JP3149254B2 - 凹版印刷版の製造方法 - Google Patents
凹版印刷版の製造方法Info
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- JP3149254B2 JP3149254B2 JP6695892A JP6695892A JP3149254B2 JP 3149254 B2 JP3149254 B2 JP 3149254B2 JP 6695892 A JP6695892 A JP 6695892A JP 6695892 A JP6695892 A JP 6695892A JP 3149254 B2 JP3149254 B2 JP 3149254B2
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- Japan
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- photoresist layer
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- etching
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- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は凹版印刷版の製造方法に
係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において印
刷手法を用いて被加工物に高い精度で効率よく微細パタ
ーンを形成することのできる微細加工用の凹版印刷版の
製造方法に関する。
係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において印
刷手法を用いて被加工物に高い精度で効率よく微細パタ
ーンを形成することのできる微細加工用の凹版印刷版の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
【０００３】例えば、カラー液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通
常、レジスト塗布、露光、現像、エッチングの各処理か
らなるフォトリソグラフィー工程を４〜６回程度繰り返
すことにより製造されている。
Ｄ）に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通
常、レジスト塗布、露光、現像、エッチングの各処理か
らなるフォトリソグラフィー工程を４〜６回程度繰り返
すことにより製造されている。
【０００４】また、プリント配線、回路パターンの形
成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターンの
形成に際しては、上述のフォトリソグラフィー法とは異
なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるパターン形成には、スクリーン
印刷法やオフセット印刷法等が用いられている。
成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターンの
形成に際しては、上述のフォトリソグラフィー法とは異
なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるパターン形成には、スクリーン
印刷法やオフセット印刷法等が用いられている。
【０００５】これら印刷法の１つとして凹版印刷がある
が、この方法に用いられる凹版印刷版は、基板上に所定
パターンのフォトレジスト層を設け、このフォトレジス
ト層をマスクとしてウエットエッチング（化学エッチン
グ）、プラズマエッチング等を行って基板に凹部を形成
することにより作成されていた。
が、この方法に用いられる凹版印刷版は、基板上に所定
パターンのフォトレジスト層を設け、このフォトレジス
ト層をマスクとしてウエットエッチング（化学エッチン
グ）、プラズマエッチング等を行って基板に凹部を形成
することにより作成されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
凹版印刷版製造方法では、等方的にエッチングが進行す
るため、基板の深さ方向のみだけではなく横方向にもエ
ッチングが進行してサイドエッチングが生じ、形成され
る凹部の寸法制御が難しくなり、高精度の微細加工用の
凹版印刷版の製造に向かないという問題があった。
凹版印刷版製造方法では、等方的にエッチングが進行す
るため、基板の深さ方向のみだけではなく横方向にもエ
ッチングが進行してサイドエッチングが生じ、形成され
る凹部の寸法制御が難しくなり、高精度の微細加工用の
凹版印刷版の製造に向かないという問題があった。
【０００７】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、微細な凹部を高い精度で形成すること
のできる凹版印刷版の製造方法を提供することを目的と
する。
れたものであり、微細な凹部を高い精度で形成すること
のできる凹版印刷版の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基板にイオンビームでエッチング
