KR100265053B1 - 표시패널 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

표시패널 및 그 제조 방법에서, 먼저 샤도우 마스크를 사용하여 게이트 패드 금속층을 형성하고, 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성한다. 그다음 상기 게이트 패드 금속층, 게이트 전극 및 게이트 배선의 상부표면을 전면 양극산화시켜 양극산화막을 형성한 후, 절연층을 형성하고, 통상의 TFT의 제조 공정을 진행하여 화소구동용의 TFT를 규정한다. 그다음 상기 게이트 패드 금속층과 게이트 배선의 양극산화막의 식각비차를 이용하여 상기 절연층과 양극산화막의 소정부분을 제거하여 구동회로 IC와의 접속을 위한 게이트 패드 금속층을 노출시킨다. 그다음 도전층을 도포한 후, 패터닝하여 상기 데이터 배선을 형성하며, 이때 상기 게이트 패드 금속층상에도 상기 도전층을 도포되도록 하여 식각 공정시 게이트 패드들 사이의 도전층을 제거하여 게이트 패드를 분리시킨다. 그다음 화소전극 형성공정시 상기 게이트 패드 및 데이타 패드는 물론 데이타 배선의 상부에도 투명도전층이 형성되도록 한다.

따라서 표시패널의 패드를 규정하기 위한 별도의 패드 마스크가 불필요하므로 게이트 패드 형성 공정이 간단하다. 또한 구동회로 IC와의 연결을 위한 양극산화막의 식각공정시 패드금속층이 일부 식각되어도 화소전극 형성시의 투명도전층이 게이트 패드상에 재도포되므로 구동회로 IC와의 연결의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 상기 투명도전층이 데이터 배선상에도 도포되어 있어 데이터 배선의 단선을 방지할 수 있다.

Description

표시패널 및 그 제조방법

제1도는 종래기술에 따른 표시패널의 평면도.

제2도는 제1도의 일부 확대도.

제3도는 제1도의 선 A-A에 따른 단면도.

제4도는 제1도의 선 B-B에 따른 단면도.

제5(a)도∼제5(d)도는 종래 기술의 일실시예에 따른 표시패널의 제조공정도.

제6도는 이 발명에 따른 표시패널의 일부 평면도.

제7도는 제6도의 선 A-A에 따른 단면도.

제8도는 제6도의 선 B-B에 따른 단면도.

제9(a)도∼제9(e)도는 이 발명의 실시예에 따른 표시패널이 제조공정도이다.

이 발명은 표시패널 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구동회로 IC와의 연결을 위한 게이트 패드의 제조공정이 간단하며 데이터 배선의 오픈을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.

최근 비정질 규소나 다결정 규소를 이용한 박막트랜지스터(thin film transistor; 이하 TFT라 칭함)를 스위칭 소자로 채용하고 있는 액티브 매트릭스형 액정표시장치(liquid crystal display; 이하 LCD라 칭함)가 크게 주목되고 있다. 특히 비정질 규소는 투명한 유리기판과의 정합성이 좋고, 대화면 대응, 재현성, 저온퇴적, 막질등 그 어떤 것에도 특별한 난점이 없는 것으로, 유리기판 위에 비정질 규소를 사용하여 TFT를 형성하게 되면 고품질 및 고선명도를 갖는 값싼 대형스크린의 표시패널을 실현 할 수 있다. 따라서 이러한 TFT를 이용한 표시판넬, 예를들어 LCD는 휴대용 TV, 랩탑 또는 노트북형 컴퓨터등에 널리 쓰인다. 상기 LCD등과 같은 평판표시장치는 종래의 음극선관에 비하여 소비전력이 적고 경박화 및 칼라화가 가능하여 그 사용범위가 점차 넓어 지고 있다. 상기 LCD는 공통전극이 형성되어 있는 상부기판이 있으며, 화소전극과 상기 화소전극을 구동시키는 TFT와 금속배선등이 형성되어 있는 하부기판이 구비되고, 상기 상부기판과 하부기판은 실패턴에 의해 소정간격이 유지되도록 봉합되어 상기 상부 및 하부기판 사이의 공간을 채운 액정등으로 구성된다. 상기 LCD의 화소전극을 구동시키는 TFT는 에치백(etch back)형과 에칭 스토퍼형이 있다. 상기 에칭 스토퍼형 TFT는 에치백형에 비해 마스크수가 한장 많아 제조공정이 복잡하지만 채널영역을 형성하는 비정질 규소(a-Si)층을 얇게 형성할 수 있어 TFT의 오프전류(off current)를 감소시켜 LCD 화상의 명암비를 증가시킬 수 있어 널리 사용되고 있다.

