JPH0567566A - 多層レジスト及びそれを用いたレジストパターンの製造方法 - Google Patents
多層レジスト及びそれを用いたレジストパターンの製造方法Info
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- JPH0567566A JPH0567566A JP22726691A JP22726691A JPH0567566A JP H0567566 A JPH0567566 A JP H0567566A JP 22726691 A JP22726691 A JP 22726691A JP 22726691 A JP22726691 A JP 22726691A JP H0567566 A JPH0567566 A JP H0567566A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｘ線リソグラフィーの優れたパターン転写能力
を十分に生すことが可能な多層レジスト、及び、位置精
度、重ね合わせ精度を向上した、高精度なレジストパタ
ーンの製造方法を提供する。 【構成】支持体１上にＸ線フォトレジスト層２、Ｘ線吸
収体を含有したフォトレジスト層３からなる多層レジス
ト層４を形成し、これを選択的に露光した後、現像し、
次に、Ｘ線露光を行った後、現像する。
を十分に生すことが可能な多層レジスト、及び、位置精
度、重ね合わせ精度を向上した、高精度なレジストパタ
ーンの製造方法を提供する。 【構成】支持体１上にＸ線フォトレジスト層２、Ｘ線吸
収体を含有したフォトレジスト層３からなる多層レジス
ト層４を形成し、これを選択的に露光した後、現像し、
次に、Ｘ線露光を行った後、現像する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層レジスト及びそれ
を用いたレジストパターンの製造方法に係り、特に、Ｘ
線リソグラフィーの優れた転写能力を生かすことが可能
な多層レジスト、及び位置精度、重ね合わせ精度が向上
した、高精度なレジストパターンの製造方法に関する。
を用いたレジストパターンの製造方法に係り、特に、Ｘ
線リソグラフィーの優れた転写能力を生かすことが可能
な多層レジスト、及び位置精度、重ね合わせ精度が向上
した、高精度なレジストパターンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のリソグラフィー技術は、一般的
に、ｇ線やｉ線を利用したフォトリソグラフィーが用い
られていた。そして、近年、さらにパターンが微細化す
る半導体（ＬＳＩ）などの分野において、エキシマレー
ザリソグラフィー、位相シフト法などが開発されてい
る。
に、ｇ線やｉ線を利用したフォトリソグラフィーが用い
られていた。そして、近年、さらにパターンが微細化す
る半導体（ＬＳＩ）などの分野において、エキシマレー
ザリソグラフィー、位相シフト法などが開発されてい
る。
【０００３】しかしながら、エキシマレーザリソグラフ
ィー、位相シフト法などは、フォトレジストの膜厚が薄
ければ、かなり微細なパターンでも精度良く形成するこ
とができるが、このような薄い膜厚のレジストでは、Ｌ
ＳＩ製造工程における様々な加工に耐えられず、ＬＳＩ
製造工程に適用できないという問題があった。また、電
子ビーム（ＥＢ）描画により、ＬＳＩ製造工程に適用し
得る実用的な膜厚のレジストパターンを得ることが考え
られるが、描画時間が非常に長くかかり、生産性が低下
する他、解像度も低下するという問題があった。
ィー、位相シフト法などは、フォトレジストの膜厚が薄
ければ、かなり微細なパターンでも精度良く形成するこ
とができるが、このような薄い膜厚のレジストでは、Ｌ
ＳＩ製造工程における様々な加工に耐えられず、ＬＳＩ
製造工程に適用できないという問題があった。また、電
子ビーム（ＥＢ）描画により、ＬＳＩ製造工程に適用し
得る実用的な膜厚のレジストパターンを得ることが考え
られるが、描画時間が非常に長くかかり、生産性が低下
する他、解像度も低下するという問題があった。
【０００４】そこで、０．２５μｍ以下の実用的なパタ
ーンを得るために、優れたパターン転写能力を有するＸ
線を利用したフォトリソグラフィー（Ｘ線リソグラフィ
ー）が注目されている。しかしながら、このＸ線リソグ
ラフィーは、現在の技術では、レンズやミラーなどによ
る性能のよい光学系を組めないため、１対１の投影露光
にならざるを得ない。従って、マスクに要求される精度
が非常に厳しく、位置精度、重ね合わせ精度を十分に得
ることができないという問題があった。
ーンを得るために、優れたパターン転写能力を有するＸ
線を利用したフォトリソグラフィー（Ｘ線リソグラフィ
