JP3362413B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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Description
TFTと略す)を使用したアクティブマトリクス駆動型
のTFT基板および液晶表示装置に関する。
す)TFTを用い、ゲート配線、ゲート電極をAlとし
て、これを陽極酸化して得られるAl2O3膜をゲート絶
縁膜の1部としたTFT基板の例を図2を用いて説明す
る。図2(a)(b)(c)は各々TFT基板の等価回
路図、平面図、断面図を示す。G1、G2はゲート端子、
G1′、G2′はゲート配線、D1、D2はドレイン端子、
T11、T12はTFT,LCは液晶、Caddは付加容
量、17bはカラーフイルタ基板側に設けられる共通電
極を示す。また、10は基板、11はゲート端子のC
r、12はAl、Aはゲート端子のCrとゲート配線の
Alとの接続部分、13はAl2O3、14はSiN,1
7はITO透明電極(画素電極)、15はノンドープa
ーSi(i),16はリンをドープした非晶質シリコン
(以下、a−Si(n+)と略す)、18は信号配線、
18′はソース電極でありTFTと画素電極とを接続し
ている。図2中、境界線l1は陽極酸化する領域とそう
でない領域との境界を示すもので、境界線l1より右の
領域は陽極酸化する。PADは陽極酸化に必要な電流を
供給するための端子であり、Lは全てのゲート端子を共
通接続するためのバスラインであり、境界線l2はTF
T基板完成の後、切断する部分を示す。
4号公報に開示されている。
Crと透明電極(インジュウム酸化膜、以下ITOと略
す)との積層膜が用いられていた。また、ゲート電極や
ゲート配線にAl金属を用いる場合、材料としては純A
lや不純物としてPdやSiなどを添加したAlが用い
られていた。
との積層膜を用いる理由を説明する。TFT基板は端子
部において駆動するための外部回路と接続し使用され
る。このため端子部は大気にさらされる。したがって、
水分による腐食での断線や、酸化による接触不良などが
生じるお恐れがあり、このようなことがない材料である
必要がある。このような点でCrとITOとの組合せが
良く、多用されている。一方、Alは変質しやすく端子
部には不適当と考えられていた。
だけのためにCr膜が必要であり、これを形成パターン
化するための工程が必要でありコストや歩留の点で問題
があった。
することによって、低コスト、高歩留のTFT基板を提
供することにある。本発明の第2の目的は、このTFT
基板を用いた液晶表示パネルを提供することにある。本
発明の第3の目的は、上記の液晶表示パネルを用いた液
晶表示装置を提供することにある。
(1)絶縁性基板上に形成された複数本のゲート端子と
該ゲート電極に電気的に接続される複数本のゲート配線
と、これと交差して配置された複数本の信号配線と、前
記ゲート配線と信号配線との交点に薄膜トランジスタを
配置してなる薄膜トランジスタ基板において、前記ゲー
ト端子が、ゲート配線と同一のAl合金薄膜とその上に
形成された透明電極膜とで構成され、且つ、前記透明電
極膜の先端部においてこの透明電極と前記ゲート配線と
が前記信号配線に用いられる導電層により電気的に接続
されていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板、
(2)前記信号配線がCrとその上に形成されたAl合
金からなることを特徴とする(1)記載の薄膜トランジ
スタ基板、(3)前記Al合金がTa、Tiのすくなく
ともいずれかを含むことを特徴とする(1)(2)記載
の薄膜トランジスタ基板、(4)前記薄膜トランジスタ
のゲート絶縁膜が前記Al合金の陽極酸化膜を含むこと
を特徴とする(1)(2)(3)記載の薄膜トランジス
タ基板で達成でき、(5)これらの薄膜トランジスタ基
板は前記信号配線を形成する前に前記ゲート配線の表面
をリン酸、硝酸を含む混合液もしくはテトラメチルアン
モニュウムハイドロオキサイドを含む有機アルカリ液に
浸ける工程を有することを特徴とする方法で製造でき
る。上記第2の目的は(1)(2)(3)(4)記載の
薄膜トランジスタ基板を有することを特徴とする液晶表
示パネルにより達成できる。上記第3の目的は前記液晶
表示パネルと、該液晶表示パネルに映像信号を与えるた
めの映像信号駆動回路と、走査信号を与えるための走査
回路と、該映像信号駆動回路及び該走査回路に液晶表示
パネル用の情報を与えるための制御回路とを有すること
を特徴とする液晶表示装置により達成できる。
使用するAl合金材料を用いるようにし、これとITO
との積層構造で端子を構成する。さらにITOの先端部
で信号配線を形成するための導電膜でITOとゲート配
線とを電気的に接続する。これによって従来必要であっ
たCr膜を不要にする。これによって工程の短縮化が可
