JPH06235927A - Ｔｆｔ−ｌｃｄ用信号線の製造方法及びその構造 - Google Patents
Ｔｆｔ−ｌｃｄ用信号線の製造方法及びその構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗を減少させて信号遅延の現象を防止し、
歩留りを向上することができるＴＦＴ−ＬＣＤの信号線
の提供。 【構成】 製造方法は、ガラス基板１に第１金属２、第
２金属３を順次形成する第１工程と、第２金属３を幅Ｗ
1を画定した後第２金属３をエッチングする第２工程
と、基板上の全面にわたって第３金属４を蒸着し信号線
の幅Ｗ2を画定して第１金属２および第３金属４の不要
部分を、同時に除去する第３工程と、を含む。
歩留りを向上することができるＴＦＴ−ＬＣＤの信号線
の提供。 【構成】 製造方法は、ガラス基板１に第１金属２、第
２金属３を順次形成する第１工程と、第２金属３を幅Ｗ
1を画定した後第２金属３をエッチングする第２工程
と、基板上の全面にわたって第３金属４を蒸着し信号線
の幅Ｗ2を画定して第１金属２および第３金属４の不要
部分を、同時に除去する第３工程と、を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＦＴ−ＬＣＤ（Ｔｈ
ｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−Ｌｉｑｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）に関し、特に信号線
の抵抗を低減し、歩留りを向上することができるＴＦＴ
−ＬＣＤ信号線の製造方法及び構造に関する。
ｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−Ｌｉｑｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）に関し、特に信号線
の抵抗を低減し、歩留りを向上することができるＴＦＴ
−ＬＣＤ信号線の製造方法及び構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＦＴ−ＬＣＤを添付図面を参照
して説明する。
して説明する。
【０００３】図１は日本の“Ｊａｐａｎ ｄｉｓｐｌａ
ｙ（８９）、ｋｙｏｔｏ”抄録集、ｐ４９８に掲載され
たＴＦＴ−ＬＣＤ用信号線の構造に関するもので、イケ
ダが発表した内容である。即ち、ガラス基板１上の所定
部位に、タンタル膜である第１金属２、銅膜である第２
金属３、タンタル膜である第３金属４膜が積層されて信
号線であるゲート電極１３ａとデータライン１３ｂが形
成され、全面に絶縁膜５が蒸着され、ゲート電極１３ａ
上側に非晶質シリコン層６、ｎ+非晶質シリコン層７、
ソース／ドレイン電極８が形成された構造である。
ｙ（８９）、ｋｙｏｔｏ”抄録集、ｐ４９８に掲載され
たＴＦＴ−ＬＣＤ用信号線の構造に関するもので、イケ
ダが発表した内容である。即ち、ガラス基板１上の所定
部位に、タンタル膜である第１金属２、銅膜である第２
金属３、タンタル膜である第３金属４膜が積層されて信
号線であるゲート電極１３ａとデータライン１３ｂが形
成され、全面に絶縁膜５が蒸着され、ゲート電極１３ａ
上側に非晶質シリコン層６、ｎ+非晶質シリコン層７、
ソース／ドレイン電極８が形成された構造である。
【０００４】ここで、本発明に該当する分野は、信号線
であり、信号線の中の第１金属２膜はガラス基板１との
接着力を増大させる役割をし、第２金属３は抵抗を低下
させる（３μΩ・ｃｍ程度）役割をし、第３金属４膜は
第２金属３が酸化しやすい材質であるので酸化を防止す
る役割をする。
であり、信号線の中の第１金属２膜はガラス基板１との
接着力を増大させる役割をし、第２金属３は抵抗を低下
させる（３μΩ・ｃｍ程度）役割をし、第３金属４膜は
第２金属３が酸化しやすい材質であるので酸化を防止す
る役割をする。
【０００５】このような従来のＴＦＴ−ＬＣＤ信号線の
製造方法を図２を参照して説明する。図２ａに示すよう
に、ガラス基板１上に厚さ５００Åのタンタル膜である
第１金属２膜、厚さ２０００Åの銅膜である第２金属３
膜、厚さ５００Åのタンタル膜である第３金属４膜を順
次スパッタリングにより蒸着した後、図２ｂに示すよう
に、ホトレジスト９を蒸着しホトリソグラフィー工程に
より信号線の幅を画定した後、ＣＦ4／Ｏ2ガスを用いて
第３金属４を乾式エッチングする。
製造方法を図２を参照して説明する。図２ａに示すよう
に、ガラス基板１上に厚さ５００Åのタンタル膜である
第１金属２膜、厚さ２０００Åの銅膜である第２金属３
膜、厚さ５００Åのタンタル膜である第３金属４膜を順
次スパッタリングにより蒸着した後、図２ｂに示すよう
に、ホトレジスト９を蒸着しホトリソグラフィー工程に
より信号線の幅を画定した後、ＣＦ4／Ｏ2ガスを用いて
