JPH02281237A - 表示装置の電極構造 - Google Patents
表示装置の電極構造Info
- Publication number
- JPH02281237A JPH02281237A JP10324689A JP10324689A JPH02281237A JP H02281237 A JPH02281237 A JP H02281237A JP 10324689 A JP10324689 A JP 10324689A JP 10324689 A JP10324689 A JP 10324689A JP H02281237 A JPH02281237 A JP H02281237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- transparent
- electrode
- auxiliary electrode
- metal auxiliary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
表示装置の電極構造に関し、
例えばマトリクス型液晶表示パネルにおいてクロストー
ク及び輝度傾斜の改善を可能とすることを目的とし、 〔産業上の利用分野〕 本発明は表示装置の電極構造に関する。
ク及び輝度傾斜の改善を可能とすることを目的とし、 〔産業上の利用分野〕 本発明は表示装置の電極構造に関する。
例えばントリクス型液晶表示パネルにおいて、クロスト
ーク及び輝度傾斜を改善するためには、透明電極の電気
抵抗を低くする必要がある、。
ーク及び輝度傾斜を改善するためには、透明電極の電気
抵抗を低くする必要がある、。
透明電極の電気抵抗を低くするために、■透明電極膜を
厚くした構成、■金属の補助電極を透明電極膜に沿わせ
た構成がある。■の構成は例えば時開１８６１−７７０
３１に示すように、補助電極を透明電極膜の上面に配し
た栴造である１゜ （発明が解決しようとする課題） 上記■のように透明電極膜を厚くすると、透明率が低下
すると共に表面状態が悪化してしまう。
厚くした構成、■金属の補助電極を透明電極膜に沿わせ
た構成がある。■の構成は例えば時開１８６１−７７０
３１に示すように、補助電極を透明電極膜の上面に配し
た栴造である１゜ （発明が解決しようとする課題） 上記■のように透明電極膜を厚くすると、透明率が低下
すると共に表面状態が悪化してしまう。
上記■の構成では、補助電極を透明電極膜の上面におい
てエツチングするため、以下に挙げる問題があった。
てエツチングするため、以下に挙げる問題があった。
（１） エツチング液として補助電極膜はエツチング
し、透明電極膜は極力エツチングしにくいものを使用す
るが、実際には透明電極膜もエツチングされその表面の
状態が悪くなったり、膜厚が薄くなったりしてしまう。
し、透明電極膜は極力エツチングしにくいものを使用す
るが、実際には透明電極膜もエツチングされその表面の
状態が悪くなったり、膜厚が薄くなったりしてしまう。
■ 補助電極膜は透明電極膜の上ではオーバエツチング
され、補助電極膜を寸法精度良く形成することが出来な
い。
され、補助電極膜を寸法精度良く形成することが出来な
い。
従って、上記■、■の構成では、クロス１−−り及び輝
度傾斜の改善が困難であった。
度傾斜の改善が困難であった。
本発明は、例えばマトリクス型液晶表示パネルにおいて
クロストーク及び輝度傾斜の改善を可能とした透明電極
を提供することを目的とする。。
クロストーク及び輝度傾斜の改善を可能とした透明電極
を提供することを目的とする。。
本発明は、透明導電膜により形成した表示装置の電極に
おいて、 透明導電膜の下側に透明電極の電気抵抗を低下させるた
めの金属補助電極を配設して構成する。
おいて、 透明導電膜の下側に透明電極の電気抵抗を低下させるた
めの金属補助電極を配設して構成する。
上記金属補助電極が透明導電膜の下側に配設しであるた
め、金属補助電極のエツチングによる形成は、透明導電
膜とは何ら無関係に行われ、金属補助電極は精度良く形
成される。透明導電膜が金属補助電極を習っており、透
明導電膜のエツチングによる形成も金属補助電極に何ら
の影響も与えずに可能となる。
め、金属補助電極のエツチングによる形成は、透明導電
膜とは何ら無関係に行われ、金属補助電極は精度良く形
成される。透明導電膜が金属補助電極を習っており、透
明導電膜のエツチングによる形成も金属補助電極に何ら
の影響も与えずに可能となる。
第１図は本発明の第１実施例の透明電極が適用されたマ
トリクス型液晶表示パネル１を示す。
トリクス型液晶表示パネル１を示す。
２．３は基板組立体、４は液晶である。
５．６．７は本発明の第１実施例の透明電極であり、夫
々ガラス基板８．９上に形成しである。
々ガラス基板８．９上に形成しである。
透明電極５，６と透明電極７とは平面図上に直交してい
る。
る。
第２図、第３図、第４図は−の透明電極５を取出して示
す。
す。
１０は金属補助電極であり、Ｃｒ層１０とＣＬＩ層１層
上２１層１３とよりなる三層構造であり、ガラス基板８
上に所定の幅ｗ１で形成しである、１１４は透明導電膜
（ＩＴＯ）であり、金属補助電極１０を完全に覆ってガ
ラス基板８上に形成しである。
上２１層１３とよりなる三層構造であり、ガラス基板８
上に所定の幅ｗ１で形成しである、１１４は透明導電膜
（ＩＴＯ）であり、金属補助電極１０を完全に覆ってガ
ラス基板８上に形成しである。
透明導電膜１４は幅がｗ２であり、駆動回路よりのリー
ド線が接続される端末部分１４ａの幅はこれよりも広＜
ｗ３である。
ド線が接続される端末部分１４ａの幅はこれよりも広＜
ｗ３である。
他の透明電極６．７も上記と同じ構造である。
次に、上記の透明電極５，６を形成する方法について説
明する。
明する。
まず、第５図（Ａ）に示すように、ガラス基板８の上面
に、２００人の０１層２０と２，０００人の００層２１
