JP3536762B2 - 液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はカラー画像表示機能
を有する液晶画像表示装置、とりわけアクティブ型の液
晶画像表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の微細加工技術、液晶材料技術およ
び高密度実装技術等の進歩により、5〜50ｃｍ対角の液
晶パネルでテレビジョン画像や各種の画像表示機器が商
用ベースで大量に提供されている。また、液晶パネルを
構成する２枚のガラス基板の一方にＲＧＢの着色層を形
成しておくことによりカラー表示も容易に実現してい
る。特にスイッチング素子を絵素毎に内蔵させた、いわ
ゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストークも少な
くかつ高速応答で高いコントラスト比を有する画像が保
証されている。

【０００３】これらの液晶画像表示装置（液晶パネル）
は走査線としては200〜1200本、信号線としては200〜16
00本程度のマトリクス編成が一般的であるが、最近は表
示容量の増大に対応すべく大画面化と高精細化とが同時
に進行している。

【０００４】図１２は液晶パネルへの実装状態を示し、
液晶パネル１を構成する一方の透明性絶縁基板、例えば
ガラス基板２上に形成された走査線の電極端子群６に駆
動信号を供給する半導体集積回路チップ３を導電性の接
着剤を用いて接続するＣＯＧ（Chip-On-Glass）方式
や、例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースとし、金また
は半田メッキされた銅箔の端子（図示せず）を有するＴ
ＣＰフィルム４を信号線の電極端子群５に導電性媒体を
含む適当な接着剤で圧接して固定するＴＣＰ（Tape-Car
rier-Package）方式などの実装手段によって電気信号が
画像表示部に供給される。ここでは便宜上二つの実装方
式を同時に図示しているが実際には何れかの方式が適宜
選択されることは言うまでもない。

【０００５】７、８は液晶パネル１のほぼ中央部に位置
する画像表示部と信号線および走査線の電極端子５，６
との間を接続する配線路で、必ずしも電極端子群５，６
と同一の導電材で構成される必要はない。９は全ての液
晶セルに共通する透明導電性の対向電極を対向面上に有
するもう１枚の透明性絶縁基板である対向ガラス基板ま
たはカラーフィルタである。

【０００６】図１３はスイッチング素子として絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０を絵素毎に配置したアクティブ型
液晶パネルの等価回路図を示し、１１（図１２では８）
は走査線、１２（図１２では７）は信号線、１３は液晶
セルであって、液晶セル１３は電気的には容量素子とし
て扱われる。実線で描かれた素子類は液晶パネルを構成
する一方のガラス基板２上に形成され、点線で描かれた
全ての液晶セル１３に共通な対向電極１４はもう一方の
ガラス基板９上に形成されている。絶縁ゲート型トラン
ジスタ１０のOFF抵抗あるいは液晶セル１３の抵抗が低
い場合や表示画像の階調性を重視する場合には、負荷と
しての液晶セル１３の時定数を大きくするための補助の
蓄積容量１５を液晶セル１３に並列に加える等の回路的
工夫が加味される。なお１６は蓄積容量１５の共通母線
である。

【０００７】図１４は液晶パネルの画像表示部の要部断
面図を示し、液晶パネル１を構成する２枚のガラス基板
２，９は樹脂性のファイバやビーズ等のスペーサ材（図
示せず）によって数μｍ程度の所定の距離を隔てて形成
され、その間隙（ギャップ）はガラス基板９の周縁部に
おいて有機性樹脂よりなるシール材と封口材（何れも図
示せず）とで封止された閉空間になっており、この閉空
間に液晶１７が充填されている。

【０００８】カラー表示を実現する場合には、ガラス基
板９の閉空間側に着色層１８と称する染料または顔料の
いずれか一方もしくは両方を含む厚さ１〜２μｍ程度の
有機性樹脂薄膜が被着されて色表示機能が与えられるの
で、その場合にはガラス基板９は別名カラーフィルタ
（Color Filter 略語はＣＦ）と呼称される。そして
液晶材料１７の性質によってはガラス基板９の上面また
はガラス基板２の下面の何れかもしくは両面上に偏光板
１９が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子として機
能する。現在、市販されている大部分の液晶パネルでは
液晶材料にＴＮ（ツイスト・ネマチック）系の物を用い
ており、偏光板１９は通常２枚必要である。図示はしな
いが、透過型液晶パネルでは光源として裏面光源が配置
され、下方より白色光が照射される。

【０００９】液晶１７に接して２枚のガラス基板２，９
上に形成された例えば厚さ0.1μm程度のポリイミド系樹
脂薄膜２０は液晶分子を決められた方向に配向させるた
めの配向膜である。２１は絶縁ゲート型トランジスタ１
０のドレインと透明導電性の絵素電極２２とを接続する
ドレイン電極（配線）であり、信号線（ソース線）１２
と同時に形成されることが多い。信号線１２とドレイン
電極２１との間に位置するのは半導体層２３であり詳細
は後述する。カラーフィルタ９上で隣り合った着色層１
８の境界に形成された厚さ0.1μm程度のＣｒ薄膜層２４
は半導体層２３と走査線１１及び信号線１２に外部光が
入射するのを防止するための光遮蔽で、いわゆるブラッ
クマトリクス（Ｂlack Ｍatrix 略語はＢＭ）として定
着化した技術である。

【００１０】ここでスイッチング素子として絶縁ゲート
型トランジスタの構造と製造方法に関して説明する。絶
縁ゲート型トランジスタには２種類のものが現在多用さ
れており、そのうちの一つを従来例（エッチ・ストップ
型と呼称される）として紹介する。図１５は従来の液晶
パネルを構成するアクティブ基板の単位絵素の平面図で
あり、同図のＡ−Ａ’線上の断面図を図１６に示し、そ
の製造工程を以下に簡単に説明する。なお、走査線１１
に形成された突起部５０と絵素電極２２とがゲート絶縁
層を介して重なっている領域５１（右下がり斜線部）が
蓄積容量１５を形成しているが、ここではその詳細な説
明は省略する。

【００１１】先ず、図１６（ａ）に示したように耐熱性
と耐薬品性と透明性が高い絶縁性基板として厚さ0.5〜
1.1mm程度のガラス基板２、例えばコーニング社製の商
品名１７３７の一主面上にＳＰＴ（スパッタ）等の真空
製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3μm程度の第１の金属層
として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金
を被着して微細加工技術により走査線も兼ねるゲート電
極１１を選択的に形成する。走査線の材質は耐薬品性と
耐弗酸性と導電性とを総合的に勘案して選択すると良
い。

【００１２】液晶パネルの大画面化に対応して走査線１
１の抵抗値を下げるためには走査線の材料としてＡＬ
（アルミニウム）が用いられるが、ＡＬは耐熱性が低い
ので上記した耐熱金属であるＣｒ，Ｔａ，Ｍｏまたはそ
れらのシリサイドと積層化したり、あるいはＡＬの表面
に陽極酸化で酸化層（AL₂O₃）を付加することも現在で
は一般的な技術である。すなわち、走査線１１は１層以
上の金属層で構成される。

【００１３】次に、図１６（ｂ）に示したようにガラス
基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイディ）装
置を用いてゲート絶縁層となる第１のSiN_x（シリコン窒
化）層、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジ
スタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（a-Si）
層、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のSiN_x層
と３種類の薄膜層を、例えば0.3-0.05-0.1μm程度の膜
厚で順次被着して３０，３１，３２とする。

【００１４】なお、ノウハウ的な技術としてゲート絶縁
層の形成に当り他の種類の絶縁層（例えばTaO_xやSiO
₂等、もしくは先述したAL₂O₃）と積層したり、あるいは
SiN_x層を２回に分けて製膜し途中で洗浄工程を付与する
等の歩留向上対策が行われることも多く、ゲート絶縁層
は１種類あるいは単層とは限らない。

【００１５】そして微細加工技術によりゲート１１上の
第２のSiN_x層をゲート１１よりも幅細く選択的に残して
３２’として第１の非晶質シリコン層３１を露出し、同
じくＰＣＶＤ装置を用いて全面に不純物として例えば燐
を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば0.05μm程
度の膜厚で被着する。

【００１６】続いて、図１６（ｃ）に示したようにゲー
ト１１の近傍上にのみ第１の非晶質シリコン層３１と第
２の非晶質シリコン層３３とを島状３１’，３３’に残
してゲート絶縁層３０を露出する。引き続き、図１６
（ｄ）に示したようにＳＰＴ（スパッタ）等の真空製膜
装置を用いて膜厚0.1〜0.2μm程度の透明導電層として
例えばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）を被着し、微細加工
技術により絵素電極２２を選択的に形成する。

【００１７】さらに、図１６（ｅ）に示したように走査
線１１への電気的接続に必要な画像表示部の周辺部での
走査線１１上のゲート絶縁層３０への選択的開口部６０
形成を行った後、図１６（ｆ）に示したようにＳＰＴ等
の真空製膜装置を用いて膜厚0.1μm程度の耐熱金属層と
して例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の耐熱金属薄膜層３４
を、低抵抗配線層として膜厚0.3μm程度のＡＬ薄膜層３
５を順次被着し、微細加工技術により耐熱金属層３４’
と低抵抗配線層３５’との積層よりなり絵素電極２２を
含んで絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１と
信号線も兼ねるソース電極１２とを選択的に形成する。
この選択的パターン形成に用いられる感光性樹脂パター
ンをマスクとしてソース・ドレイン電極間の第2のSiN_x
層３２’上の第2の非晶質シリコン層３３’を除去して
第2のSiN_x層３２’を露出するとともに、その他の領域
では第1の非晶質シリコン層３1’をも除去してゲート絶
縁層３０を露出する。この工程は、チャネルの保護層で
ある第2のSiN_x層３２’が存在するために第2の非晶質シ
リコン層３３’の食刻が自動的に終了することからエッ
チ・ストップと呼称される所以である。

