JPH06326130A - 平坦化方法と平坦化素子 - Google Patents
平坦化方法と平坦化素子Info
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- JPH06326130A JPH06326130A JP11445693A JP11445693A JPH06326130A JP H06326130 A JPH06326130 A JP H06326130A JP 11445693 A JP11445693 A JP 11445693A JP 11445693 A JP11445693 A JP 11445693A JP H06326130 A JPH06326130 A JP H06326130A
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- Japan
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- gate
- insulating film
- conductive thin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゲート抵抗が小さく段差が無いガラス基板を
提供することを目的とする。 【構成】 レジスト１０７をマスクとして絶縁膜１０６
をエッチングするとゲートパターンと絶縁膜はほぼ同一
面で平坦化される。ゲート端に隙間が発生する場合が考
えられるが、アルミを陽極酸化すると、セルフアライン
で隙間を陽極酸化膜が埋めてくれる。ＩＴＯ先付けの場
合は、レジスト露光の光をＩＴＯが吸収する波長に選べ
ば、ＩＴＯ部分のＳｉＮｘをも取り除くことができ、絵
素開口と同等の効果が得られる。
提供することを目的とする。 【構成】 レジスト１０７をマスクとして絶縁膜１０６
をエッチングするとゲートパターンと絶縁膜はほぼ同一
面で平坦化される。ゲート端に隙間が発生する場合が考
えられるが、アルミを陽極酸化すると、セルフアライン
で隙間を陽極酸化膜が埋めてくれる。ＩＴＯ先付けの場
合は、レジスト露光の光をＩＴＯが吸収する波長に選べ
ば、ＩＴＯ部分のＳｉＮｘをも取り除くことができ、絵
素開口と同等の効果が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜トランジスタ（以
下ＴＦＴと略す）等をスイッチング素子とする液晶ディ
スプレイの平坦化方法と平坦化素子に関するものであ
る。
下ＴＦＴと略す）等をスイッチング素子とする液晶ディ
スプレイの平坦化方法と平坦化素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】（図１５）に従来の技術を示す。従来Ｔ
ＦＴ１００を用いた液晶ディスプレイは大型化されると
ゲート及びソースのバスライン１０１、１０２は抵抗を
下げるため膜厚を厚くする必要があった。比抵抗の小さ
なアルミニウムを用いても厚さは２０００Åを越えてい
た。大型ディスプレイはさらに複雑な駆動を必要とする
場合が多いために膜厚はさらに厚くなっている。そのた
め微細加工した後は段差が激しくなっていった。
ＦＴ１００を用いた液晶ディスプレイは大型化されると
ゲート及びソースのバスライン１０１、１０２は抵抗を
下げるため膜厚を厚くする必要があった。比抵抗の小さ
なアルミニウムを用いても厚さは２０００Åを越えてい
た。大型ディスプレイはさらに複雑な駆動を必要とする
場合が多いために膜厚はさらに厚くなっている。そのた
め微細加工した後は段差が激しくなっていった。
【０００３】膜厚を厚くすること自体にも問題があっ
た。アルミニウムなどの金属を用いて膜厚を厚く形成す
ると、形成後の熱処理によって金属が多結晶化し金属表
面に凹凸が発生した。凹凸の最大振幅は初期の膜厚程度
にもおよんでいた。
た。アルミニウムなどの金属を用いて膜厚を厚く形成す
ると、形成後の熱処理によって金属が多結晶化し金属表
面に凹凸が発生した。凹凸の最大振幅は初期の膜厚程度
にもおよんでいた。
【０００４】これを軽減するために金属に不純物を混入
させ多結晶化を抑制する方法も用いられていた。例えば
アルミニウムであればシリコンや銅、タンタルなどであ
