JP3351028B2 - アルミ系金属膜のパターニング方法 - Google Patents
アルミ系金属膜のパターニング方法Info
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- Weting (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
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Description
属膜のパターニング技術に関し、特にアルミ系金属から
なる金属配線の形成方法に利用して効果のある技術に関
する。
置の配線として、一般にアルミ系金属配線が用いられて
いる。このアルミ系金属配線を所望の形状にパターニン
グするに当たっては、以下のような複数の工程が必要と
なる。 基板(例えばガラス基板)の上面にアルミ系金属膜を
形成する工程; 金属膜上面にレジストをスピンナにて塗布する工程
(塗布工程); 該レジスト中の溶剤を蒸発させる工程(プレベーク工
程); レジストをホトマスクを用いて所定形状に露光する工
程(露光工程); レジストの露光部(ネガ形では未露光部)を現像液で
溶出させる工程(現像工程); 現像されたレジストを純水(リンス液)で洗浄して現
像液を除去する工程(リンス工程); レジスト中に残存する現像液/リンス液の除去等のた
めに該レジストを所定温度で加熱する工程(ポストベー
キング工程); 該レジストを用いて下地側のアルミ薄膜をエッチング
する工程(加工工程); 加工後不要となったレジストを酸化溶剤等で除去する
工程(レジスト除去工程)
ルミ系の金属膜のパターニングは、その形成工程数が多
く、従って良品率のアップが難しく、製造コストを低減
させることも困難であった。本発明はかかる事情に鑑み
てなされたもので、半導体装置のアルミ系金属膜を所望
の形状にパターニングするに当たって、工程数を減ら
し、歩留りの向上、スループットの改善を図ることがで
きるアルミ系金属膜のパターニング方法を提供すること
を目的とする。
め、本発明の金属配線の形成方法では、アルミ系の金属
膜の上面にホトレジストを堆積させ、これを所定形状に
露光し、露光後のホトレジストを、1ppm〜1000ppm
の塩素イオンCl-を含むテトラメチルアンモニウムハ
イドライド(以下単に「TMAH」と表記する)からな
る現像液を用いて、その現像を行いつつ、下地側の金属
配線のエッチングを行うようにした。
機能すると共に、アルミ系金属膜のエッチング液として
も機能するので、ホトレジストの現像工程と該レジスト
を用いたエッチング工程が、同一装置内で同一工程にて
行なうことができる。
極として用いられるアルミ配線の形成に適用した場合の
一実施例を図1〜図5を参照して説明する。以下、製造
工程に従って説明する。 先ず、薄膜トランジスタが形成されるガラス基板(絶
縁基板)1上に、ゲート電極用のアルミ膜2が、例え
ば、スパッタ法によって、所定の膜厚(例えば1000
Å程度)成膜される(図1)。 次いで、その上面にホトレジスト3が回転式塗布機
(スピンナ)で均一の膜厚となるように塗布される(図
2)。尚、塗布されるレジストは予め有機溶剤で希釈さ
れる。 塗布されたホトレジスト3中の溶剤を蒸発させ、且つ
その接着性を高めるためにベーキングが行われる(プレ
ベーキング)。 このホトレジスト3に紫外線がガラスマスク4のパタ
ーンに従って一定時間照射され、その露光が行なわれる
(図3)。 露光されたホトレジスト3が、現像液(TMAH)中
に浸され、その露光部分3Aが溶出される。この現像に
は、1000ppm程度のClイオンが含有された現像液
(TMAH:N(CH3)4OH)が用いられる。このよ
うに1000ppm程度のClイオンが含有された現像液
(TMAH)を用いてホトレジスト3の現像を行った場
合、ホトレジスト3の現像が進んで、その露光部分3A
(図3)が溶出するのに伴って、その下地側に形成され
たアルミ膜2の露出された部分2Aが、該現像液中のC
lイオンの働きによってエッチングされることとなる
(図4)。 このように金属膜のエッチングが終了すると、残った
ホトレジスト3Bが酸化溶剤等によって除去され、所望
形状の配線パターン(ゲート電極)2Bが形成される
(図5)。
れば、ホトレジストの現像と、該ホトレジストによる金
属膜のエッチング(加工)とが、同一装置内で同一工程
にて行われるため、従来必要とされていた、中間の工程
(例えば、前述の「リンス工程」,「ポストベーキング
工程」等)を省略でき、製造プロセスが簡略化される。
上記現像液中のCl-の含有量としては1ppm〜1000
ppmが好ましい。尚、本実施例では、アルミ系金属膜と
してアルミ膜を用いた例を示したが、他の金属膜(アル
ミ合金)等からなる配線もしくは電極の形成にも本発明
は適用可能である。又、Clイオンが含有された現像液
として、テトラメチルアンモニウムハイドライド(TM
AH)を用いたが、他の現像液に所定濃度のClイオン
を含ませたものを用いてもよい。さらに、現像液中にC
lイオンを含ませる代わりに、レジスト中にClイオン
を混入もしくはClイオンを発生する溶液を封入した微
小カプセルをレジスト中に混入させ、現像に伴ってCl
イオンが現像液中に溶出されるようにしてもよい。
形成方法によれば、ホトレジストの現像と、該ホトレジ
ストを用いた金属膜のエッチングが、同一装置内で同一
工程によって行なうことができるため、全体としての製
造工程を減らすことができ、歩留りの向上、スループッ
トの改善が図られる。
工程のうちガラス基板上にゲート電極用のアルミ膜を所
定の膜厚に成膜させる工程を示す断面図である。
を示す断面図である。
る。
形成されたアルミ膜のエッチングを行なう工程を示す断
面図である。
形成された工程を示す断面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 アルミ系金属膜の上にホトレジストを塗
布し、該ホトレジストを所定形状に露光し、露光後のホ
トレジストを1ppm〜1000ppmの塩素イオンを含有す
る現像液にて現像しつつ、該現像液にて下地側のアルミ
系金属膜をエッチングすることを特徴とするアルミ系金
属膜のパターニング方法。 - 【請求項2】前記1ppm〜1000ppmの塩素イオンを含
有する現像液はテトラメチルアンモニウムハイドライド
であることを特徴とする請求項1に記載のアルミ系金属
膜のパターニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17610193A JP3351028B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | アルミ系金属膜のパターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17610193A JP3351028B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | アルミ系金属膜のパターニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07130751A JPH07130751A (ja) | 1995-05-19 |
JP3351028B2 true JP3351028B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=16007716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17610193A Expired - Lifetime JP3351028B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | アルミ系金属膜のパターニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3351028B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3883706B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2007-02-21 | シャープ株式会社 | エッチング方法、及び薄膜トランジスタマトリックス基板の製造方法 |
DE10237249B4 (de) | 2002-08-14 | 2014-12-18 | Excelitas Technologies Singapore Pte Ltd | Verfahren zum selektiven Abtragen von Material aus der Oberfläche eines Substrats |
JP5521269B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2014-06-11 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタパネルの製造方法 |
JP5546794B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2014-07-09 | 富士フイルム株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、及び表示装置の製造方法 |
WO2012121136A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | シャープ株式会社 | ウェットエッチング方法、配線パターンの形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
-
1993
- 1993-06-22 JP JP17610193A patent/JP3351028B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH07130751A (ja) | 1995-05-19 |
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