JPH10170951A

JPH10170951A - 液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JPH10170951A
Application number: JP33010896A
Authority: JP
Inventors: Hiroki Nishino; 浩己西野; Akihiro Yamamoto; 明弘山本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-12-11
Filing date: 1996-12-11
Publication date: 1998-06-26

Abstract

(57)【要約】【課題】無機絶縁膜の成膜後、マスクを用いて無機絶
縁膜にコンタクトホールを形成し、さらにマスクを用い
て層間絶縁膜にもコンタクトホールを形成するため、無
機絶縁膜の無い構造に比べ、プロセスが増え、コストア
ップになっていた。また、この２つのコンタクトホール
形成に、異なるフォトマスクを用いるため、マスクの重
合せ精度、パターン寸法のシフト量等の関係から、無機
絶縁膜のコンタクトホールのエッジ部が層間絶縁膜のコ
ンタクトホールの内側に入込んでしまい、画素電極の断
切れによる点欠陥が多発するという問題点があった。【解決手段】コンタクトホールＤが形成された層間絶
縁膜９をマスクとして、無機絶縁膜８をエッチングし
て、コンタクトホールＤを透明導電膜１７ｂまで形成す
る。このセルフアライメントにより、コンタクトホール
Ｄがずれることが無く、コンタクトホールＤで画素電極
１０の断切れによる点欠陥が防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画素電極を選択駆
動するスイッチング素子として、薄膜トランジスタ素子
（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、
ＴＦＴと呼ぶ）等が用いられるアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プ
ラズマ表示装置等は、マトリクス状に配列された表示画
素を選択することにより、画面上に表示パターンを形成
して表示させている。表示画素の選択方式の一つとし
て、個々の画素を独立した画素電極で構成して配列し、
画素電極のそれぞれにスイッチング素子を接続し、スイ
ッチング素子により画素電極を選択して表示駆動を行う
アクティブマトリクス駆動方式がある。このアクティブ
マトリクス駆動方式によれば、高コントラストの表示が
可能であり、液晶テレビ、ワードプロセッサーやコンピ
ュータの端末表示等に実用化されている。

【０００３】スイッチング素子としては一般に、ＴＦ
Ｔ、ＭＩＭ素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオード
等が用いられている。

【０００４】近年、液晶表示装置の画素毎に設けるスイ
ッチング素子として、アモルファスシリコンを用いた電
界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴと呼ぶ）が一般的
に使用されており、画素電極とこれに対向する対向電極
間に印加される電圧をスイッチングすることにより、そ
の間に表示媒体として充填された液晶の光学的変調が表
示パターンとして視認される。アモルファスシリコンを
用いたＦＥＴは、透明大型基板に均一に形成できるこ
と、オン／オフ電流比が大である等の利点を有し、液晶
表示装置のスイッチング素子として適している。

【０００５】ところで、最近では、ゲート電極、ソース
電極およびそれぞれに電気的に接続されたスイッチング
素子であるＴＦＴの上に、有機材料等からなる層間絶縁
膜を形成し、ゲート配線およびソース配線パターンを、
層間絶縁膜を介して画素電極パターンと重畳させた構造
により、開口率の向上が図られている。

【０００６】そこで、従来の液晶表示装置の平面図を図
７に、従来の方法で製造したときのＡ−Ａ断面の断面図
を図６に示す。

【０００７】図６に示すように、絶縁性の透明な基板１
にＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ等をスパッタリング法にて成膜し、
フォトリソグラフィにより、ゲート配線１２、ゲート電
極２および補助容量配線２２を形成する。

【０００８】次に、ゲート絶縁膜３を形成し、続いて半
導体層４、コンタクト層５を成膜し、コンタクト層５の
ギャップ部のパターンをフォトリソグラフィによりパタ
ーニングし、ソース電極６、ドレイン電極７を構成す
る。

