JPH06160877A

JPH06160877A - 薄膜配線構造及びそれを用いた液晶表示装置

Info

Publication number: JPH06160877A
Application number: JP31511592A
Authority: JP
Inventors: Genshirou Kawachi; 玄士朗河内; Koichi Abu; 恒一阿武
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-11-25
Filing date: 1992-11-25
Publication date: 1994-06-07

Abstract

(57)【要約】【目的】低抵抗特性を有し、製造が簡単で、高絶縁特
性を持つ薄膜配線構造、及び、外部接続端子の腐食及び
表示画像品質に対して高信頼性を有し、少ない工程数で
製造可能な走査信号ラインを持つ液晶表示装置を提供す
る。【構成】絶縁基板１上に積層形成される薄膜配線構造
であって、基板１に順次形成された第１の導電膜２と、
第２の導電膜３と、第３の導電膜４からなり、第１の導
電膜２は、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔａ−Ｎｂ合金、Ｔａ−Ｔｉ合
金、Ｗ、Ｔａ−Ｗ合金の中から選ばれ、第２の導電膜
は、ＴａＮ合金、ＮｂＮ合金、Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金、Ｔ
ａ−Ｔｉ−Ｎ合金、Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金の中から選ばれる
か、第１の導電膜２の自己酸化膜からなり、第３の導電
膜４は、第１の導電膜２の材料より大きな導電率の材料
からなる。この薄膜配線構造は、液晶表示装置の走査信
号ラインに使用し、低抵抗特性を有し、端子部が腐食に
強い前記ラインを得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜配線構造及びそれ
を用いた液晶表示装置に係わり、特に、高い信頼性を有
する薄膜配線構造であって、液晶表示装置の走査信号ラ
インに用いて好適な薄膜配線構造及びそれを用いた液晶
表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、既知のアクティブマトリックス型
液晶表示装置は、ガラス等の絶縁基板上に、互いに交差
する複数本の走査信号ライン及び画像信号ラインをマト
リックス状に配置形成するとともに、それら走査信号ラ
イン及び画像信号ラインの各交点に薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴと記す）を配置形成し、さらに、これらＴ
ＦＴに対応して画素電極及び液晶素子をそれぞれ配置す
ることによってアクティブマトリックスパネルを構成
し、前記ＴＦＴをスイッチング動作させて対応する液晶
素子を駆動させ、前記アクティブマトリックスパネルに
所要の画像表示を行なうようにしたものであって、最近
では、高表示画質のフラットパネルディスプレイとして
期待されているものである。

【０００３】こうしたアクティブマトリックス型液晶表
示装置、特に、そのアクティブマトリックスパネルにお
いては、解決を求められている課題がいくつか存在す
る。

【０００４】その第１の課題は、製造時の歩留まりを向
上させる点である。この歩留まり悪化の最大の原因は、
走査信号ラインと映像信号ライン間の電気的なショート
の発生であって、特に、このショートの発生の低減が問
題になっている。

【０００５】続く、第２の課題は、製造時の工程数を低
減させる点である。これまでの製造時の工程には、フォ
トリソグラフィ工程が相当含まれているので、その工程
数を削減することの要望が強く求められている。

【０００６】また、第３の課題は、表示画面の高精細化
及び大型化に伴って、走査信号ラインの抵抗値が激増す
るので、高精細化及び大型化に対応できるような低抵抗
値を持つ走査信号ラインを形成させる技術手段の開発が
待たれている。

【０００７】これまでにも、前記課題を解決しようとす
る試みもなされており、その一例として、特開昭６４−
３５４２１号に開示の手段がある。

【０００８】前記開示による手段は、走査信号ラインを
２層構造で、即ち、下側層を陽極酸化可能であって、大
きな導電性を有するＡｌ、上側層を同じく陽極酸化可能
であるＴａによって形成し、かつ、この２層構造の走査
信号ラインの表面を陽極酸化膜で被覆し、この陽極酸化
膜とＣＶＤで形成したＳｉＮからなる２層絶縁膜をゲー
ト絶縁膜として用いることにより、低抵抗値を持つ走査
信号ラインを１回のパターニングで構成するようにし
て、その製造工程の数を削減させ、同時に、走査信号ラ
インと画像信号ラインとの層間の電気的なショートの発
生を防止するようにしたものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】アクティブマトリック
ス型液晶表示装置を本格的に普及させるためには、前述
の課題の全てを同時に解決することが必要であるが、そ
れとともに、得られたアクティブマトリックスパネルの
信頼性が確保されねばならない。

【００１０】ところで、アクティブマトリックスパネル
の信頼性については、表示画像の品質に対するものと、
各ラインの外部接続端子の腐食等に対するものとがあ
る。これまでは、表示画像の品質の信頼性の向上の点に
ついては種々の配慮がなされていたが、各ラインの外部
接続端子の腐食等に対する信頼性の向上の点については
十分な配慮がなされていなかった。

【００１１】この点を具体的に述べると、前記開示によ
る手段においては、走査信号ラインにＡｌを用いてお
り、このＡｌは走査信号ラインの外部接続端子部分から
排除することができない構成のものであるため、このＡ
ｌが腐食されることにより、信頼性の低下をもたらすと
いう問題がある。即ち、前記外部接続端子部分は、アク
ティブマトリックスパネルの製造プロセス中に種々の溶
剤に曝されるため、Ａｌのような活性な金属が前記外部
接続端子部分に存在するときには、どうしても腐食され
易くなるためである。

【００１２】このような問題点を除くために、走査信号
ラインにＡｌを用いる場合には、外部接続端子部分だけ
に、Ｃｒ等の安定な金属を用いることも既知の手段であ
る。ところがこの既知の手段を用いるときには、外部接
続端子部分に用いられるＣｒ等の金属を加工する必要が
あるため、新たなフォトマスクが必要となり、前記第２
の課題であるところの工程数の削減を達成することがで
きないという問題を残している。

【００１３】以上述べたように、従来の種々の技術手段
においては、前記複数の課題を同時に解決するととも
に、外部接続端子の信頼性の向上させるとの点を解決す
ることができないものである。

【００１４】本発明は、前記の種々の問題点を同時に解
決するものであって、その１つの目的は、低抵抗特性を
有し、製造が簡単であり、回路に組み込んだ際にも絶縁
特性の良好な薄膜配線構造を提供することにある。

