JP3254251B2 - 凹版印刷版の製造方法 - Google Patents
凹版印刷版の製造方法Info
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- JP3254251B2 JP3254251B2 JP22620792A JP22620792A JP3254251B2 JP 3254251 B2 JP3254251 B2 JP 3254251B2 JP 22620792 A JP22620792 A JP 22620792A JP 22620792 A JP22620792 A JP 22620792A JP 3254251 B2 JP3254251 B2 JP 3254251B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist layer
- substrate
- mask
- ion beam
- etching
- Prior art date
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は凹版印刷版の製造方法に
係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において被
加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成するこ
とのできる微細加工用の凹版印刷版の製造方法に関す
る。
係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において被
加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成するこ
とのできる微細加工用の凹版印刷版の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
【０００３】例えば、カラー液晶ティスプレイ（ＬＣ
Ｄ）に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通
常、レジスト塗布、露光、現象、エッチングの各処理か
らなるフォトリソグラフィー工程を４〜６回程度繰り返
すことにより製造されている。
Ｄ）に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通
常、レジスト塗布、露光、現象、エッチングの各処理か
らなるフォトリソグラフィー工程を４〜６回程度繰り返
すことにより製造されている。
【０００４】また、プリント配線、回路パターンの形
成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターンの
形成に際しては、上述のフォトリソグラフィー法とは異
なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるパターン形成には、スクリーン
印刷法やオフセット印刷法等が用いられている。
成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターンの
形成に際しては、上述のフォトリソグラフィー法とは異
なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるパターン形成には、スクリーン
印刷法やオフセット印刷法等が用いられている。
【０００５】これら印刷法の１つとして凹版印刷がある
が、この方法に用いられる凹版印刷版は、基板上に所定
パターンのフォトレジスト層を設け、このフォトレジス
ト層をマスクとしてウエットエッチング（化学エッチン
グ）、プラズマエッチング等を行って基板に凹部を形成
することにより作成されていた。
が、この方法に用いられる凹版印刷版は、基板上に所定
パターンのフォトレジスト層を設け、このフォトレジス
ト層をマスクとしてウエットエッチング（化学エッチン
グ）、プラズマエッチング等を行って基板に凹部を形成
することにより作成されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
凹版印刷版製造方法では、等方的にエッチングが進行す
るため、基板の深さ方向のみだけではなく横方向にもエ
ッチングが進行してサイドエッチングが生じ、形成され
る凹部の寸法制御が難しくなり、高精度の微細加工用の
凹版印刷版の製造に向かないという問題があった。ま
た、イオンビームエッチング等の異方性のエッチングを
採用する場合、フォトレジスト層も同時にエッチングさ
れるため、フォトレジスト層の厚さを大きくする必要が
