JPH0618912A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH0618912A JPH0618912A JP17686592A JP17686592A JPH0618912A JP H0618912 A JPH0618912 A JP H0618912A JP 17686592 A JP17686592 A JP 17686592A JP 17686592 A JP17686592 A JP 17686592A JP H0618912 A JPH0618912 A JP H0618912A
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- film
- ito film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、外部のリードに接続されるバスライ
ンを有する液晶表示装置に関し、引出端子を透明電極に
より覆う場合に、断線を防止し、抵抗を上昇させず、信
頼性を向上することを目的とする。 【構成】外部リードに接続されるバスライン２の引出端
子２ａの両側に、陽極酸化によるバリア型酸化皮膜４が
形成されるとともに、前記引出端子２ａ及び前記バリア
型酸化皮膜４がＩＴＯ膜５によって被覆されていること
を含み構成する。
ンを有する液晶表示装置に関し、引出端子を透明電極に
より覆う場合に、断線を防止し、抵抗を上昇させず、信
頼性を向上することを目的とする。 【構成】外部リードに接続されるバスライン２の引出端
子２ａの両側に、陽極酸化によるバリア型酸化皮膜４が
形成されるとともに、前記引出端子２ａ及び前記バリア
型酸化皮膜４がＩＴＯ膜５によって被覆されていること
を含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置及びその
製造方法に関し、より詳しくは、外部のリードに接続さ
れるバスラインを有する液晶表示装置及びその製造方法
に関する。
製造方法に関し、より詳しくは、外部のリードに接続さ
れるバスラインを有する液晶表示装置及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤモジュールの実装には、バスライ
ンと外部リードを押圧して機械的に接続するＴＡＢ方式
が実用化され、異方性導電シートや光硬化性樹脂の収縮
力などを利用したものも提案されている。
ンと外部リードを押圧して機械的に接続するＴＡＢ方式
が実用化され、異方性導電シートや光硬化性樹脂の収縮
力などを利用したものも提案されている。
【０００３】ところで、図４に示すように、液晶表示装
置におるゲートバスラインやドレインバスラインの引出
端子４１と絶縁性シート４４上の銅製外部リード４２と
を押圧して接続する場合に、その引出端子４１をアルミ
ニウムにより形成すると、接続のやり直しがきかないこ
とが多い。
置におるゲートバスラインやドレインバスラインの引出
端子４１と絶縁性シート４４上の銅製外部リード４２と
を押圧して接続する場合に、その引出端子４１をアルミ
ニウムにより形成すると、接続のやり直しがきかないこ
とが多い。
【０００４】これは、アルミニウムが軟らかいので傷付
き易いからであり、しかも、引出端子４１とその下のガ
ラス基板４３との密着性が十分でないために、外部リー
ド４２を取りはずす際にバスラインの引出端子４１に剥
離が生ずるためである。
き易いからであり、しかも、引出端子４１とその下のガ
ラス基板４３との密着性が十分でないために、外部リー
ド４２を取りはずす際にバスラインの引出端子４１に剥
離が生ずるためである。
【０００５】また、銅製の外部リード４２とアルミニウ
ム引出端子４１の接触箇所に水分が浸入して腐食断線を
生じることもある。これらの欠点を解消し、かつ、パタ
ーニングの際に生じる配線の欠損（断線）に起因した表
示不良を防ぐ目的で、異なる材料の導体膜によりアルミ
ニウム引出端子４１を覆う方法が考えられ、例えば、ア
ルミニウムの引出端子４１の上に、ＩＴＯ(Indium Tin
Oxide)膜を形成したものがある。
ム引出端子４１の接触箇所に水分が浸入して腐食断線を
生じることもある。これらの欠点を解消し、かつ、パタ
ーニングの際に生じる配線の欠損（断線）に起因した表
示不良を防ぐ目的で、異なる材料の導体膜によりアルミ
ニウム引出端子４１を覆う方法が考えられ、例えば、ア
ルミニウムの引出端子４１の上に、ＩＴＯ(Indium Tin
