JPH06333804A - Ｘ線露光方法及びｘ線マスク製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法及びｘ線マスク製造方法Info
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- JPH06333804A JPH06333804A JP11873793A JP11873793A JPH06333804A JP H06333804 A JPH06333804 A JP H06333804A JP 11873793 A JP11873793 A JP 11873793A JP 11873793 A JP11873793 A JP 11873793A JP H06333804 A JPH06333804 A JP H06333804A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線露光方法及びＸ線露光用マスク製造方法
に関し、レジストパターン側壁の傾斜を防止することを
目的とする。 【構成】 所定のパターンの透光部3bとこの透光部3bの
周囲に接する半透光部3dとを備えたＸ線マスク3Aを使用
し、基板１上のレジスト膜２にＸ線マスク3Aの透光部3b
に等しいパターンの適正露光潜像４とその周囲に接し且
つ露光量の少ない微弱露光潜像５とを形成し、その後ベ
ーキングと現像とを行ってレジストパターンを得る。
に関し、レジストパターン側壁の傾斜を防止することを
目的とする。 【構成】 所定のパターンの透光部3bとこの透光部3bの
周囲に接する半透光部3dとを備えたＸ線マスク3Aを使用
し、基板１上のレジスト膜２にＸ線マスク3Aの透光部3b
に等しいパターンの適正露光潜像４とその周囲に接し且
つ露光量の少ない微弱露光潜像５とを形成し、その後ベ
ーキングと現像とを行ってレジストパターンを得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線露光方法及びＸ線露
光用マスク（以下、Ｘ線マスクと記す）の製造方法に関
する。
光用マスク（以下、Ｘ線マスクと記す）の製造方法に関
する。
【０００２】近年、半導体装置等ではパターンの微細化
が進行しており、この傾向が今後も続くことは確実であ
る。そのため、紫外線露光法（フォトリソグラフィ）で
は形成し得ない極めて微細なパターンを形成する技術と
して、紫外線より波長の短い軟Ｘ線を使用するＸ線露光
法（Ｘ線リソグラフィ）が注目されており、実用化のた
めの検討がなされている。
が進行しており、この傾向が今後も続くことは確実であ
る。そのため、紫外線露光法（フォトリソグラフィ）で
は形成し得ない極めて微細なパターンを形成する技術と
して、紫外線より波長の短い軟Ｘ線を使用するＸ線露光
法（Ｘ線リソグラフィ）が注目されており、実用化のた
めの検討がなされている。
【０００３】
【従来の技術】Ｘ線露光法では、通常、図５(A) に示す
ように、Ｘ線レジストを塗布した基板１（半導体ウェー
ハ等）と等倍のマスクパターンを有するＸ線マスク３と
を微小な間隔を保って対向させ、このレジスト膜２にＸ
線マスク３を介してシンクロトロン放射光等の軟Ｘ線を
照射し、Ｘ線マスク３の透光部3bのパターンに等しい潜
像４を形成した後、現像してレジストパターンを得る。
ように、Ｘ線レジストを塗布した基板１（半導体ウェー
ハ等）と等倍のマスクパターンを有するＸ線マスク３と
を微小な間隔を保って対向させ、このレジスト膜２にＸ
線マスク３を介してシンクロトロン放射光等の軟Ｘ線を
照射し、Ｘ線マスク３の透光部3bのパターンに等しい潜
像４を形成した後、現像してレジストパターンを得る。
【０００４】Ｘ線マスク３としては、通常、図５(C) に
示すように、支持枠31に張着されたＸ線透過膜32の片面
に、所望のパターンの透光部3b（3cは遮光部）が形成さ
れたＸ線吸収体膜33を有するものを使用する。
示すように、支持枠31に張着されたＸ線透過膜32の片面
に、所望のパターンの透光部3b（3cは遮光部）が形成さ
れたＸ線吸収体膜33を有するものを使用する。
【０００５】Ｘ線レジストとしては、ネガ型、ポジ型と
もに種々開発されており、転写するパターンの種類等に
応じて適宜使い分けられているが、化学増幅型のポジ型
レジストが、高感度且つ高解像度で、しかも容易に入手
出来るため、微細パターン転写用として多用されてい
る。
もに種々開発されており、転写するパターンの種類等に
