면도이고,
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 9 및 도 10은 도 8에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 IX-IX' 선 및 X-X'선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 11a는 본 발명의 제2 실시예에 따라 제조하는 첫 단계에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 11b 및 11c는 각각 도 11a에서 XIb-XIb' 선 및 XIc-XIc' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이며,
도 12a 및 12b는 각각 도 11a에서 XIb-XIb' 선 및 XIc-XIc' 선을 따라 잘라 도시한 단면도로서, 도 11b 및 도 11c 다음 단계에서의 단면도이고,
도 13a는 도 12a 및 12b 다음 단계에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 13b 및 13c는 각각 도 13a에서 XIIIb-XIIIb' 선 및 XIIIc-XIIIc' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이며,
도 14a, 15a, 16a와 도 14b, 15b, 16b는 각각 도 13a에서 XIIIb-XIIIb' 선 및 XIIIc-XIIIc' 선을 따라 잘라 도시한 단면도로서 도 13b 및 13c 다음 단계들을 공정 순서에 따라 도시한 것이고,
도 17a는 도 16a 및 16b 다음 단계에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 17b 및 17c는 각각 도 17a에서 XVIIb-XVIIb' 선 및 XVIIc-XVIIc' 선을 따 라 잘라 도시한 단면도이다.
본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 두 기판에 전극이 각각 형성되어 있고 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지고 있는 액정 표시 장치이며, 박막 트랜지스터는 두 기판 중 하나에 형성되는 것이 일반적이다.
박막 트랜지스터가 형성되어 있는 기판은 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통하여 제조하는 것이 일반적이다. 이때, 생산 비용을 줄이기 위해서는 마스크의 수를 적게 하는 것이 바람직하다.
한편, 신호 지연을 방지하기 위하여 배선은 저저항을 가지는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy) 등과 같은 저저항 물질을 사용하는 것이 일반적이다. 그러나, 액정 표시 장치에서와 같이 패드부에서 ITO(indium tin oxide)를 사 용하여 패드부의 신뢰성을 확보하는 경우 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 ITO의 접촉 특성이 좋지 않아 몰리브덴 계열 또는 크롬 등의 다른 금속을 개재하고 패드부의 알루미늄 또는 알루미늄 합금은 제거해야 하므로 제조 공정이 복잡해진다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 패드부에서 IZO(indium zinc oxide)를 사용하여 패드부의 신뢰성을 확보하는 기술이 개발되었다. 하지만, 패드부의 접촉 저항이 증가하게 되어 액정 표시 장치의 표시 특성이 저하되는 문제점이 발생한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 저저항 물질로 이루어진 신호 배선을 가지는 동시에 패드부의 신뢰성을 확보할 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 과제는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 단순화하는 것이다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 화소 전극과 연결되는 배선을 형성하기 위해 알루미늄 계열의 금속층과 버퍼층을 연속으로 적층하고 어닐링하여 금속층과 버퍼층 사이에 적어도 버퍼층의 도전 물질을 포함하는 인터메탈릭 컴파운드(intermetallic compound)를 형성하여 IZO의 화소 전극이 인터메탈릭 컴파운드를 통하여 배선과 전기적으로 연결되도록 한다.
본 발명에 따르면, 절연 기판 위에 게이트 배선용 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배 선을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막을 형성한다. 이어, 게이트 절연막 상부에 반도체층을 형성하고, 데이터 배선용 도전 물질과 버퍼층을 연속으로 적층하고 어닐링을 실시한 후 버퍼층을 제거한다. 이어 데이터 배선용 도전 물질을 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 데이터선과 연결되어 있으며 게이트 전극에 인접하는 소스 전극 및 게이트 전극에 대하여 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성하고, 보호막 상부에 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
데이터 배선 및 반도체층은 부분적으로 두께가 다른 감광막 패턴을 이용한 사진 식각 공정으로 형성할 수 있으며, 감광막 패턴은 제1 두께를 가지는 제1 부분, 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 부분, 두께를 가지지 않으며 상기 제1 및 제2 부분을 제외한 제3 부분을 포함하는 것이 바람직하다.
사진 식각 공정에서 감광막 패턴은 제1 영역, 제1 영역보다 높은 투과율을 가지는 제2 영역 및 제2 영역보다 높은 투과율을 가지는 제3 영역을 포함하는 광마스크를 이용하여 형성하는 것이 바람직하며, 사진 식각 공정에서 제1 부분은 소스 전극과 드레인 전극 사이, 제2 부분은 데이터 배선 상부에 위치하도록 형성한다.
제1 내지 제3 영역의 투과율을 다르게 조절하기 위해서 광마스크에는 반투명막 또는 노광기의 분해능보다 작은 슬릿 패턴이 형성되어 있는 바람직하며, 제1 부분의 두께는 제2 부분의 두께대하여 1/2 이하로 형성하는 것이 바람직하다.
여기서, 게이트 배선과 데이터 배선은 알루미늄 계열의 금속으로 형성하는 것이 바람직하며, 화소 전극은 IZO로 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에는, 기판 위에 가로 방향으로 뻗어 있는 주사 신호를 전달되는 게이트선과 상기 게이트선의 일부인 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선을 덮고 있는 게이트 절연막이 형성되어 있다. 게이트 절연막 위에는 반도체로 이루어진 반도체 패턴이 형성되어 있으며, 반도체 패턴 또는 게이트 절연막 위에는 세로 방향으로 뻗어 있는 데이터선, 데이터선의 분지인 박막 트랜지스터의 소스 전극, 소스 전극과 분리되어 게이트 전극을 중심으로 소스 전극과 마주하는 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있으며, 데이터 배선의 상부에는 인터메탈릭 컴파운드가 형성되어 있다. 데이터 배선 및 반도체 패턴 위에는 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지는 보호막 패턴이 형성되어 있으며, 보호막 패턴 위에는 제1 접촉 구멍에서 인터메탈릭 컴파운드를 경유하여 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다.