るが、これら不純物が存在すると金属自身の比抵抗が上
昇するため、バスラインを形成するのに必要な膜厚はさ
らに厚くなっていった。
させ多結晶化を抑制する方法も用いられていた。例えば
アルミニウムであればシリコンや銅、タンタルなどであ
るが、これら不純物が存在すると金属自身の比抵抗が上
昇するため、バスラインを形成するのに必要な膜厚はさ
らに厚くなっていった。
【０００５】金属の凹凸を軽減するための更なる方法
は、凹凸が発生する前に凹凸を抑制するカバーを形成す
るものである。カバー材料として、導電体であればクロ
ム、絶縁体であれば酸化タンタル等が用いられていた。
ディスプレイが大型になると基板が大きくなり、欠陥や
不良品を低減するための工程中のダスト管理がより厳し
くなり困難になってきた。ダストが存在するとカバー材
料に穴が開き、カバーの役割をしないためである。
は、凹凸が発生する前に凹凸を抑制するカバーを形成す
るものである。カバー材料として、導電体であればクロ
ム、絶縁体であれば酸化タンタル等が用いられていた。
ディスプレイが大型になると基板が大きくなり、欠陥や
不良品を低減するための工程中のダスト管理がより厳し
くなり困難になってきた。ダストが存在するとカバー材
料に穴が開き、カバーの役割をしないためである。
【０００６】ダストに強い絶縁膜形成方法として金属表
面を陽極酸化によって酸化させるものがある。しかし、
金属表面を酸化させると、（図１５）のゲートバスライ
ン１０１の形成した金属のみの膜厚は減少する。この減
少分、すなわち陽極酸化見合い分を予め厚く形成してお
かなければならない。さらに金属を酸化させると一般的
に酸化物の膜厚は金属のままより増加する。結果として
（図１５）のゲート部の段差１０３は図示した以上に増
加した。
面を陽極酸化によって酸化させるものがある。しかし、
金属表面を酸化させると、（図１５）のゲートバスライ
ン１０１の形成した金属のみの膜厚は減少する。この減
少分、すなわち陽極酸化見合い分を予め厚く形成してお
かなければならない。さらに金属を酸化させると一般的
に酸化物の膜厚は金属のままより増加する。結果として
（図１５）のゲート部の段差１０３は図示した以上に増
加した。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように段差が激し
くなると、積層する膜の段差部における付き回りや、洗
浄時に段差にゴミが集中するなどの工程中の問題が発生
する。
くなると、積層する膜の段差部における付き回りや、洗
浄時に段差にゴミが集中するなどの工程中の問題が発生
する。
【０００８】さらに段差が激しくなると、その上に形成
する半導体素子に信頼性の問題を引き起こしていた。す
なわちゲート金属膜厚が増加し、その上にＴＦＴを形成
した場合、ソース、ドレイン電極のストレスによる切
断、溶解や、ＴＦＴチャンネル端部の電界集中によるＴ
ＦＴの特性劣化が発生した。
する半導体素子に信頼性の問題を引き起こしていた。す
なわちゲート金属膜厚が増加し、その上にＴＦＴを形成
した場合、ソース、ドレイン電極のストレスによる切
断、溶解や、ＴＦＴチャンネル端部の電界集中によるＴ
ＦＴの特性劣化が発生した。
【０００９】
【課題を解決するための手段】ゲートとなる金属を基板
上に形成し、微細加工した後、形成された金属とほぼ同
等の膜厚の透明絶縁性膜を基板のほぼ全面に形成する。
ゲートの形状に微細加工した後、ネガタイプのフォトレ
ジストを基板のほぼ全面に塗布して、基板裏面から露光
し、現像する。微細加工された金属以外の部分にレジス
トが残っている状態になる。これをマスクとして透明絶
縁性膜をエッチングする。
上に形成し、微細加工した後、形成された金属とほぼ同
等の膜厚の透明絶縁性膜を基板のほぼ全面に形成する。
ゲートの形状に微細加工した後、ネガタイプのフォトレ
ジストを基板のほぼ全面に塗布して、基板裏面から露光
し、現像する。微細加工された金属以外の部分にレジス
トが残っている状態になる。これをマスクとして透明絶
縁性膜をエッチングする。
【００１０】または、ゲートとなる金属を基板上に形成
し、微細加工した後、金属の表面を酸化させる。形成さ
れた金属とほぼ同等の膜厚の透明絶縁性薄膜を基板のほ