と２００人の０１層２２よりなる三層構造の金属膜２３
をスパッタリングにより形成する。
に、２００人の０１層２０と２，０００人の００層２１
と２００人の０１層２２よりなる三層構造の金属膜２３
をスパッタリングにより形成する。
Ｃｕ層２１は補助電極を構成するためのものである１、
下側の０１層２０は金属補助電極１０（Ｃｕ層２１）の
ガラス基板８との密着性を良くするために、上側の０１
層２２は金属補助電極１０（Ｃｕ層２１）の透明導電膜
１４との密着性を良くするために設けである３゜ 次に同図（Ｂ）に示すように、レジストパターン２４を
形成して、金属膜２３を１ツチングする。。
下側の０１層２０は金属補助電極１０（Ｃｕ層２１）の
ガラス基板８との密着性を良くするために、上側の０１
層２２は金属補助電極１０（Ｃｕ層２１）の透明導電膜
１４との密着性を良くするために設けである３゜ 次に同図（Ｂ）に示すように、レジストパターン２４を
形成して、金属膜２３を１ツチングする。。
同図（Ｃ）はエツチングした後の状態を示す。
次に、同図（Ｄ）に示すようにレジストパターンを剥離
する。
する。
これにより金属補助電極１０がガラス基板８上に形成さ
れる。
れる。
ここで、金属膜２３はガラス基板８上に形成される状態
でエツチングされるため、一般のエツチング液を使用し
てもガラス基板８の表面をエツチングせずに金属膜２３
だけがエツチングされ、しかもオーバエツチングは起き
ない、１ 従って、金属補助電極１０は寸法精度良く且つ安定に、
しかもガラス基板８と良好に密着して形成される。
でエツチングされるため、一般のエツチング液を使用し
てもガラス基板８の表面をエツチングせずに金属膜２３
だけがエツチングされ、しかもオーバエツチングは起き
ない、１ 従って、金属補助電極１０は寸法精度良く且つ安定に、
しかもガラス基板８と良好に密着して形成される。
次に、同図（Ｅ）に示すように、ガラス基板８の全面に
亘って厚さ２，０００人の透明導電膜２５をスパッタリ
ングにより形成する。
亘って厚さ２，０００人の透明導電膜２５をスパッタリ
ングにより形成する。
次に、同図（Ｆ）に示すように、金属補助電極１０を覆
うようにレジストパターン２６を形成して、透明導電膜
２５をエツチングする。このエツチングのとき金属補助
電極１０は透明導電膜２５により覆われれており、エツ
チング液は金属補助電極１０には及ばない。従って、エ
ツチングは、一般のエツチング液を使用して行われ、し
かも金属補助電極１０の品質を何ら損ねることなく行わ
れる１、同図（Ｇ）はエツチングした後の状態を示す。
うようにレジストパターン２６を形成して、透明導電膜
２５をエツチングする。このエツチングのとき金属補助
電極１０は透明導電膜２５により覆われれており、エツ
チング液は金属補助電極１０には及ばない。従って、エ
ツチングは、一般のエツチング液を使用して行われ、し
かも金属補助電極１０の品質を何ら損ねることなく行わ
れる１、同図（Ｇ）はエツチングした後の状態を示す。
最後に、レジストパターン２６を別離すると、同図（Ｈ
）に示す如くになり、前記の透明電極５゜６が形成され
る１゜ 上記より分るように、透明電極５は、金属補助電極１０
については寸法精度良く形成され、透明導電膜１４は良
質なものとなり、端末間の抵抗は約ｐキロオームと低く
なっている。
）に示す如くになり、前記の透明電極５゜６が形成され
る１゜ 上記より分るように、透明電極５は、金属補助電極１０
については寸法精度良く形成され、透明導電膜１４は良
質なものとなり、端末間の抵抗は約ｐキロオームと低く
なっている。
上記の透明電極５，６．７を有する液晶表示パネル１に
おいては、６４０Ｘ ４００ラインのものにおいて、８
階調までの明度表示が可能となり、クロストークが改善
され、輝度傾斜が改善される。
おいては、６４０Ｘ ４００ラインのものにおいて、８
階調までの明度表示が可能となり、クロストークが改善
され、輝度傾斜が改善される。
第６図、第７図、第８図は本発明の第２実施例になる透
明電極３０を示す。
明電極３０を示す。
３１は金属補助電極であり、ガラス基板３２上に形成し
てあり、表示部３３の部分は細い金属補助電極部３１ａ
となっており、接続部３４の部分は幅広の金属補助電極
部３１ｂとなっている。
てあり、表示部３３の部分は細い金属補助電極部３１ａ
となっており、接続部３４の部分は幅広の金属補助電極
部３１ｂとなっている。
３５は透明導電膜であり、金属補助電極３１を覆って形
成しである。
成しである。
金属補助電極部３１ｂがＷ４と幅広であるため、透明電
極３０の端末間の抵抗は、前記第１実施例の場合より更
に低くなって１．５キロオームである。
極３０の端末間の抵抗は、前記第１実施例の場合より更
に低くなって１．５キロオームである。
この透明型１１ｉ３０を適用することにより、クロスｌ
−−り及び輝度傾斜が更に改善できる。
−−り及び輝度傾斜が更に改善できる。
また、上記の実施例によれば、透明導電膜をエツチング
するマスクの位置合せに誤差があってもリード線接続部
については所定の幅を確保できるという効果もある。
するマスクの位置合せに誤差があってもリード線接続部
については所定の幅を確保できるという効果もある。
例えば、エツチングのマスクが第６図ウニ点鎖線で示す
ように、正規の位置に対して図中上方にずれた場合にも
金属補助電極部３１ｂについてみると、第９図ウニ点鎖
線で示す部分は除去されるが、これとは反対側に透明導
電膜３５が延出しており、この延出部分３５ａによって
、広い幅Ｗ５が確保される。
ように、正規の位置に対して図中上方にずれた場合にも
金属補助電極部３１ｂについてみると、第９図ウニ点鎖
線で示す部分は除去されるが、これとは反対側に透明導
電膜３５が延出しており、この延出部分３５ａによって
、広い幅Ｗ５が確保される。
第１０図、第１１図、第１２図は本発明の第３実施例に
なる透明電極４０を示す。
なる透明電極４０を示す。