【０００９】次に、ソース電極６、ドレイン電極７の上
に、ＩＴＯなどからなる透明導電膜１６ｂ、１７ｂ、お
よび金属層１６ａ、１７ａを成膜し、フォトリソグラフ
ィにより所定の形状にパターニングして、ソース配線１
６、ドレイン配線１７を形成する。このようにソース配
線１６、ドレイン配線１７は２層構造である。以上の方
法により、各画素毎にスイッチング素子であるＴＦＴ１
１を形成する。

【００１０】次に、有機材料等からなる層間絶縁膜９を
成膜し、ドレイン配線１７の透明導電膜１７ｂの所定の
位置に、コンタクトホールＣを形成する。

【００１１】次に、層間絶縁膜９の上に透明導電膜から
なる画素電極１０を積層し、そのコンタクトホールＣを
介して、画素電極１０は、ドレイン配線１７の透明導電
膜１７ｂを経由してドレイン電極７と接続される。この
ような構造をとることにより、ゲート配線１２およびソ
ース配線１６と、画素電極１０を重畳させることが可能
になるため、開口率が向上する。

【００１２】しかし、最近では、有機材料等からなる層
間絶縁膜９を、ＴＦＴ１１の上、特に半導体層４および
コンタクト層５の上に直接成膜すると、ＴＦＴ特性（特
にＯＦＦ電流特性）が悪く、パネル表示時にムラが発生
し、かつ信頼性にも欠けるという問題点がある。その問
題点を解決するため、図８に示すように、無機絶縁膜８
を介して層間絶縁膜９を形成する構造をとっている場合
がある。

【００１３】その従来例を図７および図８を用いて説明
する。図７に、無機絶縁膜８を介して層間絶縁膜９を形
成する構造の液晶表示装置の平面図を示し、図８に、そ
のＡ−Ａ断面における各工程の製造方法を示す。

【００１４】図８（ａ）に示すように、絶縁性の透明な
基板１にＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ等をスパッタリング法にて成
膜し、フォトリソグラフィにより、ゲート配線１２、ゲ
ート電極２および補助容量配線２２を形成する。

【００１５】次に、ゲート絶縁膜３を形成し、続いて半
導体層４、コンタクト層５を成膜し、コンタクト層５の
ギャップ部のパターンをフォトリソグラフィによりパタ
ーニングし、ソース電極６、ドレイン電極７を構成す
る。

【００１６】次に、ソース電極６、ドレイン電極７の上
に、ＩＴＯなどからなる透明導電膜１６ｂ、１７ｂ、お
よび金属膜１６ａ、１７ａを成膜し、フォトリソグラフ
ィにより所定の形状にパターニングして、ソース配線１
６、ドレイン配線１７を形成する。このようにソース配
線１６、ドレイン配線１７は２層構造である。以上の方
法により、各画素毎にスイッチング素子であるＴＦＴ１
１を形成する。

【００１７】次に、図８（ｂ）に示すように、ＴＦＴ１
１の上から無機絶縁膜８を成膜する。

【００１８】次に、図８（ｃ）に示すように、マスクを
用いてフォトリソグラフィにより、無機絶縁膜８にコン
タクトホールＢを形成する。

【００１９】次に、図８（ｄ）に示すように、有機材料
等からなる層間絶縁膜９を成膜し、透明導電膜１７ｂの
所定の位置に、マスクを用いてフォトリソグラフィによ
り、コンタクトホールＣを形成する。

【００２０】次に、図８（ｅ）に示すように、層間絶縁
膜９の上に透明導電膜からなる画素電極１０を積層し、
そのコンタクトホールＣを介して、画素電極１０はドレ
イン配線１７の透明導電膜１７ｂを経由してドレイン電
極７と接続される。このように無機絶縁膜８を介して層
間絶縁膜９を形成する構造をとっている。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示すように、無機絶縁膜８を成膜した後、一旦フォトリ
ソグラフィを用いて無機絶縁膜にコンタクトホールＢを
形成した後、さらに層間絶縁膜９にもコンタクトホール
Ｃを形成して、画素電極１０とドレイン配線１７とを接
続する工程をとっているため、無機絶縁膜８の無い構造
に比べ、形成プロセス数が増え、コストアップにつなが
っていた。