Oxide)膜を形成したものがある。
【０００６】ここでＩＴＯ膜を使用するのは、接触抵
抗、信頼性等で実績があり、しかも、アルミニウムより
も硬く、ガラスとの密着性も良いからである。図５は、
その製造工程を示す断面図である。
抗、信頼性等で実績があり、しかも、アルミニウムより
も硬く、ガラスとの密着性も良いからである。図５は、
その製造工程を示す断面図である。
【０００７】まず、図５(a) に示すように、ガラス基板
５１の上にアルミニウムよりなるバスライン５２を形成
した後に、スパッタ法によりＩＴＯ膜５３を堆積する。
なお、ＩＴＯ膜５３は、液晶表示装置の画素領域に透明
電極を形成するために形成するもので、新たな成膜工程
を追加するものではない。
５１の上にアルミニウムよりなるバスライン５２を形成
した後に、スパッタ法によりＩＴＯ膜５３を堆積する。
なお、ＩＴＯ膜５３は、液晶表示装置の画素領域に透明
電極を形成するために形成するもので、新たな成膜工程
を追加するものではない。
【０００８】ついで、図５(b) に示すように、フォトレ
ジスト５４を塗布してこれを露光、現像し、このフォト
レジスト５４によって、画素領域（不図示）とバスライ
ン５２の引出端子を選択的に覆う。
ジスト５４を塗布してこれを露光、現像し、このフォト
レジスト５４によって、画素領域（不図示）とバスライ
ン５２の引出端子を選択的に覆う。
【０００９】この後に、フォトレジスト５４から露出し
ているＩＴＯ膜５２を例えば塩酸塩化第２鉄系エッチン
グ液により化学エッチングして除去し、これにより、バ
スライン５２の引出端子を保護するＩＴＯ膜５３を形成
している。
ているＩＴＯ膜５２を例えば塩酸塩化第２鉄系エッチン
グ液により化学エッチングして除去し、これにより、バ
スライン５２の引出端子を保護するＩＴＯ膜５３を形成
している。
【００１０】ところで、フォトレジスト５４のパターン
をバスライン５２の幅Ｗと同じにすると、ＩＴＯ膜５３
をパターニングする際にアルミニウムが露出し、電気化
学反応によりＩＴＯとアルミニウムの界面の露出部でＩ
ＴＯ膜５３のエッチングが速くなるといった現象が生じ
る。
をバスライン５２の幅Ｗと同じにすると、ＩＴＯ膜５３
をパターニングする際にアルミニウムが露出し、電気化
学反応によりＩＴＯとアルミニウムの界面の露出部でＩ
ＴＯ膜５３のエッチングが速くなるといった現象が生じ
る。
【００１１】このため、バスライン５２の引出端子をＩ
ＴＯ膜５３のパターンにより完全に覆うようにしてい
る。なお、ＩＴＯ膜５３をドライエッチングによりパタ
ーニングすることも考えられるが、加熱を伴うためにバ
スライン５２にヒロックが生じ易くなるので、通常はウ
ェットエッチングによっている。
ＴＯ膜５３のパターンにより完全に覆うようにしてい
る。なお、ＩＴＯ膜５３をドライエッチングによりパタ
ーニングすることも考えられるが、加熱を伴うためにバ
スライン５２にヒロックが生じ易くなるので、通常はウ
ェットエッチングによっている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、バスライン５
２の側壁におけるＩＴＯ膜５３の膜厚は、下地Alバスラ
イン５２とガラス基板５１との段差のために常に薄くな
り、かつ、側壁に堆積される導体膜中には複雑な歪みの
分布が存在するために、ピンホールができ易いという問
題がある。
２の側壁におけるＩＴＯ膜５３の膜厚は、下地Alバスラ
イン５２とガラス基板５１との段差のために常に薄くな
り、かつ、側壁に堆積される導体膜中には複雑な歪みの
分布が存在するために、ピンホールができ易いという問
題がある。
【００１３】しかも、ＩＴＯ膜５３上に形成したフォト
レジスト５４の密着性が悪いので、現像液やエッチング
液が滲み込み易く、これにより界面部分にあるＩＴＯ膜
５３が還元されたりアルミニウムが腐食されるために、
バスライン５２の引出端子の接触抵抗が大きくなるとい
った問題がある。
レジスト５４の密着性が悪いので、現像液やエッチング
液が滲み込み易く、これにより界面部分にあるＩＴＯ膜
５３が還元されたりアルミニウムが腐食されるために、
バスライン５２の引出端子の接触抵抗が大きくなるとい
った問題がある。
【００１４】これに対して、ＩＴＯ膜５３の膜厚を厚く
することも考えられるが、デバイス構造の制約を受け、
自由に設定できない。さらに、外部リードとのＴＡＢ接
続部分をＩＴＯ膜の単層で形成することも可能である
が、ＩＴＯ膜は引出端子と重なる部位が必ず存在するた