【００１８】絶縁ゲート型トランジスタがオフセット構
造とならぬようソース・ドレイン電極１２，２１はゲー
ト１１と一部平面的に重なった位置関係に配置されて形
成される。なお、画像表示部の周辺部で走査線１１上の
開口部６０を含んで信号線１２と同時に走査線側の電極
端子６、または走査線１１と走査線側の電極端子６とを
接続する配線路８を形成することも一般的な設計であ
る。

【００１９】最後に、ガラス基板２の全面に透明性の絶
縁層として、ゲート絶縁層３０と同様にＰＣＶＤ装置を
用いて0.3〜0.7μm程度の膜厚のSiN_x層を被着してパシ
ベーション絶縁層３７とし、図１６（ｇ）に示したよう
に絵素電極２２上に開口部３８を形成して絵素電極２２
の大部分を露出すると同時に走査線の電極端子６上にも
開口部６１を形成して端子電極６の大部分を露出してア
クティブ基板２として完成する。図示はしないが画像表
示部外の領域でパターン幅を広くした信号線１２の端部
上にも開口部を形成して電極端子５としている。

【００２０】信号線１２の配線抵抗が問題とならない場
合にはＡＬよりなる低抵抗配線層３５は必ずしも必要で
はなく、その場合にはＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等の耐熱金属材
料を選択すればソース・ドレイン配線１２，２１を単層
化することが可能である。なお、絶縁ゲート型トランジ
スタの耐熱性については先行例である特開平７−74368
号公報に詳細が記載されている。

【００２１】絵素電極２２上のパシベーション絶縁層３
７を除去する理由は、一つには液晶セルに印可される実
効電圧の低下を防止するためと、もう一つはパシベーシ
ョン絶縁層３７の膜質が一般的に劣悪で、パシベーショ
ン絶縁層３７内に電荷が蓄積されて表示画像の焼き付け
を生じることを回避するためである。これは絶縁ゲート
型トランジスタの耐熱性が余り高くないため、パシベー
ション絶縁層３７の製膜温度がゲート絶縁層３０と比較
して数１０℃以上低く２５０℃以下の低温製膜にならざ
るを得ないからである。

【００２２】以上述べたアクティブ基板の製造工程は写
真食刻工程が７回必要で、７枚マスク工程と称されるほ
ぼ標準的な製造方法である。液晶パネルの低価格化を実
現し、さらなる需要の増大に対応していくためにも製造
工程数の削減は液晶パネルメーカにとっては重要な命題
で、合理化された通称５枚マスク工程が導入されようと
している。

【００２３】図１７は５枚マスクに対応したアクティブ
基板の単位絵素の平面図で、同図のＡ−Ａ’線上の断面
図を図１８に示し、その製造工程を絶縁ゲート型トラン
ジスタに従来のエッチ・ストップ型を採用した場合につ
いて以下に簡単に説明する。なお、走査線１１と同時に
形成される蓄積容量線１６とドレイン電極２１とがゲー
ト絶縁層を介して重なっている領域５２（右下がり斜線
部）が蓄積容量１５を形成しているが、ここではその詳
細な説明は省略する。

【００２４】先ず、従来例と同様に図１８（ａ）に示し
たようにガラス基板２の一主面上に、ＳＰＴ（スパッ
タ）等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3μm程度の
第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいは
それらの合金を被着してを被着し、微細加工技術により
走査線も兼ねるゲート電極１１と蓄積容量線１６とを選
択的に形成する。

【００２５】次に、図１８（ｂ）に示したようにガラス
基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイディ）装
置を用いてゲート絶縁層となる第１のSiN_x（シリコン窒
化）層、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジ
スタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（a-Si）
層、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のSiN_x層
と３種類の薄膜層を、例えば0.3-0.05-0.1μm程度の膜
厚で順次被着して３０，３１，３２とする。

【００２６】そして、図１８（ｃ）に示したように微細
加工技術によりゲート１１上の第２のSiN_x層をゲート１
１よりも幅細く選択的に残して３２’として第１の非晶
質シリコン層３１を露出し、同じくＰＣＶＤ装置を用い
て全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリ
コン層３３を例えば0.05μm程度の膜厚で被着する。

【００２７】引き続き、図１８（ｄ）に示したようにＳ
ＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1μm程度の耐熱金
属層として例えばＴｉ薄膜層３４を、低抵抗配線層とし
て膜厚0.3μm程度のＡＬ薄膜層３５を、膜厚0.1μm程度
の中間導電層として例えばＴｉ薄膜層３６を順次被着
し、微細加工技術により前記金属層の積層よりなる絶縁
ゲート型トランジスタのドレイン電極２１と信号線も兼
ねるソース電極１２とを選択的に形成する。この選択的
パターン形成に用いられる感光性樹脂パターンをマスク
としてソース・ドレイン電極間の第2のSiN_x層３２’上
の第2の非晶質シリコン層３３’を除去して第2のSiN_x層
３２’を露出するとともに、その他の領域では第1の非
晶質シリコン層３1をも除去してゲート絶縁層３０を露
出する。

【００２８】さらに上記感光性樹脂パターンを除去した
後、図１８（ｅ）に示したようにガラス基板２の全面に
透明性の絶縁層として、ゲート絶縁層と同様にＰＣＶＤ
装置を用いて0.3μm程度の膜厚のＳｉＮ_x層を被着して
パシベーション絶縁層３７とし、ドレイン電極２１上に
開口部６２と走査線１１の電極端子６が形成される位置
上に開口部６３を形成して走査線１１の一部分を露出す
る。図示はしないが画像表部外の領域で信号線の電極端
子５が形成される位置上にも開口部を形成して信号線１
２の一部分を露出する。

【００２９】最後に図１８（ｆ）に示したようにＳＰＴ
（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.2μ
m程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Indium-Tin-Ox
ide）を被着し、微細加工技術により開口部６２を含ん
でパシベーション絶縁層３７上に絵素電極２２を選択的
に形成してアクティブ基板２として完成する。開口部６
３内の露出している走査線１１の一部を電極端子６とし
ても良く、図示したように開口部６３を含んでパシベー
ション絶縁層３７上にＩＴＯよりなる電極端子６を選択
的に形成しても良い。このように５枚マスク工程は半導
体層の島化工程と、電極端子へのコンタクト形成工程が
１回合理化されることで２回の写真食刻工程を削除する
ことができている。また、絵素電極２２がアクティブ基
板２の最上層に位置するため、パシベーション絶縁層３
７を透明性の樹脂薄膜を用いて例えば 1.5 μm 以上に
厚く形成しておけば、絵素電極２２が走査線１１や信号
線１２と重なり合っても静電容量による干渉が小さく画
質の劣化が避けられるので絵素電極２２を大きく形成で
きて開口率が向上する等の利点も多い。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】５枚マスク工程におい
ては、ドレイン電極２１と走査線１１へのコンタクト形
成工程が同時になされるため、それらに対応した開口部
６２，６３内の絶縁層の厚さと種類が異なる。既に述べ
たようにパシベーション絶縁層３７はゲート絶縁層３０
に比べると膜質が劣悪で弗酸系のエッチング液による食
刻では食刻速度が夫々数1000Å／分、数100Å／分と1桁
も異なり、ドレイン電極２１上の開口部６２の断面形状
は上部に余りにも過食刻が生じて穴径が制御できないの
で、弗素系のガスを用いたドライエッチを採用せざるを
得ない。

【００３１】しかしながら、ドライエッチを採用しても
ドレイン電極２１上の開口部６２はパシベーション絶縁
層３７のみであるので、走査線１１上の開口部６３と比
較して過食刻になるのは避けられず中間導電層３６’が
食刻ガスによって膜減りする。また、食刻終了後の感光
性樹脂パターンの除去に当たり、まずは弗素化された表
面のポリマー除去のために酸素プラズマ灰化で感光性樹
脂パターンの表面を0.1〜0.3μｍ程削り、その後に有機
剥離液、例えば東京応化製の剥離液１０６等を用いた薬
液処理がなされるのが一般的であるが、中間導電層３
６’が膜減りして下地のアルミニウム層３５’が露出し
た状態になっていると、酸素プラズマ灰化処理でアルミ
ニウム３５’の表面に絶縁体であるＡＬ２Ｏ３が形成さ
れて、絵素電極２２との間でオーミック接触が得られな
くなる。そこで中間導電層３６’が膜減りしてもいいよ
うに、当初から膜厚を例えば0.2μｍと厚く設定するこ
とでこの問題から逃れようとしている。

【００３２】しかしながら、ゲート絶縁層３０とパシベ
ーション絶縁層３７の膜厚と膜質のガラス基板２内の面
内均一性が良好でないとこの取組みも必ずしも有効に作
用するわけではなく、また食刻速度の面内均一性が良好
でない場合にも全く同様である。開口部６２，６３内に
露出する走査線１１と信号線１２の表面は、いずれにせ
よ食刻ガスによる膜減りと酸素ガスプラズマによる酸化
の問題から逃れることは困難である。