【００２２】また、この２つのコンタクトホール形成
に、異なるフォトマスクを用いるため、マスクの重合せ
精度およびパターン寸法のシフト量等の関係から、図９
に示すように、無機絶縁膜８のコンタクトホールＢのエ
ッジ部が層間絶縁膜９のコンタクトホールＣの内側に入
込んでしまい、画素電極１０の断切れによる点欠陥が多
発するという問題点があった。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、ゲ
ート配線およびソース配線がマトリクス状に形成され、
該ゲート配線およびソース配線で囲まれた領域にそれぞ
れスイッチング素子が形成され、該スイッチング素子の
上部に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に形成さ
れた画素電極が該層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを
介して、前記スイッチング素子のドレイン電極と接続さ
れる液晶表示装置の製造方法において、前記スイッチン
グ素子の上に無機絶縁膜を形成する工程と、前記無機絶
縁膜の上に前記層間絶縁膜を形成した後、パターニング
すると共に、前記層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを
形成する工程と、前記層間絶縁膜をマスクとして、前記
無機絶縁膜をエッチングし、パターニングする工程を含
むことを特徴とする。

【００２４】また、本発明は、前記無機絶縁膜を形成す
る工程の前に、前記無機絶縁膜の下層に、少なくともコ
ンタクトホールが形成される領域に、金属膜を形成する
工程を含むことを特徴とする。

【００２５】また、本発明は、前記金属膜は、ソース配
線と同一材料により、ソース配線と同時に形成されるこ
とを特徴とする。

【００２６】また、本発明は、前記無機絶縁膜のエッチ
ング処理の工程の後に、ポストベーク処理を施す工程を
行い、その後、前記コンタクトホールに前記画素電極を
形成する工程を含むことを特徴とする。

【００２７】以下、上記製造方法による作用を説明す
る。

【００２８】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、スイッチング素子の上に直接接する無機絶縁膜のパ
ターニングを、その上部に形成する層間絶縁膜をマスク
としてエッチング処理するため、従来のように無機絶縁
膜をパターニングするためのフォトリソグラフィを行う
必要がなく、工程を短縮することができ、かつコストダ
ウンを図ることができる。

【００２９】さらに、層間絶縁膜をマスクとして無機絶
縁膜にコンタクトホールを形成するため、セルフアライ
メントにより、無機絶縁膜のコンタクトホールと層間絶
縁膜のコンタクトホールがずれることが無く、コンタク
トホールでの画素電極の断切れによる点欠陥を防止する
ことができる。

【００３０】また、コンタクトホールにおいて、画素電
極を無機絶縁膜と密着性の良い金属膜を介してドレイン
電極と接続することで、無機絶縁膜のエッジ部で発生す
る逆テーパ形状を抑制することができる。

【００３１】さらに、金属膜をソース配線材料と同一の
材料で形成することで、工程を増やすことなく、無機絶
縁膜のエッジ部で発生する逆テーパ形状を抑制すること
ができる。

【００３２】また、仮に逆テーパ形状になったとして
も、無機絶縁膜のエッチング処理後にポストベークを施
すことにより、逆テーパ形状のない平滑なコンタクトホ
ールが形成でき、画素電極の断切れによる点欠陥を防止
することができる。

【００３３】上記のことから、表示品位が高く、安価
で、信頼性の高い液晶表示装置を高歩留りで作製するこ
とが可能となる。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。