めに、ＩＴＯ膜と引出端子との界面部分で前記と同様の
問題を生じることになる。
することも考えられるが、デバイス構造の制約を受け、
自由に設定できない。さらに、外部リードとのＴＡＢ接
続部分をＩＴＯ膜の単層で形成することも可能である
が、ＩＴＯ膜は引出端子と重なる部位が必ず存在するた
めに、ＩＴＯ膜と引出端子との界面部分で前記と同様の
問題を生じることになる。
【００１５】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、引出端子を透明電極により覆う場合に、
断線を防止し、抵抗を上昇させず、信頼性を向上するこ
とができる液晶表示装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
ものであって、引出端子を透明電極により覆う場合に、
断線を防止し、抵抗を上昇させず、信頼性を向上するこ
とができる液晶表示装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、外部リードに接続されるバスライン２
の引出端子２ａの両側に、陽極酸化によるバリア型酸化
皮膜４が形成されるとともに、前記引出端子２ａ及び前
記バリア型酸化皮膜４がＩＴＯ膜５によって被覆されて
いることを特徴とする液晶表示装置により達成する。
例示するように、外部リードに接続されるバスライン２
の引出端子２ａの両側に、陽極酸化によるバリア型酸化
皮膜４が形成されるとともに、前記引出端子２ａ及び前
記バリア型酸化皮膜４がＩＴＯ膜５によって被覆されて
いることを特徴とする液晶表示装置により達成する。
【００１７】または、外部リードに接続されるバスライ
ンの引出端子２又は該引出端子２の被覆膜を陽極酸化可
能なバルブ金属により形成する工程と、前記引出端子２
ａの少なくとも両側を陽極酸化してバリヤ型酸化皮膜４
を形成するとともに、前記引出端子２ａの上面の少なく
とも一部を露出させる工程と、全体にＩＴＯ膜５を積層
した後に、少なくとも前記引出端子２ａ及びその周辺に
ある該ＩＴＯ膜５をマスクにより覆ってから、該マスク
３から露出している該ＩＴＯ膜５をウェットエッチング
して除去する工程とを有することを特徴とする液晶表示
装置の形成方法により達成する。
ンの引出端子２又は該引出端子２の被覆膜を陽極酸化可
能なバルブ金属により形成する工程と、前記引出端子２
ａの少なくとも両側を陽極酸化してバリヤ型酸化皮膜４
を形成するとともに、前記引出端子２ａの上面の少なく
とも一部を露出させる工程と、全体にＩＴＯ膜５を積層
した後に、少なくとも前記引出端子２ａ及びその周辺に
ある該ＩＴＯ膜５をマスクにより覆ってから、該マスク
３から露出している該ＩＴＯ膜５をウェットエッチング
して除去する工程とを有することを特徴とする液晶表示
装置の形成方法により達成する。
【００１８】または、前記バルブ金属はアルミニウムで
あって、前記バリア型酸化皮膜４は酸化アルミニウムで
あることを特徴とする液晶表示装置の形成方法によって
達成する。
あって、前記バリア型酸化皮膜４は酸化アルミニウムで
あることを特徴とする液晶表示装置の形成方法によって
達成する。
【００１９】
【作 用】本発明によれば、バスライン２の引出端子２
ａの側部に陽極酸化によるバリア型酸化皮膜４を形成
し、その全体をＩＴＯ膜５で被覆するようにしている。
ａの側部に陽極酸化によるバリア型酸化皮膜４を形成
し、その全体をＩＴＯ膜５で被覆するようにしている。
【００２０】この場合、陽極酸化により引出端子２ａの
表面に生じる段差は、成長する酸化膜厚の２割以下であ
り（ＣＶＤでは堆積する膜厚と同一の段差を生ずる）、
ＩＴＯ膜５の断線の原因にはならない。
表面に生じる段差は、成長する酸化膜厚の２割以下であ
り（ＣＶＤでは堆積する膜厚と同一の段差を生ずる）、
ＩＴＯ膜５の断線の原因にはならない。
【００２１】しかも、バリア型酸化皮膜４とＩＴＯ膜５
との密着性は良く、ＩＴＯ膜５をパターニングする場合
に、バリア型酸化膜４によって、フォトレジスト用現像
液やＩＴＯ用エッチング液がＩＴＯ膜５と下地との界面
に浸入し難くなる。また、例え浸入してもバリア型酸化
膜４に被覆されているためＩＴＯとAlの界面まで浸入す
ることはない。
との密着性は良く、ＩＴＯ膜５をパターニングする場合
に、バリア型酸化膜４によって、フォトレジスト用現像
液やＩＴＯ用エッチング液がＩＴＯ膜５と下地との界面
に浸入し難くなる。また、例え浸入してもバリア型酸化