【００１５】また、本発明の他の目的は、他の回路との
絶縁性に優れ、外部接続端子の腐食及び表示画像の品質
に対して高い信頼性を有し、しかも、少ない工程数で製
造可能な走査信号ラインを備えた液晶表示装置を提供す
ることにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記１つの目的の達成の
ために、本発明は、絶縁基板上に積層形成される薄膜配
線構造であって、前記絶縁基板に順次形成された第１の
導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜とからなり、
前記第１の導電膜は、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔａ−Ｎｂ合金、Ｔ
ａ−Ｔｉ合金、Ｗ、Ｔａ−Ｗ合金の中の１つの金属によ
って構成され、前記第２の導電膜は、ＴａＮ合金、Ｎｂ
Ｎ合金、Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金、Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金、Ｔ
ａ−Ｗ−Ｎ合金の中の１つの金属によって構成される
か、または、前記第１の導電膜の自己酸化膜によって構
成され、前記第３の導電膜は、前記第１の導電膜の形成
導電材料よりも大きな導電率を有する導電材料によって
構成される第１の手段を備える。

【００１７】また、前記他の目的の達成のために、本発
明は、絶縁基板上に配置形成された複数の走査信号ライ
ンと、それら走査信号ラインに交差するように配置形成
された複数の映像信号ラインと、前記走査信号ラインと
前記映像信号ラインの各交点に配置形成された薄膜トラ
ンジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電
極と、前記画素電極の出力によって液晶を駆動する液晶
表示装置において、前記走査信号ラインを前記第１の手
段による薄膜配線構造で形成するようにした第２の手段
を備える。

【００１８】さらに、前記他の目的の達成のために、本
発明は、（１）絶縁基板上に第１の導電膜を形成する工
程、（２）前記第１の導電膜上に第２の導電膜及び第３
の導電膜を連続して形成し、積層膜を得る工程、（３）
前記積層膜を所定のパターン形状になるように加工し、
走査信号ラインを形成する工程、（４）端部を除いた前
記走査信号ライン全体を絶縁膜により被覆する工程、
（５）前記絶縁膜をマスクとして、前記走査信号ライン
の端部の第３の導電膜をリアクティブイオンエッチング
によりエッチング除去する工程のそれぞれを経て薄膜配
線構造の走査信号ラインが製造される第３の手段を備え
る。

【００１９】

【作用】一般に、ＡｌやＣｕ等の低抵抗特性を持つ金属
は、耐腐食性が劣っているため、薄膜配線構造の外部接
続端子部分に用いることは好ましくなく、これら低抵抗
特性の金属を外部接続端子部分から排除することによっ
て、前記薄膜配線構造における外部接続端子の信頼性が
向上できるようになる。

【００２０】そこで、前記第１の手段においては、薄膜
配線構造を、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の
導電膜とからなる積層体で構成し、この第１の導電膜
を、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔａ−Ｎｂ合金、Ｔａ−Ｔｉ合金、
Ｗ、Ｔａ−Ｗ合金の中のいずれか１つで構成し、前記第
２の導電膜を、ＴａＮ合金、ＮｂＮ合金、Ｔａ−Ｎｂ−
Ｎ合金、Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金、Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金の中の
１つの金属、または、前記第１の導電膜の自己酸化膜に
よって構成し、また、第３の導電膜を前記第１の導電膜
の構成材料よりも導電率の大きな構成材料、例えば、Ａ
ｌまたはＡｌを主成分とする合金で構成するようにして
いる。

【００２１】このため、薄膜配線構造は、導電率の大き
い第３の導電膜の導電特性により低抵抗特性を有するよ
うになり、構造も第１乃至第３の導電膜の積層体からな
るので、簡単に製造することができるものである。な
お、この薄膜配線構造に、外部接続端子部を設ける際に
は、第２の導電膜と第３の導電膜を、前記外部接続部材
との導電接続が可能な長さだけ剥離させるようにすれ
ば、低抵抗特性を具備しながら、外部接続端子部の信頼
性を確保することができる。

【００２２】次に、第２の手段においては、液晶表示装
置の走査信号ラインに前記薄膜配線構造を用いるように
しており、好ましくは、前記薄膜配線構造における外部
接続端子部には、第２の導電膜と第３の導電膜を、前記
外部接続部材との導電接続が可能な長さ、例えば、０．
５ｍｍ程度だけ剥離させるようにし、しかも、前記薄膜
配線構造における第１の導電膜の側面及び第２、第３の
導電膜の表面及び側面、または、第１の導電膜の側面及
び第３の導電膜の表面及び側面を、それぞれこれら導電
膜を構成する材料の自己酸化膜によって被覆するように
している。

【００２３】このため、前記走査信号ラインとして、低
抵抗特性ものを得ることができるとともに、外部接続端
子部の信頼性を確保することができる。また、前記走査
信号ラインにおける各導電膜間、及び、前記走査信号ラ
インと他の回路間との絶縁が良好で、アクティブマトリ
クスパネル製造時の歩留まりが向上した液晶表示装置が
得られる。

【００２４】さらに、第３の手段においては、薄膜配線
構造の走査信号ラインの製造に際して、絶縁基板上に第
１の導電膜を形成し、次いで、前記第１の導電膜上に第
２の導電膜及び第３の導電膜を連続して形成して積層膜
を得、次に、前記積層膜を所定のパターン形状になるよ
うに加工して走査信号ラインを形成し、続いて、端部を
除いた前記走査信号ライン全体を絶縁膜により被覆し、
最後に、前記絶縁膜をマスクとして、前記走査信号ライ
ンの端部の第３の導電膜をリアクティブイオンエッチン
グによりエッチング除去するようにしており、この場合
に、前記第１の導電膜と前記第３の導電膜の界面部分
に、前記第１の導電膜よりもエッチング速度の小さな第
２の導電膜または前記第１の導電膜の自己酸化膜を介在
させるようにしている。

【００２５】このため、前記走査信号ラインは、その製
造が容易になるとともに、前記最後のリアクティブイオ
ンエッチング処理時に、前記第３の導電膜のエッチング
が終了した後、第１の導電膜のエッチングが開始される
間に、前記第２の導電膜または第１の導電膜の自己酸化
膜を除去するためのインダクション時間が生じ、この時
間により、エッチング速度の面内分布、膜厚の面内分布
によりエッチング時間のバラツキが生じたとしても、そ
れにより第１の導電膜がエッチングされてしまうことを
防止でき、前記走査信号ラインを比較的容易に精度良く
加工することができる。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００２７】図１は、本発明に係わる薄膜配線構造の第
１の実施例を示す断面図である。

【００２８】図１において、１はガラス基板、２はＴａ
からなる第１の導電膜、３はＴａＮからなる第２の導電
膜、４はＡｌからなる第３の導電膜である。

【００２９】そして、ガラス基板１上の所定の部分に、
マグネトロンスパッタ法により、まず、Ｔａからなる第
１の導電膜２が形成され、その上に同じくマグネトロン
スパッタ法によりＴａＮからなる第２の導電膜３が形成
され、さらに、その上にマグネトロンスパッタ法により
Ａｌからなる第３の導電膜４が形成されて、全体として
所定の同一パターンの積層体が形成される。