第３金属４を乾式エッチングする。
【０００６】図２ｃに示すように、酢酸系溶液内で露出
した第２金属３を湿式エッチングし、第３金属４の同様
の方法によりＣＦ4／Ｏ2ガスを用いて第１金属２を乾式
エッチングする。次いで、図２ｄに示すように、ホトレ
ジスト９を除去し全面にシリコン酸化膜等の絶縁膜５を
プラズマ化学蒸着法により５５００Å程度の厚みで形成
してＴＦＴ−ＬＣＤ信号線の工程を完成する。
した第２金属３を湿式エッチングし、第３金属４の同様
の方法によりＣＦ4／Ｏ2ガスを用いて第１金属２を乾式
エッチングする。次いで、図２ｄに示すように、ホトレ
ジスト９を除去し全面にシリコン酸化膜等の絶縁膜５を
プラズマ化学蒸着法により５５００Å程度の厚みで形成
してＴＦＴ−ＬＣＤ信号線の工程を完成する。
【０００７】しかしながら、このような従来のＴＦＴ−
ＬＣＤ信号線の工程においては、図２ｃのＡ部分の詳細
図である図３に示すように、第３金属４を乾式エッチン
グした後、継続して第２金属３を湿式エッチングする工
程において、湿式エッチングは原理的に垂直、水平方向
のエッチング速度が同じなので、図３ａに示すように、
第２金属３の側面がエッチングされることとなり、図３
ｂに示すように、信号線絶縁膜５をシリコン酸化膜で形
成する場合、酸化性雰囲気で進行されるので第２金属３
が酸化されながら体積膨張が起す。
ＬＣＤ信号線の工程においては、図２ｃのＡ部分の詳細
図である図３に示すように、第３金属４を乾式エッチン
グした後、継続して第２金属３を湿式エッチングする工
程において、湿式エッチングは原理的に垂直、水平方向
のエッチング速度が同じなので、図３ａに示すように、
第２金属３の側面がエッチングされることとなり、図３
ｂに示すように、信号線絶縁膜５をシリコン酸化膜で形
成する場合、酸化性雰囲気で進行されるので第２金属３
が酸化されながら体積膨張が起す。
【０００８】従って薄膜トランジスタの製作後、ゲート
電極とソース／ドレイン電極間の電流漏れの原因とな
り、かつ場合によってはゲート電極とソース／ドレイン
電極間の短絡現象が起こってＴＦＴ−ＬＣＤが不良とな
る。
電極とソース／ドレイン電極間の電流漏れの原因とな
り、かつ場合によってはゲート電極とソース／ドレイン
電極間の短絡現象が起こってＴＦＴ−ＬＣＤが不良とな
る。
【０００９】また、ゲート電極とソース／ドレイン電極
間の短絡を防止するために、ゲート電極の金属を陽極酸
化させて陽極酸化膜を形成するか、またはシリコン酸化
膜とシリコン窒化膜との２重構造の絶縁膜を形成するこ
とができるが、従来構造において、第１金属２、第２金
属３、第３金属４からなる３重構造の信号線を陽極酸化
させる場合には、上方の第３金属４を陽極酸化しなけれ
ばならないが、側部の第２金属３は酸化せず、かつ陽極
酸化時の溶液によって腐食するおそれがあるので、ソー
ス／ドレイン電極８とゲート電極間の漏れ電流を防止
し、歩留りを向上させるのに問題点があった。
間の短絡を防止するために、ゲート電極の金属を陽極酸
化させて陽極酸化膜を形成するか、またはシリコン酸化
膜とシリコン窒化膜との２重構造の絶縁膜を形成するこ
とができるが、従来構造において、第１金属２、第２金
属３、第３金属４からなる３重構造の信号線を陽極酸化
させる場合には、上方の第３金属４を陽極酸化しなけれ
ばならないが、側部の第２金属３は酸化せず、かつ陽極
酸化時の溶液によって腐食するおそれがあるので、ソー
ス／ドレイン電極８とゲート電極間の漏れ電流を防止
し、歩留りを向上させるのに問題点があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、抵抗
を減少させて信号遅延の現象を防止し、歩留りを向上す
ることができるＴＦＴ−ＬＣＤの信号線の製造方法およ
び構造を提供することにある。
を減少させて信号遅延の現象を防止し、歩留りを向上す
ることができるＴＦＴ−ＬＣＤの信号線の製造方法およ
び構造を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、ガラス
基板１に第１金属２、第２金属３を順次形成する第１工
程と、第２金属３の幅Ｗ1を画定した後第２金属をエッ
チングする第２工程と、全面に第３金属４を蒸着し信号
線の幅Ｗ2を画定して第１金属２および第３金属４の不
溶部分を、同時に除去する第３工程と、を含む。
基板１に第１金属２、第２金属３を順次形成する第１工
程と、第２金属３の幅Ｗ1を画定した後第２金属をエッ
チングする第２工程と、全面に第３金属４を蒸着し信号
線の幅Ｗ2を画定して第１金属２および第３金属４の不
溶部分を、同時に除去する第３工程と、を含む。
【００１２】また、本発明はＴＦＴ−ＬＣＤ信号線を抵
抗の低い第２金属を、接着力が良く第２金属の酸化防止
が可能な第１金属および第３金属で覆うように形成した
ものである。
抗の低い第２金属を、接着力が良く第２金属の酸化防止
