JPH1048664A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH1048664A JPH1048664A JP19095096A JP19095096A JPH1048664A JP H1048664 A JPH1048664 A JP H1048664A JP 19095096 A JP19095096 A JP 19095096A JP 19095096 A JP19095096 A JP 19095096A JP H1048664 A JPH1048664 A JP H1048664A
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- capacitor
- gate
- semiconductor layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明では、画素電極（コンデンサ用画素電
極）とコンデンサ電極の間隙を小さくして、コンデンサ
の容量を大きくするものである。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、絶縁体からな
る透明基板（１）上に複数のゲート配線及びデータ配線
がマトリックス形態となっており、各配線の交差点にゲ
ート、ソース、ドレイン電極（２１、２９、３０）から
なる複数個のトランジスタと、各トランジスタのドレイ
ン電極に連結されている複数の画素電極（３３）と、画
素電極に連結された電圧維持用コンデンサを有する液晶
表示装置において、電圧維持用コンデンサが、基板上に
形成されたコンデンサの共通電極（２０）と、コンデン
サの共通電極上に形成されたゲート絶縁膜（２４）と同
一に形成された導電膜と、導電膜に形成された導電体膜
からなるコンデンサの貯蔵電極（２７′、３３−１）
と、貯蔵電極上に形成された透明電極からなるものであ
る。
極）とコンデンサ電極の間隙を小さくして、コンデンサ
の容量を大きくするものである。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、絶縁体からな
る透明基板（１）上に複数のゲート配線及びデータ配線
がマトリックス形態となっており、各配線の交差点にゲ
ート、ソース、ドレイン電極（２１、２９、３０）から
なる複数個のトランジスタと、各トランジスタのドレイ
ン電極に連結されている複数の画素電極（３３）と、画
素電極に連結された電圧維持用コンデンサを有する液晶
表示装置において、電圧維持用コンデンサが、基板上に
形成されたコンデンサの共通電極（２０）と、コンデン
サの共通電極上に形成されたゲート絶縁膜（２４）と同
一に形成された導電膜と、導電膜に形成された導電体膜
からなるコンデンサの貯蔵電極（２７′、３３−１）
と、貯蔵電極上に形成された透明電極からなるものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関する。特に画素電極に連結された電圧維
持用コンデンサの静電容量を増加させることができるよ
うにした液晶表示装置及びその製造方法に関する。
の製造方法に関する。特に画素電極に連結された電圧維
持用コンデンサの静電容量を増加させることができるよ
うにした液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ ＬＣＤ(Thin Film Transistor L
iquid Crystal Display)と呼ばれる薄膜トランジスタを
利用する液晶表示装置は、多数の画素セル等がマトリッ
クス状に配列され、各セルのソース／ドレインを連結し
た信号線（データライン）と、各セルのゲートとを連結
した走査線（またはゲートライン）によって選択される
１つの画素セルに信号電圧を印加して、所望する表示を
することができるように製作したものである。このよう
な液晶表示装置は、液晶に信号電圧を選択的に印加する
ために薄膜トランジスタを利用する。
iquid Crystal Display)と呼ばれる薄膜トランジスタを
利用する液晶表示装置は、多数の画素セル等がマトリッ
クス状に配列され、各セルのソース／ドレインを連結し
た信号線（データライン）と、各セルのゲートとを連結
した走査線（またはゲートライン）によって選択される
１つの画素セルに信号電圧を印加して、所望する表示を
することができるように製作したものである。このよう
な液晶表示装置は、液晶に信号電圧を選択的に印加する
ために薄膜トランジスタを利用する。
【０００３】従来の液晶表示装置及びその製造方法は、
図８（ａ）及び（ｂ）に示したとおり、まず絶縁体の透
明基板（１）の上にゲート電極（２）及び電荷貯蔵用
（電圧維持用）コンデンサの電極（３）（この電極は別
途に形成することができるが、実用例では画素セルに隣
接した他セルのゲート電極を利用してもかまわない）を
形成した後、陽極酸化方法によってゲート電極及びコン
デンサの電極の表面に、陽極酸化絶縁膜（４、５）を形
成する。そして前面に化学気相蒸着法によってゲート絶
縁膜（６）、非晶質シリコン層（７）、ｎ＋シリコン層
（８）を順次に蒸着した後、薄膜トランジスタが形成さ
れる素子部のｎ＋シリコン層（８）と非晶質シリコン層
（７）のみを残し、素子部以外の部分の非晶質シリコン
層（７）とｎ＋シリコン層（８）を除去する。次にスパ
ッタリング方法によって、伝導膜（導電性膜）を形成し
た後パターニングして、ソース（９）とドレイン（１
０）を形成する。
図８（ａ）及び（ｂ）に示したとおり、まず絶縁体の透
明基板（１）の上にゲート電極（２）及び電荷貯蔵用
（電圧維持用）コンデンサの電極（３）（この電極は別
途に形成することができるが、実用例では画素セルに隣
接した他セルのゲート電極を利用してもかまわない）を
形成した後、陽極酸化方法によってゲート電極及びコン
デンサの電極の表面に、陽極酸化絶縁膜（４、５）を形
成する。そして前面に化学気相蒸着法によってゲート絶
縁膜（６）、非晶質シリコン層（７）、ｎ＋シリコン層
（８）を順次に蒸着した後、薄膜トランジスタが形成さ
れる素子部のｎ＋シリコン層（８）と非晶質シリコン層
（７）のみを残し、素子部以外の部分の非晶質シリコン
層（７）とｎ＋シリコン層（８）を除去する。次にスパ
ッタリング方法によって、伝導膜（導電性膜）を形成し
た後パターニングして、ソース（９）とドレイン（１
０）を形成する。
【０００４】ソース及びドレインパターンが形成される