ぼ全面に形成する。ゲートの形状に微細加工した後、ネ
ガタイプのフォトレジストを基板のほぼ全面に塗布し
て、基板裏面から露光し、現像して微細加工された金属
上の透明絶縁性膜をエッチングする。
し、微細加工した後、金属の表面を酸化させる。形成さ
れた金属とほぼ同等の膜厚の透明絶縁性薄膜を基板のほ
ぼ全面に形成する。ゲートの形状に微細加工した後、ネ
ガタイプのフォトレジストを基板のほぼ全面に塗布し
て、基板裏面から露光し、現像して微細加工された金属
上の透明絶縁性膜をエッチングする。
【００１１】
【作用】透明絶縁性基板を用いているため、ネガレジス
トの裏面露光によって、ゲート部分の形状にあった透明
絶縁性膜が取り除かれるので、精密なマスク合わせが不
要で簡単に平坦化ができる。
トの裏面露光によって、ゲート部分の形状にあった透明
絶縁性膜が取り除かれるので、精密なマスク合わせが不
要で簡単に平坦化ができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の第１の実施例を図面を用いて
詳しく説明する。（図１）〜（図８）は、本発明の一実
施例の液晶ディスプレイ用平坦化素子を含む断面の工程
図である。
詳しく説明する。（図１）〜（図８）は、本発明の一実
施例の液晶ディスプレイ用平坦化素子を含む断面の工程
図である。
【００１３】ガラス基板１１０にアンダーコート１１１
を形成する。プロセス中にガラスからの不純物が出ない
ようにするものである（図１）。
を形成する。プロセス中にガラスからの不純物が出ない
ようにするものである（図１）。
【００１４】図示していないが、液晶ディスプレイの絵
素電極となる透明導電体を形成し微細加工する。この上
にオーバーコート１１２を形成し、導電体を堆積して微
細加工し、ゲート電極１０５を形成する。大型化、高精
細化が進むにつれ、ゲート材料は柔らかく電導率の高い
金属、例えばＡｌやＣｕ及びそれらの混合材料が用いら
れている。
素電極となる透明導電体を形成し微細加工する。この上
にオーバーコート１１２を形成し、導電体を堆積して微
細加工し、ゲート電極１０５を形成する。大型化、高精
細化が進むにつれ、ゲート材料は柔らかく電導率の高い
金属、例えばＡｌやＣｕ及びそれらの混合材料が用いら
れている。
【００１５】次に、ゲート電極１０５とほぼ同程度の膜
厚を持つ透明絶縁性膜１０６を形成する。その上にネガ
レジスト１０７を塗布する（図２）。ネガレジスト１０
７の密着性が平坦化形状を左右するのでレジストの軟化
点付近まで加熱処理する法がよい。
厚を持つ透明絶縁性膜１０６を形成する。その上にネガ
レジスト１０７を塗布する（図２）。ネガレジスト１０
７の密着性が平坦化形状を左右するのでレジストの軟化
点付近まで加熱処理する法がよい。
【００１６】ゲート１０５を形成した主面とは異なるガ
ラス基板１１０のもう一方の主面からネガレジスト１０
７を感光させる光１０８を照射し、現像する。ゲート１
０５に光１０８を遮られたネガレジストは感光されず、
現像する際取り除かれる（図３）。
ラス基板１１０のもう一方の主面からネガレジスト１０
７を感光させる光１０８を照射し、現像する。ゲート１
０５に光１０８を遮られたネガレジストは感光されず、
現像する際取り除かれる（図３）。
【００１７】微細加工されたネガレジスト１０７をマス
クとして透明絶縁性膜１０６をエッチングする（図
４）。図示していないが、絵素電極用の透明導電体が吸
収する光を用いてネガレジスト１０７を露光すれば微細
加工された透明導電体上の透明絶縁性膜１０６をも取り
除くことができる。このため液晶ディスプレイ用として
組み立てた後、液晶に与える電位が透明絶縁性膜１０６
によって失われることなく有効に使用される。
クとして透明絶縁性膜１０６をエッチングする（図
４）。図示していないが、絵素電極用の透明導電体が吸
収する光を用いてネガレジスト１０７を露光すれば微細
加工された透明導電体上の透明絶縁性膜１０６をも取り
除くことができる。このため液晶ディスプレイ用として
組み立てた後、液晶に与える電位が透明絶縁性膜１０６
によって失われることなく有効に使用される。
【００１８】（図３）及び（図４）の加工で平坦化の出
来不出来が左右される。平坦化を左右する条件は以下の