여기서, 게이트 배선은 게이트선에 연결되어 외부로부터 신호를 전달받는 게이트 패드를 더 포함하고, 데이터 배선은 데이터선에 연결되어 외부로부터 신호를 전달받는 데이터 패드를 더 포함하며, 보호막 패턴은 및 게이트 절연막은 게이트 패드 및 데이터 패드를 노출시키는 제2 및 제3 접촉 구멍을 가지고 있으며, 제2 및 제3 접촉 구멍을 통하여 게이트 패드 및 데이터 패드와 연결되며 화소 전극과 동일한 층에는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 더 형성되어 있다.
화소 전극은 투명한 도전성 물질인 IZO(indium tin oxide)로 이루어지는 것이 바람직하며, 게이트 배선 및 데이터 배선은 알루미늄 계열의 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 버퍼층은 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 것이 바람직하다.
반도체 패턴과 데이터 배선 사이에는 불순물로 고농도로 도핑되어 있는 저항성 접촉층 패턴을 더 형성될 수 있으며, 데이터 배선은 반도체 패턴의 상부에만 형성될 수 있다. 접촉층 패턴은 데이터 배선과 동일한 형태를 가질 수 있으며, 반도체 패턴은 채널부를 제외하면 데이터 배선과 동일한 모양을 가질 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참고로 하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판이고, 도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
절연 기판(10) 위에 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 금속 물질로 이루어진 게이트 배선이 형성되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(22), 게이트선(22)의 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 게이트 신호를 인가받아 게이트선으로 전달하는 게이트 패드(24) 및 게이트선(22)에 연결되어 있는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(26)을 포함한다.
기판(10) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)이 게이트 배선(22, 24, 26)을 덮고 있으며, 게이트 절연막(30)은 이후에 형성되는 보호막(70)과 함께 게이트 패드(24) 상부를 드러내는 접촉 구멍(74)을 가진다.
게이트 전극(24)의 게이트 절연막(30) 상부에는 비정질 규소 등의 반도체로 이루어진 반도체층(40)이 형성되어 있으며, 반도체층(40)의 상부에는 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 저항 접촉층(55, 56)이 각각 형성되어 있다.
저항 접촉층(55, 56) 및 게이트 절연막(30) 위에는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy), 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속 또는 도전체로 이루어진 데이터 배선(62, 64, 66, 68)이 형성되어 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(22)과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선(62), 데이터선(62)의 분지이며 저항 접촉층(55)의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(65), 데이터선(62)의 한쪽 끝에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가받는 데이터 패드(68), 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26)에 대하여 소스 전극(65)의 반대쪽 저항 접촉층(56) 상부에 형성되어 있는 드레인 전극(66)을 포함한다.
데이터 배선(62, 65, 66, 68)은 알루미늄 계열의 단일막으로 형성하는 것이 바람직하지만, 이중층이상으로 형성될 수도 있다. 이중층 이상으로 형성하는 경우 에는 한 층은 저항이 작은 물질로 형성하고 다른 층은 다른 물질과의 접촉 특성이 좋은 물질로 만드는 것이 바람직하다. 그 예로는 Cr/Al(또는 Al 합금) 또는 Al/Mo 등을 들 수 있으며, 본 발명의 실시예에서 데이터 배선(62, 65, 66, 68)은 Cr의 하부막(601)과 알루미늄 계열의 상부막(602)으로 형성되어 있다.
데이터 배선(62, 65, 66, 68) 상부에는 이들과 이후에 형성되는 IZO의 화소 전극(82) 또는 보조 데이터 패드(88)와 접촉 저항을 최소화하기 위한 인터메탈릭 컴파운드(90)가 형성되어 있다. 여기서, 인터메탈릭 컴파운드(90)는 서로 다른 물질로 이루어진 두 도전층간의 접촉 특성을 향상시키기 위한 것으로서 적어도 데이터 배선(62, 65, 66, 68)의 상부막(602)과 동일한 알루미늄 계열의 도전 물질을 포함하고 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 도전 물질을 포함할 수 있다.
데이터 배선(62, 65, 66, 68) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(40) 상부에는 보호막(70)이 형성되어 있다. 보호막(70)에는 드레인 전극(66) 및 데이터 패드(68) 상부의 인터메탈릭 컴파운드(90)를 각각 드러내는 접촉 구멍(76, 78)이 각각 형성되어 있으며, 게이트 절연막(30)과 함께 게이트 패드(24)를 드러내는 접촉 구멍(74)이 형성되어 있다.
보호막(70) 위에는 접촉 구멍(76)을 통하여 드레인 전극(66) 상부의 인터메탈릭 컴파운드(90)와 접촉하여 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되어 있으며 화소에 위치하는 화소 전극(82)과 접촉 구멍(74, 78)을 통하여 각각 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68) 상부의 인터메탈릭 컴파운드(90)와 연결되어 있는 보조 게이트 패드(84) 및 보조 데이터 패드(88)를 포함하며, IZO로 이루어진 화소 배선이 형성 되어 있다.
여기서, 화소 전극(82)은 도1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 게이트선(22)과 중첩되어 유지 축전기를 이루며, 유지 용량이 부족한 경우에는 게이트 배선(22, 24, 26)과 동일한 층에 유지 용량용 배선을 추가할 수도 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 구조에서는 저저항을 알루미늄 계열의 금속으로 이루어진 게이트 배선(22, 24, 26) 및 데이터 배선(62, 65, 66, 68)을 포함하고 있어 대화면 고정세의 액정 표시 장치에 적용할 수 있다. 또한, 동시에 데이터 패드(68) 및 드레인 전극(66)과 IZO로 이루어진 보조 데이터 패드(88) 및 화소 전극(82)은 각각 이들의 접촉 저항을 최소화하기 위한 인터메탈릭 컴파운드(90)를 통하여 서로 접촉되어 있어 액정 표시 장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다.