【００３０】本実施例による薄膜配線構造は、最下層に
Ｔａからなる第１の導電膜２が、最上層にＴａよりも導
電率の大きなＡｌからなる第３の導電層４が、それらの
間にＴａＮからなる第２の導電膜３がそれぞれ配置され
た構成になっているので、この薄膜配線構造の抵抗値
は、専らＡｌからなる第３の導電層４の低抵抗特性によ
って決まる。そして、例えば、この薄膜配線構造を液晶
表示装置の走査信号ラインに用いた場合に、そのアクテ
ィブマトリクスパネルの高精細化または大型化に基づい
て、薄膜配線構造の幅が比較的狭くなったとしても、そ
の抵抗値があまり低くなることはなく、前記走査信号ラ
インを流れる走査信号を減衰させたり、波形を歪ませた
りすることがなくなるものである。

【００３１】この場合、第１の導電膜２の構成材料とし
ては、Ｔａの他にも、Ｎｂ、Ｔａ−Ｎｂ合金、Ｔａ−Ｔ
ｉ合金、Ｗ、Ｔａ−Ｗ合金の中のいずれか１つの材料を
用いることができ、第２の導電膜２の構成材料として
は、ＴａＮの他に、ＮｂＮ、Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金、Ｔａ
−Ｔｉ−Ｎ合金、Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金を用いることがで
き、第３の導電膜の構成材料としても、Ａｌの他に、Ａ
ｌ合金を用いることができるものである。

【００３２】続く、図２は、本発明に係わる薄膜配線構
造の第２の実施例を示す断面図である。

【００３３】図２において、５はＴａＯｘからなるＴａ
の自己酸化膜であり、その他、図１に示された構成要素
と同じ構成要素には同じ符号を付けている。

【００３４】そして、本実施例と前述の第１の実施例と
の違いは、前述の第１の実施例は、第２の導電膜２の構
成材料として、ＴａＮ、ＮｂＮ、Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金、
Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金、Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金のいずれか１つ
の材料を用いているのに対し、本実施例は、第１の導電
膜２の構成材料の自己酸化膜５、例えば、Ｔａの自己酸
化膜であるＴａＯｘからなる材料を用いている点のみで
あって、その他、本実施例と前述の第１の実施例との間
に構成上の違いはない。

【００３５】本実施例においても、薄膜配線構造の抵抗
値は、Ａｌからなる第３の導電層４の低抵抗特性によっ
て決まり、例えば、この薄膜配線構造を液晶表示装置の
走査信号ラインに用いた場合、そのアクティブマトリク
スパネルの高精細化または大型化に基づいて、薄膜配線
構造の幅が比較的狭くなったとしても、その抵抗値があ
まり低くなることはなく、前記走査信号ラインを流れる
走査信号を減衰させたり、波形をひずませたりすること
がなくなる。

【００３６】また、本実施例においても、第１の導電膜
２の構成材料として、Ｔａの他に、Ｎｂ、Ｔａ−Ｎｂ合
金、Ｔａ−Ｔｉ合金、Ｗ、Ｔａ−Ｗ合金の中のいずれか
１つの材料を用いることができ、第２の導電膜２の構成
材料としては、前記ＴａＯｘの他に、Ｎｂ、Ｔａ−Ｎｂ
合金、Ｔａ−Ｔｉ合金、Ｗ、Ｔａ−Ｗ合金の中のいずれ
か１つの材料の自己酸化膜を用いることができ、第３の
導電膜の構成材料としても、Ａｌの他に、Ａｌ合金を用
いることができる。

【００３７】続いて、図３は、液晶表示装置の走査信号
ラインに前記第１または第２の実施例の薄膜配線構造を
用いたときの構成を示す平面図であって、図４は、図３
における走査信号ラインの外部接続端子部分の構成を示
す斜視図である。

【００３８】図３及び図４において、６は外部接続端子
部分であり、その他、図１または図２に示された構成要
素と同じ構成要素には同じ符号を付けている。

【００３９】そして、外部接続端子部分６は、薄膜配線
構造において、第１及び第２の導電膜２、３（５）の上
から第３の導電膜４が除去された構成になっており、こ
こに外部配線が接続されるものである。

【００４０】この外部接続端子部分６は、塩素系のエッ
チングガス、例えば、ＢＣｌ₃とＣｌ₂との混合ガスを
用い、薄膜配線構造から第３の導電膜４をエッチング除
去して外部接続端子部分６を製造するものであるが、こ
のエッチング除去時に、ＴａＮやＴａＯｘはＴａに比べ
て硬度が高いので、前記塩素系のエッチングガスに対す
るエッチング速度が小さくなる。

【００４１】ところで、図５は、このエッチング速度の
状態を示すもので、前記塩素系のエッチングガス、ＢＣ
ｌ₃ とＣｌ₂ との混合ガスを用い、Ａｌ、Ｔａ、Ｔａ
Ｎ、ＴａＯｘを種々のエッチング条件でエッチングした
時の、Ａｌに対するＴａ、ＴａＮ、ＴａＯｘのエッチン
グ速度の関係をプロットした特性図である。

【００４２】図５に示されるように、エッチング条件を
変化させ、エッチング速度を変えた場合に、ＴａとＡ
ｌ、ＴａＯｘまたはＴａＮとＡｌのエッチング速度比は
あまり変化せず、ＴａとＡｌの速度比は３、ＴａＯｘと
Ａｌの速度比は４．５、ＴａＮとＡｌの速度比は６にな
り、ＴａよりもＴａＯｘの方が、ＴａＯｘよりもＴａＮ
の方がエッチング選択比が大きくなる。

【００４３】これらの結果に基づき、そのエッチング条
件を定めるようにすれば、最上層のＡｌからなる第３の
導電膜４のみをエッチング除去する時に、それより下層
にあるＴａからなる第１の導電膜２及びＴａＮからなる
第２の導電膜３またはＴａの自己酸化膜からなる第２の
導電膜５がエッチングされるのを防止することができ
る。

【００４４】次に、図６は、液晶表示装置の走査信号ラ
インに用いられる薄膜配線構造の第３の実施例を示す構
成図であって、（ａ）はその平面図、（ｂ）はそのＡ−
Ａ’線の断面図である。

【００４５】図６（ａ）、（ｂ）において、７はＡｌ₂
Ｏ₃からなるＡｌの自己酸化膜、８はＴａ₂ Ｏ₅ からな
るＴａの自己酸化膜であり、その他、図１に示された構
成要素と同じ構成要素には同じ符号を付けている。

