JPH0434815B2 - - Google Patents
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- JPH0434815B2 JPH0434815B2 JP12455184A JP12455184A JPH0434815B2 JP H0434815 B2 JPH0434815 B2 JP H0434815B2 JP 12455184 A JP12455184 A JP 12455184A JP 12455184 A JP12455184 A JP 12455184A JP H0434815 B2 JPH0434815 B2 JP H0434815B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は表示素子や撮像素子に用いられる透明
導電膜のエツチング方法に関する。
導電膜のエツチング方法に関する。
液晶表示素子や撮像素子に用いられる透明導電
膜は、酸化インジウム或は酸化錫を少量添加した
酸化インジウムである場合が多い。この種の透明
導電膜のエツチング方法としては、塩酸或は硝酸
添加の塩酸によるウエツトエツチングや、四塩化
炭素ガス等を用いたガスプラズマによるドライエ
ツチングの手法が知られている。
膜は、酸化インジウム或は酸化錫を少量添加した
酸化インジウムである場合が多い。この種の透明
導電膜のエツチング方法としては、塩酸或は硝酸
添加の塩酸によるウエツトエツチングや、四塩化
炭素ガス等を用いたガスプラズマによるドライエ
ツチングの手法が知られている。
しかしながら、これらの手法によりエツチング
された透明導電膜の端面は、傾斜が急になる。第
２図は従来技術でエツチングされた透明導電膜の
断面形状を示す図である。即ち同図ａは塩酸によ
るウエツトエツチングを用いた場合の断面形状、
同図ｂはプラズマドライエツチングを用いた場合
の断面形状を表わしている。なお同図において、
１は基板、２は透明導電膜である。
された透明導電膜の端面は、傾斜が急になる。第
２図は従来技術でエツチングされた透明導電膜の
断面形状を示す図である。即ち同図ａは塩酸によ
るウエツトエツチングを用いた場合の断面形状、
同図ｂはプラズマドライエツチングを用いた場合
の断面形状を表わしている。なお同図において、
１は基板、２は透明導電膜である。
このように基板１０上でパターニングされた透
明導電膜１１上に、第３図に示すように薄膜１２
を形成した場合、段差部のカバレージ１３は一般
的によくなく、段差部と平坦部の膜質が異なつた
ポーラスな膜になることが多い。また第４図に示
すように、薄膜１２上に配線層１４を形成した場
合、段差部で配線層１４と透明導電膜１１との短
絡１５や配線層１４の断線１６が発生することが
ある。これらの問題の発生は、パターニングされ
た透明導電膜の端面の傾斜が急であることに起因
し、従来これを防ぐ有効な手法がなかつた。
明導電膜１１上に、第３図に示すように薄膜１２
を形成した場合、段差部のカバレージ１３は一般
的によくなく、段差部と平坦部の膜質が異なつた
ポーラスな膜になることが多い。また第４図に示
すように、薄膜１２上に配線層１４を形成した場
合、段差部で配線層１４と透明導電膜１１との短
絡１５や配線層１４の断線１６が発生することが
ある。これらの問題の発生は、パターニングされ
た透明導電膜の端面の傾斜が急であることに起因
し、従来これを防ぐ有効な手法がなかつた。
本発明はこのような従来の欠点を解決するため
になされたもので、表示素子等の電極形成に有効
でパターニングされた透明導電膜の端面になだら
かな傾斜をもたせることの可能な透明導電膜のエ
ツチング方法の提供を目的とする。
になされたもので、表示素子等の電極形成に有効
でパターニングされた透明導電膜の端面になだら
かな傾斜をもたせることの可能な透明導電膜のエ
ツチング方法の提供を目的とする。
即ち本発明は、インジウム酸化物を主成分とす
る透明導電膜上にモリブデンを主成分とする金属
薄膜を形成する工程と、金属薄膜上に所定のレジ
スタパターンを形成する工程と、硝酸を含む塩酸
で透明導電膜及び金属薄膜をエツチングする工程
とを備えたことを特徴とする透明電膜のエツチン
グ方法である。
る透明導電膜上にモリブデンを主成分とする金属
薄膜を形成する工程と、金属薄膜上に所定のレジ
スタパターンを形成する工程と、硝酸を含む塩酸
で透明導電膜及び金属薄膜をエツチングする工程
とを備えたことを特徴とする透明電膜のエツチン
グ方法である。
以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。まず第１図ａに示すように、基板２０上にイ
ンジウム酸化物を主成分とする透明導電膜２１例
えば５重量％の酸化錫を含む酸化インジウムを
1500Å、スパツタリングにより形成する。次に第
１図ｂに示すように、透明導電膜２１上にモリブ
デンを主成分とする金属薄膜２２例えばモリブデ
ン500Å、スパツタリングにより形成する。続い
て第１図ｃに示すように、金属薄膜２２上にポジ
形フオトレジスト２３として東京応化OFPR−
800を塗布した後、第１図ｄに示すように、フオ
トリソグラフイーにより所定のレジストパターン
を形成する。そしてポストベーク後、硝酸を含む
塩酸例えば濃度61％の硝酸と濃度36％の塩酸と純
水とをそれぞれ１：９：10の割合で混合してでき
たエツチング液中に、基板２０を浸す。すると最
初に金属薄膜２２がエツチング液中の硝酸と反応
し、硝酸はモリブデンに対し等方性エツチヤント