生じる。しかし、フォトレジスト層が厚くなると、この
フォトレジスト層に形成される所定パターンのマスクに
おいて細線形成が困難となり、微細な凹部を基板に高い
精度で形成することができなくなるという問題があっ
た。
凹版印刷版製造方法では、等方的にエッチングが進行す
るため、基板の深さ方向のみだけではなく横方向にもエ
ッチングが進行してサイドエッチングが生じ、形成され
る凹部の寸法制御が難しくなり、高精度の微細加工用の
凹版印刷版の製造に向かないという問題があった。ま
た、イオンビームエッチング等の異方性のエッチングを
採用する場合、フォトレジスト層も同時にエッチングさ
れるため、フォトレジスト層の厚さを大きくする必要が
生じる。しかし、フォトレジスト層が厚くなると、この
フォトレジスト層に形成される所定パターンのマスクに
おいて細線形成が困難となり、微細な凹部を基板に高い
精度で形成することができなくなるという問題があっ
た。
【０００７】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、微細な凹部を高い精度で形成すること
のできる凹版印刷版の製造方法を提供することを目的と
する。
れたものであり、微細な凹部を高い精度で形成すること
のできる凹版印刷版の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は基板表面に第１フォトレジスト層を
形成し、該第１フォトレジスト層上にシリコンを含有し
た薄い第２フォトレジスト層を形成し、この基板に所定
パターンのフォトマスクを介して紫外線を照射して前記
第２フォトレジスト層を露光・現像して前記第２フォト
レジスト層からなるマスクを形成し、次に、前記基板を
真空チャンバー内に載置して前記マスク面に酸素のリア
クティブイオンビームを照射して前記第１フォトレジス
ト層の前記マスク非存在部分をエッチングし、その後、
同一真空チャンバー内で前記マスク面にＡｒイオンビー
ムを照射して前記基板の前記マスクおよび前記第１フォ
トレジスト層非形成部分をエッチングして前記基板に凹
部を形成するような構成とした。
るために、本発明は基板表面に第１フォトレジスト層を
形成し、該第１フォトレジスト層上にシリコンを含有し
た薄い第２フォトレジスト層を形成し、この基板に所定
パターンのフォトマスクを介して紫外線を照射して前記
第２フォトレジスト層を露光・現像して前記第２フォト
レジスト層からなるマスクを形成し、次に、前記基板を
真空チャンバー内に載置して前記マスク面に酸素のリア
クティブイオンビームを照射して前記第１フォトレジス
ト層の前記マスク非存在部分をエッチングし、その後、
同一真空チャンバー内で前記マスク面にＡｒイオンビー
ムを照射して前記基板の前記マスクおよび前記第１フォ
トレジスト層非形成部分をエッチングして前記基板に凹
部を形成するような構成とした。
【０００９】
【作用】シリコンを含有した薄い第２フォトレジスト層
は、所定パターンのフォトマスクを介して紫外線を照射
され露光・現像されて第１フォトレジスト層および基板
をエッチングするためのマスクとされ、第１フォトレジ
スト層は真空チャンバー内で上記のマスクを介して酸素
のリアクティブイオンビームによりエッチングされ、さ
らに、基板は上記マスクを介してイオンビームによりエ
ッチングされて凹部が形成される。これにより、薄く細
線の解像度の高いマスクが形成され基板のエッチング寸
法の制御が容易となり、さらにイオンガス内のガスを変
えるだけでイオンビームによる第１フォトレジスト層と
基板のエッチングの切り替えができて加工が容易とな
る。
は、所定パターンのフォトマスクを介して紫外線を照射
され露光・現像されて第１フォトレジスト層および基板
をエッチングするためのマスクとされ、第１フォトレジ
スト層は真空チャンバー内で上記のマスクを介して酸素
のリアクティブイオンビームによりエッチングされ、さ
らに、基板は上記マスクを介してイオンビームによりエ
ッチングされて凹部が形成される。これにより、薄く細
線の解像度の高いマスクが形成され基板のエッチング寸
法の制御が容易となり、さらにイオンガス内のガスを変
えるだけでイオンビームによる第１フォトレジスト層と
基板のエッチングの切り替えができて加工が容易とな
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の凹版印刷版の製造方法を説
明するための図である。図１において、まず、基板１に
通常のフォトレジストを塗布して第１フォトレジスト層
２を形成し、この第１フォトレジスト層２上にシリコン
を含有した薄い第２フォトレジスト層３を形成する（図