が可能な第１金属および第３金属で覆うように形成した
ものである。
【００１３】
【実施例】上述した本発明のＴＦＴ−ＬＣＤ信号線の製
造方法および構造を添付図面を参照して詳述する。
造方法および構造を添付図面を参照して詳述する。
【００１４】図４は、本発明のＴＦＴ−ＬＣＤの構造断
面図で、ガラス基板１上にタンタル、ニオブ等の接着力
の良い第１金属２と、銅等の伝導性の優れた第２金属
３、タンタル、ニオブ等の接着力が良い第３金属４が積
層されて第１金属２と第３金属４とが第２金属３を覆う
ように構成された信号線、データライン１３ｂ、ゲート
電極１３ａが形成され、信号線の表面には第１金属２、
第３金属４を陽極酸化させたＴａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ2等の第
１絶縁膜５ａが形成され、その上に全面にわたって通常
の構造で第２絶縁膜５が形成され、ゲート電極１３ａ上
側の第２絶縁膜５上に、非晶質シリコン層６、ｎ+非晶
質シリコン層７、ソース／ドレイン電極８が形成され
る。
面図で、ガラス基板１上にタンタル、ニオブ等の接着力
の良い第１金属２と、銅等の伝導性の優れた第２金属
３、タンタル、ニオブ等の接着力が良い第３金属４が積
層されて第１金属２と第３金属４とが第２金属３を覆う
ように構成された信号線、データライン１３ｂ、ゲート
電極１３ａが形成され、信号線の表面には第１金属２、
第３金属４を陽極酸化させたＴａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ2等の第
１絶縁膜５ａが形成され、その上に全面にわたって通常
の構造で第２絶縁膜５が形成され、ゲート電極１３ａ上
側の第２絶縁膜５上に、非晶質シリコン層６、ｎ+非晶
質シリコン層７、ソース／ドレイン電極８が形成され
る。
【００１５】前記第１金属２および第３金属４はタンタ
ル、ニオブ以外にも、チタン、バナジウムと３族金属の
いずれかを使用してもよく、また第２電極としてＣｕの
代わりに銅合金およびＡｌまたＡｌ合金を使用してもよ
い。
ル、ニオブ以外にも、チタン、バナジウムと３族金属の
いずれかを使用してもよく、また第２電極としてＣｕの
代わりに銅合金およびＡｌまたＡｌ合金を使用してもよ
い。
【００１６】このような構造の本発明のＴＦＴ−ＬＣＤ
信号線の製造方法を添付図面を参照して説明する。
信号線の製造方法を添付図面を参照して説明する。
【００１７】図５は本発明の第１実施例のＴＦＴ−ＬＣ
Ｄ用信号線の工程断面図で、図６は本発明の第２実施例
の工程断面図である。
Ｄ用信号線の工程断面図で、図６は本発明の第２実施例
の工程断面図である。
【００１８】図５ａに示すように、ガラス基板１上にタ
ンタル、ニオブ等の第１金属２を２００〜１０００Å厚
さで、銅等の抵抗の低い金属の第２金属３を５００〜３
０００Å厚さで順次スパッタリング方法により蒸着した
後、ホトレジスト９を施し、ホトリソグラフィー法によ
りホトレジスト９を所定の幅Ｗ1でパターニングした
後、硝酸系溶液で第２金属３を湿式エッチングする。す
ると、垂直水平方向にエッチングされるので図５ａの第
２金属３のような構造となる。
ンタル、ニオブ等の第１金属２を２００〜１０００Å厚
さで、銅等の抵抗の低い金属の第２金属３を５００〜３
０００Å厚さで順次スパッタリング方法により蒸着した
後、ホトレジスト９を施し、ホトリソグラフィー法によ
りホトレジスト９を所定の幅Ｗ1でパターニングした
後、硝酸系溶液で第２金属３を湿式エッチングする。す
ると、垂直水平方向にエッチングされるので図５ａの第
２金属３のような構造となる。
【００１９】図５ｂに示すように、ホトレジスト９を除
去し全面に第３金属４を５００〜１５００Å厚さで蒸着
する。図５ｃに示すように、ホトレジスト９ａを蒸着し
信号線の形成マスクを利用してホトリソグラフィー法に
よりホトレジスト９ａを所定の幅Ｗ1でパターニングし
た後、エッチング工程により第１金属、第３金属４の不
要部分を除去する。この時信号線の幅Ｗ2は第２金属３
の幅Ｗ1より１μｍ以上になるようにし、第１金属２お
よび第３金属４をＴａで形成した場合は、ＣＦ4／Ｏ2ガ
スを利用してエッチングする。
去し全面に第３金属４を５００〜１５００Å厚さで蒸着
する。図５ｃに示すように、ホトレジスト９ａを蒸着し
信号線の形成マスクを利用してホトリソグラフィー法に
よりホトレジスト９ａを所定の幅Ｗ1でパターニングし
た後、エッチング工程により第１金属、第３金属４の不
要部分を除去する。この時信号線の幅Ｗ2は第２金属３
の幅Ｗ1より１μｍ以上になるようにし、第１金属２お
よび第３金属４をＴａで形成した場合は、ＣＦ4／Ｏ2ガ
スを利用してエッチングする。
【００２０】図５ｄに示すように、ホトレジスト９ａを
除去し、スズ酸アンモニウム水溶液０．１〜０．００１
ｍｏｌ／ｌで５０〜１００Ｖの電圧を印加して、露出し