그러면, 이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 구조의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 도 1 및 도 2와 도 3a 내지 도 7b를 참고로 하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 3a 및 3b에 도시한 바와 같이, 기판(10) 위에 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 도전막을 2,500Å 정도의 두께로 적층하고 패터닝하여 게이트선(22), 게이트 전극(26) 및 게이트 패드(24)를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성한다.
다음, 도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(30), 비정질 규소로 이루어진 반도체층(40), 도핑된 비정질 규소층(50)의 삼층막을 연속하여 적층하고 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 반도체층(40)과 도핑된 비정질 규소층(50)을 패터닝하여 게이트 전극(24)과 마주하는 게이트 절연막(30) 상부에 반도체층(40)과 저항 접촉층(50)을 형성한다.
다음, 도 5에 도시한 바와 같이, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬 등으로 이루어진 하부막(601)을 300Å 정도의 두께로, 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 금속으로 이루어진 상부막(602)을 2,500Å 정도의 두께로, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬 등으로 이루어진 버퍼막(900)을 차례로 진공을 해제시키지 않고 연속하여 적층한다. 여기서, 상부막(602) 위에 버퍼막(900)을 진공 상태에서 연속하여 적층함으로써 대기중에서 알루미늄 계열의 상부막(602) 위에 형성될 수 있는 Al2O3과 같이 이후의 공정에서 접촉부의 접촉 저항을 증가시키는 원인이 되는 고저항의 잔류막이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이어, 어닐링을 실시하여 알루미늄 계열의 상부막(602)과 버퍼막(900), 즉 도전 물질로 이루어진 두 층 사이에 인터메탈릭 컴파운드(90)를 형성한다. 이때, 인터메탈릭 컴파운드(90)는 적어도 버퍼막(900)의 도전성 물질을 포함한다. 물론, 이러한 인터메탈릭 컴파운드(90)는 게이트 배선(22, 24, 26)의 상부에도 형성할 수 있다.
이어, 도 6a 및 도 6b에서 보는 바와 같이, 버퍼막(900)을 제거한 다음, 마스크를 이용한 사진 공정으로 하부막(601) 및 상부막(602)을 패터닝하여 게이트선(22)과 교차하는 데이터선(62), 데이터선(62)과 연결되어 게이트 전극(26) 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(65), 데이터선(62)은 한쪽 끝에 연결되어 있는 데이터 패드(68) 및 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26)을 중심으로 소스 전극(66)과 마주하는 드레인 전극(66)을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 여기서, 상부막(602) 및 하부막(601)은 모두 습식 식각으로 식각할 수 있으며, 상부막(602)은 습식 식각으로 식각하고 하부막(601)은 건식 식각으로 식각할 수 있다. 또한, 버퍼막(900)을 제거할 때 인터메탈릭 컴파운드(90)는 제거되지 않고 데이터 배선(62, 65, 66, 68)의 상부에 남게 된다.
이어, 데이터 배선(62, 65, 66, 68)으로 가리지 않는 도핑된 비정질 규소층 패턴(50)을 식각하여 게이트 전극(26)을 중심으로 양쪽으로 분리시키는 한편, 양쪽의 도핑된 비정질 규소층(55, 56) 사이의 반도체층 패턴(40)을 노출시킨다. 이어, 노출된 반도체층(40)의 표면을 안정화시키기 위하여 산소 플라스마를 실시하는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 7a 및 도 7b에 도시한 바와 같이, 질화 규소 또는 유기 절연막으로 이루어진 보호막(70)을 적층한 후 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 게이트 절연막(30)과 함께 건식 식각으로 패터닝하여, 게이트 패드(24), 드레인 전극(66) 및 데이터 패드(68)를 노출시키는 접촉 구멍(74, 76, 78)을 형성한다.
다음, 마지막으로 도 1 및 2에 도시한 바와 같이, IZO막을 적층하고 마스크를 이용한 패터닝을 실시하여 접촉 구멍(76)을 통하여 드레인 전극(66) 상부의 인터메탈릭 컴파운드(90)와 접하여 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(82)과 접촉 구멍(74, 78)을 통하여 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68) 상부의 인터메탈릭 컴파운드(90)와 각각 연결되는 보조 게이트 패드(86) 및 보조 데이터 패드(88)를 각각 형성한다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법에서는 데이터 배선(62, 65, 66, 68)의 상부막(602)과 버퍼막(900)을 진공 상태에서 연속으로 증착하여 알루미늄 계열의 상부막(602) 위에 고저항의 알루미늄 산화막이 형성되는 것을 방지할 수 있어 제조 공정 조건의 변화와 무관하게 균일한 제조 공정을 설계할 수 있다. 또한, IZO와 알루미늄 계열의 금속 사이의 접촉 특성을 향상시키기 위하여 인터메탈릭 컴파운드(90)를 형성하여 패드부를 포함하는 접촉부의 접촉 저항을 최소화할 수 있다.