膜４に被覆されているためＩＴＯとAlの界面まで浸入す
ることはない。
【００２２】この結果、ＩＴＯ膜５のパターニングに伴
う引出端子２ａの腐食断線が抑制され、また、ＩＴＯ膜
５の還元による抵抗の上昇が防止され、ＴＡＢ接続部の
信頼性が向上する。
う引出端子２ａの腐食断線が抑制され、また、ＩＴＯ膜
５の還元による抵抗の上昇が防止され、ＴＡＢ接続部の
信頼性が向上する。
【００２３】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。図１は、本発明の一実施例を示す平面
図、図２、３は、そのＸ−Ｘ線断面図を示している。
いて説明する。図１は、本発明の一実施例を示す平面
図、図２、３は、そのＸ−Ｘ線断面図を示している。
【００２４】まず、図１(a),図２(a) に示すように、ガ
ラス基板１の上にアルミニウム膜を数千Åの厚さに堆積
し、これをパターニングして薄膜トランジスタ（不図
示）のゲートやドレインに繋がるバスライン２を形成す
る。このバスライン２の先端は、図示しない外部リード
に接続される引出端子２ａとなる。
ラス基板１の上にアルミニウム膜を数千Åの厚さに堆積
し、これをパターニングして薄膜トランジスタ（不図
示）のゲートやドレインに繋がるバスライン２を形成す
る。このバスライン２の先端は、図示しない外部リード
に接続される引出端子２ａとなる。
【００２５】この後に、フォトレジストを塗布してこれ
を露光現像し、これにより図２(b)に示すように、引出
端子２ａの上面を覆い、かつその縁部及び側面を露出す
るマスク３を形成する。この場合、その他の領域は、マ
スク３で覆った状態にする。
を露光現像し、これにより図２(b)に示すように、引出
端子２ａの上面を覆い、かつその縁部及び側面を露出す
るマスク３を形成する。この場合、その他の領域は、マ
スク３で覆った状態にする。
【００２６】この後に、図２(c) に示すように、引出端
子２ａの露出部分を陽極酸化してAl 2O3 膜（バリア型酸
化膜）４を形成し、ついでマスク３を溶剤により除去す
る。その平面形状は、図１(b) に示すようになる。
子２ａの露出部分を陽極酸化してAl 2O3 膜（バリア型酸
化膜）４を形成し、ついでマスク３を溶剤により除去す
る。その平面形状は、図１(b) に示すようになる。
【００２７】次に、図３(d) に示すように、スパッタ法
によって全体にＩＴＯ膜５を堆積する。この場合、引出
端子２ａの側部のAl2O3 膜４は陽極酸化によっているの
で、その突出量は、成長する酸化膜厚の２割以下であり
（ＣＶＤでは堆積する膜厚と同一の段差を生ずる）、極
めて少ない。
によって全体にＩＴＯ膜５を堆積する。この場合、引出
端子２ａの側部のAl2O3 膜４は陽極酸化によっているの
で、その突出量は、成長する酸化膜厚の２割以下であり
（ＣＶＤでは堆積する膜厚と同一の段差を生ずる）、極
めて少ない。
【００２８】この結果、ガラス基板１に対する引出端子
２ａの段差は大きくならず、引出電極２ａの側部のＩＴ
Ｏ膜５の歪みが従来と同じ程度になり、ピンホールの発
生量が増加することもなく、断線の原因にもならない。
しかも、ＩＴＯ膜５の密着性は、アルミニウムよりもAl
2O3 の方が良く、引出電極２ａの側部での液体の浸入が
抑制される。また、フォトレジストに液体の浸入が生じ
てもAl2O3 膜４のためにＩＴＯ膜５とAlバスライン２の
界面まで浸入することはない。
２ａの段差は大きくならず、引出電極２ａの側部のＩＴ
Ｏ膜５の歪みが従来と同じ程度になり、ピンホールの発
生量が増加することもなく、断線の原因にもならない。
しかも、ＩＴＯ膜５の密着性は、アルミニウムよりもAl
2O3 の方が良く、引出電極２ａの側部での液体の浸入が
抑制される。また、フォトレジストに液体の浸入が生じ
てもAl2O3 膜４のためにＩＴＯ膜５とAlバスライン２の
界面まで浸入することはない。
【００２９】このような陽極酸化に続いて、図３(e) に
示すように、フォトレジスト６を塗布してこれを露光、
現像し、そのフォトレジスト６により、画素領域（不図
示）を選択的に覆い、併せて引出端子２ａ及びその周辺
領域を選択的に被覆する。
示すように、フォトレジスト６を塗布してこれを露光、
現像し、そのフォトレジスト６により、画素領域（不図
示）を選択的に覆い、併せて引出端子２ａ及びその周辺
領域を選択的に被覆する。
【００３０】この後に、塩酸塩化第二鉄水溶液、又は塩
酸・硝酸・水混合液をエッチング液に使用して、フォト
レジスト６のマスクから露出したＩＴＯ膜５を除去すれ