と、これをマスクとして使用して素子部のｎ＋シリコン
層（８）を乾式蝕刻した後、化学気相蒸着法によって保
護膜（１１）を蒸着し、ドレイン（１０）を画素電極と
連結するためにコンタクトホール（１２）を形成する。
そして、スパッタリング方法によって、透明導電層（た
とえばＩＴＯ：Indium Tin Oxide)を形成しパターニン
グして透明電極（１４）を形成する。このようにしてコ
ンタクトホール（１２）を通じてドレイン（１０）と連
結される画素電極（１４）を形成する。そして、この画
素電極の電圧維持用コンデンサの形成部分であるコンデ
ンサ用画素電極とコンデンサ電極が、１つの電圧維持用
コンデンサを形成する。
と、これをマスクとして使用して素子部のｎ＋シリコン
層（８）を乾式蝕刻した後、化学気相蒸着法によって保
護膜（１１）を蒸着し、ドレイン（１０）を画素電極と
連結するためにコンタクトホール（１２）を形成する。
そして、スパッタリング方法によって、透明導電層（た
とえばＩＴＯ：Indium Tin Oxide)を形成しパターニン
グして透明電極（１４）を形成する。このようにしてコ
ンタクトホール（１２）を通じてドレイン（１０）と連
結される画素電極（１４）を形成する。そして、この画
素電極の電圧維持用コンデンサの形成部分であるコンデ
ンサ用画素電極とコンデンサ電極が、１つの電圧維持用
コンデンサを形成する。
【０００５】このように製作されたＴＦＴ ＬＣＤの動
作を簡略に説明する。走査線（ゲートライン）に走査信
号が印加されるとＴＦＴがオンされて、信号線(データ
ライン)に沿って伝達されてくる映像信号が、ＴＦＴチ
ャンネルを通じて画素電極（１４）に伝達され、液晶に
電圧が印加されることによって液晶の光透過特性を変化
させて必要な表示をするようになる。１つの画素セルに
伝達されたこのような映像信号は、次の走査時に映像信
号が入ってくるまで一定期間の間維持してくれることが
できなければならないが、この役割を果たすのが電圧維
持用コンデンサ部分である。
作を簡略に説明する。走査線（ゲートライン）に走査信
号が印加されるとＴＦＴがオンされて、信号線(データ
ライン)に沿って伝達されてくる映像信号が、ＴＦＴチ
ャンネルを通じて画素電極（１４）に伝達され、液晶に
電圧が印加されることによって液晶の光透過特性を変化
させて必要な表示をするようになる。１つの画素セルに
伝達されたこのような映像信号は、次の走査時に映像信
号が入ってくるまで一定期間の間維持してくれることが
できなければならないが、この役割を果たすのが電圧維
持用コンデンサ部分である。
【０００６】映像信号が画素電極に伝達されて一定期間
の間電圧が維持してはじめて画面の質が良くなる。それ
で映像信号電圧を一定期間の間維持してくれることがで
きる、一定大きさ以上の蓄積容量のコンデンサが要求さ
れる。この電圧維持用コンデンサ部分の容量は、画素電
極と下部コンデンサの電極間の重畳される面積に比例
し、両電極間の導電体の厚さ（ｄ２）には反比例をなす
ようになる。従って一定大きさ以上のコンデンサを製作
するためには、両電極の重畳面積と両電極間の導電体厚
さが重要な設計要素となる。
の間電圧が維持してはじめて画面の質が良くなる。それ
で映像信号電圧を一定期間の間維持してくれることがで
きる、一定大きさ以上の蓄積容量のコンデンサが要求さ
れる。この電圧維持用コンデンサ部分の容量は、画素電
極と下部コンデンサの電極間の重畳される面積に比例
し、両電極間の導電体の厚さ（ｄ２）には反比例をなす
ようになる。従って一定大きさ以上のコンデンサを製作
するためには、両電極の重畳面積と両電極間の導電体厚
さが重要な設計要素となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記で例として説明し
た従来の製造方法によって製作された電圧維持用コンデ
ンサ部分の積層構造を見ると、ガラス基板上に形成され
たコンデンサ電極（３）、陽極酸化絶縁膜（５）、ゲー
ト絶縁膜（６）、保護絶縁膜（１１）、そしてその上に
画素電極（１４）が積層されている構造となっている。
従って、必要とするほどの静電容量を得るためには、コ
ンデンサ電極（３）の面積を増加させなければならなか
った。しかし、コンデンサ電極の面積を増加させると、
コンデンサ電極は不透明体であるので光を透過させる面
積を減少させる結果を招来して、開口率減少効果をもた
らす。
た従来の製造方法によって製作された電圧維持用コンデ
ンサ部分の積層構造を見ると、ガラス基板上に形成され
たコンデンサ電極（３）、陽極酸化絶縁膜（５）、ゲー
ト絶縁膜（６）、保護絶縁膜（１１）、そしてその上に
画素電極（１４）が積層されている構造となっている。
従って、必要とするほどの静電容量を得るためには、コ
ンデンサ電極（３）の面積を増加させなければならなか
った。しかし、コンデンサ電極の面積を増加させると、
コンデンサ電極は不透明体であるので光を透過させる面
積を減少させる結果を招来して、開口率減少効果をもた
らす。
【０００８】また、両極間の間隙を減少させるために保
護膜層を除去すると、厚さが薄くなるので静電容量が増
加されるはずであるが、この保護膜層を除去するために
蝕刻しようとしても、通常的にゲート絶縁膜と同一な物
質から形成される保護膜のみを蝕刻することが非常に難
しい。保護膜を蝕刻しながらゲート絶縁膜を損傷される
と、導電層の絶縁が破壊されコンデンサ電極と画素電極
が短絡されて不良が発生することになる。従って、従来
の方法では両電極間の厚さを減少させるに限界があっ
た。本発明の目的は、画素電極（コンデンサ用画素電
極）とコンデンサ電極の間隙を小さくして、電圧維持用
コンデンサの容量を大きくするにある。
護膜層を除去すると、厚さが薄くなるので静電容量が増
加されるはずであるが、この保護膜層を除去するために
蝕刻しようとしても、通常的にゲート絶縁膜と同一な物
質から形成される保護膜のみを蝕刻することが非常に難
しい。保護膜を蝕刻しながらゲート絶縁膜を損傷される
と、導電層の絶縁が破壊されコンデンサ電極と画素電極
が短絡されて不良が発生することになる。従って、従来
の方法では両電極間の厚さを減少させるに限界があっ
た。本発明の目的は、画素電極（コンデンサ用画素電
極）とコンデンサ電極の間隙を小さくして、電圧維持用
コンデンサの容量を大きくするにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、複数のゲート配線及びデータ配線がマトリックス形