이러한 방법은 앞에서 설명한 바와 같이, 5매의 마스크를 이용하는 제조 방법에 적용할 수 있지만, 4매 마스크를 이용하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서도 동일하게 적용할 수 있다. 이에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
먼저, 도 8 내지 도 10을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 4매 마스크를 이용하여 완성된 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 단위 화소 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고, 도 9 및 도 10은 각각 도 8에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 IIX-IIX' 선 및 IX-IX' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
먼저, 절연 기판(10) 위에 제1 실시예와 동일하게 알루미늄 계열의 금속으로 이루어진 게이트선(22), 게이트 패드(24) 및 게이트 전극(26)을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다. 그리고, 게이트 배선은 기판(10) 상부에 게이트선(22)과 평행하며 상판의 공통 전극에 입력되는 공통 전극 전압 따위의 전압을 외부로부터 인가 받는 유지 전극(28)을 포함한다. 유지 전극(28)은 후술할 화소 전극(82)과 연결된 유지 축전기용 도전체 패턴(68)과 중첩되어 화소의 전하 보존 능력을 향상시키는 유지 축전기를 이루며, 후술할 화소 전극(82)과 게이트선(22)의 중첩으로 발생하는 유지 용량이 충분할 경우 형성하지 않을 수도 있다.
게이트 배선(22, 24, 26, 28) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성되어 게이트 배선(22, 24, 26, 28)을 덮고 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon) 따위의 반도체로 이루어진 반도체 패턴(42, 48)이 형성되어 있으며, 반도체 패턴(42, 48) 위에는 인(P) 따위의 n형 불순물로 고농도로 도핑되어 있는 비정질 규소 따위로 이루어진 저항성 접촉층(ohmic contact layer) 패턴 또는 중간층 패턴(55, 56, 58)이 형성되어 있다.
저항성 접촉층 패턴(55, 56, 58) 위에는 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 도전 물질로 이루어진 데이터 배선이 형성되어 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선(62), 데이터선(62)의 한쪽 끝에 연결되어 외부로부터의 화상 신호를 인가받는 데이터 패드(68), 그리고 데이터선(62)의 분지인 박막 트랜지스터의 소스 전극(65)으로 이루어진 데이터선부를 포함하며, 또한 데이터선부(62, 68, 65)와 분리되어 있으며 게이트 전극(26) 또는 박막 트랜지스터의 채널부(C)에 대하여 소스 전극(65)의 반대쪽에 위치하는 박막 트랜지스터의 드 레인 전극(66)과 유지 전극(28) 위에 위치하고 있는 유지 축전기용 도전체 패턴(64)도 포함한다. 유지 전극(28)을 형성하지 않을 경우 유지 축전기용 도전체 패턴(64) 또한 형성하지 않는다.
데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)도 게이트 배선(22, 24, 26, 28)과 마찬가지로 단일층으로 형성될 수도 있지만, 제1 실시예와 유사하게 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 이중막으로 형성될 수도 있다.
접촉층 패턴(55, 56, 58)은 그 하부의 반도체 패턴(42, 48)과 그 상부의 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)의 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 하며, 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)과 완전히 동일한 형태를 가진다. 즉, 데이터선부 중간층 패턴(55)은 데이터선부(62, 68, 65)와 동일하고, 드레인 전극용 중간층 패턴(56)은 드레인 전극(66)과 동일하며, 유지 축전기용 중간층 패턴(58)은 유지 축전기용 도전체 패턴(64)과 동일하다.
한편, 반도체 패턴(42, 48)은 박막 트랜지스터의 채널부(C)를 제외하면 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68) 및 저항성 접촉층 패턴(55, 56, 57)과 동일한 모양을 하고 있다. 구체적으로는, 유지 축전기용 반도체 패턴(48)과 유지 축전기용 도전체 패턴(64) 및 유지 축전기용 접촉층 패턴(58)은 동일한 모양이지만, 박막 트랜지스터용 반도체 패턴(42)은 데이터 배선 및 접촉층 패턴의 나머지 부분과 약간 다르다. 즉, 박막 트랜지스터의 채널부(C)에서 데이터선부(62, 68, 65), 특히 소스 전극(65)과 드레인 전극(66)이 분리되어 있고 데이터선부 중간층(55)과 드레인 전극용 접촉층 패턴(56)도 분리되어 있으나, 박막 트랜지스터용 반도체 패턴(42)은 이 곳에서 끊어지지 않고 연결되어 박막 트랜지스터의 채널을 생성한다.
데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68) 상부에는 제1 실시예에서와 같이 인터메탈릭 컴파운드(90)가 형성되어 있다.
데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68) 위에는 보호막(70)이 형성되어 있으며, 보호막(70)은 드레인 전극(66), 데이터 패드(68) 및 유지 축전기용 도전체 패턴(64)을 드러내는 접촉구멍(76, 78, 72)을 가지고 있으며, 또한 게이트 절연막(30)과 함께 게이트 패드(24)를 드러내는 접촉 구멍(74)을 가지고 있다. 보호막(70)은 질화규소나 아크릴계 따위의 유기 절연 물질로 이루어질 수 있다.
제1 실시예와 유사하게 드레인 전극(66), 데이터 패드(68) 및 유지 축전기용 도전체 패턴(64) 상부의 인터메탈릭 컴파운드(90)는 접촉 구멍(76, 78, 72)을 통하여 드러나 있다.
보호막(70) 위에는 박막 트랜지스터로부터 화상 신호를 받아 상판의 전극과 함께 전기장을 생성하는 화소 전극(82)이 형성되어 있다. 화소 전극(82)은 IZO(indium tin oxide) 따위의 투명한 도전 물질로 만들어지며, 인터메탈릭 컴파운드(90)를 경유하여 접촉 구멍(76)을 통하여 드레인 전극(66) 전기적으로 연결되어 화상 신호를 전달받는다. 화소 전극(82)은 또한 이웃하는 게이트선(22) 및 데이터선(62)과 중첩되어 개구율을 높이고 있으나, 중첩되지 않을 수도 있다. 또한 화소 전극(82)은 접촉 구멍(72)을 통하여 유지 축전기용 도전체 패턴(64)과 전기적으로 연결되어 도전체 패턴(64)으로 화상 신호를 전달한다. 한편, 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68) 위에는 접촉 구멍(74, 78)을 통하여 각각 이들과 연결되는 보조 게이트 패드(84) 및 보조 데이터 패드(88)가 형성되어 있으며, 이들은 패드(24, 68)와 외부 회로 장치와의 접착성을 보완하고 패드를 보호하는 역할을 하는 것으로 필수적인 것은 아니며, 이들의 적용 여부는 선택적이다.