た第１金属２および第３金属４の表面を陽極酸化させ、
８００〜１６００ÅのＴａ2Ｏ5またはＮｂ2Ｏ2等の第１
絶縁膜５ａを形成する。
除去し、スズ酸アンモニウム水溶液０．１〜０．００１
ｍｏｌ／ｌで５０〜１００Ｖの電圧を印加して、露出し
た第１金属２および第３金属４の表面を陽極酸化させ、
８００〜１６００ÅのＴａ2Ｏ5またはＮｂ2Ｏ2等の第１
絶縁膜５ａを形成する。
【００２１】このような工程により、ＴＦＴ−ＬＣＤ信
号線を完成した後、パッド領域は図６のように形成す
る。即ち図５ｄに示すように、信号線を形成し、図６ａ
に示すように、酸化ケイ素膜または窒化ケイ素膜等を３
０００Å程度で蒸着して第２絶縁膜５を形成し、図６ｂ
に示すように、ホトレジスト９ｂを蒸着しホトリソグラ
フィー法によりパッドの上方がオープンになるようにパ
ターニングした後、乾式または湿式のエッチングにより
第１、第２絶縁膜５ａ、５および第３金属４を順次エッ
チングする。
号線を完成した後、パッド領域は図６のように形成す
る。即ち図５ｄに示すように、信号線を形成し、図６ａ
に示すように、酸化ケイ素膜または窒化ケイ素膜等を３
０００Å程度で蒸着して第２絶縁膜５を形成し、図６ｂ
に示すように、ホトレジスト９ｂを蒸着しホトリソグラ
フィー法によりパッドの上方がオープンになるようにパ
ターニングした後、乾式または湿式のエッチングにより
第１、第２絶縁膜５ａ、５および第３金属４を順次エッ
チングする。
【００２２】図７は本発明のパッド（ＰＡＤ）構造に半
導体素子（ＩＣ）のチップを接続させる場合の断面図
で、シリコン半導体素子（ＩＣ）の銅２が配線の接続部
分の表面に配列されるようにし、本発明のパッド構造の
第２金属３に直接、または第２金属３上に電気めっきに
よって金１０を全着して、その上に接続されるように
し、接続する物質をＰｂ／Ｓｍ系合金１１を用いる。
導体素子（ＩＣ）のチップを接続させる場合の断面図
で、シリコン半導体素子（ＩＣ）の銅２が配線の接続部
分の表面に配列されるようにし、本発明のパッド構造の
第２金属３に直接、または第２金属３上に電気めっきに
よって金１０を全着して、その上に接続されるように
し、接続する物質をＰｂ／Ｓｍ系合金１１を用いる。
【００２３】従って、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａ
ｓｓ）の適用のためにパッド上に金属を再形成する必要
はなく、配線時の金属を用いるので、工程を単純化する
ことができる。
ｓｓ）の適用のためにパッド上に金属を再形成する必要
はなく、配線時の金属を用いるので、工程を単純化する
ことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
２次にわたるエッチング工程で信号線の断線を防止し、
ソース／ドレイン電極とゲート電極１３ａ間の電流漏れ
および短絡を防止し、かつＣＯＧの可能なパッドを提供
し歩留りを向上させる効果が得られる。
２次にわたるエッチング工程で信号線の断線を防止し、
ソース／ドレイン電極とゲート電極１３ａ間の電流漏れ
および短絡を防止し、かつＣＯＧの可能なパッドを提供
し歩留りを向上させる効果が得られる。
【図１】従来のＴＦＴ−ＬＣＤ構造の断面図である。
【図２】ａ〜ｄは従来のＴＦＴ−ＬＣＤ用信号線の工程
断面図である。
断面図である。
【図３】ａ，ｂは図２のＡ部分詳細図である。
【図４】本発明のＴＦＴ−ＬＣＤ構造の断面図である。
【図５】ａ〜ｄは本発明の第１実施例のＴＦＴ−ＬＣＤ
用信号線の工程断面図である。
用信号線の工程断面図である。
【図６】ａ，ｂは本発明の第２実施例のＴＦＴ−ＬＣＤ
用パッド部分信号線の工程断面図である。
用パッド部分信号線の工程断面図である。
【図７】本発明のパッド構造に半導体素子のチップを接
続させる場合の構造断面図である。
続させる場合の構造断面図である。
【符号の説明】 １：基板 ２：第１金属 ３：第２金属 ４：第３金属 ５，５ａ：絶縁膜 ６：非晶質シリコン ７：ｎ+非晶質シリコン ８：ソース／ドレイン電極 ９，９ａ，９ｂ：ホトレジスト １０：金 １１：Ｐａ／Ｓｍ系合金 １２：銅
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラス基板１に第１金属２、第２金属３
を順次形成する第１工程と、 第２金属３の幅Ｗ1を画定した後第２金属３をエッチン
グする第２工程と、 基板上の全面にわたって第３金属４を蒸着し信号線の幅
Ｗ2を画定して第１金属２および第３金属４の不要部分
を、同時に除去する第３工程と、を含むＴＦＴ−ＬＣＤ
用信号線の製造方法。 - 【請求項２】 第１金属２、第３金属４を陽極酸化して
第１絶縁膜５ａを形成する第４工程を、さらに含むこと
を特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 第１金属２と第３金属４は、タンタル、