であるので、金属薄膜２２は第１図ｅに示すよう
にエツチングされる。それから透明導電膜２１
も、エツチング液中の硝酸や塩酸と反応して等方
的にエツチングされるようになる。なおこのエツ
チング液によれば、金属薄膜２２のエツチング速
度は、透明導電膜２１のエツチング速度よりも大
きくなる。従つて金属薄膜２２の横方向２４のエ
ツチング速度は、透明導電膜２１の横方向２４と
下方向２５のエツチング速度に比べて大きい。こ
れは透明導電膜２１のマスク開口部が、時間とと
もに大きくなることを意味している。そして透明
導電膜２１の２６の部分のエツチングされた深さ
は、２７の部分のエツチングされた深さに比べ、
エツチング液に触れた時間の差の分だけ小さい。
それで結局、透明導電膜２１は端面の傾斜が徐々
になだらかになるようにエツチングされていく。
こうしてエツチング液中に基板２０を５分間浸す
ことにより、第１図ｆに示すように不所望の透明
導電膜２１及び金属薄膜２２はエツチングされ
る。最後に第１図ｇに示すように、残つたレジス
ト２３を剥離する。こうしてパターニングされた
透明導電膜２１を観察した結果、透明導電膜２１
の端面の基本法線２８に対する角度２９、即ち斜
線は70度で充分になだらかであつた。なお残つて
いる金属薄膜２２が不必要な場合には、希硝酸に
浸したりケミカルドライエツチングを行なつたり
して容易に除去できる。
る。まず第１図ａに示すように、基板２０上にイ
ンジウム酸化物を主成分とする透明導電膜２１例
えば５重量％の酸化錫を含む酸化インジウムを
1500Å、スパツタリングにより形成する。次に第
１図ｂに示すように、透明導電膜２１上にモリブ
デンを主成分とする金属薄膜２２例えばモリブデ
ン500Å、スパツタリングにより形成する。続い
て第１図ｃに示すように、金属薄膜２２上にポジ
形フオトレジスト２３として東京応化OFPR−
800を塗布した後、第１図ｄに示すように、フオ
トリソグラフイーにより所定のレジストパターン
を形成する。そしてポストベーク後、硝酸を含む
塩酸例えば濃度61％の硝酸と濃度36％の塩酸と純
水とをそれぞれ１：９：10の割合で混合してでき
たエツチング液中に、基板２０を浸す。すると最
初に金属薄膜２２がエツチング液中の硝酸と反応
し、硝酸はモリブデンに対し等方性エツチヤント
であるので、金属薄膜２２は第１図ｅに示すよう
にエツチングされる。それから透明導電膜２１
も、エツチング液中の硝酸や塩酸と反応して等方
的にエツチングされるようになる。なおこのエツ
チング液によれば、金属薄膜２２のエツチング速
度は、透明導電膜２１のエツチング速度よりも大
きくなる。従つて金属薄膜２２の横方向２４のエ
ツチング速度は、透明導電膜２１の横方向２４と
下方向２５のエツチング速度に比べて大きい。こ
れは透明導電膜２１のマスク開口部が、時間とと
もに大きくなることを意味している。そして透明
導電膜２１の２６の部分のエツチングされた深さ
は、２７の部分のエツチングされた深さに比べ、
エツチング液に触れた時間の差の分だけ小さい。
それで結局、透明導電膜２１は端面の傾斜が徐々
になだらかになるようにエツチングされていく。
こうしてエツチング液中に基板２０を５分間浸す
ことにより、第１図ｆに示すように不所望の透明
導電膜２１及び金属薄膜２２はエツチングされ
る。最後に第１図ｇに示すように、残つたレジス
ト２３を剥離する。こうしてパターニングされた
透明導電膜２１を観察した結果、透明導電膜２１
の端面の基本法線２８に対する角度２９、即ち斜
線は70度で充分になだらかであつた。なお残つて
いる金属薄膜２２が不必要な場合には、希硝酸に
浸したりケミカルドライエツチングを行なつたり
して容易に除去できる。
パターニングされた透明導電膜の端面の斜度
は、透明導電膜の膜厚と金属薄膜の膜厚との比、
即ち透明導電膜の膜厚を金属薄膜の膜厚で割つた
値である膜厚比に依存する。例えば透明導電膜と
金属薄膜の膜厚をそれぞれ1500Å，1000Åとして
膜厚比が1.5であるとき、斜度は80度となる。ま
た透明導電膜と金属薄膜の膜厚をそれぞれ1500
Å，150Åとして膜厚比10であるとき、斜度は30
度となる。そして実用的な膜厚比は0.1から10ま
での間である。
は、透明導電膜の膜厚と金属薄膜の膜厚との比、
即ち透明導電膜の膜厚を金属薄膜の膜厚で割つた
値である膜厚比に依存する。例えば透明導電膜と
金属薄膜の膜厚をそれぞれ1500Å，1000Åとして
膜厚比が1.5であるとき、斜度は80度となる。ま
た透明導電膜と金属薄膜の膜厚をそれぞれ1500
Å，150Åとして膜厚比10であるとき、斜度は30
度となる。そして実用的な膜厚比は0.1から10ま
での間である。
更にエツチング液として使われる塩酸中の硝酸
の成分比も、パターニングされた透明導電膜の端
面の形状に大きな影響を与える。即ち硝酸の成分
比が高いほど斜度が大きくなるが、最適な範囲は
１％から20％までである。
の成分比も、パターニングされた透明導電膜の端
面の形状に大きな影響を与える。即ち硝酸の成分
比が高いほど斜度が大きくなるが、最適な範囲は
１％から20％までである。
なお透明導電膜は、酸化インジウムが主体であ
る限り、酸化錫の重量％はこの実施例と異なつて
もよく、或は酸化インジウムそのものでもよい。
また金属薄膜は、シリコンを含んだモリブデンシ
リサイド等でもよい。そしてエツチングの際のレ
ジストとしては、有機フオトレジストのほか、ク
ロム等の金属薄膜やCVDSiO2等の無機絶縁薄膜
でもよい。またパターニングは、フオトレジスト
を用いたリソグラフイーに限らず、印刷によるパ