ー）が注目されている。しかしながら、このＸ線リソグ
ラフィーは、現在の技術では、レンズやミラーなどによ
る性能のよい光学系を組めないため、１対１の投影露光
にならざるを得ない。従って、マスクに要求される精度
が非常に厳しく、位置精度、重ね合わせ精度を十分に得
ることができないという問題があった。
【０００５】このような問題を解決するために、Ｏ2 Ｒ
ＩＥ（Ｏ2 を用いたリアクティブ・イオン・エッチン
グ）を利用した多層レジストプロセスが知られている。
この多層レジストプロセスは、厚い転写層レジストの上
に、Ｏ2 ＲＩＥ用のマスク材（一般的には、ＳＯＧ（Ｓ
ｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）が用いられる）を形成し、
その上にさらに、描画層レジストを塗布し、この描画層
レジストを露光・現像後、Ｏ2 ＲＩＥ用のマスク材をエ
ッチングしてマスクパターンを形成し、これをマスクと
して前記厚い転写層レジストをＯ2 ＲＩＥによりパター
ニングする方法である。この方法では、描画層レジスト
は、Ｏ2 ＲＩＥのマスク材をエッチングする際のマスク
として十分な厚さがあれば良い。従って、前記描画層レ
ジストの膜厚を通常のレジストより薄くすることができ
るため、解像度を向上することができる。また、Ｏ2 Ｒ
ＩＥ自身も高精度・超微細なエッチングが行える技術で
あるため、良好なパターンを得ることができる。
ＩＥ（Ｏ2 を用いたリアクティブ・イオン・エッチン
グ）を利用した多層レジストプロセスが知られている。
この多層レジストプロセスは、厚い転写層レジストの上
に、Ｏ2 ＲＩＥ用のマスク材（一般的には、ＳＯＧ（Ｓ
ｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）が用いられる）を形成し、
その上にさらに、描画層レジストを塗布し、この描画層
レジストを露光・現像後、Ｏ2 ＲＩＥ用のマスク材をエ
ッチングしてマスクパターンを形成し、これをマスクと
して前記厚い転写層レジストをＯ2 ＲＩＥによりパター
ニングする方法である。この方法では、描画層レジスト
は、Ｏ2 ＲＩＥのマスク材をエッチングする際のマスク
として十分な厚さがあれば良い。従って、前記描画層レ
ジストの膜厚を通常のレジストより薄くすることができ
るため、解像度を向上することができる。また、Ｏ2 Ｒ
ＩＥ自身も高精度・超微細なエッチングが行える技術で
あるため、良好なパターンを得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｏ
2 ＲＩＥは、下地に対するダメージが大きという問題が
あった。さらに、Ｏ2 ＲＩＥは、真空装置中で行われる
ため、スループットが悪く、生産性が低下するという問
題があった。本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、Ｘ線リソグラフィーの優れた
パターン転写能力を十分に生すことが可能な多層レジス
ト、及び、位置精度、重ね合わせ精度を向上した、高精
度なレジストパターンの製造方法を提供することを目的
とするものである。
2 ＲＩＥは、下地に対するダメージが大きという問題が
あった。さらに、Ｏ2 ＲＩＥは、真空装置中で行われる
ため、スループットが悪く、生産性が低下するという問
題があった。本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、Ｘ線リソグラフィーの優れた
パターン転写能力を十分に生すことが可能な多層レジス
ト、及び、位置精度、重ね合わせ精度を向上した、高精
度なレジストパターンの製造方法を提供することを目的
とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、Ｘ線フォトレジスト層上に、Ｘ線吸収体
を含有したフォトレジスト層を設けたことを特徴とする
多層レジストを提供するものである。そして、支持体上
にＸ線フォトレジスト層を形成する第１工程と、Ｘ線吸
収体を含有したフォトレジスト層を形成する第２工程
と、選択的に露光する第３工程と、現像する第４工程
と、Ｘ線露光を行う第５工程と、現像する第６工程と、
を備えたことを特徴とする多層レジストを用いたレジス
トパターンの製造方法を提供するものである。
に、本発明は、Ｘ線フォトレジスト層上に、Ｘ線吸収体
を含有したフォトレジスト層を設けたことを特徴とする
多層レジストを提供するものである。そして、支持体上
にＸ線フォトレジスト層を形成する第１工程と、Ｘ線吸
収体を含有したフォトレジスト層を形成する第２工程
と、選択的に露光する第３工程と、現像する第４工程
と、Ｘ線露光を行う第５工程と、現像する第６工程と、
を備えたことを特徴とする多層レジストを用いたレジス