態となっており、前記各配線の交叉点にゲート、ソー
ス、ドレイン電極からなる複数のトランジスタと、前記
各トランジスタのドレイン電極に連結されている複数の
画素電極と、前記画素電極に形成されている電圧維持用
コンデンサから構成された液晶表示装置において、前記
の電圧維持用コンデンサはコンデンサ電極、ゲート絶縁
膜、半導体膜、また透明電極とからなる。前記の電圧維
持用コンデンサの半導体膜は、前記トランジスタの半導
体領域と同一物質を使用する。また他の例として、前記
の電圧維持用コンデンサはコンデンサ電極、ゲート絶縁
膜、金属膜、また透明電極からなる。コンデンサの金属
膜は、前記トランジスタのソース、ドレイン電極と同一
物質を使用する。
は、複数のゲート配線及びデータ配線がマトリックス形
態となっており、前記各配線の交叉点にゲート、ソー
ス、ドレイン電極からなる複数のトランジスタと、前記
各トランジスタのドレイン電極に連結されている複数の
画素電極と、前記画素電極に形成されている電圧維持用
コンデンサから構成された液晶表示装置において、前記
の電圧維持用コンデンサはコンデンサ電極、ゲート絶縁
膜、半導体膜、また透明電極とからなる。前記の電圧維
持用コンデンサの半導体膜は、前記トランジスタの半導
体領域と同一物質を使用する。また他の例として、前記
の電圧維持用コンデンサはコンデンサ電極、ゲート絶縁
膜、金属膜、また透明電極からなる。コンデンサの金属
膜は、前記トランジスタのソース、ドレイン電極と同一
物質を使用する。
【００１０】本発明の製造方法は、絶縁体の透明基板上
にゲート電極とコンデンサの共通電極を形成する工程
と、前記のゲート電極上にゲート絶縁膜、非晶質半導体
層、ドーピングされた半導体層を順次に積層形成し、前
記のゲート絶縁膜上の非晶質半導体層とドーピングされ
た半導体層とをパターニングして、トランジスタ形成用
半導体層を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜と前記ト
ランジスタ形成用の半導体層のドーピングされた半導体
層上に導電層を形成し、トランジスタのチャンネルが形
成される部位を除外した領域に、トランジスタのソース
及びドレイン領域と電圧維持用コンデンサが形成される
領域にある導電層のみを残して前記の導電層を蝕刻し
て、ソース及びドレイン電極と電圧維持用コンデンサの
貯蔵電極を形成する工程と、前記のソース及びドレイン
電極をマスクとして前記のドーピングされた半導体層を
蝕刻する工程と、全体の表面に保護膜を蒸着した後、ド
レイン領域上に保護膜を蝕刻してコンタクトホールを形
成すると同時に、電圧維持用コンデンサの貯蔵電極上の
一部保護膜を蝕刻して、貯蔵電極表面の一部をオープン
する工程と、前面に透明導電層を形成しパターニングし
ピクセル電極を形成して、このピクセル電極がドレイン
電極と貯蔵電極を連結するようにする工程を含んでな
る。
にゲート電極とコンデンサの共通電極を形成する工程
と、前記のゲート電極上にゲート絶縁膜、非晶質半導体
層、ドーピングされた半導体層を順次に積層形成し、前
記のゲート絶縁膜上の非晶質半導体層とドーピングされ
た半導体層とをパターニングして、トランジスタ形成用
半導体層を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜と前記ト
ランジスタ形成用の半導体層のドーピングされた半導体
層上に導電層を形成し、トランジスタのチャンネルが形
成される部位を除外した領域に、トランジスタのソース
及びドレイン領域と電圧維持用コンデンサが形成される
領域にある導電層のみを残して前記の導電層を蝕刻し
て、ソース及びドレイン電極と電圧維持用コンデンサの
貯蔵電極を形成する工程と、前記のソース及びドレイン
電極をマスクとして前記のドーピングされた半導体層を
蝕刻する工程と、全体の表面に保護膜を蒸着した後、ド
レイン領域上に保護膜を蝕刻してコンタクトホールを形
成すると同時に、電圧維持用コンデンサの貯蔵電極上の
一部保護膜を蝕刻して、貯蔵電極表面の一部をオープン
する工程と、前面に透明導電層を形成しパターニングし
ピクセル電極を形成して、このピクセル電極がドレイン
電極と貯蔵電極を連結するようにする工程を含んでな
る。
【００１１】また、前記の工程中でゲート電極上にゲー
ト絶縁膜、非晶質半導体層、ドーピングされた半導体層
を順次に積層形成した後、トランジスタの形成領域と電
圧維持用コンデンサの形成領域を除外した領域にある前
記のゲート絶縁膜上の、非晶質半導体層とドーピングさ
れた半導体層を蝕刻してトランジスタ形成用半導体層を
形成すると同時に、前記コンデンサの貯蔵電極を形成
し、次の工程では工程と貯蔵電極の形成を省略すればよ
い。本発明の液晶表示装置の画素セルは、液晶に電位を
加えるための透明画素電極、この画素電極に信号電圧を
供給するためのスイッチング用トランジスタ、また画素
電極に供給された信号電圧をトランジスタがオフされた
後にも必要な時間ほど維持させるための電圧維持用コン
デンサを含んで構成される従来の液晶表示装置におい
て、コンデンサはゲート電極と同一な基板上に形成され
たコンデンサ共通電極と、コンデンサ共通電極上に形成
されたトランジスタのゲート絶縁層のように形成された
コンデンサ導電層と、コンデンサ導電層上に形成された
コンデンサ貯蔵電極からなる。
ト絶縁膜、非晶質半導体層、ドーピングされた半導体層
を順次に積層形成した後、トランジスタの形成領域と電
圧維持用コンデンサの形成領域を除外した領域にある前
記のゲート絶縁膜上の、非晶質半導体層とドーピングさ
れた半導体層を蝕刻してトランジスタ形成用半導体層を
形成すると同時に、前記コンデンサの貯蔵電極を形成
し、次の工程では工程と貯蔵電極の形成を省略すればよ
い。本発明の液晶表示装置の画素セルは、液晶に電位を
加えるための透明画素電極、この画素電極に信号電圧を
供給するためのスイッチング用トランジスタ、また画素
電極に供給された信号電圧をトランジスタがオフされた
後にも必要な時間ほど維持させるための電圧維持用コン
デンサを含んで構成される従来の液晶表示装置におい
て、コンデンサはゲート電極と同一な基板上に形成され
たコンデンサ共通電極と、コンデンサ共通電極上に形成
されたトランジスタのゲート絶縁層のように形成された
コンデンサ導電層と、コンデンサ導電層上に形成された
コンデンサ貯蔵電極からなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態１の液