ニオブ、チタン、バナジウム又は３族金属からいずれか
を選択して形成することを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項４】 第２金属３は、銅、銅合金、Ａｌ又はＡ
ｌ合金からいずれかを選択して形成することを特徴とす
る請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 信号線の幅Ｗ2は、第２金属３の幅Ｗ1よ
り１μｍ以上広くなるように形成することを特徴とする
請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 第２金属３のエッチングは、酢酸系溶液
で湿式エッチングすることを特徴とする請求項１記載の
方法。 - 【請求項７】 絶縁基板１と、 絶縁基板１上に形成され、絶縁基板１と接着力の良い第
１金属２と、 第１金属２上に形成され、抵抗が２０μΩ・ｃｍ以下の
第２金属３と、 第２金属３を第１金属２と共に覆うように形成され、第
１金属２と同じ物質で構成された第３金属４と、 第１金属２および第３金属４を陽極酸化して形成された
第１絶縁膜５ａと、で構成されることを特徴とするＴＦ
Ｔ−ＬＣＤ信号線の構造。 - 【請求項８】 パッド信号線は、第２金属３の一部が露
出してパッド信号線と周辺回路とが電気的に接続するよ
うに構成されたことを特徴とする請求項７記載の構造。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920020859A KR950010661B1 (ko) | 1992-11-07 | 1992-11-07 | 티에프티 엘씨디(tft-lcd)용 신호선 제조방법 및 구조 |
| KR92-20859 | 1992-11-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06235927A true JPH06235927A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=19342679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5274498A Pending JPH06235927A (ja) | 1992-11-07 | 1993-11-02 | Ｔｆｔ−ｌｃｄ用信号線の製造方法及びその構造 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5467882A (ja) |
| JP (1) | JPH06235927A (ja) |
| KR (1) | KR950010661B1 (ja) |
| CN (1) | CN1040914C (ja) |
| DE (1) | DE4337849C2 (ja) |
| FR (1) | FR2697923B1 (ja) |
| TW (1) | TW246721B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020094810A (ko) * | 2001-06-13 | 2002-12-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 어레이 기판 및 제조 방법 |
| KR100866976B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2008-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
| KR100870008B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2008-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07175084A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH0822024A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリクス基板およびその製法 |
| US6008877A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having multilayered electrodes with a layer adhesive to a substrate formed of indium tin oxide |
| KR100229613B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-11-15 | 구자홍 | 액정 표시 장치 및 제조 방법 |