能となる。この場合使用するAl合金材料としては耐腐
食性から不純物としてTa、Tiを添加した材料(以
下、Al−Ta,Al−Ti,Al−Ta−Tiと記
す)を適用する。添加する濃度としては0.5原子%か
ら2.5原子%が望ましい。
注意が必要である。
中の水分の存在下では腐食や電蝕が生じやすく信頼性や
寿命が問題となる。したがって、耐蝕性をあげる不純物
を添加したAl合金の形にする必要がある。不純物とし
てはTaやTiが優れている。
をITO膜で完全に被覆することが有効である。この場
合Al膜にヒロックやホイスカのような表面の凹凸があ
るとITOによる被覆ができなくなり、この部分から腐
食が始まるので問題である。したがって、Al材料には
ヒロックやホイスカが発生しないものを用いる必要があ
る。この観点からも不純物としてはTaやTiが有効で
ある。
明らかになった。それはAlの上にITOを積層した場
合、ITOとAlとの界面反応により間に絶縁膜である
Al2O3膜ができ、このため下地のAlとITOとが接
触不良になることである。図3にこの例を示す。特性C
2、C3、C4はAlとITOとを積層しその間に流れる
電流の電圧依存性の3例を示すものである。一方、C1
はCrとITOとを接触した例を示す。このようにCr
/ITOに比べて、AlとITOとは接触抵抗が高くバ
ラツキも大きく問題である。Alとの接触性に関して行
った実験結果を表1に示す。
その上に上部電極としてAlもしくはCr/Alの積層
膜を形成した時の接触抵抗を測定したものである。Cr
/Alの積層膜を形成する前に下地Alの表面を処理し
た場合とそうでない場合との比較をも行っている。処理
液としてはリン酸硝酸液、有機アルカリ液を用いた。A
l膜は本来自然酸化膜ができやすくこのため上部電極と
してAlを形成しても表1のように接触抵抗は高い。A
l膜表面処理で接触抵抗は2桁から4桁改善できてはい
るがなお問題である。上部電極としてCr/Al積層膜
を用いた場合には接触抵抗は数10Ωと良好である。表
面処理より更に1桁以上改善できる。Crの介在が接触
性を良くする理由は明確ではないがCrがAl2O3膜の
酸素を奪うためではないかと考えている。以上の結果か
ら、Al、ITOともに電気的接触性が良い材料として
CrもしくはCr/Alの積層膜が良いことがわかっ
た。この知見から信号配線をCr/Alで形成しこれを
用いてITOとゲートAlとを電気的に接続する構造に
することを考えた。これにより工程を増やさずに上述の
AlとITOとの接触不良を対策することができた。
成しパターンニングする必要がなくなり、ホトエッチン
グ工程を1工程減らすことができた。これによりTFT
基板の低コスト化、歩留向上が実現できた。
る。
板の平面図、(b)はその断面図である。図4は工程説
明のための端子部の部分図である。図2と同じ又は均等
部分は、同じ記号で示してある。まず、このTFTの基
板の製造方法を述べる。基板10の上にAl−Ta(T
aの添加量1.5原子%)12を約3000Åの厚みに
スパッタリングにより蒸着し、ホトエッチングによりA
l(Ta)のゲート端子G1,G2、ゲート配線G1
´,G2´、付加容量Cad、ゲート電極のパターンを
形成する。(図4(a)参照)その後、陽極酸化する部
分(図1中境界線l1より右)と化成PADとを除いて
ホトレジストで被覆する。この時、ゲート配線パターン
とホトレジストパターンとは直交させる。この状態で陽
極酸化を行う。陽極酸化方法は、化成パッドPADが液
面から外に出るようにして化成液に浸し、化成パッドP
ADに最大72Vから144Vの直流電圧を印加して行
う。印加の方法は定電流0.5〜5mA/cm2になる
ように徐々に0Vから昇圧する。最初から高い電圧を印
加した場合、大電流が流れるため、Al線が溶けゲート
線が断線する。化成液としては3%酒石酸をアンモニア
によりPH7±0.5に調整した溶液をエチレングリコ
ール液で1:9に希釈したものを用いる。電流が0.5
mA/cm2の場合、約10分で化成電圧が144Vに
なる。この時形成されたAl2O3(図1(b)の13)
の厚みは2000Åである。このAl2O3はゲート絶縁
膜及び付加容量の誘電体として利用する。なお、144
Vになり定電圧酸化が行われるようになってから、数分
〜数10分そのままの状態に保持する事が望ましい。こ
れは均一なAl2O3膜を得る上で大事なことである。
を除去した後、端子部Alの被覆用ITO及び画素電極
用の透明電極として酸化インジュウムを1000Åスパ
ッタ蒸着し、加工して端子及び透明電極17を形成す
る。この時、図4(b)に示す如く、ゲート配線のAl
の陽極酸化していない部分の途中でITOをる。その
後、TFTを以下の方法で形成する。全面にプラズマC
VD法により、SiN14を2000Å形成する。材料
ガスとしてはSiH4,NH3を主たる成分とするガスを