金属補助電極４１は、ガラス基板４２上に形成してあり
、上記の金属補助電極３１と同じく、表示部４３の部分
は細い金属補助電極部４１ａ、接続部４４の部分は幅広
の金属補助電極部４ ｌ ｂとなっている３゜ ４５は透明電極膜であり、表示部４３の金属補助電極部
４１ａのみを覆って形成しである。
、上記の金属補助電極３１と同じく、表示部４３の部分
は細い金属補助電極部４１ａ、接続部４４の部分は幅広
の金属補助電極部４ ｌ ｂとなっている３゜ ４５は透明電極膜であり、表示部４３の金属補助電極部
４１ａのみを覆って形成しである。
接続部４４の金属補助電極部４１ｂは露出している。
この透明電極４０は、金属補助電極４１をガラス基板４
２上に形成した後、透明導電膜を表示部４３の部分に形
成し、レジスト膜を表示部４３と接続部４４０両方に形
成し、金属補助電極部４１ａについては透明導電膜によ
り、金属補助電極部４１ｂについてはレジスト膜により
覆った状態で透明導電膜をエツチングにより除去するこ
とにより形成される１、即ち、透明電極膜４５は、エツ
チング液を金属補助電極４１に作用させることなく形成
される。。
２上に形成した後、透明導電膜を表示部４３の部分に形
成し、レジスト膜を表示部４３と接続部４４０両方に形
成し、金属補助電極部４１ａについては透明導電膜によ
り、金属補助電極部４１ｂについてはレジスト膜により
覆った状態で透明導電膜をエツチングにより除去するこ
とにより形成される１、即ち、透明電極膜４５は、エツ
チング液を金属補助電極４１に作用させることなく形成
される。。
上記の透明電極４０によれば、幅広の金属補助電極部４
１ｂが存在することにより、上記の第２実施例の場合と
同様に端末間抵抗を下げることが出来る。
１ｂが存在することにより、上記の第２実施例の場合と
同様に端末間抵抗を下げることが出来る。
また、接続部４４の金属補助電極部４１ｂは露出してい
るため、リード線は透明電極膜ではなく直接金属電極を
接続されることにより、上記の各実施例の場合に比べて
リード線の接続は確実となる。
るため、リード線は透明電極膜ではなく直接金属電極を
接続されることにより、上記の各実施例の場合に比べて
リード線の接続は確実となる。
また、上記構造の透明電極を相対向する一対の基板組立
体のうち一方のものに適用する場合には、セグメント（
データ）電極よりも、負荷が多くかかり易いスキャン電
極側に適用した方が良い。
体のうち一方のものに適用する場合には、セグメント（
データ）電極よりも、負荷が多くかかり易いスキャン電
極側に適用した方が良い。
また、金属補助電極１０．３１．４１は上記のものに限
らず、例えばＡ２層だけの構造でもよい。
らず、例えばＡ２層だけの構造でもよい。
金属補助電極の材質は如伺なるものでも良く、安価とな
る。
る。
また、本発明は液晶パネルに限らず、ＥＬ、プラズマデ
イスプレィ等の透明電極を使用する装置で電気抵抗を減
少させる必要のある電極にすべて適用できる。
イスプレィ等の透明電極を使用する装置で電気抵抗を減
少させる必要のある電極にすべて適用できる。
以上説明したように、本発明によれば、補助電極が精度
良く、且つ透明導電膜に何らの影響を与えずに形成され
、また透明導電膜も補助電極に何らの影響を与えずに形
成されるため・、良好な透明電極を形成することが出来
、端末間の電気抵抗を小さく出来、表示パネルに適用し
た場合にはクロストーク及び輝度傾斜を改善することが
出来るという特長を有する。
良く、且つ透明導電膜に何らの影響を与えずに形成され
、また透明導電膜も補助電極に何らの影響を与えずに形
成されるため・、良好な透明電極を形成することが出来
、端末間の電気抵抗を小さく出来、表示パネルに適用し
た場合にはクロストーク及び輝度傾斜を改善することが
出来るという特長を有する。
第１図は本発明の第１実施例の透明電極を適用したマト
リクス型液晶表示パネルを示す図、第２図は第１図中−
の透明電極の平面図、第３図は第２図中■−■線に沿う
断面図、第４図は第２図中ＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図、
第５図は第１図中の透明電極を形成する工程を示ず図、 第６図は本発明の第２実施例の透明電極の平面図、 第７図は第６図中■−■線に沿う断面図、第８図は第６
図中■−■線に沿う断面図、第９図はエツチングのマス
クがずれた場合にも接続部に所定の電極幅を確保できる
ことを説明する第６図中■−■線に沿う断面図、 第１０図は本発明の第３実施例の透明電極の平面図、 第１１図は第１０図中Ｘｌ−Ｘ１線に沿う断面図、 第１２図は第１０図中ｘｉ−ｘｕ線に沿う断面図である
。 図において、 １、は液晶表示パネル、 ５．６．７，３０．４０は透明電極、 ８．３２．４２はガラス基板、 １０．３１．４１は金属補助電極、 １４．３５．４５は透明導電膜 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 第１１ 図 第１２図
リクス型液晶表示パネルを示す図、第２図は第１図中−
の透明電極の平面図、第３図は第２図中■−■線に沿う
断面図、第４図は第２図中ＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図、
第５図は第１図中の透明電極を形成する工程を示ず図、 第６図は本発明の第２実施例の透明電極の平面図、 第７図は第６図中■−■線に沿う断面図、第８図は第６
図中■−■線に沿う断面図、第９図はエツチングのマス
クがずれた場合にも接続部に所定の電極幅を確保できる
ことを説明する第６図中■−■線に沿う断面図、 第１０図は本発明の第３実施例の透明電極の平面図、 第１１図は第１０図中Ｘｌ−Ｘ１線に沿う断面図、 第１２図は第１０図中ｘｉ−ｘｕ線に沿う断面図である