【００３３】また、ソース・ドレイン配線１２，２１の
パシベーションのためにパシベーション絶縁層３７が合
理化されたプロセスでも採用されているが、絶縁ゲート
型トランジスタの耐熱性との関係でパシベーション絶縁
層３７の製膜温度がゲート絶縁層３０と比較して数１０
℃以上低く２５０℃以下の低温製膜でもなにがしかの影
響を受けることは避けられず、特にＯＮ電流が１０〜３
０％程度低下することは避けられない。絶縁ゲート型ト
ランジスタの電流駆動能力の低下は、大画面・高精細の
液晶パネルを得るためには配線抵抗の増大とともに大き
な障害となってくる。

【００３４】本発明はかかる現状に鑑みなされたもの
で、コンタクト形成時の不具合を回避し、かつ絶縁ゲー
ト型トランジスタの耐熱性の低さを補うパシベーション
形成により上記した諸課題を解決せんとするものであ
る。

【００３５】

【課題を解決するための手段】本発明においては、絶縁
ゲート型トランジスタが既にチャネル保護層を有するこ
とからソース・ドレイン配線のみを有効にパシベーショ
ンするために先行技術である特開平２−216129 号公報
に開示されている陽極酸化技術を導入するが、同公報で
は絵素電極とソース・ドレイン配線との接続に関して説
明が不充分であり、具現性に欠けている。また更なる工
程削減のためには先行技術である特開平５−268726号公
報に開示されている絵素電極の形成工程を合理化したも
のを本発明に適合させて採用している。

【００３６】請求項１に記載の液晶表示装置用の半導体
装置は、ガラス基板と前記ガラス基板上に形成された金
属層からなるゲート電極と、前記ゲート電極上に１層以
上のゲート絶縁層を介して前記ゲート電極よりも幅広く
積層された不純物を含まない第１の半導体層と、前記第
１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く積層され
た保護絶縁層と、前記ゲート電極と一部重なり合って前
記保護絶縁層上と前記第１の半導体層上とに積層され、
不純物を含んでいる一対の第２の半導体層と、前記一対
の第２の半導体層上にそれぞれ積層され、表面が陽極酸
化されたソース電極および絵素電極に接続され、かつ、
表面が陽極酸化されたドレイン電極と、を備え、前記ガ
ラス基板の表面上に金属からなる接続層が形成されてお
り、前記絵素電極と前記ドレイン電極とが前記接続層を
介して接続されていることを特徴とする。

【００３７】

【００３８】請求項２に記載の液晶表示装置用の半導体
装置は、ガラス基板と前記ガラス基板上に形成された金
属層からなるゲート電極と、前記ゲート電極上に１層以
上のゲート絶縁層を介して前記ゲート電極よりも幅広く
積層された不純物を含まない第１の半導体層と、前記第
１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く積層され
た保護絶縁層と、前記ゲート電極と一部重なり合って前
記保護絶縁層上と前記第１の半導体層上とに積層され、
不純物を含んでいる一対の第２の半導体層と、前記一対
の第２の半導体層上にそれぞれ積層され、表面が陽極酸
化されたソース電極および絵素電極に接続され、かつ、
表面が陽極酸化されたドレイン電極と、を備え、前記絵
素電極が前記ガラス基板の表面上に形成されていること
を特徴とする。

【００３９】

【００４０】請求項３に記載の液晶表示装置用の半導体
装置は、請求項２に記載の液晶表示装置用の半導体装置
であって、前記絵素電極が前記ドレイン電極の表面に接
していることを特徴とする。

【００４１】

【００４２】請求項４に記載の液晶表示装置用の半導体
装置は、請求項２に記載の液晶表示装置用の半導体装置
であって、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁層との間に
はプラズマ保護層が挟まれており、前記ゲート電極は前
記ガラス基板上に積層された透明導電層と金属層との積
層体からなることを特徴とする。

【００４３】

【００４４】請求項５に記載の画像表示装置用半導体装
置の製造方法は、ガラス基板上の一主面上に１層以上の
金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極
も兼ねる走査線を選択的に形成する工程と、１層以上の
ゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン
層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、前記ゲート電
極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも幅細く選択的
に残して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程
と、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着
する工程と、画像表示部外の領域で前記走査線上に開口
部を選択的に形成して前記走査線の一部を露出する工程
と、陽極酸化可能な金属を被着後、前記ゲート電極と一
部重なるソース電極およびドレイン電極を選択的に形成
する工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間
に位置する保護絶縁層上の第２の非晶質シリコン層と前
記ソース電極外および前記ドレイン電極外の領域の第１
と第２の非晶質シリコン層とを除去する工程と、透明導
電膜を被着し、前記透明導電膜上に感光性樹脂を積層し
て感光およびエッチングすることにより前記感光性樹脂
が積層された透明電極膜からなると共に前記ドレイン電
極に接続された絵素電極を選択的に形成する工程と、前
記絵素電極上に積層された前記感光性樹脂をマスクとし
て前記絵素電極を保護しつつ光を照射しながら前記ソー
ス電極の表面および前記ドレイン電極の表面を陽極酸化
する工程と、前記感光性樹脂を除去する工程と、を有す
ることを特徴とする。

【００４５】

【００４６】請求項６に記載の画像表示装置用半導体装
置の製造方法は、ガラス基板上の一主面上に１層以上の
金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極
も兼ねる走査線を選択的に形成する工程と、１層以上の
ゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン
層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、前記ゲート電
極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも幅細く選択的
に残して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程
と、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着
する工程と、陽極酸化可能な金属を被着後、前記ゲート
電極と一部重なるソース電極およびドレイン電極を選択
的に形成する工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電
極との間に位置する保護絶縁層上の第２の非晶質シリコ
ン層と前記ソース電極外および前記ドレイン電極外の領
域の第１と第２の非晶質シリコン層とを除去する工程
と、画像表示部外の領域で前記走査線上に開口部を選択
的に形成して前記走査線の一部を露出する工程と、透明
導電膜を被着し、前記透明導電膜上に感光性樹脂を積層
して感光およびエッチングすることにより前記感光性樹
脂が積層された透明電極膜からなる絵素電極を選択的に
形成する工程と、前記絵素電極上に積層された前記感光
性樹脂をマスクとして前記絵素電極を保護しつつ光を照
射しながら前記ソース電極の表面および前記ドレイン電
極の表面を陽極酸化する工程と、前記感光性樹脂を除去
する工程と、を有することを特徴とする。

【００４７】

【００４８】請求項７に記載の画像表示装置用半導体装
置の製造方法は、ガラス基板上の一主面上に１層以上の
金属層よりなる接続層および絶縁ゲート型トランジスタ
のゲート電極も兼ねる走査線を選択的に形成する工程
と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の
非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程
と、前記ゲート電極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よ
りも幅細く選択的に残して前記第１の非晶質シリコン層
を露出する工程と、全面に不純物を含む第２の非晶質シ
リコン層を被着する工程と、前記接続層上に一対の開口
部を選択的に形成して接続層の一部を露出すると共に画
像表示部外の領域で前記走査線上に開口部を選択的に形
成して前記走査線の一部を露出する工程と、陽極酸化可
能な金属を被着後、前記ゲート電極と一部重なるソース
電極および前記ゲート電極と一部重なると共に前記一対
の開口部の一方を介して前記接続層に接続されたドレイ
ン電極を選択的に形成する工程と、前記ソース電極と前
記ドレイン電極との間に位置する保護絶縁層上の第２の
非晶質シリコン層と前記ソース電極外および前記ドレイ
ン電極外の領域の第１と第２の非晶質シリコン層とを除
去する工程と、透明導電膜を被着し、前記透明導電膜上
に感光性樹脂を積層して感光およびエッチングすること
により前記感光性樹脂が積層された透明電極膜からなる
と共に前記一対の開口部の他方を介して前記接続層に接
続された絵素電極を選択的に形成する工程と、前記絵素
電極上に積層された前記感光性樹脂をマスクとして前記
絵素電極を保護しつつ光を照射しながら前記ソース電極
の表面および前記ドレイン電極の表面を陽極酸化する工
程と、前記感光性樹脂を除去する工程と、を有すること
を特徴とする。

【００４９】

【００５０】請求項８に記載の画像表示装置用半導体装
置の製造方法は、ガラス基板上の一主面上に１層以上の
金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極
も兼ねる走査線を選択的に形成する工程と、１層以上の
ゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン
層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、前記ゲート電
極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも幅細く選択的
に残して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程
と、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着
する工程と、前記ゲート電極及びその近傍に第２と第１
の非晶質シリコン層及びゲート絶縁層を残すと共に画像
表示部外の領域においては前記走査線の一部が露出する
ように前記第２と第１の非晶質シリコン層及びゲート絶
縁層とを選択的に除去する工程と、前記ガラス基板上に
透明導電性の絵素電極を選択的に形成する工程と、陽極
酸化可能な金属を被着後、前記ゲート電極と一部重なる
ソース電極および前記ゲート電極と一部重なると共に前
記絵素電極に接続されたドレイン電極を選択的に形成す
る工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に
位置する保護絶縁層上の第２の非晶質シリコン層を除去
する工程と、光を照射しながら前記ソース電極および前
記ドレイン電極の表面を、前記第１の非晶質シリコン層
の光電効果を利用して、陽極酸化する工程と、を有する
ことを特徴とする。