使用する。その上に、a−Si(i)15を2000
Å、リンを2.5%ドーピングしたa−Si(n+)1
6を300Å堆積する。この時基板温度としては300
℃とする。材料ガスとしてはa−SiはSiH4を主た
る成分とするガスを、a−Si(n+)にはSiH4と
PH3との混合ガスを使用する。その後、a−Siをパ
ターン化してアレイ状にする。プラズマ膜のエッチング
にはSF6ガスによるドライエッチ法を用いる。このと
き図4(c)のように端子付近のゲート配線Alの表面
が露出するようにSiNを除去しておくことが必要であ
る。このAlの表面の自然酸化膜や変質層を除去するた
めに、りん酸、硝酸、酢酸、水の混合液に30秒漬けた
後、この上にTFTのドレイン電極を兼ねる信号配線1
8、ソース電極18’用のCr/Al−Ta(Taの濃
度1.5原子%)をそれぞれ1000Å、4000Åの
厚みにスパッタリングにて形成し、パターン化する。こ
の時図4(d)のように端子部のITOとゲート配線の
Alとが接続するようにこのCrとAl−Taとの積層
膜層181で被覆する。こうすることにより端子部のI
TOはCr/Al膜181を経てゲート配線と電気的に
接続される。したがって、接触不良の問題は無い。この
後ドレイン電極をマスクとしてa−Si(n+)16を
ドライエッチングする。最後に、保護膜としてSiNを
1μm形成し端子部上のSiNを除去して後、化成バス
ラインLとゲート端子G1,G2との間を機械的に切断
して、TFT基板が完成する。
場合を示したが、半ピッチずれた配置でも良い。また、
付加容量Cadがない場合でも全く同様に製作できるこ
とは勿論である。さらにまた、ここではITOを形成し
た後SiN,a−Si工程の順であったがこの逆の工程
でも良いことは勿論である。Alの表面処理液はテトラ
メチルアンモニュウムハイドロオキサイドを数%含む有
機アルカリ液に30秒漬けても同様の効果がある。ここ
ではAl材料としてAlにTaを添加した合金を使用し
たがTiやTaとTiを同時に添加した合金でも良い。
この場合添加する量は1.5原子%以下が抵抗やエッチ
ング残渣の点から望ましい。
イルタアレーを持つ透光性基板と、上記により製造した
TFT基板とを厚み7.3μmのスペーサを用いて貼り
あわせ、間に液晶を封止し、液晶表示パネルを完成し
た。以下その構造を簡単に説明する。
造を示す。液晶LCを基準に下部には透明ガラス基板1
0上にTFT等を形成したTFT基板が配置され、上部
にはカラーフイルタFIL,遮光用ブラックマトリクス
BM等が形成された透明ガラス基板10bが配置されて
いる。
し、左側は透明ガラス基板10及び10bの左側縁部分
で外部引出線の存在する部分の断面を示し、右側は透明
ガラス基板及び10bの右側縁部で外部引出線の存在し
ない部分の断面を示している。図5の左側、右側のそれ
ぞれに示すシール材SLは、液晶LCを封止するように
構成されており、液晶封入口(図示していない)を除く
透明ガラス基板10及び10bの縁周囲全体に沿って形
成されている。シール材SLは、例えば、エポキシ樹脂
で形成されている。
明画素電極17bは、少なくとも1個所において、銀ペ
ースト材SILによって、下部透明ガラス基板10側に
形成された外部引出線17´に接続されている。この外
部引出線は、前述したゲート電極、ソース電極、ドレイ
ン電極のそれぞれと同一製造工程で形成される。
7、共通透明画素電極17b、保護膜20及び20b、
絶縁膜であるSiN14のそれぞれの層は、シール材S
Lの内側に形成される。偏光板POL1,POL2は、
下部透明ガラス基板10、上部透明ガラス基板10bの
それぞれの外側の表面に形成されている。
部配向膜ORI1及びORI2の間に封入され、シール
材SLによってシールされている。
板10側の保護膜20の上部に形成されている。
側)の表面には、遮光膜BM、カラーフイルタFIL、
保護膜20b、共通透明画素電極17b及び上部配向膜
ORI2が順次積層して設けられている。
の装置は、液晶表示パネル81と、該液晶表示パネルに
映像信号を与えるための映像信号駆動回路83と、該液
晶表示パネルに走査信号を与えるための走査回路84
と、該映像信号駆動回路及び走査回路にTFT情報を与
えるための制御回路82を有する。制御回路82は電源
回路、上位演算処理装置からの情報をTFT情報に変換
する回路等を含む。前記実施例で得た液晶表示パネルを
それぞれ用いてこの装置に組み込んだところ、いずれも
質の高い画像が得られた。
12%短縮でき、さらに歩留を約5%向上でき、コスト
低減を図ることができた。
実施例を示す図。
施例を示す図。
2・・・Al−Ta合金材料、13・・・Al2O3、1
4・・・SiN、15・・・a−Si(i)、16・・
・a−Si(n+)、17・・・透明電極、17b・・
・共通透明画素電極、18・・・信号配線、18´・・
・ソース電極、20,20b・・・保護膜、81・・・