トパターンの製造方法を提供するものである。
【０００８】
【作用】請求項１記載の発明によれば、Ｘ線フォトレジ
スト層上に、Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層を
設けた多層レジストは、当該Ｘ線吸収体を含有したフォ
トレジスト層を従来の露光方法によりパターニングする
ことで、前記Ｘ線フォトレジスト層をパターニングする
ためのマスクとすることができる。従って、マスク作製
上の困難を伴うことなく、Ｘ線リソグラフィーを利用し
て、高精度なパターン転写を行うことができる。
スト層上に、Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層を
設けた多層レジストは、当該Ｘ線吸収体を含有したフォ
トレジスト層を従来の露光方法によりパターニングする
ことで、前記Ｘ線フォトレジスト層をパターニングする
ためのマスクとすることができる。従って、マスク作製
上の困難を伴うことなく、Ｘ線リソグラフィーを利用し
て、高精度なパターン転写を行うことができる。
【０００９】即ち、パターン描画層である前記Ｘ線吸収
体を含有したフォトレジスト層は、前記Ｘ線フォトレジ
スト層をパターニングするためのマスクとして必要な厚
さがあれば良い。従って、ＬＳＩ製造工程に適用し得る
実用的な膜厚のレジストより薄い膜厚、即ち、通常の露
光方法、例えば、フォトリソグラフィー、エキシマレー
ザリソグラフィー、位相シフト法、などを利用した露光
を行った際に、かなり微細なパターンまで精度良く形成
することが可能な薄い膜厚にすることができる。これよ
り、前記マスクは、極めて高精度に形成することができ
るため、Ｘ線リソグラフィーの優れた転写能力を十分に
生かすことができる。
体を含有したフォトレジスト層は、前記Ｘ線フォトレジ
スト層をパターニングするためのマスクとして必要な厚
さがあれば良い。従って、ＬＳＩ製造工程に適用し得る
実用的な膜厚のレジストより薄い膜厚、即ち、通常の露
光方法、例えば、フォトリソグラフィー、エキシマレー
ザリソグラフィー、位相シフト法、などを利用した露光
を行った際に、かなり微細なパターンまで精度良く形成
することが可能な薄い膜厚にすることができる。これよ
り、前記マスクは、極めて高精度に形成することができ
るため、Ｘ線リソグラフィーの優れた転写能力を十分に
生かすことができる。
【００１０】そして、請求項２記載の発明によれば、支
持体上に、Ｘ線フォトレジスト層とＸ線吸収体を含有し
たフォトレジスト層を形成した後、これを選択的に露光
し、現像することで、前記Ｘ線吸収体を含有したフォト
レジスト層を精度良くパターニングすることができる。
その後、これにＸ線露光を行うと、前記パターニングさ
れたＸ線吸収体を含有したフォトレジスト層が、Ｘ線露
光に対するマスクとなるため、前記Ｘ線フォトレジスト
層を精度良くパターニングすることができる。次いでこ
れを現像することで、位置精度、重ね合わせ精度が向上
した高精度なレジストパターンを製造することができ
る。
持体上に、Ｘ線フォトレジスト層とＸ線吸収体を含有し
たフォトレジスト層を形成した後、これを選択的に露光
し、現像することで、前記Ｘ線吸収体を含有したフォト
レジスト層を精度良くパターニングすることができる。
その後、これにＸ線露光を行うと、前記パターニングさ
れたＸ線吸収体を含有したフォトレジスト層が、Ｘ線露
光に対するマスクとなるため、前記Ｘ線フォトレジスト
層を精度良くパターニングすることができる。次いでこ
れを現像することで、位置精度、重ね合わせ精度が向上
した高精度なレジストパターンを製造することができ
る。
【００１１】
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。 （実施例１）図１ないし図６は、本発明の実施例１に係
るレジストパターンの製造工程を示す一部断面図であ
る。
参照して説明する。 （実施例１）図１ないし図６は、本発明の実施例１に係
るレジストパターンの製造工程を示す一部断面図であ
る。
【００１２】先ず、図１に示す工程では、ウェハからな
る支持体１上に、フォトレジストとして、ノボラック系
樹脂製で耐ドライエッチング性に優れたフォトレジスト
（『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』（商品名）；シプレイ社
製）を用い、１．０μｍ程度の膜厚でＸ線フォトレジス
ト層２を形成する。次に、図２に示す工程では、図１に
示す工程で得たＸ線フォトレジスト層２上に、Ｘ線吸収
体として、Ｓｉ（シリコン）を含有したフォトレジスト
（『ＦＨ−ＳＰ』（商品名）；富士ハント社製）を用
い、０．２〜０．５μｍ程度の薄い膜厚でＸ線吸収体を