できる所定パターンのフォトレジスト層を形成し、次
に、前記基板に前記イオンビームを照射し、前記フォト
レジスト層をマスクとして前記基板のフォトレジスト層
非形成部分をエッチングして前記基板に凹部を形成する
と同時に前記フォトレジスト層をエッチングするような
構成とした。また、前記フォトレジスト層の厚さは、前
記基板のエッチング速度と前記フォトレジスト層のエッ
チング速度の比及びエッチングする前記凹部の深さによ
り決定されるような構成とした。
るために、本発明は、基板にイオンビームでエッチング
できる所定パターンのフォトレジスト層を形成し、次
に、前記基板に前記イオンビームを照射し、前記フォト
レジスト層をマスクとして前記基板のフォトレジスト層
非形成部分をエッチングして前記基板に凹部を形成する
と同時に前記フォトレジスト層をエッチングするような
構成とした。また、前記フォトレジスト層の厚さは、前
記基板のエッチング速度と前記フォトレジスト層のエッ
チング速度の比及びエッチングする前記凹部の深さによ
り決定されるような構成とした。
【０００９】
【作用】基板に照射されたイオンビームは、フォトレジ
スト層がマスクとして作用することにより、基板のうち
フォトレジスト層非形成部分にのみ選択的照射され、ビ
ームの直進性により基板の異方性エッチングが行われ基
板に凹部が形成される。これにより基板のエッチング寸
法の制御が容易となり、寸法精度の高い微細凹部を備え
た凹版印刷版が可能となる。
スト層がマスクとして作用することにより、基板のうち
フォトレジスト層非形成部分にのみ選択的照射され、ビ
ームの直進性により基板の異方性エッチングが行われ基
板に凹部が形成される。これにより基板のエッチング寸
法の制御が容易となり、寸法精度の高い微細凹部を備え
た凹版印刷版が可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の凹版印刷版の製造方法を説
明するための図である。図１において、まず、凹版印刷
版としての耐刷性を高めるためにクロム（Ｃｒ）薄膜等
の薄膜２を予め形成した基板１（図１（ａ））にフォト
レジストを塗布してフォトレジスト層３を形成する（図
１（ｂ））。次に、所定パターンのフォトマスクを介し
てフォトレジスト層３に紫外線を照射して露光し、フォ
トレジスト層３の未硬化部分を除去（現像）する（図１
（ｃ））。その後、薄膜２だけを溶解する液により、薄
膜２のうちフォトレジスト層３が形成されていない部分
のみを溶かし去り、基板１のフォトレジスト層３非形成
部分１ａを露出させる（図１（ｄ））。次に、基板１を
イオンミリング装置の真空チャンバー（図示せず）内に
載置してイオンビームを基板１のフォトレジスト層３形
成面側に照射する（図１（ｅ））。これにより、所定パ
ターンでパターニングされているフォトレジスト層３を
マスクとして、基板１のフォトレジスト層３非形成部分
１ａがイオンビームによりエッチングされて凹部４が形
成される（図１（ｆ））。その後、残存するフォトレジ
スト層３を除去することにより凹版印刷版を形成する。
て説明する。図１は本発明の凹版印刷版の製造方法を説
明するための図である。図１において、まず、凹版印刷
版としての耐刷性を高めるためにクロム（Ｃｒ）薄膜等
の薄膜２を予め形成した基板１（図１（ａ））にフォト
レジストを塗布してフォトレジスト層３を形成する（図
１（ｂ））。次に、所定パターンのフォトマスクを介し
てフォトレジスト層３に紫外線を照射して露光し、フォ
トレジスト層３の未硬化部分を除去（現像）する（図１
（ｃ））。その後、薄膜２だけを溶解する液により、薄
膜２のうちフォトレジスト層３が形成されていない部分
のみを溶かし去り、基板１のフォトレジスト層３非形成
部分１ａを露出させる（図１（ｄ））。次に、基板１を
イオンミリング装置の真空チャンバー（図示せず）内に
載置してイオンビームを基板１のフォトレジスト層３形
成面側に照射する（図１（ｅ））。これにより、所定パ
ターンでパターニングされているフォトレジスト層３を
マスクとして、基板１のフォトレジスト層３非形成部分
１ａがイオンビームによりエッチングされて凹部４が形
成される（図１（ｆ））。その後、残存するフォトレジ
スト層３を除去することにより凹版印刷版を形成する。
【００１１】このように、本発明では基板１のマスキン
グ層非形成部１ａをイオンビームによりエッチングする
ことにより、基板１に異方性エッチングを施し、極めて
微細な凹部を基板に形成することが可能となる。したが
って、形成された凹版印刷版は寸法精度の高い微細凹部
を備えたものとなる。
グ層非形成部１ａをイオンビームによりエッチングする
ことにより、基板１に異方性エッチングを施し、極めて
微細な凹部を基板に形成することが可能となる。したが
って、形成された凹版印刷版は寸法精度の高い微細凹部
を備えたものとなる。
【００１２】基板１としては、ガラス板、アルミニウ
ム、銅、インバー、スーパーインバー、４２合金、コバ
ール、工具鋼（ＳＫＤ１１）等の金属、ポリイミド、フ
ッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテル
サルホン、ポリサルホン等の耐熱性のある有機物等を使
用することができる。また、凹版印刷版としての耐刷性
を高めるための薄膜２としては、Ｃｒ、Ｎｉ、ＳｉＣ、