１（ａ））。次に、所定パターンのフォトマスクを介し
て第２フォトレジスト層３に紫外線を照射して露光し、
第２フォトレジスト層３の未硬化部分を除去（現像）し
てマスク３′を形成する（図１（ｂ））。
て説明する。図１は本発明の凹版印刷版の製造方法を説
明するための図である。図１において、まず、基板１に
通常のフォトレジストを塗布して第１フォトレジスト層
２を形成し、この第１フォトレジスト層２上にシリコン
を含有した薄い第２フォトレジスト層３を形成する（図
１（ａ））。次に、所定パターンのフォトマスクを介し
て第２フォトレジスト層３に紫外線を照射して露光し、
第２フォトレジスト層３の未硬化部分を除去（現像）し
てマスク３′を形成する（図１（ｂ））。
【００１１】次に、基板１をイオンミリング装置の真空
チャンバー（図示せず）内に載置し酸素のリアクティブ
イオンビームを基板１のマスク３′上に照射する（図１
（ｃ））。これにより、第１フォトレジスト層２のマス
ク３′非存在部分がリアクティブイオンビームにより異
方的に（垂直に）エッチングされて凹部４が形成される
（図１（ｄ））。
チャンバー（図示せず）内に載置し酸素のリアクティブ
イオンビームを基板１のマスク３′上に照射する（図１
（ｃ））。これにより、第１フォトレジスト層２のマス
ク３′非存在部分がリアクティブイオンビームにより異
方的に（垂直に）エッチングされて凹部４が形成される
（図１（ｄ））。
【００１２】次に、酸素以外のイオンビームを基板１の
マスク３′上に照射する（図１（ｅ））。これにより、
所定パターンでパターニングされているマスク３′およ
び第１フォトレジスト層２をマスクとして、基板１がイ
オンビームによりエッチングされて凹部５が形成される
（図１（ｆ））。その後、残存する第１フォトレジスト
層２を除去することにより凹版印刷版を形成する。
マスク３′上に照射する（図１（ｅ））。これにより、
所定パターンでパターニングされているマスク３′およ
び第１フォトレジスト層２をマスクとして、基板１がイ
オンビームによりエッチングされて凹部５が形成される
（図１（ｆ））。その後、残存する第１フォトレジスト
層２を除去することにより凹版印刷版を形成する。
【００１３】このように、本発明ではシリコンを含有し
た薄い第２フォトレジスト層３に紫外線を照射してマス
ク３′を形成するため、薄く細線の解像度の高いマスク
が得られ、酸素のリアクティブイオンビームにより第１
フォトレジスト層２および基板１を異方的にエッチング
することにより、極めて微細な凹部を基板に形成するこ
とが可能になるとともに基板のエッチング寸法の制御が
容易となり、さらにイオンガス内のガスを変えるだけで
酸素以外のイオンビームによる第１フォトレジスト層２
と基板１のエッチングの切り替えができて加工が容易と
なる。
た薄い第２フォトレジスト層３に紫外線を照射してマス
ク３′を形成するため、薄く細線の解像度の高いマスク
が得られ、酸素のリアクティブイオンビームにより第１
フォトレジスト層２および基板１を異方的にエッチング
することにより、極めて微細な凹部を基板に形成するこ
とが可能になるとともに基板のエッチング寸法の制御が
容易となり、さらにイオンガス内のガスを変えるだけで
酸素以外のイオンビームによる第１フォトレジスト層２
と基板１のエッチングの切り替えができて加工が容易と
なる。
【００１４】尚、基板１の第１フォトレジスト層２形成
側に予め凹版印刷版としての耐刷性を高めるためのＣ
ｒ、Ｎｉ，ＳｉＣ，ＴｉＮ等の薄膜を形成してもよい。
この場合、薄膜の厚さは０．１〜５μｍ程度が好まし
い。
側に予め凹版印刷版としての耐刷性を高めるためのＣ
ｒ、Ｎｉ，ＳｉＣ，ＴｉＮ等の薄膜を形成してもよい。
この場合、薄膜の厚さは０．１〜５μｍ程度が好まし
い。
【００１５】基板１としては、ガラス板，アルミニウ
ム，銅，インバー，スーパーインバー，４２合金，コバ
ール，工具銅（ＳＫＤ１１）等の金属，ポリイミド，フ
ッ素樹脂，ポリエーテルエーテルケトン，ポリエーテル
サルホン，ポリサルホン等の耐熱性のある有機物等を使
用することができる。
ム，銅，インバー，スーパーインバー，４２合金，コバ
ール，工具銅（ＳＫＤ１１）等の金属，ポリイミド，フ
ッ素樹脂，ポリエーテルエーテルケトン，ポリエーテル
サルホン，ポリサルホン等の耐熱性のある有機物等を使
用することができる。
【００１６】第１フォトレジスト層２の形成に使用する
通常のフォトレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、
ポリビニルアルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添