【００５１】

【００５２】請求項９に記載の画像表示装置用半導体装
置の製造方法は、ガラス基板上の一主面上に１層以上の
金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極
も兼ねる走査線を選択的に形成する工程と、１層以上の
ゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン
層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、前記ゲート電
極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも幅細く選択的
に残して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程
と、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着
する工程と、前記ゲート電極及びその近傍に第２と第１
の非晶質シリコン層及びゲート絶縁層とを残すと共に画
像表示部外の領域においては前記走査線の一部が露出す
るように前記第２と第１の非晶質シリコン層及びゲート
絶縁層とを選択的に除去する工程と、陽極酸化可能な金
属を被着後、前記ゲート電極と一部重なるソース電極お
よびドレイン電極を選択的に形成する工程と、前記ソー
ス電極と前記ドレイン電極との間に位置する保護絶縁層
上の第２の非晶質シリコン層を除去する工程と、透明導
電膜を被着し、前記透明導電膜上に感光性樹脂を積層し
て感光およびエッチングすることにより前記感光性樹脂
が積層された透明電極膜からなると共に前記ドレイン電
極の表面に接続された絵素電極を選択的に形成する工程
と、前記絵素電極上に積層された前記感光性樹脂をマス
クとして前記絵素電極を保護しつつ光を照射しながら前
記ソース電極の表面および前記ドレイン電極の表面を陽
極酸化する工程と、前記感光性樹脂を除去する工程と、
を有することを特徴とする。

【００５３】

【００５４】請求項１０に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、ガラス基板上の一主面上に透明導電
層と陽極酸化可能な金属層との積層体よりなり絶縁ゲー
ト型トランジスタのゲートも兼ねる走査線と擬似絵素電
極とを選択的に形成する工程と、プラズマ保護層を含む
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶
質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、前
記ゲート電極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも幅
細く選択的に残して第１の非晶質シリコン層を露出する
工程と、全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を
被着する工程と、前記ゲート電極及びその近傍に第２と
第１の非晶質シリコン層及びゲート絶縁層を残すと共に
画像表示部外の領域においては前記走査線の一部が露出
するように前記第２と第１の非晶質シリコン層およびゲ
ート絶縁層を選択的に除去する工程と、陽極酸化可能な
金属を被着後、前記ゲート電極と一部重なるソース電極
および前記ゲート電極と一部重なると共に前記擬似絵素
電極に接続されたドレイン電極を選択的に形成する工程
と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置す
る保護絶縁層上の第２の非晶質シリコン層を除去する工
程と、前記擬似絵素電極上の金属層を除去して前記透明
導電層を露出する工程と、光を照射しながら前記ソース
電極および前記ドレイン電極を、前記第１の非晶質シリ
コン層の光電効果を利用して、陽極酸化する工程と、を
有することを特徴とする。

【００５５】以上の構成により、従来のようにパシベー
ション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要はなく
なり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となる
ことはなくなる。また走査線と信号線の電極端子上にパ
シベーション絶縁層が存在しないのでコンタクト形成に
関わる不具合も発生しない。

【００５６】

【００５７】

【００５８】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態を図１〜図１１
に基づいて説明する。図１に本発明の第１の実施形態に
係る画像表示装置用半導体装置（アクティブ基板）の平
面図を示し、図２と図３に図１のＡ−Ａ’線上とＢ−
Ｂ’線上の製造工程の断面図を示す。同様に、第２の実
施形態は図４と図５、第３の実施形態は図６と図７、第
４の実施形態は図８と図９、第５の実施形態は図１０と
図１１とで夫々アクティブ基板の平面図と製造工程の断
面図を示す。なお、従来例と同一の部位については同一
の符号を付して詳細な説明は省略する。

【００５９】本発明の第１の実施形態について説明す
る。第１の実施形態では先ず、従来例と同様に図２
（ａ）に示したようにガラス基板２の一主面上に、ＳＰ
Ｔ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3
μm程度の第１の金属層、例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あ
るいはそれらの合金を被着してを被着し、微細加工技術
により走査線も兼ねるゲート電極１１（と蓄積容量線１
６と）を選択的に形成する。

【００６０】次に、図２（ｂ）に示したようにガラス基
板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイディ）装置
を用いてゲート絶縁層となる第１のSiN_x（シリコン窒
化）層、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジ
スタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（a-Si）
層、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のSiN_x層
と３種類の薄膜層を、例えば0.3-0.05-0.1μm程度の膜
厚で順次被着して３０，３１，３２とする。

【００６１】そして、図２（ｃ）に示したように微細加
工技術によりゲート１１上の第２のSiN_x層をゲート１１
よりも幅細く選択的に残して３２’として第１の非晶質
シリコン層３１を露出し、同じくＰＣＶＤ装置を用いて
全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコ
ン層３３を例えば0.05μm程度の膜厚で被着する。ここ
までは従来例と同一のプロセスで進行している。

【００６２】続いて、図２（ｄ）に示したように、画像
表示部外の領域で走査線１１上に開口部６０を選択的に
形成して走査線１１の一部を露出する。この工程におい
ては、第２と第１の非晶質シリコン層３３，３１とゲー
ト絶縁層３０と複数種の薄膜を食刻するので、ガスを用
いた乾式食刻（ドライエッチ）の採用が合理的である。

【００６３】引き続き、図２（ｅ）に示したように、Ｓ
ＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1μm程度の陽極酸
化可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金
属薄膜層３４、低抵抗配線層として膜厚0.3μm程度のＡ
Ｌ薄膜層３５、膜厚0.1μm程度の陽極酸化可能な導電層
として例えばＴａ等の中間導電層３６を順次被着し、微
細加工技術により耐熱金属層３４’と低抵抗配線層３
５’と中間導電層３６’との積層よりなり信号線も兼ね
る絶縁ゲート型トランジスタのソース電極１２とドレイ
ン電極２１とを選択的に形成する。この選択的パターン
形成に用いられる感光性樹脂パターンをマスクとしてソ
ース・ドレイン電極間の第2のSiN_x層３２’上の第2の非
晶質シリコン層３３’を除去して第2のSiN_x層３２’を
露出するとともに、その他の領域では第1の非晶質シリ
コン層３1をも除去してゲート絶縁層３０を露出する。
なお、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時
に、走査線上の開口部６０を含んで走査線の電極端子６
も同時に形成する。

【００６４】この後、図２（ｆ）に示したようにＳＰＴ
（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.2μ
m程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Indium-Tin-Ox
ide）を被着し、微細加工技術によりドレイン電極２１
上の中間導電層３６’の一部を含んでゲート絶縁層３０
上に絵素電極２２を選択的に形成する。そして絵素電極
２２の選択的パターン形成に用いられた感光性樹脂パタ
ーン６５ をマスクとして光を照射しながらソース・ド
レイン配線１２，２１を陽極酸化してソース・ドレイン
配線１２，２１上に絶縁層を形成する。

【００６５】ソース・ドレイン配線１２，２１の上面に
はＴａ、ソース・ドレイン配線１２，２１の側面にはＴ
ａ，ＡＬ，Ｔｉ，不純物を含む第２の非晶質シリコン層
３３’と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３
１’の積層が露出しており、陽極酸化によってこれらの
薄膜は、夫々５酸化タンタル（Ta₂O₅）６８、アルミナ
（AL₂O₃）６９、酸化チタン（TiO₂）７０、不純物を含
む酸化シリコン層（SiO₂）６６，不純物を含ない酸化シ
リコン層（SiO₂）６７に変質する。酸化チタン（TiO₂）
７０を除いて何れも絶縁層であり、パシベーション機能
を発揮することが可能である。酸化チタン（TiO₂）７０
は絶縁層ではないがソース・ドレイン配線１２，２１の
側面にわずかに露出するだけで、しかも膜厚が極めて薄
いのでパシベーション上はまず問題とならないが、耐熱
金属薄膜層３４もタンタルを選択しておくことが望まし
い。しかしＴａはＴｉと異なり下地の表面酸化層を吸収
してオーミック接触を容易にする機能に欠けることに留
意されたい。

【００６６】ソース・ドレイン配線１２，２１の表面に
形成され、ソース・ドレイン配線１２，２１のパシベー
ション機能の大半を担う５酸化タンタル（Ta₂O₅）６８
の膜厚は0.1〜0.2μm程度で十分であり、エチレングリ
コール等の化成液を用いて印可電圧は１００V超で実現
できる。ソース・ドレイン配線１２，２１の陽極酸化に
当たって留意すべき事項は、全ての信号線１２は電気的
に並列または直列に形成されている必要があり、後に続
く製造工程の何処かでこの直並列を解除しないと電気検
査のみならず、液晶表示装置としての実動作に支障があ
ることは言うまでもないだろう。また同じく留意すべき
事項は、光を照射しながら陽極酸化を実施することであ
る。これは絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを構成
する不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１’が
高抵抗なために、絶縁ゲート型トランジスタのリーク電
流だけではドレイン配線２１の表面を陽極酸化するに十
分な電流が供給されないことから、１万ルックス程度の
十分強力な光を照射して第１の非晶質シリコン層３１’
が光電効果で低抵抗となることを利用することで回避さ
れる。具体的には絶縁ゲート型トランジスタのリーク電
流がμＡを越えれば、ドレイン電極２１の面積から計算
して10mA／cm²程度の陽極酸化で良好な膜質を得るため
の電流密度が得られる。