【００３５】（実施形態１）実施形態１の製造方法で作
製した液晶表示装置の平面図を図１に、そのＡ−Ａ断面
における製造方法を図２に示す。

【００３６】図２（ａ）に示すように、ガラスなどの透
明な絶縁性の基板１の上にＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ等をスパッ
タリング法にて成膜し、次いでフォトリソグラフィによ
りゲート配線１２および補助容量配線２２を形成する。
このゲート配線１２および補助容量配線２２の表面を、
陽極酸化法を用いてゲート材酸化膜１３で覆い、さらに
絶縁性を高めるため、プラズマＣＶＤ法等によりＳｉＮ
ｘ膜を３００ｎｍ積層し、ゲート絶縁膜３を形成する。

【００３７】ゲート絶縁膜３に連続して、半導体層４お
よび、半導体層４とソースまたはドレイン電極間のオー
ミックコンタクトを良好にするためにコンタクト層５
を、それぞれプラズマＣＶＤ法を用いて積層する。

【００３８】ここで、半導体層４は真性半導体アモルフ
ァスシリコン膜（以下、ａ−Ｓｉ（ｉ）層と略する）か
らなり、膜厚は６０〜１５０ｎｍであり、コンタクト層
５はリンを添加したｎ⁺ 型微結晶シリコン（以下、μｃ
−ｎ⁺ Ｓｉ層と略する）からなり、膜厚は１００ｎｍで
ある。

【００３９】次に、このａ−Ｓｉ（ｉ）層である半導体
層４、およびμｃ−ｎ⁺ Ｓｉ層であるコンタクト層５
を、フォトリソグラフィによりパターニングする。しか
し、まだＴＦＴ１１のギャップ部のパターニングは行わ
ない。

【００４０】次に、ゲート配線およびソース配線の配線
引き出し端子パッド部（図示せず）を形成するため、陽
極酸化膜およびゲート絶縁膜３をフォトリソグラフィに
より所定のパターンにエッチングする。

【００４１】次に、ソース配線１６およびドレイン配線
１７として、後に画素電極１０と接続されるＩＴＯから
なる透明導電膜１６ａ、１７ａおよびＴｉ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ等の金属膜１６ｂ、１７ｂを、蒸着法、スパッ
タリング法等によって連続成膜し、フォトリソグラフィ
によりパターニングし、ソース配線１６、ドレイン配線
１７を順次形成する。

【００４２】ソース配線１６およびドレイン配線１７を
２層構造とすることにより、例えば、ソース配線１６を
構成する金属膜１６ｂの一部に膜の欠損があったとして
も、透明導電膜１６ａにより電気的に接続されるので、
ソース配線１６およびドレイン配線１７の断線を少なく
できるという利点がある。

【００４３】あるいは、ソース配線１６、ドレイン配線
１７は透明導電膜であるＩＴＯ膜のみの構造でもよい。

【００４４】次に、ＴＦＴ１１のμｃ−ｎ⁺ Ｓｉ層であ
るコンタクト層５をドライエッチングによりパターニン
グし、ＴＦＴ１１のギャップ部を形成する。このとき、
フォトリソグラフィを用いても、あるいはソース配線−
ドレイン配線のパターンをマスクに用いてドライエッチ
ングしても構わない。コンタクト層５は分断され、ソー
ス配線１６側はソース電極６となり、ドレイン配線１７
側はドレイン電極７となる。

【００４５】次に、図２（ｂ）に示すように、Ｓｉ窒化
膜、Ｓｉ酸化膜、酸化タンタル膜、あるいは酸化アルミ
膜等からなる無機絶縁膜８を成膜し、少なくともＴＦＴ
１１のギャップ部上を保護する。

【００４６】次に、図２（ｃ）に示すように、層間絶縁
膜９として感光性有機樹脂膜等を塗布し、露光、現像
後、ポストベークを行い、所定の位置にコンタクトホー
ルＤを形成する。

【００４７】次に、図２（ｄ）に示すように、この層間
絶縁膜９をマスクとして無機絶縁膜８をウエットエッチ
ング、あるいはドライエッチングする。このように、コ
ンタクトホールＤは透明導電膜１７ｂに到達する位置ま
で形成される。