晶表示装置の画素セルを製作する工程を段階別に示した
断面図である。図１（ａ）に示したように、ガラスのよ
うな絶縁体の透明基板（１）上に導電層を形成し、写真
蝕刻工程で走査線に使用されるゲート電極（２１）と、
電圧維持用に使用されるコンデンサ共通電極（２０）
（このコンデンサ電極は別途に形成することもできる
が、一般的に画素セルに隣接した他セルのゲート電極を
利用するので、結局ゲート電極を意味する。以下同様で
ある）のパターンを作る。導電層の形成は、スパッタリ
ング方法または化学気相蒸着方法等の、すでに知られて
いる方法を利用すればよい。次いで、陽極酸化工程を実
施して、ゲート電極表面に陽極酸化膜（２２）を形成さ
せる。隣接した画素セルのゲート電極のコンデンサ共通
電極（２０）の表面にも陽極酸化膜が形成される。
晶表示装置の画素セルを製作する工程を段階別に示した
断面図である。図１（ａ）に示したように、ガラスのよ
うな絶縁体の透明基板（１）上に導電層を形成し、写真
蝕刻工程で走査線に使用されるゲート電極（２１）と、
電圧維持用に使用されるコンデンサ共通電極（２０）
（このコンデンサ電極は別途に形成することもできる
が、一般的に画素セルに隣接した他セルのゲート電極を
利用するので、結局ゲート電極を意味する。以下同様で
ある）のパターンを作る。導電層の形成は、スパッタリ
ング方法または化学気相蒸着方法等の、すでに知られて
いる方法を利用すればよい。次いで、陽極酸化工程を実
施して、ゲート電極表面に陽極酸化膜（２２）を形成さ
せる。隣接した画素セルのゲート電極のコンデンサ共通
電極（２０）の表面にも陽極酸化膜が形成される。
【００１３】次に、図１（ｂ）に図示されたように、化
学気相法（ＰＥＣＶＤ）によって前面にゲート絶縁膜
（２４）を形成し、その上に非晶質シリコン層とｎ＋で
ドーピングされたシリコン層を形成し、写真蝕刻工程に
よって非晶質シリコン層とｎ＋シリコン層をパターニン
グして、素子形成部分の非晶質シリコン層（２５）とｎ
＋シリコン層（２６）、そしてコンデンサが形成される
コンデンサの貯蔵電極となる部分の非晶質シリコン層
（２７）及びｎ＋シリコン層（２８）を形成する。この
際、ゲート絶縁膜にはシリコンナイトライドで形成し、
ｎ＋でドーピングされたシリコン層は化学気相蒸着方法
によってドーピングされたシリコンを蒸着し、または非
晶質シリコン層を形成した後、不純物をイオン注入して
形成する。このようにした後、図１（ｃ）に図示したよ
うに、スパッタリング方法によって導電膜を蒸着した後
にソース電極（２９）及びドレイン電極（３０）のパタ
ーンを形成する。
学気相法（ＰＥＣＶＤ）によって前面にゲート絶縁膜
（２４）を形成し、その上に非晶質シリコン層とｎ＋で
ドーピングされたシリコン層を形成し、写真蝕刻工程に
よって非晶質シリコン層とｎ＋シリコン層をパターニン
グして、素子形成部分の非晶質シリコン層（２５）とｎ
＋シリコン層（２６）、そしてコンデンサが形成される
コンデンサの貯蔵電極となる部分の非晶質シリコン層
（２７）及びｎ＋シリコン層（２８）を形成する。この
際、ゲート絶縁膜にはシリコンナイトライドで形成し、
ｎ＋でドーピングされたシリコン層は化学気相蒸着方法
によってドーピングされたシリコンを蒸着し、または非
晶質シリコン層を形成した後、不純物をイオン注入して
形成する。このようにした後、図１（ｃ）に図示したよ
うに、スパッタリング方法によって導電膜を蒸着した後
にソース電極（２９）及びドレイン電極（３０）のパタ
ーンを形成する。
【００１４】次いで、図２（ａ）のように、ソース電極
（２９）及びドレイン電極（３０）のパターンをマスク
として使用して、ｎ＋シリコン層（２６）を乾式蝕刻す
ると素子形成部分のｎ＋シリコン層（２６）が除去され
るが、この際コンデンサ形成部分のｎ＋シリコン層（２
８）がすべて蝕刻され、非晶質シリコン層（２７）表面
の一部が蝕刻される。コンデンサ形成部分に残る非晶質
シリコン層の厚さが1000Å内外に残るようにする。次
は、図２（ｂ）のように全体の表面に、保護膜（３１）
を化学気相法によって蒸着した後、写真蝕刻方法によっ
て保護膜の所定部位を蝕刻して、画素電極とドレイン電
極を接触させるためのコンタクトホール（３２）を開
き、コンデンサ形成部分のコンデンサ共通電極の上部
に、電圧維持用コンデンサの貯蔵電極表面の一部をオー
プンする。
（２９）及びドレイン電極（３０）のパターンをマスク
として使用して、ｎ＋シリコン層（２６）を乾式蝕刻す
ると素子形成部分のｎ＋シリコン層（２６）が除去され
るが、この際コンデンサ形成部分のｎ＋シリコン層（２
８）がすべて蝕刻され、非晶質シリコン層（２７）表面
の一部が蝕刻される。コンデンサ形成部分に残る非晶質
シリコン層の厚さが1000Å内外に残るようにする。次
は、図２（ｂ）のように全体の表面に、保護膜（３１）
を化学気相法によって蒸着した後、写真蝕刻方法によっ
て保護膜の所定部位を蝕刻して、画素電極とドレイン電
極を接触させるためのコンタクトホール（３２）を開
き、コンデンサ形成部分のコンデンサ共通電極の上部
に、電圧維持用コンデンサの貯蔵電極表面の一部をオー
プンする。
【００１５】このとき、保護膜を形成するための物質と
しては、下部にある非晶質シリコン層と蝕刻選択性があ
る物質を使用する。例えば、シリコンナイトライド物質
を使用する。もし、非晶質シリコン層がなければ、ゲー
ト絶縁膜（２４）に使用される物質が保護膜（３１）と
同様な物質となるので、保護膜だけを蝕刻するための蝕
刻程度を予測できなくなり、蝕刻しすぎるとゲート電極
が現れるがまたは少なく蝕刻される場合が発生される問
題がある。そのため蝕刻程度の把握ができなくなる。一
般的にゲート絶縁膜（２４）と保護膜（３１）は同じ物
質を使用するので、この両膜の間に存在する中間層（こ
こでは非晶質シリコン）を形成する物質を選択すると
き、この両膜と蝕刻選択性がある物質を選択する。
しては、下部にある非晶質シリコン層と蝕刻選択性があ
る物質を使用する。例えば、シリコンナイトライド物質
を使用する。もし、非晶質シリコン層がなければ、ゲー
ト絶縁膜（２４）に使用される物質が保護膜（３１）と
同様な物質となるので、保護膜だけを蝕刻するための蝕
刻程度を予測できなくなり、蝕刻しすぎるとゲート電極
が現れるがまたは少なく蝕刻される場合が発生される問
題がある。そのため蝕刻程度の把握ができなくなる。一
般的にゲート絶縁膜（２４）と保護膜（３１）は同じ物
質を使用するので、この両膜の間に存在する中間層（こ