제1도 및 제2도는 종래기술에 따른 표시패널, 예를들어 LCD의 평면도 및 일부 확대도로서, 게이트 배선(11)과 데이터 배선(12)이 투명한 유리재질의 절연 기판(10)상에 매트릭스 형태로 배열되어 있으며, 이들의 각 교차점에 TFT가 배치되어 있다. 상기 TFT는 게이트 배선(11)에 연결된 게이트 전극(13)과 상기 데이타 배선(12)에 일체로 형성된 소오스 전극(14)과, 화소전극(15)을 매개로 연결된 드레인 전극(16)을 구비하고 있으며, 상기 게이트 전극(13) 상의 게이트 절연막 표면에 채널영역으로 쓰이는 불순물이 주입되지 않은 비정질 규소(17)막과 오옴믹 접촉을 위한 n⁺비정질 규소층(n⁺a-Si)이 차례로 형성되어 있다. 다음에는 각 화소에 대한 화소전극(20)이 ITO(Indum thin oxide)로 형성되어 있으며, 상기 드레인 전극(16)은 화소전극(15)과 연결되고 상기 소오스 전극(14)과는 이격되게 형성된다.

한편, 상기 게이트 배선(11) 및 데이타 배선(12)은 저저항의 Al 또는 Al을 주체로 하는 금속을 사용하여 형성하는 것이 필수적인데, 이 금속은 강도가 낮아 구동회로 IC와 게이트 배선(11) 및 데이타 배선(12)간을 연결하기 위한 패드로는 사용하기에 어려움이 많다. 따라서 Ta, Cr등과 같이 비교적 기계적 강도가 높은 금속으로 게이트 패드(18) 및 데이타 패드(19)가 상기 게이트 배선(11) 및 데이타 배선(12)의 일측단에 형성되어 있다.

상기 게이트 패드(18)는 제3도에 도시되어 있는 바와 같이, 게이트 배선(11)의 일측에 게이트 패드(18)가 충분히 중첩되도록 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선(11) 및 게이트 패드(18)의 상부표면에 각각 양극산화막(20),(21)이 형성되어 있다. 상기 구조의 전표면에 질화규소막(22)이 덮혀있으며, 상기 질화규소막(22)과 양극산화막(20)이 게이트 절연막이 된다. 상기 게이트 패드(18)상의 양극산화막(21) 및 질화규소막(22)이 일부 제거되고 상기 화소전극(15) 형성공정시의 ITO 층(23)이 상기 게이트 패드(18)상에 도포되어 있으며, 상기 ITO 층(23)상에 단자가 연결된다.

또한 상기 데이타 패드(19)는 제4도에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 절연기판(10)상에 형성되어 있는 데이타 배선(12)의 일측 상부에 화소전극(15) 형성공정시의 ITO 층(25)이 구비되어 데이타 패드(19)를 구성하고, 상기 데이타 배선(12)의 상부에는 보호층(24)이 형성되어 있다.

이와 같은 표시패널 제조방법에 있어서, 게이트 전극, 게이트 배선 및 데이타 배선 형성과 관련하여, 특히 게이트 패드부를 만드는 종래의 방법을 제5(a)∼(e)도를 참조하여 설명한다. 관련이 없는 통상적인 표시패널의 제조수순은 생략한다.

제5(a)∼(d)도는 종래 표시패널의 게이트 패드의 제조 공정을 설명하기 위한 도면으로서, 제1도 내지 제4도와 동일한 부분은 동일한 참조번호를 부여하였다.