【００４６】そして、ガラス基板１上には、Ｔａからな
る第１の導電膜２と、その上にＴａＮからなる第２の導
電膜３と、その上にＡｌからなる第３の導電膜４が形成
され、さらに、第１及び第２の導電膜２、３の側面全体
はＴａの自己酸化膜８で被覆され、第３の導電膜４の表
面及び側面の全体はＡｌの自己酸化膜７によって被覆さ
れている。また、最上層の第３の導電膜４は、走査信号
ラインの接続端部より距離Ｘ（例えば、距離Ｘは、１．
０ｃｍ）だけ離れた位置から配置形成するように構成
し、外部接続部材と電気的な接触を行う接続端部からＡ
ｌを排除するようにしている。

【００４７】本実施例によれば、腐食しやすいＡｌを完
全にその自己酸化膜７であるＡｌ₂Ｏ₃で被覆し、か
つ、外部接続部材と接触する端部からＡｌを排除し、し
かも、走査信号ラインを構成する薄膜配線構造に低抵抗
のＡｌを使用しているので、液晶表示装置のアクティブ
マトリクスパネルの高精細化や大型化を達成すると同時
に、その走査信号ラインの低抵抗化が実現できて、表示
画像の品質についての信頼性を高めることができ、さら
に、外部接続部材と接触する接続端部を安定化させてそ
の部分の信頼性を高めることができる。

【００４８】なお、この接続端部において、外部接続部
材と確実に接続させるためには、前記距離Ｘとして、
０．１ｃｍ以上、好ましくは０．５ｃｍ程度あれば足り
る。また、腐食しやすいＡｌからなる第３の導電膜４の
下層に、耐腐食性の良好なＴａからなる第１の導電膜１
を配置してなる構造にした場合、Ａｌからなる第３の導
電膜４のエッチング後の端面とＡｌ₂Ｏ₃からなるＡｌ
の自己酸化膜７の端面を一致させ、このＡｌ₂Ｏ₃から
なるＡｌの自己酸化膜７をマスクとして、Ａｌからなる
第３の導電膜４の端部をエッチング除去し、前記接続端
部を形成するようにすれば、前記第３の導電膜４をエッ
チングさせるためのフォトマスクを前記Ａｌの自己酸化
膜７に兼ねさせることができ、前記接続端部を形成する
際の製造工程を削減することができる。さらに、エッチ
ングストッパ層としてＴａＮからなる第２の導電膜３を
用いれば、Ａｌからなる第３の導電膜４のエッチング時
に、最下層のＴａからなる第１の導電膜２の不要なエッ
チングを防止できる。この他に、ＴａＮはＴａと同程度
の導電特性を有するため、前記接続端部のＴａからなる
第１の導電膜２とＡｌからなる第３の導電膜４間の導通
を良好に保つことができるようになる。

【００４９】また、本実施例において、ＴａＮからなる
第２の導電膜３の代わりに、前述の第２の実施例に示す
ように、Ｔａの自然酸化膜５であるＴａＯｘを用いるこ
ともできる。このＴａＯｘを用いた場合には、その厚さ
は通常数10Åと極めて薄いものになるため、Ｔａからな
る第１の導電膜２とＡｌからなる第３の導電膜４間の導
通を良好に保つことができる。なお、ＴａＯｘのエッチ
ング速度は、Ｔａに比べて1桁以上小さくなるため、数1
0Åの厚さであっても、充分エッチングストッパとなり
得るものである。

【００５０】この場合、Ｔａの自己酸化膜であるＴａＯ
ｘを形成させるには、Ｔａからなる第１の導電膜２を成
膜させた後、Ａｌからなる第３の導電膜４の成膜前に、
前記第１の導電膜２を単に大気に曝すか、あるいは酸素
プラズマに曝せば、Ｔａからなる第１の導電膜２の上
に、簡単にＴａＯｘを形成させることができる。

【００５１】続く、図７は、走査信号ラインを前述の第
３の実施例の薄膜配線構造で構成した場合における液晶
表示装置の単位画素部分を示す断面図である。

【００５２】図７において、９はＩＴＯ膜からなる画素
電極、１０はＳｉＮからなる絶縁膜、１１はａ−Ｓｉ：
Ｈ膜、１２はｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜、１３は信号映像電
極、１４はソース電極、１５は容量電極、１６はＳｉＮ
からなる絶縁保護膜であり、その他、図６に示された構
成要素と同じ構成要素には同じ符号を付けている。

【００５３】そして、ガラス基板１上に、Ｔａからなる
第１の導電膜２と、その上にＴａＮからなる第２の導電
膜３と、その上にＡｌからなる第３の導電膜４が形成さ
れ、さらに、第１及び第２の導電膜２、３の側面全体が
Ｔａの自己酸化膜８で被覆され、第３の導電膜４の表面
及び側面の全体がＡｌの自己酸化膜７によって被覆され
て薄膜配線構造が形成される。ガラス基板１上の１つの
薄膜薄膜構造と次の１つの薄膜配線構造との間には、Ｉ
ＴＯ膜からなる透明な画素電極９が形成され、前記薄膜
配線構造の表面全体と前記画素電極９の端縁部を覆うよ
うにＳｉＮからなる絶縁膜１０が設けられる。前記絶縁
膜１０の１つの薄膜配線構造上にはａ−Ｓｉ：Ｈ膜１１
が形成され、このａ−Ｓｉ：Ｈ膜１１の両端部にｎ型ａ
−Ｓｉ：Ｈ膜１２が形成される。一方のｎ型ａ−Ｓｉ：
Ｈ膜１２の上面から前記絶縁膜１０に到る領域に信号映
像電極１３が形成され、他方のｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２
の上面から前記画素電極９の表面に到る領域にソース電
極１４が形成される。前記絶縁膜１０の次の１つの薄膜
配線構造上にも、そこから前記画素電極９の表面に到る
領域に容量電極１５が形成され、これら構造の全体を覆
うようにＳｉＮからなる絶縁保護膜１６が設けられ、単
位画素部分が構成されている。

【００５４】前記構成において、本例の単位画素部分を
有する液晶表示装置の動作は、既知のこの種の液晶表示
装置の動作と殆んど同じであり、また、液晶表示装置の
動作は本発明の本質的な部分ではないので、本例の動作
説明は省略する。