여기에서는 화소 전극(82)의 재료의 예로 투명한 IZO를 들었으나, 반사형 액정 표시 장치의 경우 불투명한 도전 물질을 사용하여도 무방하다.
그러면, 도 8 내지 도 10의 구조를 가지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 4매 마스크를 이용하여 제조하는 방법에 대하여 상세하게 도 8 내지 도 10과 도 11a 내지 도 17c를 참조하여 설명하기로 한다.
먼저, 도 11a 내지 11c에 도시한 바와 같이, 제1 실시예와 동일하게 저저항의 게이트 배선용 도전 물질을 적층하고 제1 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 기판(10) 위에 게이트선(22), 게이트 패드(24), 게이트 전극(26) 및 유지 전극(28)을 포함하며, 저저항을 가지는 알루미늄 계열의 금속으로 이루어진 게이트 배선을 형성한다.
다음, 도 12a 및 12b에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(30), 반도체층(40), 중간층(50)을 화학 기상 증착법을 이용하여 각각 1,500 Å 내지 5,000 Å, 500 Å 내지 2,000 Å, 300 Å 내지 600 Å의 두께로 연속 증착하고, 이어 알루미늄 계열의 금속과 같이 저저항을 가지는 데이터 배선용 도전 물질의 도전체층(60)과 제1 실시예와 같이 버퍼층(도시하지 않음)을 스퍼터링 등의 방법으로 연속하여 적층한다. 이어, 어닐링을 실시하여 도전체층(60)의 상부에 인터메탈릭 컴파운드(90)를 형성한 다음, 그 위에 감광막(110)을 1 μm 내지 2 μm의 두께로 도포한다.
그 후, 제2 마스크를 통하여 감광막(110)에 빛을 조사한 후 현상하여 도 13b 및 13c에 도시한 바와 같이, 감광막 패턴(112, 114)을 형성한다. 이때, 감광막 패턴(112, 114) 중에서 박막 트랜지스터의 채널부(C), 즉 소스 전극(65)과 드레인 전극(66) 사이에 위치한 제1 부분(114)은 데이터 배선부(A), 즉 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)이 형성될 부분에 위치한 제2 부분(112)보다 두께가 작게 되도록 하며, 기타 부분(B)의 감광막은 모두 제거한다. 이 때, 채널부(C)에 남아 있는 감광막(114)의 두께와 데이터 배선부(A)에 남아 있는 감광막(112)의 두께의 비는 후에 후술할 식각 공정에서의 공정 조건에 따라 다르게 하여야 하되, 제1 부분(114)의 두께를 제2 부분(112)의 두께의 1/2 이하로 하는 것이 바람직하며, 예를 들면, 4,000 Å 이하인 것이 좋다.
이와 같이, 위치에 따라 감광막의 두께를 달리하는 방법으로 여러 가지가 있을 수 있으며, A 영역의 빛 투과량을 조절하기 위하여 주로 슬릿(slit)이나 격자 형태의 패턴을 형성하거나 반투명막을 사용한다.
이때, 슬릿 사이에 위치한 패턴의 선 폭이나 패턴 사이의 간격, 즉 슬릿의 폭은 노광시 사용하는 노광기의 분해능보다 작은 것이 바람직하며, 반투명막을 이용하는 경우에는 마스크를 제작할 때 투과율을 조절하기 위하여 다른 투과율을 가지는 박막을 이용하거나 두께가 다른 박막을 이용할 수 있다.
이와 같은 마스크를 통하여 감광막에 빛을 조사하면 빛에 직접 노출되는 부분에서는 고분자들이 완전히 분해되며, 슬릿 패턴이나 반투명막이 형성되어 있는 부분에서는 빛의 조사량이 적으므로 고분자들은 완전 분해되지 않은 상태이며, 차광막으로 가려진 부분에서는 고분자가 거의 분해되지 않는다. 이어 감광막을 현상하면, 고분자 분자들이 분해되지 않은 부분만이 남고, 빛이 적게 조사된 중앙 부분에는 빛에 전혀 조사되지 않은 부분보다 얇은 두께의 감광막이 남길 수 있다. 이때, 노광 시간을 길게 하면 모든 분자들이 분해되므로 그렇게 되지 않도록 해야 한다.
이러한 얇은 두께의 감광막(114)은 리플로우가 가능한 물질로 이루어진 감광막을 이용하고 빛이 완전히 투과할 수 있는 부분과 빛이 완전히 투과할 수 없는 부분으로 나뉘어진 통상적인 마스크로 노광한 다음 현상하고 리플로우시켜 감광막이 잔류하지 않는 부분으로 감광막의 일부를 흘러내리도록 함으로써 형성할 수도 있다.
이어, 감광막 패턴(114) 및 그 하부의 막들, 즉 도전체층(60), 중간층(50) 및 반도체층(40)에 대한 식각을 진행한다. 이때, 데이터 배선부(A)에는 데이터 배선 및 그 하부의 막들이 그대로 남아 있고, 채널부(C)에는 반도체층만 남아 있어야 하며, 나머지 부분(B)에는 위의 3개 층(60, 50, 40)이 모두 제거되어 게이트 절연막(30)이 드러나야 한다.