제5(a)도를 참조하면, 유리등의 절연기판(10) 상에 저저항 금속인 Al을 스퍼터링법으로 형성하고 패턴닝하여 게이트 전극(13) 및 게이트 배선(11)을 형성한다. 그다음 강도가 Al 보다 다소 강하고 양극산화가 가능한 금속, 예를들어 Ta등으로 형성하고, 상기 게이트 배선(11)의 끝단부가 충분히 덥히도록 패턴닝하여 게이트 패드(18)를 형성한다.

제5(b)도를 참조하면, 상기 구조를 전면 양극산화를 실시하여 게이트 배선(11) 및 게이트 패드(18)의 표면 각각에 양극 산화막(20), (21)을 형성한다. 그다음 도시되어 있지는 않으나, 일반적인 TFT의 제조 공정을 진행하여 질화규소막(22), 비정질 규소(17) 및 n⁺비정질 규소막을 연속적으로 증착하고, 화소 TFT부의 규소 패턴을 형성시킨다. 그다음 통상의 금속공정으로 데이타 배선(12), 소오스 전극(14) 및 드레인 전극(16)을 형성한다.

제5(c)도를 참조하면, 액정패널 구동회로 IC 단자와 접속될 게이트 패드(18)를 노출시키기 위해 상기 질화규소막(22) 위에 감광막 패턴(26)을 형성한 후, 상기 감광막 패턴(26)을 마스크로 건식식각하여 상기 게이트 패드(18) 표면의 양극산화막(21) 및 질화규소막(22)을 동시에 제거한다. 이때 도시되어 있지는 않으나, 데이타 패드(19)가 될 부분도 함께 제거된다.

제5(d)도를 참조하면, 상기 감광막 패턴(26)을 제거한후, 투명한 도전물질, 예를들어 ITO등을 사용하여 화소전극(15)을 형성하며, 이때 상기 게이트 패드(18) 및 데이타 패드(19)상에도 산화방지 및 강도향상을 위하여 ITO층(23),(25)을 형성하여 구동회로 IC와의 접속을 위한 게이트 패드(18) 및 데이타 패드(19)가 구비된다.

상술한 종래의 표시패널 제조방법에 의하면, 유리기판상에 게이트 및 게이트 배선을 형성하고, 상기 게이트 배선과 끝단부가 충분히 중첩되도록 게이트 패드를 별도의 패드 마스크를 사용하여 패터닝하여 형성한 후, 상기 금속층들의 상부표면을 전면 양극산화하여 양극산화막을 형성하였다. 그다음 상기 게이트 패드 일측의 양극산화막을 제거하여 액정패널 구동회로 IC와의 연결을 위한 부분을 노출시킨다. 이러한 종래의 방법은 게이트 패드용의 마스크를 별도로 형성하여야 하므로 공정이 복잡해지는 문제점이 있다. 또한 상기 양극산화막과 게이트 패드금속간의 식각비의 차가 적어 패드노출을 위한 식각공정시 상기 패드자체도 식각되어 구동회로 IC와의 연결의 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있다. 또한 상기 데이타 배선은 표시패널의 제조 공정중 거의 마지막 단계에서 행하므로 굴곡이 심한 상태에서 형성되어 단락이 많이 발생하여 표시패널의 신뢰성을 떨어뜨리는 문제점이 있다.

따라서 이 발명의 목적은 게이트 패드 형성시 별도의 패드마스크에 의한 공정을 삭제하여 제조공정이 간단한 표시패널 제조방법을 제공함에 있다. 이 발명의 다른 목적은 구동회로 IC와의 연결되는 게이트 패드 형성을 위한 양극산화막의 식각공정시 게이트 패드 금속층이 식각되어도 구동회로 IC와의 연결의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 표시패널 및 그 제조방법을 제공함에 있다. 이 발명의 또 다른 목적은 데이타 배선의 단락을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있는 표시패널 및 그 제조방법을 제공함에 있다.