【００５５】次に、図８は、図７に示された走査信号ラ
インにおける外部接続端子部分の断面構成図である。

【００５６】図８において、１７はＩＴＯ膜からなる端
子接続部であり、その他、図７に示された構成要素と同
じ構成要素には同じ符号を付けている。

【００５７】そして、ガラス基板１上に形成された薄膜
配線基板において、Ｔａからなる第１の導電膜２と、そ
の上のＴａＮからなる第２の導電膜３とは、端まで長く
延びる構成になっているが、その上のＡｌからなる第３
の導電膜４と、その表面及び側面の全体を覆っているＡ
ｌ₂ Ｏ₃ からなるＡｌの自己酸化膜７は、前記端の手前
で切断され、前記第１及び第２の導電膜２、３が露出し
ている。また、前記Ａｌの自己酸化膜７から露出した前
記第１及び第２の導電膜２、３に到る範囲にＩＴＯ膜が
被覆され、端子接続部１７が構成される。なお、この端
子接続部１７の端縁から前記薄膜配線基板の上面にわた
る範囲には、図７に示した薄膜配線基板と同様に、Ｓｉ
Ｎからなる絶縁膜１０とＳｉＮからなる絶縁保護膜１６
が被覆されている。

【００５８】前記構成によれば、外部接続端子部分から
腐食しやすいＡｌ成分を排除し、かつ、第１及び第２の
導電膜２、３とＡｌからなる第３の導電膜４との電気的
接続をＩＴＯ膜で直接行なっているので、経年的にも電
気的にも優れた特性の外部接続端子を得ることができ、
その部分の信頼性を高めることができる。

【００５９】続いて、図９乃至図１３は、図７及び図８
に示された液晶表示装置の単位画素部分及び外部接続端
子部分の製造方法の実施例を示す構成図である。

【００６０】前記各図において、（ａ）は前記単位画素
部分の製造に関するものであり、（ｂ）は前記外部接続
端子部分の製造に関するものである。

【００６１】まず、図９（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、ガラス基板１上に、Ｔａからなる第１の導電膜２、
ＴａＮからなる第２の導電膜３、Ａｌからなる第３の導
電膜４をスパッタリングにより連続的に堆積して、積層
体を形成させ、この積層体をフォトリソグラフィ技術を
用いてパターニングして所定の形状にする。

【００６２】次に、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、陽極酸化法を用いて、Ｔａからなる第１の導電膜２
及びＴａＮからなる第２の導電膜３の側面にＴａ₂ Ｏ₅
からなるＴａの自己酸化膜８を形成し、かつ、Ａｌから
なる第３の導電膜４の表面及び側面にＡｌ₂ Ｏ₃ からな
るＡｌの自己酸化膜７を形成する。このとき、外部接続
端子に相当する部分にはＡｌの自己酸化膜７を形成しな
いようにする。

【００６３】続いて、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、塩素系エッチングガスであるＢＣｌ₃ とＣｌ₂ の
混合ガスを用い、Ａｌ₂ Ｏ₃ からなるＡｌの自己酸化膜
７をマスクとしてリアクティブイオンエッチングにより
外部接続端子部分のＡｌからなる第３の導電膜４のエッ
チング除去を行い、表面にＴａＮからなる第２の導電膜
３を露出させる。この後、スパッタリングにより全面に
ＩＴＯ膜を堆積し、次に、フォトリソグラフィ技術を用
いてパターニングを行い、所定の個所にＩＴＯ膜からな
る画素電極９及びＩＴＯ膜からなる端子接続部１７を形
成する。

【００６４】次いで、図１２（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、プラズマＣＶＤ法によって、ＳｉＮからなる絶縁
膜１０、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１１、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２
を連続して堆積させるが、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１１の堆積後
に、このａ−Ｓｉ：Ｈ膜１１をパターニングして所定の
形状に形成させ、かつ、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２の堆積
後に、このｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２をパターニングして
所定の形状に形成させるようにしている。その後に、画
素電極９上及び端子接続部１７上にあるＳｉＮからなる
絶縁膜１０の除去を行う。

【００６５】次に、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、スパッタリングによってＴａ膜を堆積し、このＴａ
膜をパターニングして所定の形状に形成させ、映像信号
電極１３、ソース電極１４及び容量電極１５を形成させ
る。この後、プラズマＣＶＤによってＳｉＮからなる絶
縁保護膜１６を形成し、前記単位画素部分及び前記外部
接続端子部分を完成させる。

【００６６】本実施例の製造方法によれば、外部接続端
子部分において、Ａｌ₂ Ｏ₃ からなるＡｌの自己酸化膜
７をマスクとして、ＴａまたはＴａＮからなるを第１及
び第２の導電膜２、３Ta電極を露出するようにしている
ため、従来必要であった外部接続端子加工のためのフォ
トマスクが不要となり、製造工程を削減することができ
る。また、本実施例の製造方法により得られたものは、
外部接続端子部分に、耐腐食性の良好なＴａやＴａＮを
使用しているので、外部接続端子部分の信頼性を確保す
ることができ、さらに、走査信号ラインを構成する薄膜
配線構造に、低抵抗特性を持つＡｌを使用しているの
で、高精細で、大型のアクティブマトリクス表示パネル
を実現することができるようになる。

【００６７】なお、本実施例の製造方法においては、薄
膜配線構造の形成に関して、第１の導電膜２にＴａ、第
２の導電膜３にＴａＮ、第３の導電膜４にＡｌを用いた
例について述べたが、本発明は、前述のような材料の組
合せのものに限定されるものではなく、他の材料、例え
ば、Ｔａの代わりにＷ、Ｎｂ、Ｔａ−Ｎｂ合金、Ｔａ−
Ｔｉ合金、Ｔａ−Ｗ合金等の材料を用いてもよく、Ｔａ
Ｎの代わりにＮｂＮ、Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金、Ｔａ−Ｔｉ
−Ｎ合金、Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金等を用いてもよい。同様
に、Ａｌの代わりに、Ａｌ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−
Ｔｉ−Ｔａ等の合金を用いてもよい。

【００６８】次に、図１４は、走査信号ラインを前記第
３の実施例の薄膜配線構造で構成した場合における液晶
表示装置の単位画素部分の他の例を示す断面図である。

【００６９】図１４において、図７に示された構成要素
と同じ構成要素には同じ符号を付けている。

【００７０】本例の単位画素部分（これを前者という）
と前述の図７に示された単位画素部分（これを後者とい
う）との違いは、後者においては、ガラス基板１上に直
接ＩＴＯ膜からなる画素電極９を形成配置し、その後に
ＳｉＮからなる絶縁膜１０を形成配置しているもので、
かつ、独立した容量電極１５を設けているものであるの
に対し、前者においては、ガラス基板１上にＳｉＮから
なる絶縁膜１０を形成配置し、その後にＩＴＯ膜からな
る画素電極９を形成配置しているもので、かつ、前記画
素電極９の延長部分が前記容量電極１５を構成している
点だけであって、その他、前者と後者との間には構成上
の違いはない。