【００４８】次に、図２（ｅ）に示すように、ゲート配
線１２、ソース配線１６に重畳するように、画素電極１
０をパターニングする。コンタクトホールＤでドレイン
配線１７を介して画素電極１０とドレイン電極７とが接
続される。このように、画素電極１０と、ゲート配線１
２、ソース配線１６、ＴＦＴ１１との間では、絶縁膜は
無機絶縁膜８と有機材料からなる層間絶縁膜９の２層か
らなっている。

【００４９】以上の方法により、液晶表示装置を作製す
ることができる。

【００５０】（実施形態２）実施形態２の製造方法で作
製した液晶表示装置の平面図を図１に、そのＡ−Ａ断面
における製造方法を図３に示す。

【００５１】実施形態２では、無機絶縁膜８を成膜する
前に、少なくともコンタクトホールＤを形成する位置に
無機絶縁膜８の下層に、無機絶縁膜８と密着性の良好で
ある金属材料、例えばＴａ、Ａｌ、Ｔｉ等から成る金属
膜２７が設けられている。この金属膜２７を形成する以
外は、実施形態１と同様の製造方法である。

【００５２】図３（ａ）に示すように、ガラスなどの透
明な絶縁性の基板１の上にＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ等をスパッ
タリング法にて成膜し、次いでフォトリソグラフィによ
りゲート配線１２および補助容量配線２２を形成する。
このゲート配線１２および補助容量配線２２の表面を、
陽極酸化法を用いてゲート材酸化膜１３で覆い、さらに
絶縁性を高めるため、プラズマＣＶＤ法等によりＳｉＮ
ｘ膜を３００ｎｍ積層し、ゲート絶縁膜３を形成する。

【００５３】ゲート絶縁膜３に連続して、半導体層４お
よび、半導体層４とソースまたはドレイン電極間のオー
ミックコンタクトを良好にするためにコンタクト層５
を、それぞれプラズマＣＶＤ法を用いて積層する。

【００５４】ここで、半導体層４はａ−Ｓｉ（ｉ）層か
らなり、膜厚は６０〜１５０ｎｍであり、コンタクト層
５はμｃ−ｎ⁺ Ｓｉ層からなり、膜厚は１００ｎｍであ
る。

【００５５】次に、このａ−Ｓｉ（ｉ）層である半導体
層４、およびμｃ−ｎ⁺ Ｓｉ層であるコンタクト層５
を、フォトリソグラフィによりパターニングする。しか
し、まだＴＦＴ１１のギャップ部のパターニングは行わ
ない。

【００５６】次に、ゲート配線およびソース配線の信号
引き出し端子パッド部（図示せず）を形成するため、陽
極酸化膜およびゲート絶縁膜３をフォトリソグラフィに
より所定のパターンにエッチングする。

【００５７】次に、ソース配線１６およびドレイン配線
１７として、後に画素電極１０と接続されるＩＴＯから
なる透明導電膜１６ａ、１７ａおよびＴｉ、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ等の金属膜１６ｂ、２７を、蒸着法、スパッタ
リング法等によって連続成膜し、フォトリソグラフィに
よりパターニングし、ソース配線１６、ドレイン配線１
７を順次形成する。

【００５８】このとき、金属膜２７は少なくともコンタ
クトホールＤを形成する位置にパターニングされている
必要がある。また、金属膜２７は上記のように無機絶縁
膜８と密着性の良好である金属材料であればよい。この
金属膜２７を形成する以外は、実施形態１と同様の製造
方法である。

【００５９】ソース配線１６およびドレイン配線１７を
２層構造とすることにより、例えば、ソース配線１６を
構成する金属層１６ｂの一部に膜の欠損があったとして
も、透明導電膜１６ａにより電気的に接続されるので、
ソース配線１６およびドレイン配線１７の断線を少なく
できるという利点がある。