【００６７】また、絵素電極２２を感光性樹脂パターン
６５で覆っておくのは、絵素電極２２を陽極酸化する必
要がないだけてなく、絶縁ゲート型トランジスタを経由
してドレイン電極２１に流れる化成電流を必要以上に大
きく確保しなくて済むためである。なお、陽極酸化時に
走査線１１の電極端子６上は電気的にフローティング
（中立）しているので、陽極酸化層が形成されることは
ない。また、ソース・ドレイン配線１２，２１の全ての
表面を陽極酸化することから、従来のように画像表示部
外の領域で信号線１２の一部を電極端子５とするために
は、画像表示部内のソース・ドレイン配線１２，２１の
みを選択的に陽極酸化する必要がある。このために感光
性樹脂を用いた選択的マスク形成は製造コストを引き上
げるので、本発明者が先願した基板内選択的電気化学処
理装置の採用が効果的である。

【００６８】上記化学処理装置は図１９に示したよう
に、水平なステージ９０上にガラス基板２を保持し、そ
の一端に樹脂製のオーリング９１を埋めこんだ絶縁性の
枠状容器９２をガラス基板２に押し付け、枠状容器９２
内に化成液９３を注入し、昇降可能な支持棒９７に固定
された電極板９４とガラス基板２との間に直流電源９５
より電流計９６を介して直流電圧を印可することで陽極
酸化を行う装置である。図１９では４面付けされたデバ
イスの走査線１１を陽極酸化するために、走査線１１を
並列にまとめて接続する端子９７が形成されており、電
極板９４に直流電源９５より−（マイナス）電位を、ま
た端子９７に＋（プラス）電位を与えている。このよう
に、枠状容器９２とオーリング９１の大きさを適宜設定
することと、陽極酸化したい複数の電極線をまとめた端
子９７または電極線を電気的にまとめる機構を枠状容器
９２より外周側に設置することでガラス基板２内を選択
的に陽極酸化することが可能である。

【００６９】ガラス基板２内の選択的陽極酸化を実施す
れば、図１に示したように画像表示部外の領域で信号線
１２の一部を電極端子５とすることができる。ガラス基
板２全体を化成液中に浸漬するような陽極酸化方法であ
れば、適当なマスク材の併用が無い限りソース・ドレイ
ン配線１２，２１を選択的に陽極酸化することはでき
ず、別に図示したように画像表示部外の領域で透明導電
層よりなる電極端子５は信号線１２上の中間導電層３
６’を含んで形成されることになる。この構成は図２
（ｇ）に示した絵素電極２２とドレイン電極２１との接
続形態と同一である。

【００７０】最後に、前記感光性樹脂パターン６５を除
去して図２（ｇ）に示したようにアクティブ基板２とし
て完成する。このようにして得られたアクティブ基板２
とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本
発明の第１の実施形態が完了する。蓄積容量１５の構成
に関しては、蓄積容量線１６と絵素電極２２とが、ゲー
ト絶縁層３０を介して構成している例を図１に例示して
いる。蓄積容量１５の構成はこれに限られるものではな
く、絵素電極２２と前段の走査線１１との間にゲート絶
縁層３０を含む絶縁層を介して構成しても良い。また、
その他の構成も可能であるが詳細な説明は省略する。

【００７１】第１の実施形態におけるゲート絶縁層への
開口部形成工程と、ソース・ドレイン配線の形成工程と
を前後させて同一構成の絶縁ゲート型トランジスタを得
ることができるので、それを図３を用いて説明する。

【００７２】このアクティブ基板の製造方法では、図３
（ｃ）に示した第２の非晶質シリコン層３３の製膜工程
までは同一の製造工程で進行する。その後、図３（ｄ）
に示したように、ＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚
0.1μm程度の陽極酸化可能な耐熱金属層として例えばＴ
ｉ，Ｔａ等の耐熱金属薄膜層３４、低抵抗配線層として
膜厚0.3μm程度のＡＬ薄膜層３５、膜厚0.1μm程度の陽
極酸化可能な導電層として例えばＴａ等の中間導電層３
６を順次被着し、微細加工技術により耐熱金属層３４’
と低抵抗配線層３５’と中間導電層３６’との積層より
なり信号線も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのソース
電極１２とドレイン電極２１とを選択的に形成する。こ
の選択的パターン形成に用いられる感光性樹脂パターン
をマスクとしてソース・ドレイン電極間の第2のSiN_x層
３２’上の第2の非晶質シリコン層３３’を除去して第2
のSiN_x層３２’を露出するとともに、その他の領域では
第1の非晶質シリコン層３1をも除去してゲート絶縁層３
０を露出する。

【００７３】続いて、図３（ｅ）に示したように、画像
表示部外の領域で走査線１１上に開口部６０を選択的に
形成して走査線１１の一部を露出する。この工程におい
ては、ゲート絶縁層３０だけ１種類の薄膜を食刻するの
で、走査線１１の材質によっては薬液を用いた湿式食刻
（ウェットエッチ）の採用が可能であり、生産設備費を
抑制することが容易である。

【００７４】引き続き、図３（ｆ）に示したように、Ｓ
ＰＴ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜
0.2μm程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Indium-T
in-Oxide）を被着し、微細加工技術によりドレイン電極
２１上の中間導電層３６’を含んでゲート絶縁層３０上
に絵素電極２２を選択的に形成する。そして絵素電極２
２の選択的パターン形成に用いられた感光性樹脂パター
ン６５をマスクとして光を照射しながらソース・ドレイ
ン配線１２，２１を陽極酸化してソース・ドレイン配線
１２，２１上に絶縁層を形成する。陽極酸化の詳細は既
に述べた通りである。なお、絵素電極２２の形成と同時
に、走査線１１上の開口部６０を含んで透明導電層より
なる走査線の電極端子６も同時に形成する。あるいは開
口部６０内の露出している走査線１１を走査線の電極端
子６とすることも可能である。

【００７５】ソース・ドレイン配線１２，２１の陽極酸
化後に、前記感光性樹脂パターン６５を除去して図３
（ｇ）に示したようにアクティブ基板２として完成す
る。このようにして得られたアクティブ基板２とカラー
フィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の第
１の実施形態による液晶画像表示装置が完成する。

【００７６】主要製造工程であるゲート絶縁層への開口
部形成工程と、ソース・ドレイン配線の形成工程と、絵
素電極の形成工程とを前後させて異種構成の絶縁ゲート
型トランジスタを得ることができるので、それを第２〜
第４の実施形態として以下に説明する。

【００７７】第２の実施形態のアクティブ基板の製造方
法では、図５（ｃ）に示した工程までは第１の実施形態
である図２（ｃ）及び図３（ｃ）に示した第２の非晶質
シリコン層３３の製膜工程と同一の製造工程で進行す
る。ただし、絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極
と絵素電極とを接続するための接続層８０を走査線１１
と同時に形成している点が異なる。

【００７８】その後、図５（ｄ）に示したように、画像
表示部外の領域で走査線１１上に開口部６０を選択的に
形成して走査線１１の一部と、接続層８０上に１対の開
口部７１，７２を選択的に形成して接続層８０の一部を
露出する。この工程においては複数種の薄膜を食刻する
ので、ガスを用いた乾式食刻（ドライエッチ）の採用が
合理的であることは既に述べた通りである。

【００７９】続いて、図５（ｅ）に示したように、ＳＰ
Ｔ等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1μm程度の陽極酸化
可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属
薄膜層３４、低抵抗配線層として膜厚0.3μm程度のＡＬ
薄膜層３５を順次被着し、微細加工技術により耐熱金属
層３４’と低抵抗配線層３５’との積層よりなり信号線
も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのソース電極１２
と、接続層８０上に形成された１対の開口部の一方７１
を含んでドレイン電極２１とを選択的に形成する。もち
ろん、上記選択的パターン形成に用いられる感光性樹脂
パターンをマスクとしてソース・ドレイン電極間の第2
のSiN_x層３２’上の第2の非晶質シリコン層３３’を除
去して第2のSiN_x層３２’を露出するとともに、その他
の領域では第1の非晶質シリコン層３1をも除去してゲー
ト絶縁層３０を露出する。なお、第２、第３及び第５の
実施形態ではソース・ドレイン配線の表面がアルミニウ
ムになるので、写真食刻工程やレジスト剥離工程におけ
る表面荒れやマイグレーションを防止するために、ＡＬ
薄膜層３５は数％以下の微量のシリコン、タンタル、銅
等の耐熱金属が添加されたアルミニウム合金を用いるこ
とが望ましい。その他の実施形態ではソース・ドレイン
配線の表面は耐熱性のある中間導電層３６であるので必
ずしもＡＬ薄膜層３５は耐熱性を必要とはせず純アルミ
ニウムでも支障は無い。