含有したフォトレジスト層３を形成する。このようにし
て、支持体１上にＸ線フォトレジスト層２及びＸ線吸収
体を含有したフォトレジスト層３からなる多層レジスト
層４を形成した。
る支持体１上に、フォトレジストとして、ノボラック系
樹脂製で耐ドライエッチング性に優れたフォトレジスト
（『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』（商品名）；シプレイ社
製）を用い、１．０μｍ程度の膜厚でＸ線フォトレジス
ト層２を形成する。次に、図２に示す工程では、図１に
示す工程で得たＸ線フォトレジスト層２上に、Ｘ線吸収
体として、Ｓｉ（シリコン）を含有したフォトレジスト
（『ＦＨ−ＳＰ』（商品名）；富士ハント社製）を用
い、０．２〜０．５μｍ程度の薄い膜厚でＸ線吸収体を
含有したフォトレジスト層３を形成する。このようにし
て、支持体１上にＸ線フォトレジスト層２及びＸ線吸収
体を含有したフォトレジスト層３からなる多層レジスト
層４を形成した。
【００１３】次いで、図３に示す工程では、ｉ線と位相
シフト法を利用して、図２に示す工程で得た多層レジス
ト層４を選択的に露光し、Ｘ線吸収体を含有したフォト
レジスト層３に、幅が０．２μｍのパターンを形成す
る。ここで、Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層３
は、０．２〜０．５μｍ程度の薄い膜厚であるため、前
記露光方法で十分な解像度が得られる。
シフト法を利用して、図２に示す工程で得た多層レジス
ト層４を選択的に露光し、Ｘ線吸収体を含有したフォト
レジスト層３に、幅が０．２μｍのパターンを形成す
る。ここで、Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層３
は、０．２〜０．５μｍ程度の薄い膜厚であるため、前
記露光方法で十分な解像度が得られる。
【００１４】次に、図４に示す工程では、図３に示す工
程で得た支持体１をＴＭＡＨ（ＴｅｔｒａＭｅｔｈｙｌ
Ａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏ Ｏｘｉｄｅ）を用い
て現像し、Ｘ線露光用マスク５を形成する。このＸ線露
光用マスク５は、前記リゾグラフィ技術により簡単に、
精度良く作製することができる。従って、従来、Ｘ線露
光を行うために必要とされていたマスク作製上の困難を
伴うことなく、Ｘ線露光を行うことができる。
程で得た支持体１をＴＭＡＨ（ＴｅｔｒａＭｅｔｈｙｌ
Ａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏ Ｏｘｉｄｅ）を用い
て現像し、Ｘ線露光用マスク５を形成する。このＸ線露
光用マスク５は、前記リゾグラフィ技術により簡単に、
精度良く作製することができる。従って、従来、Ｘ線露
光を行うために必要とされていたマスク作製上の困難を
伴うことなく、Ｘ線露光を行うことができる。
【００１５】次いで、図５に示す工程では、光源にＳＯ
Ｒ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｏｒｏｎ Ｏｒｂｉｔａｌ Ｒａ
ｄｉｔｉｏｎ）を用い、図４に示す工程で得た支持体１
の全面に、４０〜２００Åの波長でＸ線露光を行う。こ
の時、前記Ｘ線露光用マスク５中に含有されているＳｉ
がＸ線を吸収するため、Ｘ線露光用マスク５領域以外の
Ｘ線フォトレジスト層２が露光される。
Ｒ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｏｒｏｎ Ｏｒｂｉｔａｌ Ｒａ
ｄｉｔｉｏｎ）を用い、図４に示す工程で得た支持体１
の全面に、４０〜２００Åの波長でＸ線露光を行う。こ
の時、前記Ｘ線露光用マスク５中に含有されているＳｉ
がＸ線を吸収するため、Ｘ線露光用マスク５領域以外の
Ｘ線フォトレジスト層２が露光される。
【００１６】次に、図６に示す工程では、図５に示す工
程で得た支持体１の下地を加工した後、ＴＭＡＨを用い
て現像し、レジストパターン６を形成する。このように
して、位置精度、重ね合わせ精度が向上した高精度なレ
ジストパターン６を製造することができた。本実施例で
は、図１に示す工程で、Ｘ線フォトレジスト層２とし
て、『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』を使用したが、これに限
らず、所望により他のＸ線フォトレジストを使用してい
もよい。
程で得た支持体１の下地を加工した後、ＴＭＡＨを用い
て現像し、レジストパターン６を形成する。このように
して、位置精度、重ね合わせ精度が向上した高精度なレ
ジストパターン６を製造することができた。本実施例で