상기와 같은 목적들을 달성하기 위하여 이 발명은 절연기판상에 메트릭스 형상으로 형성되어 있는 게이트 배선 및 데이타 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이타 배선의 교차되는 부분에 형성되어 있는 박막트랜지스터들과, 상기 박막트랜지스터들에 의해 구동되는 화소전극들을 구비하는 표시패널에 있어서, 구동회로와의 연결을 위한 게이트 패드의 상부에 상기 게이트 배선이 소정부분 중첩되도록 형성되어 있으며, 상기 데이타 배선의 단락이 방지되도록 상기 데이타 배선 및 데이타 패드의 상부에 화소전극 형성시의 도전층이 추가로 구비되어 있는 표시패널을 특징으로 한다.

다른 목적들을 달성학 위하여 이 발명은 표시패널의 제조방법에 있어서, 절연기판상의 소정부위에 게이트 패드 금속층을 형성하는 공정과, 상기 절연기판상에 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하는 공정과, 전면 양극산화를 실시하여 상기 게이트 패드 금속층과 게이트 전극 및 게이트 배선 표면에 양극산화막을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 절연막을 형성하고 반도체 층을 형성한 후 패터닝하고 데이타 배선과 일체로 된 소오스 전극과 화소전극과 연결되는 드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터를 형성하는 공정과, 상기 게이트 패드 금속층 및 데이타 패드중 구동회로와의 연결을 위한 부분이 노출되도록 상기 절연막과 양극산화막을 순차적으로 제거하는 공정과, 상기 드레인 전극과 연결되도록 화소전극을 형성하고 상기 노출된 게이트 패드 금속층의 상부와 데이타 패드 및 데이터 배선의 상부에도 투명전도층이 형성되도록 하는 공정을 구비하는 표시패널 제조방법을 특징으로 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 이 발명에 따른 표시패널 및 그 제조방법을 상세히 설명한다.

제6도는 이 발명에 따른 표시패널, 예를들어 LCD의 일부 평면도로서, 유리등 투명한 재질의 절연기판(30)상에 게이트 배선(31)과 데이타 배선(32)이 매트릭스 형태로 배열되어 있으며, 이들의 각 교차점에 TFT(33)가 배치되어 있다. 상기 TFT(33)는 상기 게이트 배선(31)에 연결된 게이트 전극과, 상기 데이타 배선(32)에 일체로 형성된 소오스 전극과, 화소전극(34)을 매개로 연결된 드레인 전극을 구비하고 있으며, 상기 게이트 전극상에 게이트 절연막 표면에 채널영역으로 쓰이는 불순물이 주입되지 않은 비정질 규소막과 오옴믹 접촉을 위한 n⁺형 비정질 규소층이 차례로 형성되어 있다. 또한 각 화소에 대한 화소전극(34)이 ITO(Indum thin oxide), SnO₂등과 같은 투명도전물질로 형성되어 있으며, 상기 드레인 전극은 화소전극(34)과 연결되고 상기 소오스 전극과는 이격되게 형성된다.

한편, 상기 게이트 배선(31) 및 데이타 배선(32)은 저저항의 Al 또는 Al을 주체로 하는 금속을 사용하여 형성하는데, 이 금속은 강도가 낮아 구동회로 IC와 게이트 배선(31) 및 데이타 배선(32)을 연결하기 위한 패드로는 사용하기에 어려워 Ta, Cr등과 같이 비교적 기계적 강도가 높은 금속으로 게이트 패드(35) 및 데이타 패드(36)가 상기 게이트 배선(31) 및 데이타 배선(32)의 일측단에 형성되어 있다.