먼저, 도 14a 및 14b에 도시한 것처럼, 기타 부분(B)의 노출되어 있는 도전체층(60) 및 그 상부의 인터메탈릭 컴파운드(90)를 제거하여 그 하부의 중간층(50)을 노출시킨다. 이 과정에서는 건식 식각 또는 습식 식각 방법을 모두 사용할 수 있으며, 이때 도전체층(60)은 식각되고 감광막 패턴(112, 114)은 거의 식각되지 않 는 조건하에서 행하는 것이 좋다. 그러나, 건식 식각의 경우 도전체층(60)만을 식각하고 감광막 패턴(112, 114)은 식각되지 않는 조건을 찾기가 어려우므로 감광막 패턴(112, 114)도 함께 식각되는 조건하에서 행할 수 있다. 이 경우에는 습식 식각의 경우보다 제1 부분(114)의 두께를 두껍게 하여 이 과정에서 제1 부분(114)이 제거되어 하부의 도전체층(60)이 드러나는 일이 생기지 않도록 한다.
도전체층(60)이 Mo 또는 MoW 합금, Al 또는 Al 합금, Ta 중 어느 하나인 경우에는 건식 식각이나 습식 식각 중 어느 것이라도 가능하다. 그러나 Cr은 건식 식각 방법으로는 잘 제거되지 않기 때문에 도전체층(60)이 Cr이라면 습식 식각만을 이용하는 것이 좋다. 도전체층(60)이 Cr인 습식 식각의 경우에는 식각액으로 CeNHO3을 사용할 수 있고, 도전체층(60)이 Mo나 MoW인 건식 식각의 경우의 식각 기체로는 CF4와 HCl의 혼합 기체나 CF4와 O2의 혼합 기체를 사용할 수 있으며 후자의 경우 감광막에 대한 식각비도 거의 비슷하다.
이렇게 하면, 도 14a 및 도 14b에 나타낸 것처럼, 채널부(C) 및 데이터 배선부(B)의 도전체층, 즉 소스/드레인용 도전체 패턴(67)과 유지 축전기용 도전체 패턴(64)만이 남고 기타 부분(B)의 도전체층(60)은 모두 제거되어 그 하부의 중간층(50)이 드러난다. 이때 남은 도전체 패턴(67, 64)은 소스 및 드레인 전극(65, 66)이 분리되지 않고 연결되어 있는 점을 제외하면 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)의 형태와 동일하다. 또한 건식 식각을 사용한 경우 감광막 패턴(112, 114)도 어느 정도의 두께로 식각된다.
이어, 도 15a 및 15b에 도시한 바와 같이, 기타 부분(B)의 노출된 중간층(50) 및 그 하부의 반도체층(40)을 감광막의 제1 부분(114)과 함께 건식 식각 방법으로 동시에 제거한다. 이 때의 식각은 감광막 패턴(112, 114)과 중간층(50) 및 반도체층(40)(반도체층과 중간층은 식각 선택성이 거의 없음)이 동시에 식각되며 게이트 절연막(30)은 식각되지 않는 조건하에서 행하여야 하며, 특히 감광막 패턴(112, 114)과 반도체층(40)에 대한 식각비가 거의 동일한 조건으로 식각하는 것이 바람직하다. 예를 들어, SF6과 HCl의 혼합 기체나, SF6과 O2의 혼합 기체를 사용하면 거의 동일한 두께로 두 막을 식각할 수 있다. 감광막 패턴(112, 114)과 반도체층(40)에 대한 식각비가 동일한 경우 제1 부분(114)의 두께는 반도체층(40)과 중간층(50)의 두께를 합한 것과 같거나 그보다 작아야 한다.
이렇게 하면, 도 15a 및 15b에 나타낸 바와 같이, 채널부(C)의 제1 부분(114)이 제거되어 소스/드레인용 도전체 패턴(67)이 드러나고, 기타 부분(B)의 중간층(50) 및 반도체층(40)이 제거되어 그 하부의 게이트 절연막(30)이 드러난다. 한편, 데이터 배선부(A)의 제2 부분(112) 역시 식각되므로 두께가 얇아진다. 또한, 이 단계에서 반도체 패턴(42, 48)이 완성된다. 도면 부호 57과 58은 각각 소스/드레인용 도전체 패턴(67) 하부의 중간층 패턴과 유지 축전기용 도전체 패턴(64) 하부의 중간층 패턴을 가리킨다.
이어 애싱(ashing)을 통하여 채널부(C)의 소스/드레인용 도전체 패턴(67) 표면에 남아 있는 감광막 찌꺼기를 제거한다.
다음, 도 16a 및 16b에 도시한 바와 같이 채널부(C)의 소스/드레인용 도전체 패턴(67) 및 그 하부의 소스/드레인용 중간층 패턴(57)을 식각하여 제거한다. 이 때, 식각은 소스/드레인용 도전체 패턴(67)과 중간층 패턴(57) 모두에 대하여 건식 식각만으로 진행할 수도 있으며, 소스/드레인용 도전체 패턴(67)에 대해서는 습식 식각으로, 중간층 패턴(57)에 대해서는 건식 식각으로 행할 수도 있다. 전자의 경우 소스/드레인용 도전체 패턴(67)과 중간층 패턴(57)의 식각 선택비가 큰 조건하에서 식각을 행하는 것이 바람직하며, 이는 식각 선택비가 크지 않을 경우 식각 종점을 찾기가 어려워 채널부(C)에 남는 반도체 패턴(42)의 두께를 조절하기가 쉽지 않기 때문이다. 예를 들면, SF6과 O2의 혼합 기체를 사용하여 소스/드레인용 도전체 패턴(67)을 식각하는 것을 들 수 있다. 습식 식각과 건식 식각을 번갈아 하는 후자의 경우에는 습식 식각되는 소스/드레인용 도전체 패턴(67)의 측면은 식각되지만, 건식 식각되는 중간층 패턴(57)은 거의 식각되지 않으므로 계단 모양으로 만들어진다. 중간층 패턴(57) 및 반도체 패턴(42)을 식각할 때 사용하는 식각 기체의 예로는 앞에서 언급한 CF4와 HCl의 혼합 기체나 CF4와 O2의 혼합 기체를 들 수 있으며, CF4와 O2를 사용하면 균일한 두께로 반도체 패턴(42)을 남길 수 있다. 이때, 도 15b에 도시한 것처럼 반도체 패턴(42)의 일부가 제거되어 두께가 작아질 수도 있으며 감광막 패턴의 제2 부분(112)도 이때 어느 정도의 두께로 식각된다. 이때의 식각은 게이트 절연막(30)이 식각되지 않는 조건으로 행하여야 하며, 제2 부분(112)이 식각되어 그 하부의 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)이 드러나는 일 이 없도록 감광막 패턴이 두꺼운 것이 바람직함은 물론이다.