は、図１に示す工程で、Ｘ線フォトレジスト層２とし
て、『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』を使用したが、これに限
らず、所望により他のＸ線フォトレジストを使用してい
もよい。
【００１７】そして、図２に示す工程では、Ｘ線吸収体
を含有したフォトレジスト層３として、『ＦＨ−ＳＰ』
を使用したが、これに限らず、他のＸ線吸収体を含有し
たフォトレジストを用いてもよい。また、Ｘ線吸収体と
しては、Ｓｉに限らず、Ｗ（タンステン），Ｔａ（タン
タル）など、他のＸ線吸収体を含有してもよく、また、
これらを混合して使用してもよい。
を含有したフォトレジスト層３として、『ＦＨ−ＳＰ』
を使用したが、これに限らず、他のＸ線吸収体を含有し
たフォトレジストを用いてもよい。また、Ｘ線吸収体と
しては、Ｓｉに限らず、Ｗ（タンステン），Ｔａ（タン
タル）など、他のＸ線吸収体を含有してもよく、また、
これらを混合して使用してもよい。
【００１８】また、図３に示す工程では、ｉ線と位相シ
フト法を利用して、多層レジスト層４を選択的に露光し
たが、これに限らず、電子ビーム法など、従来行われて
いる他の露光方法により露光してもよい。そして、図５
に示す工程では、光源にＳＯＲを用い、４０〜２００Å
の波長でＸ線露光を行ったが、これに限らす、光源，波
長は、Ｘ線フォトレジストの種類など、所望により決定
してよい。 （実施例２）次に、本発明に係る他の実施例について、
図面を参照して説明する。
フト法を利用して、多層レジスト層４を選択的に露光し
たが、これに限らず、電子ビーム法など、従来行われて
いる他の露光方法により露光してもよい。そして、図５
に示す工程では、光源にＳＯＲを用い、４０〜２００Å
の波長でＸ線露光を行ったが、これに限らす、光源，波
長は、Ｘ線フォトレジストの種類など、所望により決定
してよい。 （実施例２）次に、本発明に係る他の実施例について、
図面を参照して説明する。
【００１９】図７ないし図１０は、本発明の実施例２に
係るレジストパターンの製造工程を示す一部断面図であ
る。先ず、図１に示す工程では、ウェハからなる支持体
１上に、フォトレジストとして、ノボラック系樹脂製で
耐ドライエッチング性に優れたフォトレジスト（『ＳＡ
Ｌ６０１−ＥＲ７』（商品名）；シプレイ社製）を用
い、１．０μｍ程度の膜厚でＸ線フォトレジスト層２を
形成する。
係るレジストパターンの製造工程を示す一部断面図であ
る。先ず、図１に示す工程では、ウェハからなる支持体
１上に、フォトレジストとして、ノボラック系樹脂製で
耐ドライエッチング性に優れたフォトレジスト（『ＳＡ
Ｌ６０１−ＥＲ７』（商品名）；シプレイ社製）を用
い、１．０μｍ程度の膜厚でＸ線フォトレジスト層２を
形成する。
【００２０】次いで、このＸ線フォトレジスト層２上
に、Ｘ線吸収体として、Ｗを用い、０．３〜０．５μｍ
程度の膜厚でＸ線吸収体層７を形成する。その後、この
Ｘ線吸収体層７上に、描画用のフォトレジストとして、
ノボラック系樹脂製で耐ドライエッチング性に優れたフ
ォトレジスト（『ｉｐ−１８００』（商品名）；東京応
化製）を用い、０．３〜０．５μｍ程度の膜厚でフォト
レジスト層８を形成する。このようにして、Ｘ線フォト
レジスト層２上に、Ｘ線吸収体層７及びフォトレジスト
層８からなるＸ線吸収体を含有したフォトレジスト層３
を形成した。即ち、支持体１上にＸ線フォトレジスト層
２及びＸ線吸収体を含有したフォトレジスト層３からな
る多層レジスト層４を形成した。
に、Ｘ線吸収体として、Ｗを用い、０．３〜０．５μｍ
程度の膜厚でＸ線吸収体層７を形成する。その後、この
Ｘ線吸収体層７上に、描画用のフォトレジストとして、
ノボラック系樹脂製で耐ドライエッチング性に優れたフ
ォトレジスト（『ｉｐ−１８００』（商品名）；東京応
化製）を用い、０．３〜０．５μｍ程度の膜厚でフォト
レジスト層８を形成する。このようにして、Ｘ線フォト
レジスト層２上に、Ｘ線吸収体層７及びフォトレジスト
層８からなるＸ線吸収体を含有したフォトレジスト層３
を形成した。即ち、支持体１上にＸ線フォトレジスト層
２及びＸ線吸収体を含有したフォトレジスト層３からな
る多層レジスト層４を形成した。
【００２１】次いで、前記実施例１と同様に、前記多層
レジスト層４をｉ線と位相シフト法を利用して、選択的
に露光し、Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層３
に、幅が０．２μｍの高精度なパターンを形成する。こ
の時、実施例１と同様に、フォトレジスト層８は、０．
３〜０．５μｍ程度の薄い膜厚であるため、前記露光方
法で十分な解像度が得られる。
レジスト層４をｉ線と位相シフト法を利用して、選択的