| GB2347267B (en) * | 1998-02-20 | 2001-05-02 | Lg Lcd Inc | A liquid crystal display |
| KR100276442B1 (ko) | 1998-02-20 | 2000-12-15 | 구본준 | 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치 |
| KR100487358B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 라인 온 글래스형 액정표시패널 및 그 제조방법 |
| WO2004097915A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 液滴吐出装置、パターンの形成方法、および半導体装置の製造方法 |
| CN1301426C (zh) * | 2003-08-19 | 2007-02-21 | 友达光电股份有限公司 | 窄边框设计的液晶显示面板及其制作方法 |
| KR101006438B1 (ko) * | 2003-11-12 | 2011-01-06 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US7273773B2 (en) | 2004-01-26 | 2007-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing thereof, and television device |
| US7462514B2 (en) * | 2004-03-03 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television |
| US20050196710A1 (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device and method for manufacturing the same, and television apparatus |
| US7642038B2 (en) * | 2004-03-24 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus |
| US8158517B2 (en) | 2004-06-28 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring substrate, thin film transistor, display device and television device |
| CN100386689C (zh) * | 2004-07-12 | 2008-05-07 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器像素结构的制造方法 |
| TWI354350B (en) * | 2005-05-25 | 2011-12-11 | Au Optronics Corp | Copper gate electrode and fabricating method there |
| CN101819961B (zh) * | 2009-02-27 | 2015-04-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器的阵列基板、信号线及其制造方法 |
| US9282772B2 (en) | 2012-01-31 | 2016-03-15 | Altria Client Services Llc | Electronic vaping device |
| CN102629592A (zh) * | 2012-03-23 | 2012-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN109100893B (zh) * | 2018-06-29 | 2021-11-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、阵列基板 |
| CN110223990B (zh) * | 2019-06-18 | 2022-03-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顶栅结构及其制备方法、阵列基板、显示设备 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH01173650A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-10 | Seikosha Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