이러한 게이트 패드(35)는 제7도에 도시되어 있는 바와 같이, 절연기판(30)상의 일측에 게이트 패드 금속층(40)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선(31)이 상기 게이트 패드 금속층(40)의 일측 상부에 중첩되도록 형성되어 있다. 상기 게이트 배선(31)의 상부표면에 양극산화막(41)이 형성되어 있으며, 상기 양극산화막(41)의 소자영역측 상에 절연막(43)이 도포되어 있다. 또한 상기 노출된 게이트 패드 금속층(40)과 양극산화막(41) 및 절연막(43)의 소정 부분상에는 상기 데이타 배선(32) 형성공정시의 금속층(44)이 형성되어 있다. 상기 화소전극(34) 형성공정시 투명도전층(46)이 상기 금속층(44) 상에 도포되어 있다. 따라서 상기 게이트 패드 금속층(40)과 투명도전층(44)이 구동회로 IC와 접속되는 게이트 패드(35)가 된다. 상기 양극산화막(41),(42)은 예를들어 상기 게이트 배선(31)이 Al으로되어 있으면 Al₂O₃로 되고, 상기 게이트 패드 금속층(40)이 Ta으로되어 있으면 Ta₂O₃로 된다. 상기 절연막(43)과 양극산화막(41)이 게이트 절연막이 된다.

또한 상기 데이타 패드(36)는 제8도에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 절연기판(30)상에 데이타 배선(32)이 Al 또는 Cr/Al의 이층 구조로 형성되어 있다. 이러한 이중구조는 절연기판(30) 또는 절연막(43)과의 접합성을 위하여 Cr층을 먼저 형성한 후, 저저항의 Al층을 형성한 것이다. 상기 데이타 배선(32)의 상부에 화소전극(34) 형성공정시 투명도전층(46)이 함께 형성되어져 데이타 패드(36)를 구성한다. 상기 투명도전층(46)은 데이타 패드(36)의 상부층으로 쓰이고, 표시패널 제조공정의 뒷부분에 위치하여 표면에 굴곡이 심한 상태에서 형성되는 데이타 배선(32)에 단락이 발생되어도 이를 연결시킨다.

계속해서 상기와 같은 표시패널, 예를들어 LCD의 제조방법을 패드를 중심으로 제9(a)∼(d)도를 참조하여 상세히 설명한다. 이때 불필요한 통상의 제조 공정은 생략한다.

제9(a)∼(d)도는 이 발명의 실시예에 따른 표시패널의 제조공정을 설명하기 위한 도면으로서, 제6도 내지 제8도와 동일한 부분은 동일한 참조번호를 부여하였다.

제9(a)도를 참조하면, 유리등 투명재질로된 절연 기판(30) 상에 강도가 Al보다 다소 강하고 양극산화가 가능한 금속, 예를 들어 Ta, Cr등을 스퍼트링법으로 두께 4000Å 정도되게 게이트 패드 금속층(40)을 형성한다. 상기 금속증착은 별도의 마스크를 사용하지 않고 금속재질로 상기 게이트 패드 금속층(40) 부분만 오픈되어 있는 샤도우 마스크(47)를 사용하였다.

제9(b)도를 참조하면, 상기 절연기판(30)상에 저저항 금속인 Al 또는 그의 합금을 스퍼터링법으로 4000Å 정도의 두께로 형성하고 패턴닝하여 게이트 전극 및 게이트 배선(31)을 상기 게이트 패드 금속층(40)의 일측 끝단부를 충분히 덥히도록 형성한다. 이때 Al합금은 Al-Si, Al-Pd, Al-Ni, Al-Ge, Al-W중에서 선택될 수 있다. 그다음 상기 구조에 통상의 방법으로 전면 양극산화를 실시하여 상기 게이트 패드 금속층(40)과 게이트 전극 및 게이트 배선(33)의 표면 각각에 양극산화막(42),(41)을 형성한다. 이때 상기 양극산화막(42)은 상기 게이트 패드 금속층(40)이 Ta일 경우에 2200Å의 Ta₂O₅이 형성되며, 상기 양극산화막(41)은 게이트 배선(31) 물질이 Al일 경우에 2000Å의 Al₂O₃이 형성된다. 이러한 양극산화는 절연기판(30)을 전해액에 담궈 게이트 배선(31) 및 게이트 패드 금속층(40)을 양극으로 하고 스테인레스강 또는 백금(Pt) 전극을 음극으로 하여 전압과 전류를 적절히 제어하여 양극산화막(41),(42)의 질과 두께를 조절하면서 실시한다.