加したものを挙げることができる。また、第１フォトレ
ジスト層２の厚さは基板との選択比を考慮して適宜決定
することができ、通常２〜１０μｍ程度が好ましい。
通常のフォトレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、
ポリビニルアルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添
加したものを挙げることができる。また、第１フォトレ
ジスト層２の厚さは基板との選択比を考慮して適宜決定
することができ、通常２〜１０μｍ程度が好ましい。
【００１７】第２フォトレジスト層３の形成に使用する
フォトレジストとしては、アルカリ可溶性のシリコーン
樹脂を挙げることができる。このように第２フォトレジ
スト層３にシリコンが含有されることにより酸素のリア
クティブイオンエッチング耐性が極めて高くなる。ま
た、第２フォトレジスト層３のシリコン含有量は１５〜
２０重量％程度が好ましい。
フォトレジストとしては、アルカリ可溶性のシリコーン
樹脂を挙げることができる。このように第２フォトレジ
スト層３にシリコンが含有されることにより酸素のリア
クティブイオンエッチング耐性が極めて高くなる。ま
た、第２フォトレジスト層３のシリコン含有量は１５〜
２０重量％程度が好ましい。
【００１８】本発明においてイオンミリング装置は、公
知の種々のイオンミリング装置を使用することができ
る。また、基板１をエッチングするイオンビームとして
は、アルゴン（Ａｒ）のような不活性ガスのイオンビー
ム，ＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣｌ 4 等の反応性ガスのリア
クティブイオンビームを使用することができる。また、
第１フォトレジスト層２をエッチングするリアクティブ
イオンビームは、Ｏ2 を使用することができる。
知の種々のイオンミリング装置を使用することができ
る。また、基板１をエッチングするイオンビームとして
は、アルゴン（Ａｒ）のような不活性ガスのイオンビー
ム，ＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣｌ 4 等の反応性ガスのリア
クティブイオンビームを使用することができる。また、
第１フォトレジスト層２をエッチングするリアクティブ
イオンビームは、Ｏ2 を使用することができる。
【００１９】次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 （実験例１）ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にポ
ジ型の厚塗り用レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００
Ｂ、粘度＝８００ｃｐ）をスピンコート法により塗布し
て厚さ５μｍの第１フォトレジスト層を形成した。次
に、この第１フォトレジスト層上にシリコン含有フォト
レジスト（シリコン含有量２０重量％）をスピンコート
法により塗布して厚さ０．６μｍの第２フォトレジスト
層を形成した。そして、線幅５μｍの所定パターンを有
するフォトマスクを介して第２フォトレジスト層に紫外
線を照射して露光を行った。露光は超高圧水銀ランプを
光源とし、照射量は４３６ｎｍで８０ｍＪ／cm2 とし
た。そして、アルカリ系現像液により現像してパターニ
ングされたマスクを形成した。
説明する。 （実験例１）ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にポ
ジ型の厚塗り用レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００
Ｂ、粘度＝８００ｃｐ）をスピンコート法により塗布し
て厚さ５μｍの第１フォトレジスト層を形成した。次
に、この第１フォトレジスト層上にシリコン含有フォト
レジスト（シリコン含有量２０重量％）をスピンコート
法により塗布して厚さ０．６μｍの第２フォトレジスト
層を形成した。そして、線幅５μｍの所定パターンを有
するフォトマスクを介して第２フォトレジスト層に紫外
線を照射して露光を行った。露光は超高圧水銀ランプを
光源とし、照射量は４３６ｎｍで８０ｍＪ／cm2 とし
た。そして、アルカリ系現像液により現像してパターニ
ングされたマスクを形成した。
【００２０】次に、基板をイオンミリング装置の真空チ
ャンバー内に載置し、下記の条件でＯ2 リアクティブイ
オンビームを基板のマスク形成面側に照射して第１フォ
トレジスト層をエッチングした。