こでは非晶質シリコン）を形成する物質を選択すると
き、この両膜と蝕刻選択性がある物質を選択する。
【００１６】この保護膜の蝕刻方法としては、乾式蝕刻
方法を利用してシリコンナイトライドを蝕刻するとき発
生される窒素物質を、下部の非晶質シリコンを蝕刻する
とき発生される副産物が互いに異なるという点を利用し
て、蝕刻停止点を検出し正確に蝕刻することができる。
この蝕刻工程を説明するために、図５は蝕刻時間に対す
る窒素発生比率を図示しておいた。保護膜を蝕刻する方
法としては、窒素発生比率が、蝕刻を始める時は一定し
た比率にされてから“Ａ”時点では保護膜（３１）がす
べて蝕刻され、下部の非晶質シリコン層が蝕刻しはじめ
るということが認められ、“Ｂ”に表示した時間では、
非晶質シリコン層（２７）がすべて蝕刻され、非晶質シ
リコン層下部のゲート絶縁層（２４）のシリコンナイト
ライドが蝕刻し始めるということが認められる。
方法を利用してシリコンナイトライドを蝕刻するとき発
生される窒素物質を、下部の非晶質シリコンを蝕刻する
とき発生される副産物が互いに異なるという点を利用し
て、蝕刻停止点を検出し正確に蝕刻することができる。
この蝕刻工程を説明するために、図５は蝕刻時間に対す
る窒素発生比率を図示しておいた。保護膜を蝕刻する方
法としては、窒素発生比率が、蝕刻を始める時は一定し
た比率にされてから“Ａ”時点では保護膜（３１）がす
べて蝕刻され、下部の非晶質シリコン層が蝕刻しはじめ
るということが認められ、“Ｂ”に表示した時間では、
非晶質シリコン層（２７）がすべて蝕刻され、非晶質シ
リコン層下部のゲート絶縁層（２４）のシリコンナイト
ライドが蝕刻し始めるということが認められる。
【００１７】本実施の形態では、図２（ｂ）に示したよ
うに、図５の蝕刻タイム“Ｂ”で停止して、非晶質シリ
コン層を完全に除去しゲート絶縁層の一部まで蝕刻し
て、形成されるコンデンサの静電容量の増大を図る。他
の実施の形態は図３に図示するように、図５の蝕刻時間
“Ａ”で蝕刻を停止させて非晶質シリコン層をそのまま
置いて保護層（３１）のみを蝕刻し、非晶質シリコン層
（２７）を電圧維持用コンデンサの貯蔵電極に利用する
ようにした例である。保護膜層をパターニングした後、
図２（ｃ）に図示するように、画素電極形成とコンデン
サの貯蔵電極形成のために、透明導電層（ＩＴＯ）を全
体表面に形成した後パターニングすると、コンタクトホ
ール（３２）で画素電極（３３）とドレイン電極（３
０）が接触されて電気的に連結され、またコンデンサ用
の画素電極（３３−１）と、リング形態に残留する非晶
質シリコン層（２７’）と連結されて、この非晶質シリ
コン層（２７’）と共に電圧維持用コンデンサの貯蔵電
極（２７’、３３−１）の役割を果たすようになる。図
３に図示されたような他の実施の形態では、画素電極の
コンデンサ形成部分（３３−１）と非晶質シリコン層
（２７）が連結されて、またコンデンサの貯蔵電極と画
素電極が電気的に連結される。このような工程後は、一
般的な工程によって画素セルとＴＦＴ ＬＣＤを完了す
る。
うに、図５の蝕刻タイム“Ｂ”で停止して、非晶質シリ
コン層を完全に除去しゲート絶縁層の一部まで蝕刻し
て、形成されるコンデンサの静電容量の増大を図る。他
の実施の形態は図３に図示するように、図５の蝕刻時間
“Ａ”で蝕刻を停止させて非晶質シリコン層をそのまま
置いて保護層（３１）のみを蝕刻し、非晶質シリコン層
（２７）を電圧維持用コンデンサの貯蔵電極に利用する
ようにした例である。保護膜層をパターニングした後、
図２（ｃ）に図示するように、画素電極形成とコンデン
サの貯蔵電極形成のために、透明導電層（ＩＴＯ）を全
体表面に形成した後パターニングすると、コンタクトホ
ール（３２）で画素電極（３３）とドレイン電極（３
０）が接触されて電気的に連結され、またコンデンサ用
の画素電極（３３−１）と、リング形態に残留する非晶
質シリコン層（２７’）と連結されて、この非晶質シリ
コン層（２７’）と共に電圧維持用コンデンサの貯蔵電
極（２７’、３３−１）の役割を果たすようになる。図
３に図示されたような他の実施の形態では、画素電極の
コンデンサ形成部分（３３−１）と非晶質シリコン層
（２７）が連結されて、またコンデンサの貯蔵電極と画
素電極が電気的に連結される。このような工程後は、一
般的な工程によって画素セルとＴＦＴ ＬＣＤを完了す
る。
【００１８】図４はこのように製作される本発明の画素
セルのレイアウトを図示したものである。信号線と走査
線が互いに交叉するように配列され、ゲート電極（２
１）が走査線（４０）に連結されソース電極（２９）が
信号線（５０）に連結され、ドレイン電極（３０）が画
素電極（３３）に連結され、画素電極（３３）の一部分
にコンデンサ用画素電極（３３−１）が共に形成され
る。電圧維持用コンデンサが参照符号６０で指す部分に
形成される。コンデンサの貯蔵電極（２７’、３３−
１）の下部には隣接した他セルのゲート電極が通るよう
に配列されている。
セルのレイアウトを図示したものである。信号線と走査
線が互いに交叉するように配列され、ゲート電極（２
１）が走査線（４０）に連結されソース電極（２９）が
信号線（５０）に連結され、ドレイン電極（３０）が画
素電極（３３）に連結され、画素電極（３３）の一部分
にコンデンサ用画素電極（３３−１）が共に形成され
る。電圧維持用コンデンサが参照符号６０で指す部分に
形成される。コンデンサの貯蔵電極（２７’、３３−
１）の下部には隣接した他セルのゲート電極が通るよう
に配列されている。
【００１９】以上説明したような本発明によって製造さ
れた画素セルにおいては、電圧維持用コンデンサが、コ
ンデンサ共通電極（２０）とコンデンサ貯蔵電極（２
７’、３３−１）が、ゲート絶縁膜（２４）の厚さ以下
の厚さで互いに対向して位置するので、従来の技術に比
してより大きい蓄積容量を有する。図３の他の例でも、
電圧維持用コンデンサが、コンデンサ電極（２０）とコ
ンデンサ用画素電極（２７）がゲート絶縁膜（２４）の
厚さで互いに対向して位置するので、従来の技術に比し
てより大きい蓄積容量を有する。
れた画素セルにおいては、電圧維持用コンデンサが、コ
ンデンサ共通電極（２０）とコンデンサ貯蔵電極（２
７’、３３−１）が、ゲート絶縁膜（２４）の厚さ以下
の厚さで互いに対向して位置するので、従来の技術に比
してより大きい蓄積容量を有する。図３の他の例でも、
電圧維持用コンデンサが、コンデンサ電極（２０）とコ
ンデンサ用画素電極（２７）がゲート絶縁膜（２４）の