ＴｉＮ等の薄膜が好ましい。この薄膜２の厚さは０．１
〜５μｍ程度が好ましい。
ム、銅、インバー、スーパーインバー、４２合金、コバ
ール、工具鋼（ＳＫＤ１１）等の金属、ポリイミド、フ
ッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテル
サルホン、ポリサルホン等の耐熱性のある有機物等を使
用することができる。また、凹版印刷版としての耐刷性
を高めるための薄膜２としては、Ｃｒ、Ｎｉ、ＳｉＣ、
ＴｉＮ等の薄膜が好ましい。この薄膜２の厚さは０．１
〜５μｍ程度が好ましい。
【００１３】フォトレジスト層３の形成に使用するフォ
トレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、ポリビニル
アルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添加したもの
を挙げることができる。また、フォトレジスト層３の厚
さは基板との選択比及び加工する深さを考慮して適宜決
定することができ、２〜１０μｍ程度が好ましい。
トレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、ポリビニル
アルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添加したもの
を挙げることができる。また、フォトレジスト層３の厚
さは基板との選択比及び加工する深さを考慮して適宜決
定することができ、２〜１０μｍ程度が好ましい。
【００１４】本発明においてイオンミリング装置は、公
知の種々のイオンミリング装置を使用することができ
る。また、イオンビームとしては、アルゴン（Ａｒ）の
ような不活性ガスのイオンビーム、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、
Ｏ2 、ＣＣｌ4 等の反応性ガスのイオンビームを使用す
ることができる。
知の種々のイオンミリング装置を使用することができ
る。また、イオンビームとしては、アルゴン（Ａｒ）の
ような不活性ガスのイオンビーム、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、
Ｏ2 、ＣＣｌ4 等の反応性ガスのイオンビームを使用す
ることができる。
【００１５】そして、例えば基板としてガラス基板を使
用し、イオンビームとしてＡｒを使用した場合、ガラス
基板のエッチング速度とフォトレジストのエッチング速
度の比（選択比）は約１であり、フォトレジスト層の厚
さが１０μｍの場合、ガラス基板を１０μｍの深さまで
エッチングすることができる。また、基板として銅基板
を使用し、イオンビームとしてＡｒを使用した場合、選
択比は約２であり、銅基板を１０μｍの深さまでエッチ
ングする場合、フォトレジスト層の厚さは５μｍでよい
ことになる。次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 （実験例１）ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にス
パッタリング法により膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜を形成
した。このＣｒ薄膜上にポジ型の厚塗り用レジスト（東
京応化製ＯＦＰＲ−８００Ｂ、粘度＝８００ｃｐ）をス
ピンコート法により塗布して厚さ１０μｍのフォトレジ
スト層を形成した。次に、線幅５μｍの所定パターンを
有するフォトマスクを介してフォトレジスト層に紫外線
を照射して露光を行った。露光は超高圧水銀ランプを光
源とし、照射量は３６５ｎｍで２９０ｍＪ／cm 2 とし
た。そして、現像液（東京応化製 ＮＭＤ−３）により
現像してパターニングされたフォトレジスト層を形成し
た。
用し、イオンビームとしてＡｒを使用した場合、ガラス
基板のエッチング速度とフォトレジストのエッチング速
度の比（選択比）は約１であり、フォトレジスト層の厚
さが１０μｍの場合、ガラス基板を１０μｍの深さまで
エッチングすることができる。また、基板として銅基板
を使用し、イオンビームとしてＡｒを使用した場合、選
択比は約２であり、銅基板を１０μｍの深さまでエッチ
ングする場合、フォトレジスト層の厚さは５μｍでよい
ことになる。次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 （実験例１）ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にス
パッタリング法により膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜を形成
した。このＣｒ薄膜上にポジ型の厚塗り用レジスト（東
京応化製ＯＦＰＲ−８００Ｂ、粘度＝８００ｃｐ）をス
ピンコート法により塗布して厚さ１０μｍのフォトレジ
スト層を形成した。次に、線幅５μｍの所定パターンを
有するフォトマスクを介してフォトレジスト層に紫外線
を照射して露光を行った。露光は超高圧水銀ランプを光
源とし、照射量は３６５ｎｍで２９０ｍＪ／cm 2 とし
た。そして、現像液（東京応化製 ＮＭＤ−３）により
現像してパターニングされたフォトレジスト層を形成し