【００７１】また、図１５は、図１４に示された走査信
号ラインにおける外部接続端子部分の例を示す断面構成
図である。

【００７２】本例の外部接続端子部分（これを再び前者
という）と前述の図８に示された外部接続端子部分（こ
れを再び後者という）との違いは、後者においては、Ａ
ｌからなる第３の導電膜４とその自己酸化膜７の寸法が
一致しており、かつ、ＩＴＯ膜からなる端子接続部１７
を形成配置した後にＳｉＮからなる絶縁膜１０を形成配
置し、それによりこの端子接続部１７が直接ＴａＮから
なる第２の導電膜３とＡｌからなる第３の導電膜４とを
導電接続しているものであるのに対し、前者において
は、Ａｌからなる第３の導電膜４の寸法よりＡｌの自己
酸化膜７の寸法が短くされ、ＳｉＮからなる絶縁膜１０
を形成配置した後にＩＴＯ膜からなる端子接続部１７を
形成配置し、それにより前記端子接続部１７は直接Ｔａ
Ｎからなる第２の導電膜３とＡｌからなる第３の導電膜
４とを導電接続することなく、前記導電接続はＴａＮか
らなる第２の導電膜３とＡｌからなる第３の導電膜４と
の間で行われるように構成されている点だけであって、
その他、前者と後者との間には構成上の違いはない。

【００７３】続いて、図１６乃至図２０は、図１４及び
図１５に示された液晶表示装置の単位画素部分及び外部
接続端子部分の製造方法の実施例を示す構成図である。

【００７４】前記各図において、（ａ）は前記単位画素
部分の製造に関するものであり、（ｂ）は前記外部接続
端子部分の製造に関するものである。

【００７５】まず、図１６（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、ガラス基板１上に、Ｔａからなる第１の導電膜２、
ＴａＮからなる第２の導電膜３、Ａｌからなる第３の導
電膜４をスパッタリングにより連続的に堆積して、積層
体を形成させ、この積層体をフォトリソグラフィ技術を
用いてパターニングして所定の形状にする。

【００７６】次に、図１７（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、陽極酸化法を用いて、Ｔａからなる第１の導電膜２
及びＴａＮからなる第２の導電膜３の側面にＴａ₂ Ｏ₅
からなるＴａの自己酸化膜８を形成し、かつ、Ａｌから
なる第３の導電膜４の表面及び側面にＡｌ₂ Ｏ₃ からな
るＡｌの自己酸化膜７を形成する。このときも、外部接
続端子に相当する部分にはＡｌの自己酸化膜７を形成し
ないようにする。

【００７７】次いで、図１８（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、プラズマＣＶＤ法によって、ＳｉＮからなる絶縁
膜１０、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１１、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２
を連続して堆積させるが、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１１の堆積後
に、このａ−Ｓｉ：Ｈ膜１１をパターニングして所定の
形状に形成させ、かつ、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２の堆積
後に、このｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２をパターニングして
所定の形状に形成させるようにしている。このとき、Ａ
ｌからなる第３の導電膜４上のＳｉＮからなる絶縁膜１
０は、Ａｌの自己酸化膜７から少し延びた部分までを残
し、その他の部分の除去を行う。

【００７８】続いて、図１９（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、塩素系エッチングガスであるＢＣｌ₃ とＣｌ₂ の
混合ガスを用い、ＳｉＮからなる絶縁膜１０をマスクと
してリアクティブイオンエッチングにより外部接続端子
部分のＡｌからなる第３の導電膜４のエッチング除去を
行い、表面にＴａＮからなる第２の導電膜３を露出させ
る。この後、スパッタリングにより全面にＩＴＯ膜を堆
積し、次に、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニ
ングを行い、所定の個所にＩＴＯ膜からなる画素電極
９、容量電極１５及びＩＴＯ膜からなる端子接続部１７
を形成する。

【００７９】次に、図２０（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、スパッタリングによってＴａ膜を堆積し、このＴａ
膜をパターニングして所定の形状に形成させ、映像信号
電極１３、ソース電極１４を形成させる。この後、プラ
ズマＣＶＤによってＳｉＮからなる絶縁保護膜１６を形
成し、前記単位画素部分及び前記外部接続端子部分を完
成させる。

【００８０】本実施例の製造方法によれば、外部接続端
子部分のＡｌからなる第３の導電膜４を除去する際に、
その前に形成したＳｉＮからなる絶縁膜１０をマスクと
して用いているので、Ａｌ₂ Ｏ₃ からなるＡｌの自己酸
化膜７やＳｉＮからなる絶縁膜１０がダメージを受ける
ことがない。このように、本実施例の製造方法は、前述
の図９乃至図１３に示された製造方法に比べて、配線交
差部における配線間ショートが低減でき、製造時の歩留
まりが向上するという利点がある。

【００８１】続く、図２１は、液晶表示装置のアクティ
ブマトリクス表示パネルにおける電気的等価回路の概要
を示す説明図である。

【００８２】図２１において、１８は走査信号ライン、
１９は映像信号ライン、２０はＴＦＴ、２１は液晶容
量、２２は付加容量、２３は外部接続端子であり、その
他、図１に示された構成要素と同じ構成要素には同じ符
号を付けている。

【００８３】そして、ガラス基板１上には、複数本の走
査信号ライン１８と、これらのライン１８に直交する複
数本の映像信号ライン１９とが配置され、かつ、各ライ
ン１８、１９のそれぞれの交点には、ＴＦＴ２０と液晶
容量２１及び付加容量２２とが接続配置されている。こ
れら走査信号ライン１８の一端部及びこれら映像信号ラ
イン１９のどちらか一方の端部には、それぞれ、外部部
材に接続するための外部接続端子２２、２３が設けられ
ている。この場合、前記走査信号ライン１８には、前述
の第１乃至第３の実施例に挙げた薄膜配線構造が用いら
れるもので、前記外部接続端子２２には、前述の外部接
続端子が用いられる。

【００８４】このアクティブマトリクス表示パネルに画
像の表示を行うためには、走査信号ライン１８に順次異
なる時間にパルス信号を印加して、そのパルス信号を印
加した走査信号ライン１８に対応するＴＦＴ２０をオン
状態にするとともに、映像信号ライン１９を介して画像
信号をオン状態にあるＴＦＴ２０に供給し、それにより
前記ＴＦＴ２０に接続されている液晶容量２１に前記画
像信号レベルに対応した電圧を印加すればよい。

【００８５】続いて、図２２は、本発明による薄膜配線
構造を走査信号ラインに用いた液晶表示装置の構成の一
例を示す一部断面図であり、（ａ）はその中央部の断面
図、（ｂ）はその左端縁部分、（ｃ）はその右端縁部分
の断面図である。

【００８６】図２２において、２４は液晶層、２５は対
向ガラス基板、２６は偏光板、２７はカラーフィルタ
ー、２８は対向電極、２９はカラーフィルター保護膜、
３０は遮光膜、３１は下部配向膜、３２は上部配向膜、
３３はシ−ル材、３４は銀ペ−スト材、３５はバックラ
イトであり、その他、図７に示された構成要素と同じ構
成要素には同じ符号を付けている。