４つである。 １）ゲート１０５のエッチング形状 ２）ゲート１０５のエッチング形状に対する透明絶縁性
膜１０６の段差カバレッジ ３）ネガレジスト１０７の裏面露光のオーバー露光量と
現像断面形状およびネガレジスト１０７の透明絶縁性膜
１０６への密着性 ４）透明絶縁性膜１０６のエッチング方法 これらの条件を最適化しないと（図５）のように透明絶
縁性膜１０６に突起が発生したり、（図６）のようにゲ
ート電極端で凹部が発生したりする。
来不出来が左右される。平坦化を左右する条件は以下の
４つである。 １）ゲート１０５のエッチング形状 ２）ゲート１０５のエッチング形状に対する透明絶縁性
膜１０６の段差カバレッジ ３）ネガレジスト１０７の裏面露光のオーバー露光量と
現像断面形状およびネガレジスト１０７の透明絶縁性膜
１０６への密着性 ４）透明絶縁性膜１０６のエッチング方法 これらの条件を最適化しないと（図５）のように透明絶
縁性膜１０６に突起が発生したり、（図６）のようにゲ
ート電極端で凹部が発生したりする。
【００１９】平坦化された基板加工面にＴＦＴの構成要
素となるゲート絶縁膜１１９、半導体層１２０、半導体
保護絶縁膜１２１を順次堆積し、半導体保護絶縁膜１２
１を微細加工し、オーミック層１２２を堆積する（図
７）。
素となるゲート絶縁膜１１９、半導体層１２０、半導体
保護絶縁膜１２１を順次堆積し、半導体保護絶縁膜１２
１を微細加工し、オーミック層１２２を堆積する（図
７）。
【００２０】半導体層１２０、オーミック層１２２、ゲ
ート絶縁膜１１９、オーバーコート１１２をエッチング
し、透明導電体（図示せず）に達するまで穴を開ける。
透明導電体に映像信号を与えるコンタクトホール（図示
せず）を形成するためである。
ート絶縁膜１１９、オーバーコート１１２をエッチング
し、透明導電体（図示せず）に達するまで穴を開ける。
透明導電体に映像信号を与えるコンタクトホール（図示
せず）を形成するためである。
【００２１】さらに従来例同様、導電体を形成し、微細
加工してソース１０２、ドレインを含む配線を完成させ
る。この工程で同時にオーミック層１２２、半導体層１
２０をエッチングする。半導体層１２０は半導体保護絶
縁膜１２１が存在するところはエッチングされない。プ
ロセスの最終工程として、ガラス基板１１０のほぼ全面
にＴＦＴアレイ保護膜１３０を形成する（図８）。
加工してソース１０２、ドレインを含む配線を完成させ
る。この工程で同時にオーミック層１２２、半導体層１
２０をエッチングする。半導体層１２０は半導体保護絶
縁膜１２１が存在するところはエッチングされない。プ
ロセスの最終工程として、ガラス基板１１０のほぼ全面
にＴＦＴアレイ保護膜１３０を形成する（図８）。
【００２２】次に（図９）〜（図１４）に示す断面の工
程図を用いて本発明の第２の実施例詳しく説明する。
程図を用いて本発明の第２の実施例詳しく説明する。
【００２３】第１の実施例では、ゲート１０５を陽極酸
化せずに平坦化を行ったが、本実施例では平坦化を陽極
酸化を併用して行う。ここでは第１の実施例（図３）ま
でとほぼ同じ工程を実行する。
化せずに平坦化を行ったが、本実施例では平坦化を陽極
酸化を併用して行う。ここでは第１の実施例（図３）ま
でとほぼ同じ工程を実行する。
【００２４】第１の実施例では先に述べた平坦化の４つ
の条件が最適化しないと（図５）や（図６）のような形
状になってしまった。陽極酸化を併用する場合はこれら
の条件を緩めることができる。このことを中心に本実施
例は詳しく述べる。
の条件が最適化しないと（図５）や（図６）のような形
状になってしまった。陽極酸化を併用する場合はこれら
の条件を緩めることができる。このことを中心に本実施
例は詳しく述べる。
【００２５】まず陽極酸化を併用する場合は、透明絶縁
性膜１０６はゲート１０５の膜厚ではなく、ゲート１０
５の一部を陽極酸化した分だけ厚くした膜厚に形成する
ことによって平坦化をより理想に近づけることができ
る。このように形成したものを（図９）に示す。透明絶
縁性膜１０６の膜厚を変化させた以外、（図３）と同じ
図である。
性膜１０６はゲート１０５の膜厚ではなく、ゲート１０
５の一部を陽極酸化した分だけ厚くした膜厚に形成する