厚さで互いに対向して位置するので、従来の技術に比し
てより大きい蓄積容量を有する。
【００２０】図６は本発明の実施の形態２を説明するた
めの電圧維持用コンデンサ領域の断面を図示したもの
で、図１と図６を参照しながら図６の実施の形態を説明
する。まず、実施の形態１の図１（ａ）のように、ガラ
スのような透明基板（１）上に導電層を形成し、写真蝕
刻工程によって走査線に使用されるゲート電極（２１）
と、電圧維持用に使用されるコンデンサ共通電極（２
０）のパターンを作る。コンデンサの共通電極もまた、
隣接した画素セルのゲート電極となる。次いで、陽極酸
化工程を実施してゲート電極の表面に陽極酸化膜（２
２）を形成させ、またコンデンサ電極（２０）表面に陽
極酸化膜（２３）を形成させる。
めの電圧維持用コンデンサ領域の断面を図示したもの
で、図１と図６を参照しながら図６の実施の形態を説明
する。まず、実施の形態１の図１（ａ）のように、ガラ
スのような透明基板（１）上に導電層を形成し、写真蝕
刻工程によって走査線に使用されるゲート電極（２１）
と、電圧維持用に使用されるコンデンサ共通電極（２
０）のパターンを作る。コンデンサの共通電極もまた、
隣接した画素セルのゲート電極となる。次いで、陽極酸
化工程を実施してゲート電極の表面に陽極酸化膜（２
２）を形成させ、またコンデンサ電極（２０）表面に陽
極酸化膜（２３）を形成させる。
【００２１】次は、化学気相法（ＰＥＣＶＤ）によって
ゲート絶縁膜（２４）を形成し、その上に非晶質シリコ
ン層とｎ＋でドーピングされたシリコン層を形成し、写
真蝕刻工程によって非晶質シリコン層とｎ＋シリコン層
をパターニングして、素子形成部分の非晶質シリコン層
（２５）とｎ＋シリコン層（２６）を形成する。この
時、コンデンサ部分のコンデンサ電極部分には、図６の
図示ように非晶質シリコン層またはｎ＋シリコン層を形
成しない。このようにした後、スパッタリング方法によ
って導電膜を蒸着した後、ソース電極（２９）及びドレ
イン電極（３０）とコンデンサの形成領域に、コンデン
サ貯蔵電極の導電層（５２）のパターンを形成する。こ
のソース電極（２９）及びドレイン電極（３０）とコン
デンサの導電層（５２）を形成するための物質は、下部
のゲート絶縁膜及びシリコンと蝕刻選択性が大きい物質
を使用する。例えば、アルミニウムのような金属をスパ
ッタリングして形成することもでき、ＩＴＯのような物
質を使用して形成することもできる。コンデンサ用導電
層の大きさは図１（ｂ）で非晶質シリコン層（２７）と
同じ面積で形成すればよい。
ゲート絶縁膜（２４）を形成し、その上に非晶質シリコ
ン層とｎ＋でドーピングされたシリコン層を形成し、写
真蝕刻工程によって非晶質シリコン層とｎ＋シリコン層
をパターニングして、素子形成部分の非晶質シリコン層
（２５）とｎ＋シリコン層（２６）を形成する。この
時、コンデンサ部分のコンデンサ電極部分には、図６の
図示ように非晶質シリコン層またはｎ＋シリコン層を形
成しない。このようにした後、スパッタリング方法によ
って導電膜を蒸着した後、ソース電極（２９）及びドレ
イン電極（３０）とコンデンサの形成領域に、コンデン
サ貯蔵電極の導電層（５２）のパターンを形成する。こ
のソース電極（２９）及びドレイン電極（３０）とコン
デンサの導電層（５２）を形成するための物質は、下部
のゲート絶縁膜及びシリコンと蝕刻選択性が大きい物質
を使用する。例えば、アルミニウムのような金属をスパ
ッタリングして形成することもでき、ＩＴＯのような物
質を使用して形成することもできる。コンデンサ用導電
層の大きさは図１（ｂ）で非晶質シリコン層（２７）と
同じ面積で形成すればよい。
【００２２】次いで、ソース電極（２９）及びドレイン
電極（３０）のパターンをマスクとして使用して、素子
形成領域のｎ＋シリコン層（２６）を乾式蝕刻して除去
すると、素子形成部分のｎ＋シリコン層が除去され図２
（ａ）の左側に図示されたようにＴＦＴが形成される。
次は、全体の表面に保護膜（３１）を化学気相法によっ
て蒸着した後、写真蝕刻方法で保護膜の所定部位を蝕刻
して、画素電極とドレイン電極を接触させるためのコン
タクトホール（３２）を開き、コンデンサの貯蔵電極上
にコンデンサ用画素電極部位をオープンする。このとき
保護膜を形成するための物質としては、下部にある導電
層と蝕刻選択性がある物質を使用する。例えば、シリコ
ンナイトライド(SILICON NITRIDE)物質を使用する。こ
の蝕刻工程もまた図５の蝕刻時間に“Ａ”時点で蝕刻を
止めて、保護膜のシリコンナイトライドのパターニング
ができる。
電極（３０）のパターンをマスクとして使用して、素子
形成領域のｎ＋シリコン層（２６）を乾式蝕刻して除去
すると、素子形成部分のｎ＋シリコン層が除去され図２
（ａ）の左側に図示されたようにＴＦＴが形成される。
次は、全体の表面に保護膜（３１）を化学気相法によっ
て蒸着した後、写真蝕刻方法で保護膜の所定部位を蝕刻
して、画素電極とドレイン電極を接触させるためのコン
タクトホール（３２）を開き、コンデンサの貯蔵電極上
にコンデンサ用画素電極部位をオープンする。このとき
保護膜を形成するための物質としては、下部にある導電
層と蝕刻選択性がある物質を使用する。例えば、シリコ
ンナイトライド(SILICON NITRIDE)物質を使用する。こ
の蝕刻工程もまた図５の蝕刻時間に“Ａ”時点で蝕刻を
止めて、保護膜のシリコンナイトライドのパターニング
ができる。
【００２３】このようにした後、画素電極を形成するた
めに、透明導電層（ＩＴＯ）を全体の表面に形成した後
パターニングして、コンタクトホール（３２）で画素電
極（３３）とドレイン電極（３０）が接触されて電気的
に連結され、また画素電極（３３）の一部分のコンデン
サ用画素電極（３３−１）がコンデンサ導電層（５２）
と連結される。このような工程後は、一般的な工程を実
施して画素セルとＴＦＴ ＬＣＤ製作を完了する。この
ように製作された本発明の画素セルのレイアウト図であ
る図４に図示したように、コンデンサの共通電極として
隣接するゲートライン（２０）を使用する方式となる
か、また図７に図示したようにコンデンサの共通電極と
して隣接するゲートライン（２０）を利用せず、別途の
共通コンデンサ電極ライン（２０’）を使用する方式と
なる。
めに、透明導電層（ＩＴＯ）を全体の表面に形成した後
パターニングして、コンタクトホール（３２）で画素電
極（３３）とドレイン電極（３０）が接触されて電気的
に連結され、また画素電極（３３）の一部分のコンデン