【００６０】次に、ＴＦＴ１１のμｃ−ｎ⁺ Ｓｉ層であ
るコンタクト層５をドライエッチングによりパターニン
グし、ＴＦＴ１１のギャップ部を形成する。このとき、
フォトリソグラフィを用いても、あるいはソース配線−
ドレイン配線のパターンをマスクに用いてドライエッチ
ングしても構わない。コンタクト層５は分断され、ソー
ス配線１６側はソース電極６となり、ドレイン配線１７
側はドレイン電極７となる。

【００６１】次に、図３（ｂ）に示すように、Ｓｉ窒化
膜、Ｓｉ酸化膜、酸化タンタル膜、あるいは酸化アルミ
膜等からなる無機絶縁層８を成膜し、少なくともＴＦＴ
１１のギャップ部上を保護する。

【００６２】次に、図３（ｃ）に示すように、層間絶縁
膜９として感光性有機樹脂膜等を塗布し、露光、現像
後、ポストベークを行い、所定の位置にコンタクトホー
ルＤを形成する。このとき、コンタクトホールＤの下に
は無機絶縁膜８があり、その下に金属膜２７がある。

【００６３】次に、図３（ｄ）に示すように、この層間
絶縁膜９をマスクとして無機絶縁膜８をウエットエッチ
ング、あるいはドライエッチングする。このように、コ
ンタクトホールＤは金属膜２７に到達する位置まで形成
される。

【００６４】次に、図３（ｅ）に示すように、ゲート配
線１２、ソース配線１６に重畳するように、画素電極１
０をパターニングする。コンタクトホールＤでドレイン
配線１７を介して画素電極１０とドレイン電極７とが接
続される。このように、画素電極１０と、ゲート配線１
２、ソース配線１６、ＴＦＴ１１との間では、絶縁膜は
無機絶縁膜８と有機材料からなる層間絶縁膜９の２層か
らなっている。

【００６５】以上の方法により、液晶表示装置を作製す
ることができる。

【００６６】（実施形態３）実施形態３では、実施形態
２の製造方法で用いる金属膜２７の形成を、ソース配線
１６を構成する金属膜１６ｂと同一材料かつ同一工程に
て形成する。この形成以外は、実施形態２の製造方法と
同様である。

【００６７】（実施形態４）上記で説明したように、層
間絶縁膜９をマスクとして無機絶縁膜８をエッチングし
た際、図４に示すように、無機絶縁膜８のエッジ部が逆
テーパ形状になる場合がある。このような場合、層間絶
縁膜９の上から画素電極を形成すると、画素電極の断切
れによる点欠陥が発生するという問題点が生じる。

【００６８】上記のような問題点を解決するため、実施
形態４ではポストベーク処理を行う。次に、その製造方
法を説明する。実施形態１と同様に、図２（ａ）から
（ｄ）に示すように、層間絶縁膜９をマスクとして無機
絶縁膜８をエッチング処理する。

【００６９】次に、図５に示すように、２００℃前後の
温度でポストベーク処理を行う。このポストベーク処理
は、層間絶縁膜９を形成する際のベーク温度よりも高温
であることが望ましい。このポストベーク処理を行うこ
とにより、逆テーパ形状のない平滑なコンタクトホール
が形成でき、画素電極１０の断切れによる点欠陥を防止
することができる。

【００７０】次に、図２（ｅ）に示すように、ゲート配
線１２、ソース配線１６に重畳するように、画素電極１
０をパターニングする。コンタクトホールＤでドレイン
配線１７を介して画素電極１０とドレイン電極７とが接
続される。

【００７１】このポストベーク処理以外は、実施形態１
と同様である。また、実施形態２および実施形態３に、
実施形態４のポストベーク処理を併用して作製してもよ
い。以上の方法により、液晶表示装置を作製することが
できる。