이렇게 하면, 소스 전극(65)과 드레인 전극(66)이 분리되면서 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)과 그 하부의 접촉층 패턴(55, 56, 58)이 완성된다.
마지막으로 데이터 배선부(A)에 남아 있는 감광막 제2 부분(112)을 제거한다. 그러나, 제2 부분(112)의 제거는 채널부(C) 소스/드레인용 도전체 패턴(67)을 제거한 후 그 밑의 중간층 패턴(57)을 제거하기 전에 이루어질 수도 있다.
앞에서 설명한 것처럼, 습식 식각과 건식 식각을 교대로 하거나 건식 식각만을 사용할 수 있다. 후자의 경우에는 한 종류의 식각만을 사용하므로 공정이 비교적 간편하지만, 알맞은 식각 조건을 찾기가 어렵다. 반면, 전자의 경우에는 식각 조건을 찾기가 비교적 쉬우나 공정이 후자에 비하여 번거로운 점이 있다.
이와 같이 하여 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)을 형성한 후, 도 17a 내지 17c에 도시한 바와 같이 질화규소를 CVD 방법으로 증착하거나 유기 절연 물질을 스핀 코팅하여 3,000 Å 이상의 두께를 가지는 보호막(70)을 형성한다. 이어 제3 마스크를 이용하여 보호막(70)을 게이트 절연막(30)과 함께 식각하여 드레인 전극(66), 게이트 패드(24), 데이터 패드(68) 및 유지 축전기용 도전체 패턴(64)을 각각 드러내는 접촉 구멍(76, 74, 78, 74)을 형성한다.
마지막으로, 도 8 내지 도 10에 도시한 바와 같이, 400 Å 내지 500 Å 두께의 IZO층을 증착하고 제4 마스크를 사용하여 식각하여 인터메탈릭 컴파운드(90)를 경유하여 접촉 구멍(72, 76)에서 드레인 전극(66) 및 유지 축전기용 도전체 패턴(64)과 전기적으로 연결된 화소 전극(82), 접촉 구멍(74)게이트 패드(24)와 연 결된 보조 게이트 패드(84) 및 인터메탈릭 컴파운드(90)를 경유하여 접촉 구멍(78)에서 데이터 패드(68)와 연결된 보조 데이터 패드(88)를 형성한다.
이러한 본 발명의 제2 실시예에서는 제1 실시예에 따른 효과뿐만 아니라 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)과 그 하부의 접촉층 패턴(55, 56, 58) 및 반도체 패턴(42, 48)을 하나의 마스크를 이용하여 형성하고 이 과정에서 소스 전극(65)과 드레인 전극(66)이 분리하여 제조 공정을 단순화할 수 있다.
이러한 본 발명의 실시예에서는 알루미늄 계열의 금속과 IZO막과의 접촉 특성을 향상시키기 위하여 이들 사이에 어닐링 공정을 실시하여 적어도 알루미늄 계열의 도전 물질을 포함하고 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 인터메탈릭 컴파운드를 형성하였다.
본 발명의 제1 또는 제2 실시예에서 버퍼막(900)을 약 150℃ 정도의 온도 범위에서 몰리브덴 텅스텐 합금막으로 형성하고, 200℃ 정도의 온도 범위에서 2시간 정도 어닐링을 실시하여 16.5"의 박막트랜지스터 기판을 제조하였으며, 접촉 구멍(72, 74, 76, 78)을 4×4㎛ 내지 7×7㎛ 범위에서 형성한 결과 접촉부의 접촉 저항은 약 E4Ω/200EA 정도로 측정되어, 접촉부의 접촉 저항을 현격하게 감소하는 것을 알 수 있었다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 제조 공정에서 알루미늄 계열의 금속층 상부에서 형성될 수 있는 고저항의 산화막 형성 조건을 제거함으로써 균일한 공정 조건을 설계할 수 있으며, 어닐링을 통하여 인터메탈릭 컴파운드를 접촉부에 형성함으로써 패드부를 포함하는 접촉부의 접촉 저항을 최소화할 수 있다. 아울러, 저저항의 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 배선을 형성함으로써 대화면 고정세의 제품의 특성을 향상시킬 수 있다.