ば、画素領域に画素電極が形成されるとともに、図１
(c),図３(f) に示すように、引出端子２ａがＩＴＯ膜５
に覆われた状態になり、これで引出端子２ａの被覆工程
が終了する。
酸・硝酸・水混合液をエッチング液に使用して、フォト
レジスト６のマスクから露出したＩＴＯ膜５を除去すれ
ば、画素領域に画素電極が形成されるとともに、図１
(c),図３(f) に示すように、引出端子２ａがＩＴＯ膜５
に覆われた状態になり、これで引出端子２ａの被覆工程
が終了する。
【００３１】そして、図４に示すような樹脂性シート４
４の上に形成された外部リード４２を、図１(c) に示す
ＩＴＯ膜５の上に接続してバスライン２と外部リード４
２とを導通させることになる。
４の上に形成された外部リード４２を、図１(c) に示す
ＩＴＯ膜５の上に接続してバスライン２と外部リード４
２とを導通させることになる。
【００３２】上記した工程によれば、図３(e) に示すよ
うなパターンのフォトレジスト６を形成したりＩＴＯ膜
５をパターニングする場合に、フォトレジスト６の密着
性が悪くて、その界面や、下地が段差となっている部分
から現像液やＩＴＯエッチング液が滲み込んでも、ＩＴ
Ｏ膜５とAl2O3 膜４との密着性は極めて良いので、ＩＴ
Ｏ膜５とAl2O3 膜４との界面にエッチング液が殆ど浸入
せず、バスライン２を構成するアルミニウムの腐食やＩ
ＴＯ膜５の還元作用が防止される。
うなパターンのフォトレジスト６を形成したりＩＴＯ膜
５をパターニングする場合に、フォトレジスト６の密着
性が悪くて、その界面や、下地が段差となっている部分
から現像液やＩＴＯエッチング液が滲み込んでも、ＩＴ
Ｏ膜５とAl2O3 膜４との密着性は極めて良いので、ＩＴ
Ｏ膜５とAl2O3 膜４との界面にエッチング液が殆ど浸入
せず、バスライン２を構成するアルミニウムの腐食やＩ
ＴＯ膜５の還元作用が防止される。
【００３３】なお、上記した実施例では、アルミニウム
により形成したバスライン２（引出端子）の上にＩＴＯ
膜５を形成しているが、引出端子となる金属、又はバス
ラインのＩＴＯ膜の下地となる金属は、陽極酸化が可能
なバルブメタル、例えばTi，Mo，Taであってもよく、そ
の側部に、陽極酸化によるバリア型酸化皮膜を形成すれ
ばよい。
により形成したバスライン２（引出端子）の上にＩＴＯ
膜５を形成しているが、引出端子となる金属、又はバス
ラインのＩＴＯ膜の下地となる金属は、陽極酸化が可能
なバルブメタル、例えばTi，Mo，Taであってもよく、そ
の側部に、陽極酸化によるバリア型酸化皮膜を形成すれ
ばよい。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、バス
ラインの引出端子の側部に、陽極酸化によるバリア型酸
化皮膜を形成し、その全体をＩＴＯ膜で被覆しているの
で、陽極酸化により引出端子の表面に生じる段差は、成
長する酸化膜厚の２割以下であり、ＩＴＯ膜の断線が生
じることはない。
ラインの引出端子の側部に、陽極酸化によるバリア型酸
化皮膜を形成し、その全体をＩＴＯ膜で被覆しているの
で、陽極酸化により引出端子の表面に生じる段差は、成
長する酸化膜厚の２割以下であり、ＩＴＯ膜の断線が生
じることはない。
【００３５】しかも、バリア型酸化皮膜とＩＴＯ膜との
密着性は良く、ＩＴＯ膜をパターニングする場合に、フ
ォトレジスト用現像液やＩＴＯ用エッチング液がＩＴＯ
膜と下地との界面に浸入し難く、また、浸入してもAl2O
3 膜に被覆されているためＩＴＯとAlの界面まで浸入す
ることはなく、この結果、ＩＴＯ膜のパターニングに伴
う引出端子の腐食断線を抑制でき、また、ＩＴＯ膜の還
元による抵抗の上昇を防止でき、ＴＡＢ接続部の信頼性
を向上することができる。
密着性は良く、ＩＴＯ膜をパターニングする場合に、フ
ォトレジスト用現像液やＩＴＯ用エッチング液がＩＴＯ
膜と下地との界面に浸入し難く、また、浸入してもAl2O
3 膜に被覆されているためＩＴＯとAlの界面まで浸入す
ることはなく、この結果、ＩＴＯ膜のパターニングに伴
う引出端子の腐食断線を抑制でき、また、ＩＴＯ膜の還
元による抵抗の上昇を防止でき、ＴＡＢ接続部の信頼性
を向上することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す製造工程の平面図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例を示す製造工程の断面図（そ