液晶表示パネル、82・・・制御回路、83・・・映像
信号駆動回路、84・・・走査回路、G1,G2・・・ゲ
ート端子、G1′,G2′・・・ゲート配線、D1,D2・
・・ドレイン端子、L・・・化成バスライン、l2・・
・切断線、l1・・・化成境界線、Cadd・・・付加
容量、PAD・・・化成端子、ORI1,ORI2・・
・配向膜、POL1,POL2・・・偏光板、FIL・
・・カラーフイルタ、LC・・・液晶、BM・・・ブラ
ックマトリクス、BL・・・バックライト。
Claims (5)
- 【請求項1】絶縁性基板上に形成された複数本のゲート
端子と該ゲート端子に電気的に接続される複数本のAl
からなるゲート配線と、これと交差して配置された複数
本の信号配線と、前記ゲート配線と信号配線とに囲まれ
る領域に薄膜トランジスタを配置し、前記ゲート配線と
信号配線と薄膜トランジスタを覆う保護膜を備えてなる
薄膜トランジスタ基板を有し、前記ゲート端子がITO
からなる透明電極膜で構成され、前記保護膜が除去され
露出した第1の端部と、前記保護膜に覆われた第2の端
部からなり、且つ、前記ゲート端子と前記ゲート配線と
が前記信号配線に用いられるCrとAlの積層膜からな
る導電層により電気的に接続され、前記CrとAlの積
層膜からなる導電層は前記第2の端部上からゲート配線
上を被服して接続部を形成し、該接続部は保護膜で覆わ
れていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】前記信号配線がCrとその上に形成された
Al合金からなることを特徴とする請求項1記載の液晶
表示装置。 - 【請求項3】前記ゲート端子は、前記透明電極膜とAl
合金との積層膜で構成されたことを特徴とする請求項1
又は請求項2記載の液晶表示装置。 - 【請求項4】前記ゲート端子は、前記透明電極膜とAl
合金とで構成され、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁
膜が前記Al合金の陽極酸化膜を含むことを特徴とする
請求項1又は請求項2記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】絶縁性基板上に形成された複数本のゲート
端子と該ゲート端子に電気的に接続される複数本のAl
からなるゲート配線と、これと交差して配置された複数
本の信号配線と、前記ゲート配線と信号配線とに囲まれ
る領域に薄膜トランジスタを配置し、前記ゲート配線と
信号配線と薄膜トランジスタを覆う保護膜を備えてなる
薄膜トランジスタ基板を有し、前記ゲート端子がITO
からなる透明電極膜で構成され、前記保護膜が除去され
露出した第1の端部と、前記保護膜に覆われた第2の端
部からなり、且つ、前記ゲート端子と前記ゲート配線と
が前記信号配線に用いられるCrとAlの積層膜からな
る導電材料と同じ材料で形成される接続部により電気的
に接続され、、前記接続部は前記第2の端部上からゲー
ト配線上にわたって形成され保護膜で覆われていること
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24296492A JP3362413B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24296492A JP3362413B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0695146A JPH0695146A (ja) | 1994-04-08 |
JP3362413B2 true JP3362413B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=17096855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24296492A Expired - Lifetime JP3362413B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3362413B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6580094B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
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-
1992
- 1992-09-11 JP JP24296492A patent/JP3362413B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
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