ャンバー内に載置し、下記の条件でＯ2 リアクティブイ
オンビームを基板のマスク形成面側に照射して第１フォ
トレジスト層をエッチングした。
【００２１】 （リアクティブイオンビームエッチングの条件） ・イオンガン導入ガス：酸素ガス ・真空チャンバー内圧力：５．６×１０-6Ｔｏｒｒ ・加速電圧：６００Ｖ ・照射時間：６０分 その後、下記の条件でＡｒイオンビームを基板のマスク
形成面側に照射して基板をエッチングした。
形成面側に照射して基板をエッチングした。
【００２２】（イオンビームエッチングの条件） ・イオンガン導入ガス：Ａｒ ・真空チャンバー内圧力：７．０×１０-6Ｔｏｒｒ ・加速電圧：６００Ｖ ・照射時間：１２０分 このＡｒイオンビームによるエッチングによりガラス基
板には深さ約７μｍ、幅５μｍの凹部が形成された。 （実験例２）基板として厚さ１ｍｍの銅基板に片面に実
験例１と同様にして厚さ２．５μｍの第１フォトレジス
ト層と厚さ０．６μｍの第２フォトレジスト層とを形成
した。次に、実験例１と同じ条件で第２フォトレジスト
層に紫外線を照射して所定パターンのマスクを形成し、
その後、下記の条件でＡｒイオンビームを基板のマスク
形成面側に照射して基板をエッチングした。
板には深さ約７μｍ、幅５μｍの凹部が形成された。 （実験例２）基板として厚さ１ｍｍの銅基板に片面に実
験例１と同様にして厚さ２．５μｍの第１フォトレジス
ト層と厚さ０．６μｍの第２フォトレジスト層とを形成
した。次に、実験例１と同じ条件で第２フォトレジスト
層に紫外線を照射して所定パターンのマスクを形成し、
その後、下記の条件でＡｒイオンビームを基板のマスク
形成面側に照射して基板をエッチングした。
【００２３】（イオンビームエッチングの条件） ・イオンガン導入ガス：Ａｒ ・真空チャンバー内圧力：５．０×１０-6Ｔｏｒｒ ・加速電圧：６００Ｖ ・照射時間：６０分 このＡｒイオンビームによるエッチングにより銅基板の
フォトレジスト層非形成部分にのみ深さ約７μｍ、幅５
μｍの凹部が形成された。
フォトレジスト層非形成部分にのみ深さ約７μｍ、幅５
μｍの凹部が形成された。
【００２４】この場合、銅基板はガラス基板よりも選択
比が高い（約２倍）ので、同じ深さの凹部を形成するの
に必要なフォトレジスト層の厚さは約半分でよく、作成
がより容易であった。 （比較例）ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にポジ
型の厚塗り用レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００
Ｂ、粘度＝８００ｃｐ）をスピンコート法により塗布し
て厚さ７μｍのフォトレジスト層を形成した。次に、線
幅５μｍの所定パターンを有するフォトマスクを介して
フォトレジスト層に紫外線を照射して露光を行った。露
光は超高圧水銀ランプを光源とし、照射量は３６５ｎｍ
で１９０ｍＪ／cm2 とした。そして、現像液（東京応化
製ＮＭＤ−３）により現像してパターニングされたフォ
トレジスト層を形成した。
比が高い（約２倍）ので、同じ深さの凹部を形成するの
に必要なフォトレジスト層の厚さは約半分でよく、作成
がより容易であった。 （比較例）ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にポジ
型の厚塗り用レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００
Ｂ、粘度＝８００ｃｐ）をスピンコート法により塗布し
て厚さ７μｍのフォトレジスト層を形成した。次に、線
幅５μｍの所定パターンを有するフォトマスクを介して
フォトレジスト層に紫外線を照射して露光を行った。露
光は超高圧水銀ランプを光源とし、照射量は３６５ｎｍ
で１９０ｍＪ／cm2 とした。そして、現像液（東京応化
製ＮＭＤ−３）により現像してパターニングされたフォ
トレジスト層を形成した。
【００２５】次に、基板をイオンミリング装置の真空チ
ャンバー内に載置し、下記の条件でＡｒイオンビームを
基板のフォトレジスト層形成面側に照射して基板をエッ
チングした。
ャンバー内に載置し、下記の条件でＡｒイオンビームを
基板のフォトレジスト層形成面側に照射して基板をエッ
チングした。
【００２６】（イオンビームエッチングの条件） ・イオンガン導入ガス：Ａｒ ・真空チャンバー内圧力：４．３×１０-6Ｔｏｒｒ ・加速電圧：６００Ｖ ・照射時間：１３０分 このＡｒイオンビームによるエッチングによりガラス基
板に形成された凹部は深さ約７μｍ、幅５．２μｍであ
り、実験例１に比べて微細凹部形成が劣るものであっ