【００８０】引き続き、図５（ｆ）に示したように、Ｓ
ＰＴ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜
0.2μm程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Indium-T
in-Oxide）を被着し、微細加工技術により接続層８０上
に形成された１対の開口部の他方７２を含んでゲート絶
縁層３０上に絵素電極２２を選択的に形成する。そして
絵素電極２２の選択的パターン形成に用いられた感光性
樹脂パターン６５をマスクとして光を照射しながらソー
ス・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化してソース・ド
レイン配線１２，２１上に絶縁層を形成する。ソース・
ドレイン配線１２，２１の表面にはＡＬ、ソース・ドレ
イン配線１２，２１の側面にはＡＬ，Ｔｉ，不純物を含
む第２の非晶質シリコン層３３’と不純物を含まない第
１の非晶質シリコン層３１’の積層が露出しており、陽
極酸化によってこれらの薄膜は、夫々アルミナ（AL
₂O₃）６９、酸化チタン（TiO₂）７０、不純物を含む酸
化シリコン層（SiO₂）６６，不純物を含ない酸化シリコ
ン層（SiO₂）６７に変質する。なお、絵素電極２２の形
成と同時に走査線１１上の開口部６０を含んで透明導電
層よりなる走査線の電極端子６も同時に形成する。

【００８１】ソース・ドレイン配線１２，２１の陽極酸
化後に、前記感光性樹脂パターン６５を除去して図５
（ｇ）に示したようにアクティブ基板２として完成す
る。このようにして得られたアクティブ基板２とカラー
フィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の第
２の実施形態が完了する。基板内選択的陽極酸化が可能
であれば図４に示したように画像表示部外の領域で信号
線１２の一部を電極端子５とすることが可能であり、そ
うでなければ画像表示部外の領域で透明導電層よりなる
電極端子５が信号線１２近傍に形成された接続層８０’
を介してゲート絶縁層３０上に形成される。あるいは接
続層８０’上に開口部を形成して露出した接続層８０’
を電極端子としても良い。

【００８２】第３の実施形態のアクティブ基板の製造方
法でも、図７（ｃ）に示した第２の非晶質シリコン層の
製膜工程までは、第１の実施形態と同一の製造工程で進
行する。

【００８３】その後、図７（ｄ）に示したように、走査
線１１の近傍１０１（と蓄積容量線１６の近傍１０２）
と画像表示部外の走査線１１上に設ける電極端子６の配
置場所以外の領域１０３とを除いて第２と第１の非晶質
シリコン層３３，３１とゲート絶縁層３０とを選択的に
除去してガラス基板２を露出する。この工程においては
複数種の薄膜を食刻するので、ガスを用いた乾式食刻
（ドライエッチ）の採用が合理的であることは既に述べ
た通りである。

【００８４】続いて、図７（ｅ）に示したように、ＳＰ
Ｔ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.2
μm程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Indium-Tin-
Oxide）を被着し、微細加工技術により絵素電極２２を
ガラス基板２上に選択的に形成する。なお、絵素電極２
２の形成と同時に、露出している走査線１１上の一部７
３に透明導電層７４を残しておくと、後の工程で電池効
果による副作用が回避し易い。

【００８５】引き続き、図７（ｆ）に示したように、Ｓ
ＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1μm程度の陽極酸
化可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金
属薄膜層３４、低抵抗配線層として膜厚0.3μm程度のＡ
Ｌ薄膜層３５を順次被着し、微細加工技術により耐熱金
属層３４’と低抵抗配線層３５’との積層よりなり信号
線も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのソース電極１２
と、ガラス基板２上に形成された絵素電極２２の一部を
含んでドレイン電極２１とを選択的に形成する。なお、
ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に、露出
している走査線１１上に残された透明導電層７３を含ん
で走査線の電極端子６も同時に形成する。もちろん、上
記選択的パターン形成に用いられる感光性樹脂パターン
をマスクとしてソース・ドレイン電極間の第2のSiN_x層
３２’上の第2の非晶質シリコン層３３’を除去して第2
のSiN_x層３２’を露出するとともにその他の領域では第
1の非晶質シリコン層３1’をも除去してゲート絶縁層３
０を露出する工程も実施される。

【００８６】最後に、図７（ｇ）に示したように光を照
射しながらソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化
してソース・ドレイン配線１２，２１上に絶縁層を形成
する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラ
ーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の
第３の実施形態が完了する。基板内選択的陽極酸化が可
能であれば図６に示したように信号線１２の一部を電極
端子５とすることもできるし、そうでなければ信号線１
２が透明導電層よりなる電極端子５を部分的に含んでガ
ラス基板２上に形成される。

【００８７】第３の実施形態ではソース・ドレイン配線
１２，２１の陽極酸化時に、ドレイン電極２１と電気的
に繋がっている絵素電極２２も露出しているため、絵素
電極２２も同時に陽極酸化される点が第１及び第２の実
施形態と大きく異なる点で、透明導電層の膜質によって
は陽極酸化によって抵抗値の増大することもあり、その
場合には製膜条件を適宜変更して酸素不足の膜質として
おく必要があるが、陽極酸化で透明導電層の透明度が低
下することはない。また、ドレイン電極２１と絵素電極
２２を陽極酸化するための電流は絶縁ゲート型トランジ
スタのチャネルを通って流れるが、絵素電極２２の面積
が大きいために大きな化成電流が必要となり、いくら強
い外光を照射してもチャネル部の抵抗が障害となり、化
成時間の延長だけではドレイン電極上２１にソース配線
１２と同等の膜質と膜厚の酸化層を形成することは対応
困難である。しかしながら、ドレイン配線２１上に形成
されるアルミナ層が多少不完全であっても実用上は支障
の無い信頼性が得られることが多い。なぜならば、液晶
セルに印可される駆動信号は基本的に交流であり、対向
電極１４とソース・ドレイン１２，２１配線との間には
直流電圧成分が少ないからである。

【００８８】この陽極酸化の不具合を解消した実施形態
が第４の実施形態で、本実施の形態のアクティブ基板の
製造方法でも、図９（ｄ）に示した半導体層とゲート絶
縁層の島化工程までは、第３の実施形態と同一の製造工
程で進行する。

【００８９】その後、図９（ｅ）に示したように、ＳＰ
Ｔ等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1μm程度の陽極酸化
可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱金属
薄膜層３４、低抵抗配線層として膜厚0.3μm程度のＡＬ
薄膜層３５、膜厚0.1μm程度の陽極酸化可能な導電層と
して例えばＴａ等の中間導電層３６を順次被着し、微細
加工技術により耐熱金属層３４’と低抵抗配線層３５’
と中間導電層３６’の積層よりなり信号線も兼ねる絶縁
ゲート型トランジスタのソース電極１２とドレイン電極
２１とを選択的に形成する。この選択的パターン形成に
用いられる感光性樹脂パターンをマスクとしてソース・
ドレイン電極間の第2のSiN_x層３２’上の第2の非晶質シ
リコン層３３’を除去して第2のSiN_x層３２’を露出す
るとともにその他の領域では第1の非晶質シリコン層３
1’をも除去してゲート絶縁層３０を露出している。な
お、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露
出している走査線１１の一部７３を含んで走査線の電極
端子６も同時に形成する。

【００９０】続いて、図９（ｆ）に示したように、ＳＰ
Ｔ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.2
μm程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Indium-Tin-
Oxide）を被着し、微細加工技術によりドレイン電極２
１上の中間導電層３６’を含んでガラス基板２上に絵素
電極２２を選択的に形成する。そして絵素電極２２の選
択的パターン形成に用いられた感光性樹脂パターン６５
をマスクとして絵素電極２２を保護しつつ光を照射しな
がらソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化してソ
ース・ドレイン配線１２，２１上に絶縁層を形成する。

【００９１】最後に、前記感光性樹脂パターン６５を除
去して図９（ｇ）に示したようにアクティブ基板２とし
て完成する。このようにして得られたアクティブ基板２
とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本
発明の第４の実施形態が完了する。なお、基板内選択的
陽極酸化が可能であれば信号線１２の一部を電極端子５
とすることもできるし、そうでなければ透明導電層より
なる電極端子５が信号線１２上の中間導電層３６’の一
部を含んでガラス基板２上に形成される。

【００９２】第５の実施形態では絵素電極形成と走査線
の形成を同時に行うことにより、上記第１〜第４の実施
形態よりも写真食刻工程の削減が可能となっている。第
５の実施形態では先ず、図１１（ａ）に示したようにガ
ラス基板２の一主面上に、ＳＰＴ（スパッタ）等の真空
製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.2μm程度の透明導電層８
１として例えばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）と、膜厚0.
1〜0.3μm程度の陽極酸化可能な第１の金属層８２、例
えばＴａ，Ｔｉ等あるいはそれらの合金またはシリサイ
ドとを被着し、微細加工技術により透明導電層８１と第
１の金属層８２との積層よりなる走査線も兼ねるゲート
電極１１と擬似絵素電極７５とを選択的に形成する。ゲ
ート絶縁層を介して信号線との絶縁耐圧を向上させ、歩
留を高めるためにはこれらの電極は乾式食刻による断面
形状のテーパ制御を行うことが望ましい。

【００９３】次に、図１１（ｂ）に示したようにガラス
基板２の全面にプラズマ保護層となる透明絶縁層、例え
ばTaO_xやSiO₂を0.1μm程度の膜厚で被着して７７とす
る。このプラズマ保護層７７は後続のＰＣＶＤ（プラズ
マ・シーブイディ）によるSiN_x形成時に、ゲート電極１
１と擬似絵素電極７５のエッジ部に露出している透明導
電層８１が還元されてSiN_xの膜質が変動するために必要
であり、詳細は先行例特開昭 59−9962号公報を参照さ
れたい。

【００９４】プラズマ保護層７７の被着後は、他の実施
形態と同様にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイディ）装置
を用いてゲート絶縁層となる第１のSiN_x（シリコン窒
化）層、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジ
スタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（a-Si）
層、及び第２のSiN_x層と３種類の薄膜層を、例えば0.3-
0.05-0.1μm程度の膜厚で順次被着して３０，３１，３
２とする。