【００８７】そして、ガラス基板１と対向ガラス基板２
５との間には液晶層２４が配置され、ガラス基板１上に
は、それぞれ複数本の走査信号ライン及び映像信号ライ
ンがマトリックス状に形成配置され、その交点近傍に形
成配置されたＴＦＴを介してＩＴＯ膜よりなる画素電極
９が駆動される。対向ガラス基板２５上には、ＩＴＯ膜
からなる対向電極２８、カラーフィルター２７、カラー
フィルター保護膜２９、遮光用ブラックマトリックスパ
ターンを形成する遮光膜３０がそれぞれ形成配置され
る。シ−ル材３３は、液晶層２４の封止のためのもの
で、液晶封入口（図示なし）を除いたガラス基板１、対
向ガラス基板２５の縁全体に沿って形成される。対向ガ
ラス基板２５側の対向電極２８は、少なくとも一個所に
おいて銀ペ−スト材３４によりガラス基板１に形成され
た外部接続配線に接続される。この外部接続配線は、そ
れぞれ走査信号ライン、ソ−ス電極１４、映像信号ライ
ンと同一の製造工程によって形成される。下部配向膜３
２、上部配向膜３３、ＩＴＯ膜からなる画素電極９、Ｓ
ｉＮからなる絶縁保護膜１６、カラーフィルター保護膜
２９、ＳｉＮからなる絶縁膜１０は、それぞれシ−ル材
３３の内側に形成されており、偏光板２６は、それぞれ
ガラス基板１及び対向ガラス基板２５の外側の表面に形
成される。液晶層２４は、その中の液晶分子の向きを設
定する下部配向膜３２、と上部配向膜３３との間に封入
され、シ−ル材３３によってシ−ルされる。下部配向膜
３２は、ガラス基板１側のＳｉＮからなる絶縁保護膜１
６の上部に形成される。対向ガラス基板２５の内側の表
面には、遮光膜３０、カラーフィルター２７、カラーフ
ィルター保護膜２９、対向電極２８及び上部配向膜３３
が順次積層配置される。

【００８８】この液晶表示装置の製造に際して、初め
に、ガラス基板１の表面に所定の膜または層を順次形成
し、一方、対向ガラス基板２５の表面にも所定の膜また
は層を順次形成し、前記膜や層を形成したガラス基板１
と対向ガラス基板２５とを重ね合わせ、それらの基板
１、２５間に液晶層２４を封入することによって、液晶
表示装置が組立てられる。使用時に、バックライト３５
から供給される光を、透過をＩＴＯ膜からなる画素電極
９の部分において調節することにより、ＴＦＴ駆動型カ
ラー液晶表示装置を得ることができる。

【００８９】この液晶表示装置は、アクティブマトリク
ス表示パネルの走査信号ラインに、低抵抗特性のＡｌか
らなる薄膜配線構造を用いているので、前記表示パネル
の高精細化及び大型化にも充分対応することができ、ま
た、簡略な製造工程を経るだけで歩留まりのよい製造が
可能になるので、コストを大幅に低減でき、安価な液晶
表示装置が得られるものである。

【００９０】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、薄
膜配線構造は、第１の導電膜２と、第２の導電膜３と、
第３の導電膜４からなる積層体で構成し、第１の導電膜
２を、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔａ−Ｎｂ合金、Ｔａ−Ｔｉ合金、
Ｗ、Ｔａ−Ｗ合金の中の１つのものを選び、第２の導電
膜３を、ＴａＮ合金、ＮｂＮ合金、Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合
金、Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金、Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金の中の１つ
のもの、または、第１の導電膜２の自己酸化膜で構成
し、また、第３の導電膜４を第１の導電膜２の材料より
も導電率の大きな材料で構成されているので、第３の導
電膜４の導電特性により低抵抗特性を有し、構造も第１
乃至第３の導電膜２乃至４の積層体からなるので、簡単
に製造できるという効果がある。その上、この薄膜配線
構造に、外部接続端子部を設ける際、第２及び第３の導
電膜３、４を、外部接続部材との導電接続が可能な長さ
だけ剥離させれば、低抵抗特性を具備しながら、外部接
続端子部の信頼性を確保できるという効果もある。

【００９１】また、本発明によれば、液晶表示装置の走
査信号ラインに前記構成の薄膜配線構造を用いているの
で、低抵抗特性の走査信号ラインを得ることができ、同
時に外部接続端子部の信頼性を確保できるという効果が
ある。しかも、走査信号ラインにおける各導電膜間、及
び、走査信号ラインと他の回路間との絶縁が良好で、ア
クティブマトリクスパネル製造時の歩留まりが向上した
液晶表示装置を得ることができるという効果もある。

【００９２】さらに、薄膜配線構造の走査信号ラインの
製造に際して、絶縁基板１上に第１の導電膜２を形成
し、次いで、その上に第２の導電膜３及び第３の導電膜
４を連続形成し、積層膜を得るようにしているので、そ
の製造が容易であるとともに、走査信号ラインを容易に
精度良く加工することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる薄膜配線構造の第１の実施例を
示す断面図である。