た。
【００１６】その後、硝酸第２セリウムアンモンにより
フォトレジスト層が除去された部分のＣｒ薄膜をエッチ
ングして除去した。次に、基板をイオンミリング装置の
真空チャンバー内に載置し、下記の条件でＡｒイオンビ
ームを基板のフォトレジスト層形成面側に照射して基板
のフォトレジスト層非形成部分をエッチングした。
フォトレジスト層が除去された部分のＣｒ薄膜をエッチ
ングして除去した。次に、基板をイオンミリング装置の
真空チャンバー内に載置し、下記の条件でＡｒイオンビ
ームを基板のフォトレジスト層形成面側に照射して基板
のフォトレジスト層非形成部分をエッチングした。
【００１７】（リアクティブイオンビームエッチングの
条件） ・イオンガン導入ガス：Ａｒ ・真空チャンバー内圧力：４．３×１０-6Ｔｏｒｒ ・照射電圧：６００Ｖ ・照射時間：１８０分 このＡｒイオンビームによるエッチングによりガラス基
板のフォトレジスト層非形成部分にのみ深さ約１０μ
ｍ、幅５μｍの凹部が形成された。 （実験例２）基板として厚さ１ｍｍの銅基板に片面に実
験例１と同様にしてフォトレジスト層（厚さ５μｍ）を
形成した。次に、所定のパターンを有するフォトマスク
を介してフォトレジスト層に紫外線を照射して露光を行
った。露光は超高圧水銀ランプを光源とし、照射量は３
６５ｎｍで１００ｍＪ／cm2 とした。そして、実施例１
で用いたのと同じ現像液により現像してパターニングさ
れたフォトレジスト層を形成した。
条件） ・イオンガン導入ガス：Ａｒ ・真空チャンバー内圧力：４．３×１０-6Ｔｏｒｒ ・照射電圧：６００Ｖ ・照射時間：１８０分 このＡｒイオンビームによるエッチングによりガラス基
板のフォトレジスト層非形成部分にのみ深さ約１０μ
ｍ、幅５μｍの凹部が形成された。 （実験例２）基板として厚さ１ｍｍの銅基板に片面に実
験例１と同様にしてフォトレジスト層（厚さ５μｍ）を
形成した。次に、所定のパターンを有するフォトマスク
を介してフォトレジスト層に紫外線を照射して露光を行
った。露光は超高圧水銀ランプを光源とし、照射量は３
６５ｎｍで１００ｍＪ／cm2 とした。そして、実施例１
で用いたのと同じ現像液により現像してパターニングさ
れたフォトレジスト層を形成した。
【００１８】次に、基板をイオンミリング装置の真空チ
ャンバー内に載置し、下記の条件でＡｒイオンビームを
基板のフォトレジスト層形成面側に照射して基板のフォ
トレジスト層非形成部分をエッチングした。
ャンバー内に載置し、下記の条件でＡｒイオンビームを
基板のフォトレジスト層形成面側に照射して基板のフォ
トレジスト層非形成部分をエッチングした。
【００１９】（リアクティブイオンビームエッチングの
条件） ・イオンガム導入ガス：Ａｒ ・真空チャンバー内圧力：４．０×１０-6Ｔｏｒｒ ・照射電圧：６００Ｖ ・照射時間：８０分 このＡｒイオンビームによるエッチングにより銅基板の
フォトレジスト層非形成部分にのみ深さ約１０μｍ、幅
５μｍの凹部が形成された。
条件） ・イオンガム導入ガス：Ａｒ ・真空チャンバー内圧力：４．０×１０-6Ｔｏｒｒ ・照射電圧：６００Ｖ ・照射時間：８０分 このＡｒイオンビームによるエッチングにより銅基板の
フォトレジスト層非形成部分にのみ深さ約１０μｍ、幅
５μｍの凹部が形成された。
【００２０】この場合、銅基板はガラス基板よりも選択
比が高い（約２倍）ので、同じ深さの凹部を形成するの
に必要なフォトレジスト層の厚さは約半分でよく、作成
がより容易であった。 （比較例）ガラス基板のエッチングをフッ酸系エッチン
グ液によるウエットエッチングとした他は実験例１と同
様にしてガラス基板に凹部を形成した。形成された凹部
は深さ１０μｍ、幅２３μｍの凹部であった。
比が高い（約２倍）ので、同じ深さの凹部を形成するの
に必要なフォトレジスト層の厚さは約半分でよく、作成
がより容易であった。 （比較例）ガラス基板のエッチングをフッ酸系エッチン
グ液によるウエットエッチングとした他は実験例１と同
様にしてガラス基板に凹部を形成した。形成された凹部
は深さ１０μｍ、幅２３μｍの凹部であった。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば基
板に照射されたイオンビームは、フォトレジスト層がマ
スクとして作用することにより、基板のうちフォトレジ
スト層非形成部分にのみ選択的照射され、基板の異方性
エッチングが行われ基板に凹部が形成されるので、基板
のエッチング寸法の制御が容易となり、微細凹部を備え
た寸法精度の高い凹版印刷版の製造が可能となる。
板に照射されたイオンビームは、フォトレジスト層がマ
スクとして作用することにより、基板のうちフォトレジ
スト層非形成部分にのみ選択的照射され、基板の異方性
エッチングが行われ基板に凹部が形成されるので、基板
のエッチング寸法の制御が容易となり、微細凹部を備え
た寸法精度の高い凹版印刷版の製造が可能となる。
【図１】図１は本発明の凹版印刷版の製造方法を説明す
るための図である。
るための図である。