た。また、深さ７μｍを得るためにレジスト膜厚を厚く
する必要があった。
板に形成された凹部は深さ約７μｍ、幅５．２μｍであ
り、実験例１に比べて微細凹部形成が劣るものであっ
た。また、深さ７μｍを得るためにレジスト膜厚を厚く
する必要があった。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればシ
リコンを含有した薄い第２フォトレジスト層は、所定パ
ターンのフォトマスクを介して紫外線を照射され露光・
現像されて第１フォトレジスト層および基板をエッチン
グするためのマスクとされ、第１フォトレジスト層は上
記のマスクを介して酸素のリアクティブイオンビームに
よりエッチングされ、さらに、基板は上記マスクを介し
て酸素以外のイオンビームによりエッチングされて凹部
が形成されるので、薄く細線の解像度の高い基板エッチ
ング用のマスクが形成されて基板のエッチング寸法の制
御が容易となり、さらにイオンガン内の雰囲気ガスを変
えるだけでイオンビームによる第１フォトレジスト層と
基板のエッチングの切り替えができて加工が容易とな
る。
リコンを含有した薄い第２フォトレジスト層は、所定パ
ターンのフォトマスクを介して紫外線を照射され露光・
現像されて第１フォトレジスト層および基板をエッチン
グするためのマスクとされ、第１フォトレジスト層は上
記のマスクを介して酸素のリアクティブイオンビームに
よりエッチングされ、さらに、基板は上記マスクを介し
て酸素以外のイオンビームによりエッチングされて凹部
が形成されるので、薄く細線の解像度の高い基板エッチ
ング用のマスクが形成されて基板のエッチング寸法の制
御が容易となり、さらにイオンガン内の雰囲気ガスを変
えるだけでイオンビームによる第１フォトレジスト層と
基板のエッチングの切り替えができて加工が容易とな
る。
【図１】図１は本発明の凹版印刷版の製造方法を説明す
るための図である。
るための図である。
１…基板 ２…第１フォトレジスト層 ３…第２フォトレジスト層 ５…凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−9323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−49037（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−50719（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−8355（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 505 C23F 4/02 G03F 7/26 H01L 21/3065 H01L 29/78
Claims (1)
- 【請求項１】 基板表面に第１フォトレジスト層を形成
し、該第１フォトレジスト層上にシリコンを含有した薄
い第２フォトレジスト層を形成し、この基板に所定パタ
ーンのフォトマスクを介して紫外線を照射して前記第２
フォトレジスト層を露光・現像して前記第２フォトレジ
スト層からなるマスクを形成し、次に、前記基板を真空
チャンバー内に載置して前記マスク面に酸素のリアクテ
ィブイオンビームを照射して前記第１フォトレジスト層
の前記マスク非存在部分をエッチングし、その後、同一
真空チャンバー内で前記マスク面にＡｒイオンビームを
照射して前記基板の前記マスクおよび前記第１フォトレ
ジスト層非形成部分をエッチングして前記基板に凹部を
形成することを特徴とする凹版印刷版の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22620792A JP3254251B2 (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 凹版印刷版の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22620792A JP3254251B2 (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 凹版印刷版の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0675365A JPH0675365A (ja) | 1994-03-18 |
| JP3254251B2 true JP3254251B2 (ja) | 2002-02-04 |
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