ことによって平坦化をより理想に近づけることができ
る。このように形成したものを（図９）に示す。透明絶
縁性膜１０６の膜厚を変化させた以外、（図３）と同じ
図である。
【００２６】次に（図４）と同様にネガレジスト１０７
をマスクとして透明絶縁性膜１０６をエッチングし、ネ
ガレジスト１０７を取り除く。この工程を示したのが
（図１０）である。この図はエッチングが最適な条件で
行われたものを示している。
をマスクとして透明絶縁性膜１０６をエッチングし、ネ
ガレジスト１０７を取り除く。この工程を示したのが
（図１０）である。この図はエッチングが最適な条件で
行われたものを示している。
【００２７】次にゲート１０５の一部を陽極酸化し、平
坦化する。１２５は陽極酸化絶縁膜を示す。その後、ゲ
ート絶縁膜１１９、半導体層１２０、半導体保護絶縁膜
１２１を順次形成し、半導体保護絶縁膜１２１を微細加
工してＴＦＴのチャンネル部を形成し、オーミック層１
２２を堆積する（図１１）。
坦化する。１２５は陽極酸化絶縁膜を示す。その後、ゲ
ート絶縁膜１１９、半導体層１２０、半導体保護絶縁膜
１２１を順次形成し、半導体保護絶縁膜１２１を微細加
工してＴＦＴのチャンネル部を形成し、オーミック層１
２２を堆積する（図１１）。
【００２８】後の工程は第１の実施例で示したものと同
じであるため省略する。
じであるため省略する。
【００２９】本実施例の特徴は透明絶縁性膜１０６のエ
ッチング形状の最適条件の幅が広いということである。
先の実施例では（図６）のように透明絶縁性膜１０６の
エッチングを過剰にするとゲート１０５で鋭い凹みがで
きる場合があった。本実施例では、（図５）のようにエ
ッチングが不足して突起が発生するようなことがなけれ
ば、（図６）のようにエッチングが多少過剰であっても
平坦化できる。
ッチング形状の最適条件の幅が広いということである。
先の実施例では（図６）のように透明絶縁性膜１０６の
エッチングを過剰にするとゲート１０５で鋭い凹みがで
きる場合があった。本実施例では、（図５）のようにエ
ッチングが不足して突起が発生するようなことがなけれ
ば、（図６）のようにエッチングが多少過剰であっても
平坦化できる。
【００３０】（図１０）のゲート電極１０５付近の拡大
図を（図１２）に示す。エッチングを過剰にしたため鋭
い凹み１３５が存在する。この状態で陽極酸化を始める
とゲート１０５の表面に均一に陽極酸化絶縁膜１２５が
形成され始める。陽極酸化絶縁膜１２５は膨張するた
め、（図１３）に示すように透明絶縁性膜１０６に接す
る。この接点を１３６とする。陽極酸化電解液が陽極酸
化絶縁膜１２５と透明絶縁性膜１０６との界面から追い
出されると、電気的にはゲート１０５は膜厚の大きな絶
縁膜を持つことと同等になり、この接点１３６の陽極酸
化絶縁膜の成長は止まる。
図を（図１２）に示す。エッチングを過剰にしたため鋭
い凹み１３５が存在する。この状態で陽極酸化を始める
とゲート１０５の表面に均一に陽極酸化絶縁膜１２５が
形成され始める。陽極酸化絶縁膜１２５は膨張するた
め、（図１３）に示すように透明絶縁性膜１０６に接す
る。この接点を１３６とする。陽極酸化電解液が陽極酸
化絶縁膜１２５と透明絶縁性膜１０６との界面から追い
出されると、電気的にはゲート１０５は膜厚の大きな絶
縁膜を持つことと同等になり、この接点１３６の陽極酸
化絶縁膜の成長は止まる。
【００３１】陽極酸化が完成した様子を（図１４）に示
す。ゲート１０５の鋭い凹み１３５にも陽極酸化絶縁膜
１２５が形成され、平坦化がなされている。
す。ゲート１０５の鋭い凹み１３５にも陽極酸化絶縁膜
１２５が形成され、平坦化がなされている。
【００３２】いままで述べた実施例では絵素電極となる
透明導電体（図示せず）をゲート絶縁膜１１９成膜前に
形成したが、ゲート絶縁膜形成後に、この透明導電体を
形成しても本発明は同様に実施される。この場合ゲート
絶縁膜１１９形成中に水素プラズマによって透明導電体
が変質することが無いのでオーバーコート１１２は形成
する必要が無い。
透明導電体（図示せず）をゲート絶縁膜１１９成膜前に
形成したが、ゲート絶縁膜形成後に、この透明導電体を
形成しても本発明は同様に実施される。この場合ゲート
絶縁膜１１９形成中に水素プラズマによって透明導電体