に露光し、Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層３
に、幅が０．２μｍの高精度なパターンを形成する。こ
の時、実施例１と同様に、フォトレジスト層８は、０．
３〜０．５μｍ程度の薄い膜厚であるため、前記露光方
法で十分な解像度が得られる。
【００２２】次に、図８に示す工程では、図７に示す工
程で得た支持体１を、を用いて現像し、レジストパター
ン９を得る。次いで、図９に示す工程では、図８に示す
工程で得たレジストパターン９をマスクとし、ＥＣＲエ
ッチング技術を用いて、Ｘ線吸収体層７をエッチングす
る。このようにして、Ｘ線露光用マスク５を形成する。
次いで、前記支持体１の全面を実施例１と同様の方法で
Ｘ線露光する。
程で得た支持体１を、を用いて現像し、レジストパター
ン９を得る。次いで、図９に示す工程では、図８に示す
工程で得たレジストパターン９をマスクとし、ＥＣＲエ
ッチング技術を用いて、Ｘ線吸収体層７をエッチングす
る。このようにして、Ｘ線露光用マスク５を形成する。
次いで、前記支持体１の全面を実施例１と同様の方法で
Ｘ線露光する。
【００２３】次に、図１０に示す工程では、実施例１の
図６に示す工程と同様の処理を行い、位置精度、重ね合
わせ精度が向上した高精度なレジストパターン６を得
た。尚、図７に示す工程では、Ｘ線吸収体として、Ｗを
用いたが、これに限らず、ＴａやＳｉなど、他のＸ線吸
収体を用いてもよい。
図６に示す工程と同様の処理を行い、位置精度、重ね合
わせ精度が向上した高精度なレジストパターン６を得
た。尚、図７に示す工程では、Ｘ線吸収体として、Ｗを
用いたが、これに限らず、ＴａやＳｉなど、他のＸ線吸
収体を用いてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、前記多層レジストは、パターン描画層となる
Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層の膜厚を、前記
Ｘ線フォトレジスト層をパターニングするためのマスク
として必要な程度の厚さにすればよいため、通常の露光
方法を行った際に、かなり微細なパターンまで精度良く
形成することができる。そして、これがＸ線露光に対す
るマスクとなるため、マスク作製上の困難を伴うことな
く、Ｘ線リソグラフィーを利用して、高精度なパターン
転写を行うことができる。
によれば、前記多層レジストは、パターン描画層となる
Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層の膜厚を、前記
Ｘ線フォトレジスト層をパターニングするためのマスク
として必要な程度の厚さにすればよいため、通常の露光
方法を行った際に、かなり微細なパターンまで精度良く
形成することができる。そして、これがＸ線露光に対す
るマスクとなるため、マスク作製上の困難を伴うことな
く、Ｘ線リソグラフィーを利用して、高精度なパターン
転写を行うことができる。
【００２５】そして、請求項２記載の発明によれば、前
記多層レジスト層を選択的に露光し、現像することで、
前記Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層を精度良く
パターニングすることができる。その後、これにＸ線露
光を行うと、前記パターニングされたＸ線吸収体を含有
したフォトレジスト層が、Ｘ線露光に対するマスクとな
るため、前記Ｘ線フォトレジスト層を精度良くパターニ
ングすることができる。次いでこれを現像することで、
下地にダメージを与えることなく、位置精度、重ね合わ
せ精度が向上した高精度なレジストパターンを効率良く
製造することができる。
記多層レジスト層を選択的に露光し、現像することで、
前記Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層を精度良く
パターニングすることができる。その後、これにＸ線露
光を行うと、前記パターニングされたＸ線吸収体を含有
したフォトレジスト層が、Ｘ線露光に対するマスクとな
るため、前記Ｘ線フォトレジスト層を精度良くパターニ
ングすることができる。次いでこれを現像することで、
下地にダメージを与えることなく、位置精度、重ね合わ
せ精度が向上した高精度なレジストパターンを効率良く
製造することができる。