。 図において、 １、は液晶表示パネル、 ５．６．７，３０．４０は透明電極、 ８．３２．４２はガラス基板、 １０．３１．４１は金属補助電極、 １４．３５．４５は透明導電膜 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 第１１ 図 第１２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明導電膜により形成した表示装置の電極において、 透明導電膜（１４、３５、４５）の下側に電極の電気抵
抗を低下させるための金属補助電極（１０、３１、４１
）を配設してなる構成の表示装置の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10324689A JPH02281237A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 表示装置の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10324689A JPH02281237A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 表示装置の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281237A true JPH02281237A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14349086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10324689A Pending JPH02281237A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 表示装置の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281237A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6850307B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-02-01 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal display device, and electronic equipment |
| WO2005041217A1 (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス |
| WO2005098801A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 表示装置 |
| JP2008224725A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Bridgestone Corp | 情報表示用パネル |
| EP2085816A1 (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-05 | FCM Co., Ltd. | Electrode substrate having conductive layers with different properties made of conductive materials with different properties formed on transparent base material |
| WO2009107616A1 (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 住友化学株式会社 | 透明薄膜電極 |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10324689A patent/JPH02281237A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6922225B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-07-26 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal device, and electronic equipment |
| US6924867B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-08-02 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal device, and electronic equipment |
| US6850307B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-02-01 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal display device, and electronic equipment |
| JP4600284B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2010-12-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス |
| WO2005041217A1 (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス |
| JPWO2005041217A1 (ja) * | 2003-10-28 | 2007-04-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス |
| US7901538B2 (en) | 2003-10-28 | 2011-03-08 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure |
| US7638807B2 (en) | 2003-10-28 | 2009-12-29 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure |
| WO2005098801A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 表示装置 |
| WO2005101352A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 表示装置 |
| CN100541562C (zh) | 2004-03-31 | 2009-09-16 | 富士胶片株式会社 | 显示装置 |
| JP2008224725A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Bridgestone Corp | 情報表示用パネル |
| EP2085816A1 (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-05 | FCM Co., Ltd. | Electrode substrate having conductive layers with different properties made of conductive materials with different properties formed on transparent base material |
| GB2470317A (en) * | 2008-02-28 | 2010-11-17 | Sumitomo Chemical Co | Transparent thin-film electrode |
| WO2009107616A1 (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 住友化学株式会社 | 透明薄膜電極 |
| GB2470317B (en) * | 2008-02-28 | 2012-04-11 | Sumitomo Chemical Co | Transparent thin-film electrode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100244447B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100276442B1 (ko) | 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치 | |
| KR100264112B1 (ko) | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR930005549B1 (ko) | 표시패널 및 그의 제조방법 | |
| JPH1062818A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR100356452B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPH02281237A (ja) | 表示装置の電極構造 | |
| KR100262954B1 (ko) | 액정 표시 장치 제조 방법 및 그 제조 방법에 의한 구조 | |
| JP3111658B2 (ja) | 電極基板の製造方法及び液晶装置の製造方法 | |
| JP3076483B2 (ja) | 金属配線基板の製造方法および薄膜ダイオードアレイの製造方法 | |
| US7006166B2 (en) | Liquid crystal display having a member for preventing electrical shorting | |
| JPH06160877A (ja) | 薄膜配線構造及びそれを用いた液晶表示装置 | |
| JPS62247330A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2911347B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2690404B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JPH10161093A (ja) | 液晶表示素子用配線基板の製造方法および液晶表示素子 | |
| JP3406292B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100265053B1 (ko) | 표시패널 및 그 제조방법 | |
| KR100372303B1 (ko) | 액정디스플레이패널및그제조방법 | |
| JP2980803B2 (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JP3317909B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH1124088A (ja) | 液晶表示パネル及びその製造方法 | |
| JPH02275417A (ja) | 表示素子用薄膜トランジスタ | |
| JPH0619497B2 (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JPH02187036A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 |