【００９５】そして、図１１（ｃ）に示したように微細
加工技術によりゲート１１上の第２のSiN_x層をゲート１
１よりも幅細く選択的に残して３２’として第１の非晶
質シリコン層３１を露出し、同じくＰＣＶＤ装置を用い
て全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリ
コン層３３を例えば0.05μm程度の膜厚で被着する。

【００９６】その後、図１１（ｄ）に示したように、走
査線１１の近傍１０１と画像表示部外の走査線１１上に
設ける電極端子６の配置場所以外の領域１０３を除いて
第２と第１の非晶質シリコン層３３，３１とゲート絶縁
層３０及びプラズマ保護層７７とを選択的に除去してガ
ラス基板２と擬似絵素電極７５とを露出する。この工程
においても複数種の薄膜を食刻するので、ガスを用いた
乾式食刻（ドライエッチ）の採用が合理的であることは
既に述べた通りである。

【００９７】引き続き、図１１（ｅ）に示したように、
ＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚0.1μm程度の陽極
酸化可能な耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｔａ等の耐熱
金属薄膜層３４、低抵抗配線層として膜厚0.3μm程度の
ＡＬ薄膜層３５を順次被着し、微細加工技術により耐熱
金属層３４’と低抵抗配線層３５’との積層よりなり信
号線も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのソース電極１
２とガラス基板２上に形成された擬似絵素電極７５の一
部を含んでドレイン電極２１とを選択的に形成する。な
お、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に、
露出している走査線１１上に残された第１の金属層７８
を含んで走査線の電極端子６も同時に形成する。上記選
択的パターン形成に用いられる感光性樹脂パターンをマ
スクとしてソース・ドレイン電極間の第2のSiN_x層３
２’上の第2の非晶質シリコン層３３’を除去して第2の
SiN_x層３２’とその他の領域では第1の非晶質シリコン
層３1’をも除去してゲート絶縁層３０を露出した後、
擬似絵素電極７５上の第１の金属層８２を除去して透明
導電層８１を露出することで絵素電極２２が形成され
る。

【００９８】最後に、図１１（ｆ）に示したように光を
照射しながらソース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸
化してソース・ドレイン配線１２，２１上に絶縁層を形
成する。このようにして得られたアクティブ基板２とカ
ラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明
の第５の実施形態が完了する。基板内選択的陽極酸化が
可能であれば図１０に示したように信号線１２の一部を
電極端子５とすることもできるし、そうでなければ信号
線１２が透明導電層よりなる電極端子５を部分的に含ん
でガラス基板２上に形成される。なお、第５の実施形態
では蓄積容量１５は走査線１１の突起部５０と蓄積電極
５５とが不純物を含む非晶質シリコン層３３’と不純物
を含まない非晶質シリコン層３１’とゲート絶縁層３０
とプラズマ保護層７７とよりなる積層を介して構成さ
れ、蓄積電極５５は絵素電極２２の一部を含んで突起部
５０上に形成されている。共通容量線１６を用いた蓄積
容量１５を構成することも可能であるが、走査線１１と
絵素電極２２とを同時に形成するため、共通容量線１６
を配置すると絵素電極２２が共通容量線１６によって上
下に２分割される点に注意する必要がある。

【００９９】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、製造
工程の増加を伴わずにソース・ドレイン配線を保護する
酸化タンタル層または酸化アルミニウム層をソース・ド
レイン配線上に陽極酸化で形成できて、工業的にはコス
ト削減の観点からも特筆される特徴である。

【０１００】次に、本発明によるパシベーション形成は
格別の加熱工程を伴わないので非晶質シリコン層を半導
体層とする絶縁ゲート型トランジスタに過度の耐熱性を
必要としない。換言すればパシベーション形成で電気的
な性能の劣化を生じない独特の効果が得られる。

【０１０１】なお、本発明の要件は上記の説明からも明
らかなようにエッチ・ストップ型の絶縁ゲート型トラン
ジスタにおいて、陽極酸化可能なソース・ドレイン配線
材を用いてソース・ドレイン配線表面を陽極酸化して絶
縁層化した点にあり、それ以外の構成に関してはゲート
電極、絵素電極、ゲート絶縁層等の材質や膜厚等が異な
った画像表示装置用半導体装置、あるいはその製造方法
の差異も本発明の範疇に属することは自明であり、同一
基板上で絵素電極と絵素電極とは所定の距離を隔てて形
成された対向電極との間で液晶に横方向の電界を与えて
制御するＩＰＳ（In-Plain-Switching）方式の液晶パネ
ルにおいても本発明の適用は容易である。加えて反射型
の液晶画像表示装置においても本発明の有用性は変ら
ず、また絶縁ゲート型トランジスタの半導体層も非晶質
シリコンに限定されるものでないことも明らかである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態にかかる画像表示装置
用半導体装置の平面図

【図２】本発明の第１の実施形態にかかる画像表示装置
用半導体装置の製造工程断面図

【図３】本発明の第１の実施形態にかかる画像表示装置
用半導体装置の製造工程断面図

【図４】本発明の第２の実施形態にかかる画像表示装置
用半導体装置の平面図

【図５】本発明の第２の実施形態にかかる画像表示装置
用半導体装置の製造工程断面図

【図６】本発明の第３の実施形態にかかる画像表示装置
用半導体装置の平面図

【図７】本発明の第３の実施形態にかかる画像表示装置
用半導体装置の製造工程断面図

【図８】本発明の第４の実施形態にかかる画像表示装置
用半導体装置の平面図

【図９】本発明の第４の実施形態にかかる画像表示装置
用半導体装置の製造工程断面図

【図１０】本発明の第５の実施形態にかかる画像表示装
置用半導体装置の平面図

【図１１】本発明の第５の実施形態にかかる画像表示装
置用半導体装置の製造工程断面図

【図１２】液晶パネルの実装状態を示す斜視図

【図１３】液晶パネルの等価回路図

【図１４】従来の液晶パネルの断面図

【図１５】従来例のアクティブ基板の平面図

【図１６】従来例のアクティブ基板の製造工程断面図

【図１７】合理化されたアクティブ基板の平面図

【図１８】合理化されたアクティブ基板の製造工程断面
図

【図１９】基板内選択的電気化学処理装置の概要を示す
図

【符号の説明】

１ 液晶パネル ２ アクティブ基板（ガラス基板） ３ 半導体集積回路チップ ４ ＴＣＰフィルム ５，６ 電極端子 ９ カラーフィルタ（対向するガラス基板） １０ 絶縁ゲート型トランジスタ １１ 走査線（ゲート） １２ 信号線（ソース配線、ソース電極） １６ 共通容量線 １７ 液晶 １９ 偏光板 ２０ 配向膜 ２１ ドレイン電極 ２２ （透明導電性）絵素電極 ３０ ゲート絶縁層（第１のＳｉＮ_x層） ３１ 不純物を含まない（第１の）非晶質シリコン層 ３２ エッチング・ストッパ層（第２のＳｉＮ_x層） ３３ 不純物を含む（第２の）非晶質シリコン層 ３４ （陽極酸化可能な）耐熱金属層 ３５ （陽極酸化可能な）低抵抗金属層（ＡＬ） ３６ （陽極酸化可能な）中間導電層 ３７ パシベーション絶縁層 ３８ 絵素電極上のパシベーション絶縁層に形成された
開口部 ６０ （走査線上の）開口部 ６２ （パシベーション絶縁層に形成されたドレイン電
極上の）開口部 ６５ （絵素電極形成の）感光性樹脂パターン ６６ 不純物を含む酸化シリコン層 ６７ 不純物を含まない酸化シリコン層 ６８ ５酸化タンタル（Ta₂O₅） ６９ アルミナ（Al₂O₃） ７０ 酸化チタン（TiO₂） ７１，７２ （接続層の）開口部 ７７ プラズマ保護層 ８０ 接続層 ８１ 透明導電層 ８２ 第１の金属層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｕ ６１６Ｋ (56)参考文献 特開 平１−283518（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−55339（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−116831（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−18922（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−95121（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−148683（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−242467（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−289427（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−218426（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−261797（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−352503（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−29820（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/13 - 1/141 G09F 9/30 H01L 21/336 H01L 29/786