【００７２】

【発明の効果】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、スイッチング素子の上に直接接する無機絶縁膜のパ
ターンニングを、その上部に形成する層間絶縁膜をマス
クとしてエッチング処理するため、従来のように無機絶
縁膜をパターニングするためのフォトリソグラフィを行
う必要がなく、工程を短縮することができ、かつコスト
ダウンを図ることができる。

【００７３】さらに、層間絶縁膜をマスクとして無機絶
縁膜にコンタクトホールを形成するため、セルフアライ
メントにより、無機絶縁膜のコンタクトホールと層間絶
縁膜のコンタクトホールがずれることが無く、コンタク
トホールでの画素電極の断切れによる点欠陥を防止する
ことができる。

【００７４】また、コンタクトホールにおいて、画素電
極を無機絶縁膜と密着性の良い金属膜を介してドレイン
電極と接続することで、無機絶縁膜のエッジ部で発生す
る逆テーパ形状を抑制することができる。

【００７５】さらに、金属膜をソース配線材料と同一の
材料で形成することで、工程を増やすことなく、無機絶
縁膜のエッジ部で発生する逆テーパ形状を抑制すること
ができる。

【００７６】また、仮に逆テーパ形状になったとして
も、無機絶縁膜のエッチング処理後にポストベークを施
すことにより、逆テーパ形状のない平滑なコンタクトホ
ールが形成でき、画素電極の断切れによる点欠陥を防止
することができる。

【００７７】上記のことから、表示品位が高く、安価
で、信頼性の高い液晶表示装置を高歩留りで作製するこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示装置の平面図を示す。

【図２】実施形態１の製造方法を示す図である。

【図３】実施形態２の製造方法を示す図である。

【図４】無機絶縁層８のエッジ部が逆テーパ形状になっ
た場合の断面図である。

【図５】実施形態４の製造方法を示す図である。

【図６】従来例の液晶表示装置の断面を示す断面図であ
る。

【図７】従来例の液晶表示装置の平面図を示す。

【図８】従来例の液晶表示装置の製造方法を示す図であ
る。

【図９】従来例の液晶表示装置おける画素電極１０の断
切れによる点欠陥が発生する場合の断面図である。

【符号の説明】

１基板２ゲート電極３ゲート絶縁膜４半導体層５コンタクト層６ソース電極７ドレイン電極８無機絶縁膜９層間絶縁膜１０画素電極１１ＴＦＴ１２ゲート配線１６ソース配線１７ドレイン配線１６ａ１７ａ２７金属膜１６ｂ１７ｂ透明導電膜ＢＣＤコンタクトホール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、ゲート配線およびソース配線
がマトリクス状に形成され、該ゲート配線およびソース
配線で囲まれた領域にそれぞれスイッチング素子が形成
され、該スイッチング素子の上部に層間絶縁膜が形成さ
れ、該層間絶縁膜上に形成された画素電極が該層間絶縁
膜を貫くコンタクトホールを介して、前記スイッチング
素子のドレイン電極と接続される液晶表示装置の製造方
法において、前記スイッチング素子の上に無機絶縁膜を形成する工程
と、前記無機絶縁膜の上に前記層間絶縁膜を形成した後、パ
ターニングすると共に、前記層間絶縁膜を貫くコンタク
トホールを形成する工程と、前記層間絶縁膜をマスクとして、前記無機絶縁膜をエッ
チングし、パターニングする工程を含むことを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】前記無機絶縁膜を形成する工程の前に、前記無機絶縁膜の下層に、少なくともコンタクトホール
が形成される領域に、金属膜を形成する工程を含むこと
を特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】前記金属膜は、ソース配線と同一材料に
より、ソース配線と同時に形成されることを特徴とする
請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】前記無機絶縁膜のエッチング処理の工程
の後に、ポストベーク処理を施す工程を行い、その後、前記コンタクトホールに前記画素電極を形成す
る工程を含むことを特徴とする請求項１、２、３記載の
液晶表示装置の製造方法。