が変質することが無いのでオーバーコート１１２は形成
する必要が無い。
【００３３】
【発明の効果】上述した通り、ネガレジストの裏面露光
によってゲート部分の形状にあった透明絶縁性膜が精密
なマスク合わせが不要で、簡単に取り除かれるので、容
易に平坦化ができる。本発明を用いることにより、ゲー
ト抵抗が小さく段差が無いガラス基板を容易に提供する
ことができる。
によってゲート部分の形状にあった透明絶縁性膜が精密
なマスク合わせが不要で、簡単に取り除かれるので、容
易に平坦化ができる。本発明を用いることにより、ゲー
ト抵抗が小さく段差が無いガラス基板を容易に提供する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例の平坦化素子を含む断面の平
坦化工程図
坦化工程図
【図２】本発明の一実施例の平坦化素子を含む断面の平
坦化工程図
坦化工程図
【図３】本発明の一実施例の平坦化素子を含む断面の平
坦化工程図
坦化工程図
【図４】本発明の一実施例の平坦化素子を含む断面の平
坦化工程図
坦化工程図
【図５】本発明の一実施例の平坦化素子を含む断面の平
坦化工程図
坦化工程図
【図６】本発明の一実施例の平坦化素子を含む断面の平
坦化工程図
坦化工程図
【図７】本発明の一実施例の平坦化素子を含む断面の平
坦化工程図
坦化工程図
【図８】本発明の一実施例の平坦化素子を含む断面の平
坦化工程図
坦化工程図
【図９】本発明の他の一実施例の平坦化素子を含む断面
の平坦化工程図
の平坦化工程図
【図１０】本発明の他の一実施例の平坦化素子を含む断
面の平坦化工程図
面の平坦化工程図
【図１１】本発明の他の一実施例の平坦化素子を含む断
面の平坦化工程図
面の平坦化工程図
【図１２】本発明の他の一実施例の平坦化素子を含む断
面の平坦化工程図
面の平坦化工程図
【図１３】本発明の他の一実施例の平坦化素子を含む断
面の平坦化工程図
面の平坦化工程図
【図１４】本発明の他の一実施例の平坦化素子を含む断
面の平坦化工程図
面の平坦化工程図
【図１５】従来例の液晶ディスプレイ用ＴＦＴの工程断
面図
面図
１００ ＴＦＴ １０１ ゲートバスライン １０２ ソースバスライン １０３ ゲート部の段差 １０５ ゲート １０６ 透明絶縁性膜 １０７ ネガレジスト １０８ ネガレジストを感光させる光 １１０ ガラス基板 １１１ ＳｉＯ2 アンダーコート １１２ ＳｉＯ2 オーバーコート １１９ ゲート絶縁膜 １２０ 半導体層 １２１ 半導体保護絶縁膜 １２２ オーミック層 １２５ 陽極酸化絶縁膜 １３０ ＴＦＴ保護膜 １３５ 鋭い凹み １３６ 接点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｌ 21/3205 9056−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/78 ３１１ Ｇ
Claims (8)
- 【請求項１】ガラス基板に導電性薄膜を形成する工程、
前記導電体を微細加工する工程、前記導電性薄膜とほぼ
同一の膜厚を持つ透明絶縁性薄膜を形成する工程、ネガ
レジストを全面に被覆する工程、前記ガラス基板の裏面
から前記レジストを露光現像する工程を含み、前記導電
性薄膜上の前記絶縁薄膜を選択的にエッチングすること
を特徴とする平坦化方法。 - 【請求項２】ネガレジストの軟化点付近まで被覆後加熱
処理することを特徴とする請求項１記載の平坦化方法。 - 【請求項３】絶縁薄膜を選択的にエッチングし露出した
導電性薄膜の表面を絶縁化することを特徴とする請求項
１記載の平坦化方法。 - 【請求項４】導電性薄膜の表面を陽極酸化することで絶
縁化することを特徴とする請求項３記載の平坦化方法。 - 【請求項５】導電性薄膜の表面を酸素または窒素のプラ
ズマで、酸化または窒化することで絶縁化することを特
徴とする請求項３記載の平坦化方法。 - 【請求項６】ガラス基板一主面の同一平面上に導電体と
絶縁体がほぼ同一膜厚で存在し、前記導電体の表面が前
記絶縁体と異なる絶縁体で覆われていることを特徴とす
る平坦化素子。 - 【請求項７】導電体をゲート電極とし、表面の絶縁体を
ゲート絶縁膜とする薄膜トランジスタを含むことを特徴