【図２】本発明に係わる薄膜配線構造の第２の実施例を
示す断面図である。

【図３】液晶表示装置の走査信号ラインに図１または図
２に示す実施例の薄膜配線構造を用いたときの構成を示
す平面図である。

【図４】図３に示す走査信号ラインの外部接続端子部分
の構成を示す斜視図である。

【図５】エッチング条件を変えた時の、Ａｌに対するＴ
ａ、ＴａＮ、ＴａＯｘのエッチング速度の関係をプロッ
トした特性図である。

【図６】液晶表示装置の走査信号ラインに用いられる薄
膜配線構造の第３の実施例を示す構成図である。

【図７】走査信号ラインを図６に示す薄膜配線構造で構
成した場合における液晶表示装置の単位画素部分を示す
断面図である。

【図８】図７に示す走査信号ラインにおける外部接続端
子部分の断面構成図である。

【図９】図７及び図８に示す液晶表示装置の単位画素部
分及び外部接続端子部分の製造方法の実施例を示す構成
図であって、その最初の工程を示す構成図である。

【図１０】図９の製造方法の実施例の２番目の工程を示
す構成図である。

【図１１】図９の製造方法の実施例の３番目の工程を示
す構成図である。

【図１２】図９の製造方法の実施例の４番目の工程を示
す構成図である。

【図１３】図９の製造方法の実施例の最後の工程を示す
構成図である。

【図１４】走査信号ラインを図６に示す薄膜配線構造で
構成した場合における液晶表示装置の単位画素部分の他
の例を示す断面図である。

【図１５】図１４に示す走査信号ラインにおける外部接
続端子部分の例を示す断面構成図である。

【図１６】図１４及び図１５に示す液晶表示装置の単位
画素部分及び外部接続端子部分の製造方法の実施例を示
す構成図であって、その最初の工程を示す構成図であ
る。

【図１７】図１６の製造方法の実施例の２番目の工程を
示す構成図である。

【図１８】図１６の製造方法の実施例の３番目の工程を
示す構成図である。

【図１９】図１６の製造方法の実施例の４番目の工程を
示す構成図である。

【図２０】図１６の製造方法の実施例の最後の工程を示
す構成図である。

【図２１】液晶表示装置のアクティブマトリクス表示パ
ネルにおける電気的等価回路の概要を示す説明図であ
る。

【図２２】図７に示す薄膜配線構造を走査信号ラインに
用いた液晶表示装置の構成の一例を示す一部断面図であ
る。

【符号の説明】

１ガラス基板２Ｔａからなる第１の導電膜３ＴａＮからなる第２の導電膜４Ａｌからなる第３の導電膜５ＴａＯｘからなるＴａの自己酸化膜６外部接続端子７Ａｌ₂Ｏ₃からなるＡｌの自己酸化膜８Ｔａ₂ Ｏ₅ からなるＴａの自己酸化膜９ＩＴＯ膜からなる画素電極１０ＳｉＮからなる絶縁膜１１ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１３信号映像電極１４ソース電極１５容量電極１６ＳｉＮからなる絶縁保護膜１７ＩＴＯ膜からなる接続端子部１８走査信号ライン１９映像信号ライン２０ＴＦＴ２１液晶容量２２付加容量２３外部接続端子２４液晶層２５対向ガラス基板２６偏光板２７カラーフィルター２８対向電極２９カラーフィルター保護膜３０遮光膜３１下部配向膜３２上部配向膜３３シ−ル材３４銀ペ−スト材３５バックライト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/3205 7514−4ＭＨ０１Ｌ 21/88 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に積層形成される薄膜配線構
造であって、前記絶縁基板に順次形成された第１の導電
膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜とからなり、前記
第１の導電膜は、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔａ−Ｎｂ合金、Ｔａ−
Ｔｉ合金、Ｗ、Ｔａ−Ｗ合金の中の１つの金属によって
構成され、前記第２の導電膜は、ＴａＮ合金、ＮｂＮ合
金、Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金、Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金、Ｔａ−
Ｗ−Ｎ合金の中の１つの金属によって構成され、前記第
３の導電膜は、前記第１の導電膜の形成導電材料よりも
大きな導電率を有する導電材料によって構成されている
ことを特徴とする薄膜配線構造。
【請求項２】絶縁基板上に積層形成される薄膜配線構
造であって、前記絶縁基板に順次形成された第１の導電
膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜とからなり、前記
第１の導電膜は、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔａ−Ｎｂ合金、Ｔａ−
Ｔｉ合金、Ｗ、Ｔａ−Ｗ合金の中の１つの金属によって
構成され、前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜の自
己酸化膜によって構成され、前記第３の導電膜は、前記
第１の導電膜の形成導電材料よりも大きな導電率を有す
る導電材料によって構成されていることを特徴とする薄
膜配線構造。
【請求項３】前記第３の導電膜は、ＡｌまたはＡｌを
主成分とする合金によって構成されていることを特徴と
する請求項１または請求項２のいずれかに記載の薄膜配
線構造。
【請求項４】前記薄膜配線構造は、前記第１の導電膜
の側面及び第２、第３の導電膜の表面と側面が、それぞ
れこれら導電膜を形成する材料の自己酸化膜によって被
覆するようにしたことを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置。
【請求項５】絶縁基板上に配置形成された複数の走査
信号ラインと、それら走査信号ラインに交差するように
配置形成された複数の映像信号ラインと、前記走査信号
ラインと前記映像信号ラインの各交点に配置形成された
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され
た画素電極と、前記画素電極の出力によって液晶を駆動
する液晶表示装置において、前記走査信号ラインを請求
項１乃至請求項４記載のいずれかの薄膜配線構造によっ
て構成したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】前記薄膜配線構造からなる走査信号ライ
ンは、外部接続部材との接続部分において、前記第２の
導電膜及び第３の導電膜を前記外部接続部材との導電接
続が可能な長さだけ剥離させたことを特徴とする請求項
５記載の液晶表示装置。
【請求項７】前記薄膜配線構造からなる走査信号ライ
ンは、外部接続端子部分において、前記第３の導電膜を
接続に必要な長さだけ剥離させたことを特徴とする請求
項５記載の液晶表示装置。
【請求項８】前記薄膜配線構造からなる走査信号ライ
ンを、前記薄膜トランジスタのゲ−ト電極として用いる
ことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
【請求項９】以下の各工程により薄膜配線構造の走査
信号ラインを形成することを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。（１）絶縁基板上に第１の導電膜を形成する工程。（２）前記第１の導電膜上に第２の導電膜及び第３の導
電膜を連続して形成し、積層膜を得る工程。（３）前記積層膜を所定のパターン形状になるように加
工し、走査信号ラインを形成する工程。（４）端部を除いた前記走査信号ライン全体を絶縁膜に
より被覆する工程。（５）前記絶縁膜をマスクとして、前記走査信号ライン
の端部の第３の導電膜をリアクティブイオンエッチング
によりエッチング除去する工程。
【請求項１０】以下の各工程により薄膜配線構造の走
査信号ラインを形成することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。（１）絶縁基板上に第１の導電膜を形成する工程。（２）前記第１の導電膜上に表面に第１の導電膜の自己
酸化膜からなる第２の導電膜を形成する工程。（３）前記第２の導電膜上に第３の導電膜を形成し、積
層膜を得る工程。（４）前記積層膜を所定のパターン形状になるように加
工し、走査信号ラインを形成する工程。（５）端部を除いた前記走査信号ライン全体を絶縁膜に
より被覆する工程。（６）前記絶縁膜をマスクとして、前記走査信号ライン
の端部の第３の導電膜をリアクティブイオンエッチング
によりエッチング除去する工程。
【請求項１１】前記絶縁膜の被覆は、陽極酸化法また
はプラズマ陽極酸化法を用いて行なうことを特徴とする
請求項８または請求項９のいずれかに記載の液晶表示装
置の製造方法。
【請求項１２】前記第２の導電膜は、ＴａＮ合金、Ｎ
ｂＮ合金、Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ合金、Ｔａ−Ｔｉ−Ｎ合金、
Ｔａ−Ｗ−Ｎ合金中のＮの原子濃度が５０％を超えない
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜配線構造。