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ガラス基板と前記ガラス基板上に形成され
   た金属層からなるゲート電極と、 前記ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して前
   記ゲート電極よりも幅広く積層された不純物を含まない
   第１の半導体層と、 前記第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く積
   層された保護絶縁層と、 前記ゲート電極と一部重なり合って前記保護絶縁層上と
   前記第１の半導体層上とに積層され、不純物を含んでい
   る一対の第２の半導体層と、 前記一対の第２の半導体層上にそれぞれ積層され、表面
   が陽極酸化されたソース電極および絵素電極に接続さ
   れ、かつ、表面が陽極酸化されたドレイン電極と、を備
   え、 前記ガラス基板の表面上に金属からなる接続層が形成さ
   れており、前記絵素電極と前記ドレイン電極とが前記接
   続層を介して接続されている、液晶表示装置用の半導体
   装置。
2. 【請求項２】ガラス基板と前記ガラス基板上に形成され
   た金属層からなるゲート電極と、 前記ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して前
   記ゲート電極よりも幅広く積層された不純物を含まない
   第１の半導体層と、 前記第１の半導体層上に前記ゲート電極よりも幅細く積
   層された保護絶縁層と、 前記ゲート電極と一部重なり合って前記保護絶縁層上と
   前記第１の半導体層上とに積層され、不純物を含んでい
   る一対の第２の半導体層と、 前記一対の第２の半導体層上にそれぞれ積層され、表面
   が陽極酸化されたソース電極および絵素電極に接続さ
   れ、かつ、表面が陽極酸化されたドレイン電極と、を備
   え、 前記絵素電極が前記ガラス基板の表面上に形成されてい
   る、液晶表示装置用の半導体装置。
3. 【請求項３】前記絵素電極が前記ドレイン電極の表面に
   接している、請求項２に記載の液晶表示装置用の半導体
   装置。
4. 【請求項４】前記ゲート電極と前記ゲート絶縁層との間
   にはプラズマ保護層が挟まれており、前記ゲート電極は
   前記ガラス基板上に積層された透明導電層と金属層との
   積層体からなる、請求項２に記載の液晶表示装置用の半
   導体装置。
5. 【請求項５】ガラス基板上の一主面上に１層以上の金属
   層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼
   ねる走査線を選択的に形成する工程と、 １層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶
   質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、 前記ゲート電極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも
   幅細く選択的に残して前記第１の非晶質シリコン層を露
   出する工程と、 全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する
   工程と、 画像表示部外の領域で前記走査線上に開口部を選択的に
   形成して前記走査線の一部を露出する工程と、 陽極酸化可能な金属を被着後、前記ゲート電極と一部重
   なるソース電極およびドレイン電極を選択的に形成する
   工程と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する保
   護絶縁層上の第２の非晶質シリコン層と前記ソース電極
   外および前記ドレイン電極外の領域の第１と第２の非晶
   質シリコン層とを除去する工程と、 透明導電膜を被着し、前記透明導電膜上に感光性樹脂を
   積層して感光およびエッチングすることにより前記感光
   性樹脂が積層された透明電極膜からなると共に前記ドレ
   イン電極に接続された絵素電極を選択的に形成する工程
   と、 前記絵素電極上に積層された前記感光性樹脂をマスクと
   して前記絵素電極を保護しつつ光を照射しながら前記ソ
   ース電極の表面および前記ドレイン電極の表面を陽極酸
   化する工程と、 前記感光性樹脂を除去する工程と、を有する画像表示装
   置用半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】ガラス基板上の一主面上に１層以上の金属
   層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼
   ねる走査線を選択的に形成する工程と、 １層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶
   質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、 前記ゲート電極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも
   幅細く選択的に残して前記第１の非晶質シリコン層を露
   出する工程と、 全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する
   工程と、 陽極酸化可能な金属を被着後、前記ゲート電極と一部重
   なるソース電極およびドレイン電極を選択的に形成する
   工程と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する保
   護絶縁層上の第２の非晶質シリコン層と前記ソース電極
   外および前記ドレイン電極外の領域の第１と第２の非晶
   質シリコン層とを除去する工程と、 画像表示部外の領域で前記走査線上に開口部を選択的に
   形成して前記走査線の一部を露出する工程と、 透明導電膜を被着し、前記透明導電膜上に感光性樹脂を
   積層して感光およびエッチングすることにより前記感光
   性樹脂が積層された透明電極膜からなる絵素電極を選択
   的に形成する工程と、 前記絵素電極上に積層された前記感光性樹脂をマスクと
   して前記絵素電極を保護しつつ光を照射しながら前記ソ
   ース電極の表面および前記ドレイン電極の表面を陽極酸
   化する工程と、 前記感光性樹脂を除去する工程と、を有する画像表示装
   置用半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】ガラス基板上の一主面上に１層以上の金属
   層よりなる接続層および絶縁ゲート型トランジスタのゲ
   ート電極も兼ねる走査線を選択的に形成する工程と、 １層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶
   質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、 前記ゲート電極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも
   幅細く選択的に残して前記第１の非晶質シリコン層を露
   出する工程と、 全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する
   工程と、 前記接続層上に一対の開口部を選択的に形成して接続層
   の一部を露出すると共に画像表示部外の領域で前記走査
   線上に開口部を選択的に形成して前記走査線の一部を露
   出する工程と、 陽極酸化可能な金属を被着後、前記ゲート電極と一部重
   なるソース電極および前記ゲート電極と一部重なると共
   に前記一対の開口部の一方を介して前記接続層に接続さ
   れたドレイン電極を選択的に形成する工程と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する保
   護絶縁層上の第２の非晶質シリコン層と前記ソース電極
   外および前記ドレイン電極外の領域の第１と第２の非晶
   質シリコン層とを除去する工程と、 透明導電膜を被着し、前記透明導電膜上に感光性樹脂を
   積層して感光およびエッチングすることにより前記感光
   性樹脂が積層された透明電極膜からなると共に前記一対
   の開口部の他方を介して前記接続層に接続された絵素電
   極を選択的に形成する工程と、 前記絵素電極上に積層された前記感光性樹脂をマスクと
   して前記絵素電極を保護しつつ光を照射しながら前記ソ
   ース電極の表面および前記ドレイン電極の表面を陽極酸
   化する工程と、 前記感光性樹脂を除去する工程と、を有する画像表示装
   置用半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】ガラス基板上の一主面上に１層以上の金属
   層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼
   ねる走査線を選択的に形成する工程と、 １層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶
   質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、 前記ゲート電極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも
   幅細く選択的に残して前記第１の非晶質シリコン層を露
   出する工程と、 全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する
   工程と、 前記ゲート電極及びその近傍に第２と第１の非晶質シリ
   コン層及びゲート絶縁層を残すと共に画像表示部外の領
   域においては前記走査線の一部が露出するように前記第
   ２と第１の非晶質シリコン層及びゲート絶縁層とを選択
   的に除去する工程と、 前記ガラス基板上に透明導電性の絵素電極を選択的に形
   成する工程と、 陽極酸化可能な金属を被着後、前記ゲート電極と一部重
   なるソース電極および前記ゲート電極と一部重なると共
   に前記絵素電極に接続されたドレイン電極を選択的に形
   成する工程と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する保
   護絶縁層上の第２の非晶質シリコン層を除去する工程
   と、 光を照射しながら前記ソース電極および前記ドレイン電
   極の表面を、前記第１の非晶質シリコン層の光電効果を
   利用して、陽極酸化する工程と、を有する画像表示装置
   用半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】ガラス基板上の一主面上に１層以上の金属
   層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼
   ねる走査線を選択的に形成する工程と、 １層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶
   質シリコン層と保護絶縁層とを順次被着する工程と、 前記ゲート電極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも
   幅細く選択的に残して前記第１の非晶質シリコン層を露
   出する工程と、 全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する
   工程と、 前記ゲート電極及びその近傍に第２と第１の非晶質シリ
   コン層及びゲート絶縁層とを残すと共に画像表示部外の
   領域においては前記走査線の一部が露出するように前記
   第２と第１の非晶質シリコン層及びゲート絶縁層とを選
   択的に除去する工程と、 陽極酸化可能な金属を被着後、前記ゲート電極と一部重
   なるソース電極およびドレイン電極を選択的に形成する
   工程と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する保
   護絶縁層上の第２の非晶質シリコン層を除去する工程
   と、 透明導電膜を被着し、前記透明導電膜上に感光性樹脂を
   積層して感光およびエッチングすることにより前記感光
   性樹脂が積層された透明電極膜からなると共に前記ドレ
   イン電極の表面に接続された絵素電極を選択的に形成す
   る工程と、 前記絵素電極上に積層された前記感光性樹脂をマスクと
   して前記絵素電極を保護しつつ光を照射しながら前記ソ
   ース電極の表面および前記ドレイン電極の表面を陽極酸
   化する工程と、 前記感光性樹脂を除去する工程と、を有する画像表示装
   置用半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】ガラス基板上の一主面上に透明導電層と
    陽極酸化可能な金属層との積層体よりなり絶縁ゲート型
    トランジスタのゲートも兼ねる走査線と擬似絵素電極と
    を選択的に形成する工程と、 プラズマ保護層を含む１層以上のゲート絶縁層と不純物
    を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層とを順
    次被着する工程と、 前記ゲート電極上の保護絶縁層を前記ゲート電極よりも
    幅細く選択的に残して第１の非晶質シリコン層を露出す
    る工程と、 全面に不純物を含む第２の非晶質シリコン層を被着する
    工程と、 前記ゲート電極及びその近傍に第２と第１の非晶質シリ
    コン層及びゲート絶縁層を残すと共に画像表示部外の領
    域においては前記走査線の一部が露出するように前記第
    ２と第１の非晶質シリコン層およびゲート絶縁層を選択
    的に除去する工程と、 陽極酸化可能な金属を被着後、前記ゲート電極と一部重
    なるソース電極および前記ゲート電極と一部重なると共
    に前記擬似絵素電極に接続されたドレイン電極を選択的
    に形成する工程と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する保
    護絶縁層上の第２の非晶質シリコン層を除去する工程
    と、 前記擬似絵素電極上の金属層を除去して前記透明導電層
    を露出する工程と、 光を照射しながら前記ソース電極および前記ドレイン電
    極を、前記第１の非晶質シリコン層の光電効果を利用し
    て、陽極酸化する工程と、を有する画像表示装置用半導
    体装置の製造方法。