サ用画素電極（３３−１）がコンデンサ導電層（５２）
と連結される。このような工程後は、一般的な工程を実
施して画素セルとＴＦＴ ＬＣＤ製作を完了する。この
ように製作された本発明の画素セルのレイアウト図であ
る図４に図示したように、コンデンサの共通電極として
隣接するゲートライン（２０）を使用する方式となる
か、また図７に図示したようにコンデンサの共通電極と
して隣接するゲートライン（２０）を利用せず、別途の
共通コンデンサ電極ライン（２０’）を使用する方式と
なる。
【００２４】本発明の方法によって製作されたＬＣＤ表
示素子の画素セルは、液晶に電位を加えるための画素電
極（３３）と、素子部に形成されたソース電極（２
９）、ゲート電極（２１）及び画素電極に連結されたド
レイン電極（３０）を有してゲート電極に印加される電
圧によって、ターンオンまたはターンオフされてソース
電極の信号をドレイン電極に連結するスイッチング用ト
ランジスタと、画素電極に供給された信号電圧をトラン
ジスタがオフされた後も、必要な時間ほど維持させるた
めに画素電極と連結されて電荷を蓄積するコンデンサを
含んで構成されるが、コンデンサはゲート電極と同一な
基板上に形成されたコンデンサ電極（２０）と、コンデ
ンサ電極上に形成されたゲート絶縁層（２４）のコンデ
ンサ導電層と、コンデンサ導電層上に形成されたコンデ
ンサの貯蔵電極（２７、３３−１、５２）と、コンデン
サ導電層上に形成されたコンデンサの貯蔵電極上のコン
デンサ絶縁層（３１）と、絶縁層（３１）が覆っていな
い貯蔵用電極に画素電極（３３）が電気的に連結されて
なる。
示素子の画素セルは、液晶に電位を加えるための画素電
極（３３）と、素子部に形成されたソース電極（２
９）、ゲート電極（２１）及び画素電極に連結されたド
レイン電極（３０）を有してゲート電極に印加される電
圧によって、ターンオンまたはターンオフされてソース
電極の信号をドレイン電極に連結するスイッチング用ト
ランジスタと、画素電極に供給された信号電圧をトラン
ジスタがオフされた後も、必要な時間ほど維持させるた
めに画素電極と連結されて電荷を蓄積するコンデンサを
含んで構成されるが、コンデンサはゲート電極と同一な
基板上に形成されたコンデンサ電極（２０）と、コンデ
ンサ電極上に形成されたゲート絶縁層（２４）のコンデ
ンサ導電層と、コンデンサ導電層上に形成されたコンデ
ンサの貯蔵電極（２７、３３−１、５２）と、コンデン
サ導電層上に形成されたコンデンサの貯蔵電極上のコン
デンサ絶縁層（３１）と、絶縁層（３１）が覆っていな
い貯蔵用電極に画素電極（３３）が電気的に連結されて
なる。
【００２５】導電層上に形成された貯蔵電極は、絶縁層
が覆っていない導電層上に画素電極と同質の物質で直接
形成されるか、またその周りのコンデンサ絶縁層下に画
素電極物質と異なる物質からなっている導電層からな
る。または、導電層上に形成された貯蔵用電極は、電極
全体がＴＦＴを作る半導体層の物質と同一な物質で製作
されるか、またはソース及びドレイン電極物質と同じ金
属で形成される場合もある。
が覆っていない導電層上に画素電極と同質の物質で直接
形成されるか、またその周りのコンデンサ絶縁層下に画
素電極物質と異なる物質からなっている導電層からな
る。または、導電層上に形成された貯蔵用電極は、電極
全体がＴＦＴを作る半導体層の物質と同一な物質で製作
されるか、またはソース及びドレイン電極物質と同じ金
属で形成される場合もある。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したような本発明によって製造
された画素セルでは、電圧維持用コンデンサが、コンデ
ンサ電極とコンデンサ用画素電極がゲート絶縁膜の厚さ
以下の厚さで互いに対向して位置するので大きい蓄積容
量を有する。
された画素セルでは、電圧維持用コンデンサが、コンデ
ンサ電極とコンデンサ用画素電極がゲート絶縁膜の厚さ
以下の厚さで互いに対向して位置するので大きい蓄積容
量を有する。
【図１】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方
法を説明するための断面図である。
法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方
法を説明するための断面図である。
法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の液晶表示装置の製造方
法を説明するための断面図である。
法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１の液晶表示装置のレイア
ウト図である。
ウト図である。
【図５】乾式蝕刻時に蝕刻停止層を検出する方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図６】本発明の実施の形態２の液晶表示装置の製造方
法を説明するための断面図である。
法を説明するための断面図である。
【図７】図４でコンデンサの共通電極として隣接するゲ
ートラインを使用せず、別途の共通コンデンサ電極ライ
ンを形成する場合のレイアウト図である。
ートラインを使用せず、別途の共通コンデンサ電極ライ
ンを形成する場合のレイアウト図である。
【図８】従来の液晶表示装置の製造方法を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
１： 透明基板 ２０： コンデンサ共通電極 ２１： ゲート電極 ２２、２３： 陽極酸化膜 ２４： ゲート絶縁膜 ２５、２７： 非晶質シリコン層 ２６、２８： ｎ＋シリコン層 ２９： ソース電極 ３０： ドレイン電極 ３１： コンデンサ絶縁膜 ３２： コンタクトホール ３３： 画素電極 ４０： 走査線 ５０： 信号線 ５２： コンデンサ導電層
Claims (12)
- 【請求項１】 絶縁体からなる透明基板上に、複数のゲ
ート配線及びデータ配線がマトリックス形態となってお
り、前記各配線の交差点にゲート、ソース、ドレイン電
極からなる複数個のトランジスタと、前記各トランジス
タのドレイン電極に連結されている複数の画素電極と、
前記画素電極に連結された電圧維持用コンデンサを有す
る液晶表示装置において、 前記の電圧維持用コンデンサが、 基板上に形成されたコンデンサの共通電極と、 前記のコンデンサの共通電極上に形成されたゲート絶縁
膜と同一に形成される導電膜と、 前記の導電膜に形成された導電体膜からなるコンデンサ