とする請求項６記載の平坦化素子。 - 【請求項８】ガラス基板に導電性薄膜を形成する工程、
前記導電体を微細加工する工程、前記導電性薄膜の表面
を酸化させる工程、前記導電性薄膜とほぼ同一の膜厚を
持つ透明絶縁性薄膜を形成する工程、ネガレジストを全
面に被覆する工程、前記ガラス基板の裏面から前記レジ
ストを露光現像する工程を含み、前記導電性薄膜上の前
記絶縁薄膜を選択的にエッチングすることを特徴とする
平坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11445693A JPH06326130A (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 平坦化方法と平坦化素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11445693A JPH06326130A (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 平坦化方法と平坦化素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326130A true JPH06326130A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14638188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11445693A Pending JPH06326130A (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 平坦化方法と平坦化素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326130A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013600A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 国立大学法人東北大学 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び表示装置 |
| CN102280381A (zh) * | 2011-06-27 | 2011-12-14 | 福州华映视讯有限公司 | 平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法 |
| WO2012104902A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 国立大学法人東北大学 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8537296B2 (en) | 2008-06-11 | 2013-09-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device wherein a thickness of a first insulating layer is greater than a thickness of a first conductor and wherein the first insulating layer completely covers lateral side surfaces of the first conductor |
| JP2015156500A (ja) * | 2009-10-16 | 2015-08-27 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | グラフェン素子及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-05-17 JP JP11445693A patent/JPH06326130A/ja active Pending
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