| US5153754A (en) * | 1989-06-30 | 1992-10-06 | General Electric Company | Multi-layer address lines for amorphous silicon liquid crystal display devices |
| JPH0828517B2 (ja) * | 1989-07-04 | 1996-03-21 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
| DE3929847A1 (de) * | 1989-09-08 | 1991-05-08 | Ernst Prof Dr Ing Lueder | Verfahren zur herstellung eines elektronischen schaltelementes |
| JP2869893B2 (ja) * | 1989-11-07 | 1999-03-10 | カシオ計算機株式会社 | 半導体パネル |
| KR970009491B1 (ko) * | 1989-11-30 | 1997-06-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 배선재료와 이를 이용한 전자장치 및 액정표시장치 |
| JPH04305627A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-28 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-07 KR KR1019920020859A patent/KR950010661B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-10-29 US US08/145,772 patent/US5467882A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-30 TW TW082109076A patent/TW246721B/zh not_active IP Right Cessation
- 1993-11-02 JP JP5274498A patent/JPH06235927A/ja active Pending
- 1993-11-05 FR FR9313197A patent/FR2697923B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-05 DE DE4337849A patent/DE4337849C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-06 CN CN93114476A patent/CN1040914C/zh not_active Expired - Lifetime
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| KR100870008B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2008-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
| KR100866976B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2008-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
Also Published As
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|---|---|
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| FR2697923B1 (fr) | 1995-08-18 |
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| FR2697923A1 (fr) | 1994-05-13 |
| KR940011990A (ko) | 1994-06-22 |
| CN1088315A (zh) | 1994-06-22 |
| US5467882A (en) | 1995-11-21 |
| DE4337849C2 (de) | 1996-08-08 |
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| DE4337849A1 (de) | 1994-05-11 |
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