제9(c)도를 참조하면, 일반적인 TFT의 제조 공정과 마찬가지 방법으로 산화규소 또는 질화규소등으로 전표면에 절연막(43)을 형성하며, 도시되어 있지는 않으나, 비정질 규소막 및 n⁺형 비정질 규소막을 연속적으로 증착한 후, 화소 TFT부의 규소 패턴을 형성 시킨다. 그다음 상기 게이트 패드 금속층(40) 부분과 게이트 배선(31)의 상부도 상당부분 노출되도록 상기 절연막(43)상에 감광막 패턴(48)을 형성한다.

제9(d)도를 참조하면, 상기 감광막 패턴(48)에 의해 노출되어 있는 상기 절연막(43), 양극산화막(41),(42)을 동시에 제거하여 구동회로 IC와의 접속을 위한 게이트 패드 금속층(40)의 일측을 노출시킨다. 이때 상기 게이트 패드 금속층(40)과 게이트 배선(33)의 양극산화막(41),(42)은 예를들어 Ta₂O₅과 Al₂O₃은 식각비차가 매우 크다. 즉 Ta₂O₅가 모두 제거되어도 Al₂O₃은 거의 식각되지않아 게이트 배선(33)을 보호하며, 상기 Ta₂O₅과 Ta은 식각비차가 적어 상기 게이트 패드 금속층(40)의 상부도 소정 깊이 제거된다. 상기 양극산화막(42)의 식각은, 예를들어 Ta₂O₅이면 식각 공정은 CF₄, BCl₃, SiCl₄, CCl₄및 PCl₃등의 가스를 O₂가스와 소정비율로 혼합하여 건식식각 방법으로 행한다. 그다음 상기 감광막 패턴(48)을 제거한 후, 상기 구조의 전표면에 스퍼터링 방법으로 도전층(44)을 형성한 후, 패터닝하여 데이타 배선(32), 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성한다. 이때 상기 노출되어 있는 게이트 패드 금속층(40)과 양극산화막(41) 및 절연막(43)상에도 상기 금속층(44)이 형성되며, 이러한 패터닝 공정시 상기 게이트 패드(35) 사이의 게이트 패드 금속층(40)이 제거분리된다. 상기 데이타 배선(32)을 이루는 도전층(44)은 Cr 및 Al의 2층 금속구조로 형성되기도하며, 이는 절연기판(30) 및 절연층(43)과의 접착성을 위해 하층에 Cr층을 형성하고 상층에 고유저항이 낮은 Al이 사용되는 것이다.

제9(e)도를 참조하면, 상기 구조의 전표면에 스퍼터링법으로 ITO 및 SNO₂등과 같은 투명 도전층(46)을 형성한 후, 패터닝하여 상기 드레인 전극과 연결되어 구동되는 화소전극(34)을 형성하며, 상기 투명도전층(46)은 상기 도전층(44) 표면상에도 남아 상기 도전층(44) 및 게이트 패드 금속층(40)과 함께 게이트 패드(35)를 구성하고, 상기 데이타 배선(34)상에도 남게되어 상기 데이타 배선(32)의 도전층(44)에 단선이 발생되어도 이를 보상한다.

상술한 바와 같이 이 발명은 표시패널 및 그 제조 방법에서, 먼저 샤도우 마스크를 사용하여 게이트 패드 금속층을 형성하고, 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성한다. 그다음 상기 게이트 패드 금속층, 게이트 전극 및 게이트 배선의 상부표면을 전면 양극산화시켜 양극산화막을 형성한 후, 절연층을 형성하고, 통상의 TFT의 제조 공정을 진행하여 화소구동용의 TFT를 규정한다. 그다음 상기 게이트 패드 금속층과 게이트 배선의 양극산화막의 식각비차를 이용하여 상기 절연층과 양극산화막의 소정부분을 제거하여 구동회로 IC와의 접속을 위한 게이트 패드 금속층을 노출시킨다. 그다음 도전층을 도포한 후, 패터닝하여 상기 데이터 배선을 형성하며, 이때 상기 게이트 패드 금속층상에도 상기 도전층을 도포되도록 하여 식각 공정시 게이트 패드들 사이의 도전층을 제거하여 게이트 패드를 분리시킨다. 그다음 화소전극 형성공정시 상기 게이트 패드 및 데이타 패드는 물론 데이타 배선의 상부에도 투명도전층이 형성되도록 한다. 따라서 이 발명은 표시패널의 패드를 규정하기 위한 별도의 패드 마스크가 불필요하므로 게이트 패드 형성 공정이 간단한 이점이 있다. 또한 구동회로 IC와의 연결을 위한 양극산화막의 식각공정시 패드금속층이 일부 식각되어도 화소전극 형성시의 투명도전층이 게이트 패드상에 재도포되므로 구동회로 IC와의 연결의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 또한 상기 투명도전층이 데이터 배선상에도 도포되어 있어 데이타 배선의 단선을 방지할 수 있는 이점이 있다.