【図１】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図４】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図５】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図６】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図７】本発明の実施例２に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図８】本発明の実施例２に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図９】本発明の実施例２に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図１０】本発明の実施例２に係る多重レジストの製造
工程を示す一部断面図である。
工程を示す一部断面図である。
１ 支持体 ２ Ｘ線フォトレジスト層 ３ Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト層 ４ 多層レジスト層 ５ Ｘ線露光用マスク ６ レジストパターン ７ Ｘ線吸収体層 ８ フォトレジスト層 ９ レジストパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線フォトレジスト層上に、Ｘ線吸収体
を含有したフォトレジスト層を設けたことを特徴とする
多層レジスト。 - 【請求項２】 支持体上にＸ線フォトレジスト層を形成
する第１工程と、Ｘ線吸収体を含有したフォトレジスト
層を形成する第２工程と、選択的に露光する第３工程
と、現像する第４工程と、Ｘ線露光を行う第５工程と、
現像する第６工程と、を備えたことを特徴とする多層レ
ジストを用いたレジストパターンの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22726691A JPH0567566A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 多層レジスト及びそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
| US07/940,195 US5407782A (en) | 1991-09-06 | 1992-09-02 | Method of forming resist pattern in a multilayer resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22726691A JPH0567566A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 多層レジスト及びそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567566A true JPH0567566A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16858129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22726691A Pending JPH0567566A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 多層レジスト及びそれを用いたレジストパターンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567566A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009054798A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Glory Ltd | 光学樹脂加工方法 |
| JP2009054797A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Glory Ltd | Ｘ線マスク製造方法 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP22726691A patent/JPH0567566A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009054798A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Glory Ltd | 光学樹脂加工方法 |
| JP2009054797A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Glory Ltd | Ｘ線マスク製造方法 |
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