Claims (20)
- 절연 기판 위에 게이트 배선용 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 게이트선, 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 게이트 절연막 상부에 반도체층을 형성하는 단계,상기 게이트 절연막 상부에 데이터 배선용 도전 물질 및 버퍼층을 차례로 적층하는 단계,어닐링을 실시한 다음 상기 버퍼층을 제거하는 단계,상기 데이터 배선용 도전 물질을 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있으며 상기 게이트 전극에 인접하는 소스 전극 및 상기 게이트 전극에 대하여 상기 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,보호막을 적층하고 패터닝하여 상기 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성하는 단계,드러난 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 데이터 배선 및 상기 반도체층은 제1 두께를 가지는 제1 부분, 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 부분, 두께를 가지지 않으며 상기 제1 및 제2 부분을 제외한 제3 부분을 가지는 감광막 패턴을 이용한 사진 식각 공정으로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 삭제
- 제2항에서,상기 사진 식각 공정에서 상기 감광막 패턴은 제1 영역, 상기 제1 영역보다 높은 투과율을 가지는 제2 영역 및 상기 제2 영역보다 높은 투과율을 가지는 제3 영역을 포함하는 광마스크를 이용하여 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제4항에서,상기 사진 식각 공정에서 상기 제1 부분은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이, 상기 제2 부분은 상기 데이터 배선 상부에 위치하도록 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제5항에서,상기 제1 내지 제3 영역의 투과율을 다르게 조절하기 위해서 상기 광마스크에는 반투명막 또는 노광기의 분해능보다 작은 슬릿 패턴이 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제2항에서,상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께에 비해 1/2 이하로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 게이트 배선용 및 상기 데이터 배선용 도전 물질은 알루미늄 계열의 금속을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 버퍼층은 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 게이트 배선은 외부로부터 주사 신호를 전달받아 상기 게이트선으로 전달하는 게이트 패드를 더 포함하며,상기 데이터 배선은 외부로부터 영상 신호를 전달받을 상기 데이터선으로 전달하는 데이터 패드를 더 포함하며,상기 보호막은 상기 데이터 패드 및 상기 게이트 절연막과 함께 상기 게이트 패드를 드러내는 제2 및 제3 접촉 구멍을 가지며,상기 화소 전극과 동일한 층에 상기 제2 및 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드와 각각 전기적으로 연결되는 보조 게이트 패드와 보조 데이터 패드를 더 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 화소 전극은 IZO로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 반도체층과 상기 데이터 배선 사이에 저항성 접촉층을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제12항에서,상기 데이터 배선과 상기 접촉층 및 상기 반도체층을 하나의 마스크를 사용하여 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며, 가로 방향으로 뻗어 있는 주사 신호를 전달되는 게이트선과 상기 게이트선의 일부인 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,상기 게이트 배선을 덮고 있는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며, 반도체로 이루어진 반도체 패턴,상기 반도체 패턴 또는 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며, 세로 방향으로 뻗어 있는 데이터선, 상기 데이터선의 분지인 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극, 상기 소스 전극과 분리되어 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 마주하는 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,상기 데이터 배선 및 상기 반도체 패턴 위에 형성되어 있으며, 상기 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지는 보호막 패턴,상기 보호막 패턴 위에 형성되어 있으며, 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 화소 전극,상기 게이트 배선 또는 상기 데이터 배선 상부에 형성되어 있는 인터메탈릭 컴파운드를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 게이트 배선은 상기 게이트선에 연결되어 외부로부터 신호를 전달받는 게이트 패드를 더 포함하고, 상기 데이터 배선은 상기 데이터선에 연결되어 외부로부터 신호를 전달받는 데이터 패드를 더 포함하며,상기 보호막 패턴은 및 상기 게이트 절연막은 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드를 노출시키는 제2 및 제3 접촉 구멍을 가지고 있으며,상기 제2 및 제3 접촉 구멍에서 상기 인터메탈릭 컴파운드를 경유하여 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되며 상기 화소 전극과 동일한 층으로 형성되어 있는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 화소 전극은 투명한 도전성 물질인 IZO(indium tin oxide)로 이루어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선은 알루미늄 계열의 금속을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 인터메탈릭 컴파운드는 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 포함 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 반도체 패턴과 상기 데이터 배선 사이에 형성되어 있으며, 불순물로 고농도로 도핑되어 있는 저항성 접촉층 패턴을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제14항에서,상기 반도체 패턴은 상기 채널부를 제외하면 상기 데이터 배선과 동일한 모양인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010005392A KR100750919B1 (ko) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| TW090109289A TW490857B (en) | 2001-02-05 | 2001-04-18 | Thin film transistor array substrate for liquid crystal display and method of fabricating same |
| JP2001135015A JP5268211B2 (ja) | 2001-02-05 | 2001-05-02 | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| US09/988,169 US6518630B2 (en) | 2001-02-05 | 2001-11-19 | Thin film transistor array substrate for liquid crystal display and method for fabricating same |
| US10/310,758 US6893908B2 (en) | 2001-02-05 | 2002-12-06 | Thin film transfer array substrate for liquid crystal display and method for fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010005392A KR100750919B1 (ko) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020065053A KR20020065053A (ko) | 2002-08-13 |
| KR100750919B1 true KR100750919B1 (ko) | 2007-08-22 |
Family
ID=27693285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010005392A KR100750919B1 (ko) | 2001-02-05 | 2001-02-05 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100750919B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1394597B1 (en) | 2002-09-02 | 2011-03-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Contact structure of semiconductor device, manufacturing method thereof, thin film transistor array panel including contact structure, and manufacturing method thereof |
| KR100870009B1 (ko) * | 2002-09-04 | 2008-11-21 | 삼성전자주식회사 | 배선의 접촉부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH102000A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Yodogawa Steel Works Ltd | 開閉式溝蓋 |
| KR20000033047A (ko) * | 1998-11-19 | 2000-06-15 | 윤종용 | 박막트랜지스터의제조방법 |
| KR20000055524A (ko) * | 1999-02-08 | 2000-09-05 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
-
2001
- 2001-02-05 KR KR1020010005392A patent/KR100750919B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH102000A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Yodogawa Steel Works Ltd | 開閉式溝蓋 |
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| KR20000055524A (ko) * | 1999-02-08 | 2000-09-05 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 10-2000-33047 |
| 10-2000-55524 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020065053A (ko) | 2002-08-13 |
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|
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