ターニング或はクロムやSiO2等のマスク被着で
もよい。
る限り、酸化錫の重量％はこの実施例と異なつて
もよく、或は酸化インジウムそのものでもよい。
また金属薄膜は、シリコンを含んだモリブデンシ
リサイド等でもよい。そしてエツチングの際のレ
ジストとしては、有機フオトレジストのほか、ク
ロム等の金属薄膜やCVDSiO2等の無機絶縁薄膜
でもよい。またパターニングは、フオトレジスト
を用いたリソグラフイーに限らず、印刷によるパ
ターニング或はクロムやSiO2等のマスク被着で
もよい。
以上説明したように本発明の透明導電膜のエツ
チング方法は、透明導電膜上にモリブデンを主成
分とする金属薄膜を積層した後にパターニング及
びエツチングを行なうので、パターニングされた
透明導電膜の端面は傾斜がゆるやかになり、表示
素子等の電極形成に用いると有効である。
チング方法は、透明導電膜上にモリブデンを主成
分とする金属薄膜を積層した後にパターニング及
びエツチングを行なうので、パターニングされた
透明導電膜の端面は傾斜がゆるやかになり、表示
素子等の電極形成に用いると有効である。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２
図は従来の方法でエツチングした透明導電膜のエ
ツチング形状を示す断面図、第３図と第４図は従
来の方法でエツチングした透明導電膜上に他の薄
膜を形成した場合に生じる問題点を説明するため
の断面図である。 ２１……透明導電膜、２２……金属薄膜。
図は従来の方法でエツチングした透明導電膜のエ
ツチング形状を示す断面図、第３図と第４図は従
来の方法でエツチングした透明導電膜上に他の薄
膜を形成した場合に生じる問題点を説明するため
の断面図である。 ２１……透明導電膜、２２……金属薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ インジウム酸化物を主成分とする透明導電膜
上にモリブデンを主成分とする金属薄膜を形成す
る工程と、前記金属薄膜上に所定のレジストパタ
ーンを形成する工程と、硝酸を含む塩酸で前記透
明導電膜及び前記金属薄膜をエツチングする工程
とを備えたことを特徴とする透明導電膜のエツチ
ング方法。 ２ 前記透明導電膜の膜厚を前記金属薄膜の膜厚
で割つた値が0.1から10までの間にあることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の透明等電膜
のエツチング方法。 ３ 前記塩酸中の硝酸の成分比が１％から20％ま
での間にあることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の透明導電膜のエツチグ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12455184A JPS614233A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12455184A JPS614233A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614233A JPS614233A (ja) | 1986-01-10 |
| JPH0434815B2 true JPH0434815B2 (ja) | 1992-06-09 |
Family
ID=14888275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12455184A Granted JPS614233A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 透明導電膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614233A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660381A1 (en) * | 1993-12-21 | 1995-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a transparent conductor pattern and a liquid crystal display device |
| JP3456804B2 (ja) * | 1995-07-31 | 2003-10-14 | 旭電化工業株式会社 | 酸化物エッチング製品の製造方法および装置 |
| KR100513051B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-10-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법_ |
| JP2001044166A (ja) | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Nec Akita Ltd | 導電膜パターンの形成方法 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12455184A patent/JPS614233A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS614233A (ja) | 1986-01-10 |
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