の貯蔵電極と、 前記の貯蔵電極上に形成された透明電極からなることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記コンデンサの貯蔵電極は、前記トラ
ンジスタの半導体領域と同一物質から形成されることを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記コンデンサの貯蔵電極は、前記トラ
ンジスタのドレイン電極物質と同一物質から形成される
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記トランジスタのドレイン電極物質は
金属であることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装
置。 - 【請求項５】 前記コンデンサの共通電極は隣接する画
素セルのゲートラインであることを特徴とする請求項１
記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記コンデンサの共通電極はゲートライ
ンでなく、別途に形成された共通コンデンサ電極ライン
であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 絶縁体の透明基板上にゲート電極とコン
デンサの共通電極を形成する工程と、 前記ゲート電極上にゲート絶縁膜、非晶質半導体層、ド
ーピングされた半導体層を順次に積層形成し、前記のゲ
ート絶縁膜上の前記非晶質半導体層とドーピングされた
半導体層をパターニングして、トランジスタ形成用の半
導体層を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜と前記トランジスタ形成用半導体層の
ドーピングされた半導体層上に導電層を形成し、トラン
ジスタのチャンネルが形成される部位を除外した領域
に、トランジスタのソース及びドレイン領域と電圧維持
用コンデンサが形成される領域にある導電層のみ残し、
前記導電層を蝕刻してソース及びドレイン電極と電圧維
持用コンデンサの貯蔵電極を形成する工程と、 前記ソース及びドレイン電極とマスクとして前記ドーピ
ングされた半導体層を蝕刻する工程と、 全体の表面に保護膜を蒸着した後、ドレイン領域上に保
護膜を蝕刻してコンタクトホールを形成すると同時に、
電圧維持用コンデンサの貯蔵電極上の一部保護膜を蝕刻
して、貯蔵電極表面の一部をオープンする工程と、 前面に透明導電層を形成しパターニングしてピクセル電
極を形成して、このピクセル電極がドレイン電極と貯蔵
電極を連結するようにする工程とを含んでなる液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記コンデンサの共通電極は、隣接する
画素セルのゲートラインであることを特徴とする請求項
７記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記コンデンサの共通電極はゲートライ
ンでなく、別途に形成された共通コンデンサ電極ライン
であることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項１０】 絶縁体の透明基板上にゲート電極とコ
ンデンサの共通電極を形成する工程と、 前記ゲート電極上にゲート絶縁膜、非晶質半導体層、ド
ーピングされた半導体を順次に積層形成し、トランジス
タ形成領域と電圧維持用コンデンサ形成領域を除外した
領域にある、前記ゲート絶縁膜上の前記非晶質半導体層
とドーピングされた半導体層を蝕刻して、トランジスタ
形成用半導体層を形成すると同時に、前記コンデンサの
貯蔵電極を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜と前記トランジスタ形成用半導体層の
ドーピングされた半導体層上に導電層を形成し、トラン
ジスタのチャンネルが形成される部位を除外した領域
に、トランジスタのソース及びドレイン領域にある導電
層のみ残し、前記導電層を蝕刻してソース及びドレイン
電極を形成する工程と、 前記ソース及びドレイン電極をマスクとして前記ドーピ
ングされた半導体層を蝕刻する工程と、 全体の表面に保護膜を蒸着した後、ドレイン領域上に保
護膜を蝕刻してコンタクトホールを形成すると同時に、
電圧維持用コンデンサの貯蔵電極上の一部保護膜を蝕刻
して、貯蔵電極表面の一部をオープンする工程と、 前面に透明導電層を形成しパターニングしてピクセル電
極を形成して、このピクセル電極がドレイン電極と貯蔵
電極を連結するようにする工程を含んでなる液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記コンデンサの共通電極は、隣接す
る画素セルのゲートラインであることを特徴とする請求
項１０記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記コンデンサの共通電極はゲートラ
インでなく、別途に形成された共通コンデンサ電極ライ
ンであることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19095096A JPH1048664A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19095096A JPH1048664A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005029309A Division JP2005141255A (ja) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048664A true JPH1048664A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16266384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19095096A Pending JPH1048664A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1048664A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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