Claims (10)

1. 절연기판상에 메트릭스 형상으로 형성되어 있는 게이트 배선 및 데이타 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이타 배선의 교차되는 부분에 형성되어 있는 박막트랜지스터들과, 상기 박막트랜지스터들에 의해 구동되는 화소전극들을 구비하는 표시패널에 있어서, 구동회로와의 연결을 위한 게이트 패드가 상기 절연기판의 일측에 형성되어 있는 게이트 패드 금속층과 상기 게이트 패드 금속층의 상부에 소정부분 중첩되도록 형성되어 있는 게이트 배선으로 구성되어 있으며, 상기 데이타 배선 및 데이타 패드의 상부에 화소전극 형성시의 투명 도전층이 추가로 구비되어 상기 데이타 배선의 단락이 방지되도록 구성되는 표시패널.
2. 제1항에 있어서, 상기 투명도전층이 ITO 및 SnO₂로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 어느하나로 되는 표시패널.
3. 표시패널의 제조방법에 있어서, 절연기판상의 소정부위에 게이트 패드 금속층을 형성하는 공정과, 상기 절연기판상에 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하는 공정과, 전면 양극산화를 실시하여 상기 게이트 패드 금속층과 게이트 배선 표면에 양극산화막을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 절연막을 형성하고 반도체 층을 형성한 후 패터닝하며 상기 절연막상에 데이타 배선과 소오스 전극과 드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터를 형성하는 공정과, 상기 게이트 패드 금속층 및 데이타 패드중 구동회로와의 연결을 위한 부분이 노출되도록 상기 양극산화막을 제거하는 공정과, 상기 드레인전극과 연결되도록 투명도전층으로 화소전극을 형성하고 상기 노출된 게이트 패드 금속층의 상부와 데이타 패드 및 데이터 배선의 상부에도 투명전도층이 형성되도록 하는 공정을 구비하는 표시패널 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 게이트 패드 금속층을 샤도우 마스크를 사용하여 형성하는 표시패널 제조방법.
5. 제3항에 있어서, 상기 게이트 패드 금속층을 Ta으로 형성하는 표시패널 제조방법.
6. 제3항에 있어서, 상기 게이트 전극 및 게이트 배선을 Al 및 Al합금인 Al-Si, Al-Pd, Al-Ni, Al-Ge, Al-W으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 어느하나로 형성하는 표시패널 제조방법.
7. 제3항에 있어서, 상기 데이터 배선을 Cr 및 Al의 이중구조와 형성하는 표시패널 제조방법.
8. 제3항에 있어서, 상기 절연막을 산화규소 및 질화규소로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 어느 하나로 형성하는 표시패널 제조방법.
9. 제3항에 있어서, 상기 양극산화막의 제거 공정을 CF₄, BCl₃, SiCl₄, CCl₄및 PCl₃등으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 적어도 하나를 포함하는 가스를 사용하여 건식식각방법으로 행하여지는 표시패널의 제조방법.
10. 제3항에 있어서, 상기 게이트 패드 금속층 및 게이트 배선의 양극산화막들 식각은 상기 양극산화막들 자체의 식각비차에 의해 행하여지는 표시패널 제조방법.