１…基板 １ａ…フォトレジスト層非形成部 ２…薄膜 ３…フォトレジスト層 ４…凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−69395（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−18561（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−8355（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−190396（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−108713（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−194250（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 505 B41C 1/02
Claims (2)
- 【請求項１】 基板にイオンビームでエッチングできる
所定パターンのフォトレジスト層を形成し、次に、前記
基板に前記イオンビームを照射し、前記フォトレジスト
層をマスクとして前記基板のフォトレジスト層非形成部
分をエッチングして前記基板に凹部を形成すると同時に
前記フォトレジスト層をエッチングすることを特徴とす
る凹版印刷版の製造方法。 - 【請求項２】 前記フォトレジスト層の厚さは、前記基
板のエッチング速度と前記フォトレジスト層のエッチン
グ速度の比及びエッチングする前記凹部の深さにより決
定されることを特徴とする請求項１記載の凹版印刷版の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6695892A JP3149254B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 凹版印刷版の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6695892A JP3149254B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 凹版印刷版の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05273742A JPH05273742A (ja) | 1993-10-22 |
| JP3149254B2 true JP3149254B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=13331046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6695892A Expired - Fee Related JP3149254B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 凹版印刷版の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149254B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013165956A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-29 | Hassho Shoji Kk | ボタン用アクセサリー |
| KR101958186B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2019-03-14 | 박수익 | 끈 조절고리부를 포함하는 상의 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002248876A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-03 | Printing Bureau Ministry Of Finance | 凹版版面、その凹版版面の作製方法、その凹版版面を用いた凹版印刷方法及びその凹版印刷物 |
| WO2015147134A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | エピタキシャル成長用基板の製造方法、それより得られるエピタキシャル成長用基板及びその基板を用いた発光素子 |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP6695892A patent/JP3149254B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013165956A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-29 | Hassho Shoji Kk | ボタン用アクセサリー |
| KR101958186B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2019-03-14 | 박수익 | 끈 조절고리부를 포함하는 상의 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05273742A (ja) | 1993-10-22 |
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