の１）である。
の１）である。
【図３】本発明の一実施例を示す製造工程の断面図（そ
の２）である。
の２）である。
【図４】バスラインと外部リードとの接続状態の一例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図５】従来装置の引出端子の形成工程の一例を示す断
面図である。
面図である。
１ ガラス基板 ２ バスライン ２ａ 引出端子 ３ マスク ４ Al2O3 膜（バリア型酸化皮膜） ５ ＩＴＯ膜 ６ フォトレジスト
Claims (3)
- 【請求項１】外部リードに接続されるバスライン（２）
の引出端子（２ａ）の両側に、陽極酸化によるバリア型
酸化皮膜（４）が形成されるとともに、前記引出端子
（２ａ）及び前記バリア型酸化皮膜（４）がＩＴＯ膜
（５）によって被覆されていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】外部リードに接続されるバスラインの引出
端子（２）又は該引出端子（２）の被覆膜を陽極酸化可
能なバルブ金属により形成する工程と、 前記引出端子（２ａ）の少なくとも両側を陽極酸化して
バリヤ型酸化皮膜（４）を形成するとともに、前記引出
端子（２ａ）の上面の少なくとも一部を露出させる工程
と、 全体にＩＴＯ膜（５）を積層した後に、少なくとも前記
引出端子（２ａ）及びその周辺にある該ＩＴＯ膜（５）
をマスクにより覆ってから、該マスク（３）から露出し
ている該ＩＴＯ膜（５）をウェットエッチングして除去
する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項３】前記バルブ金属はアルミニウムであって、
前記バリア型酸化皮膜（４）はAl2O3 膜であることを特
徴とする請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17686592A JPH0618912A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17686592A JPH0618912A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0618912A true JPH0618912A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16021163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17686592A Withdrawn JPH0618912A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618912A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510918A (en) * | 1993-06-24 | 1996-04-23 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device with a structure of improved terminal contact |
| JP2001281694A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR100467733B1 (ko) * | 1996-12-09 | 2005-03-16 | 소니 가부시끼 가이샤 | 플라즈마어드레스전기광학디스플레이 |
| WO2007043645A1 (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 素子の製造方法 |
| KR100713641B1 (ko) * | 2000-08-08 | 2007-05-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2010177676A (ja) * | 2010-03-08 | 2010-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17686592A patent/JPH0618912A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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