応じて適宜使い分けられているが、化学増幅型のポジ型
レジストが、高感度且つ高解像度で、しかも容易に入手
出来るため、微細パターン転写用として多用されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、Ｘ線レジス
トとして化学増幅型のポジ型レジストを使用した場合、
現像して得られるレジストパターンの側壁は垂直とはな
らず、図５(B) に示したようにレジスト膜２の表層側が
庇状に張り出して逆テーパが付いた断面形状となる、と
いう問題があった。これは、レジスト膜の露光部分に生
成された酸が露光してからベーキング（ポスト・エクス
ポージャ・ベーク）するまでの間にその表層部で減少す
る等の理由で表層部に現像液に溶けにくい層が形成され
て周辺部から成長するためと考えられている。
トとして化学増幅型のポジ型レジストを使用した場合、
現像して得られるレジストパターンの側壁は垂直とはな
らず、図５(B) に示したようにレジスト膜２の表層側が
庇状に張り出して逆テーパが付いた断面形状となる、と
いう問題があった。これは、レジスト膜の露光部分に生
成された酸が露光してからベーキング（ポスト・エクス
ポージャ・ベーク）するまでの間にその表層部で減少す
る等の理由で表層部に現像液に溶けにくい層が形成され
て周辺部から成長するためと考えられている。
【０００７】レジスト膜のこのような断面形状は、パタ
ーン寸法測定精度を低下させると共に、このレジスト膜
をエッチングマスクとして行う下地のエッチングの寸法
制御性を損なうことになり、微細パターン加工の支障と
なる。
ーン寸法測定精度を低下させると共に、このレジスト膜
をエッチングマスクとして行う下地のエッチングの寸法
制御性を損なうことになり、微細パターン加工の支障と
なる。
【０００８】本発明はこのような問題を解決して、レジ
ストパターンの側壁が垂直となるＸ線露光方法を提供す
ることを目的とする。
ストパターンの側壁が垂直となるＸ線露光方法を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、〔１〕基板上のレジスト膜をＸ線マスクを介して選
択的にＸ線露光する方法であって、該レジスト膜に所定
のパターンの適正露光潜像と該適正露光潜像の周囲に接
し且つ該適正露光潜像より露光量の少ない微弱露光潜像
とを形成することを特徴とするＸ線露光方法とすること
で、〔２〕前記の〔１〕において、所定のパターンの透
光部を備えたＸ線マスクを使用し、前記基板と該Ｘ線マ
スクとの相対位置を所定の位置に合わせて行う通常露光
と、該通常露光より露光量が少なく且つ該基板と該Ｘ線
マスクとの相対位置を所定の位置から僅かにずらせて行
う補助露光とを含むことを特徴とするＸ線露光方法とす
ることで、〔３〕前記の〔１〕において、所定のパター
ンの透光部と該透光部の周囲に接する半透光部とを備え
たＸ線マスクを使用し、前記基板と該Ｘ線マスクとの相
対位置を所定の位置に合わせて露光することを特徴とす
る請求項１記載のＸ線露光方法とすることで、〔４〕透
光部と該透光部の周囲に接する半透光部とを備えたＸ線
マスクの製造方法であって、Ｘ線透過膜の表面に第一の
Ｘ線吸収体膜を形成する工程と、該Ｘ線透過膜の裏面に
第二のＸ線吸収体膜を形成する工程と、該第一のＸ線吸
収体膜をパターニングする工程と、該第二のＸ線吸収体
膜上に化学増幅型のポジ型レジストを塗布してレジスト
膜を形成する工程と、該第一のＸ線吸収体膜側から該第
二のＸ線吸収体膜を透過するＸ線により該レジスト膜を
選択的に露光する工程と、該レジスト膜全面を一様にＸ
線露光する工程と、該レジスト膜現像する工程と、該レ
ジスト膜をマスクとして該第二のＸ線吸収体膜をエッチ
ングする工程と、をこの順に含むことを特徴とするＸ線
マスク製造方法とすることで、達成される。
ば、〔１〕基板上のレジスト膜をＸ線マスクを介して選
択的にＸ線露光する方法であって、該レジスト膜に所定
のパターンの適正露光潜像と該適正露光潜像の周囲に接
し且つ該適正露光潜像より露光量の少ない微弱露光潜像
とを形成することを特徴とするＸ線露光方法とすること
で、〔２〕前記の〔１〕において、所定のパターンの透
光部を備えたＸ線マスクを使用し、前記基板と該Ｘ線マ
スクとの相対位置を所定の位置に合わせて行う通常露光
と、該通常露光より露光量が少なく且つ該基板と該Ｘ線
マスクとの相対位置を所定の位置から僅かにずらせて行
う補助露光とを含むことを特徴とするＸ線露光方法とす
ることで、〔３〕前記の〔１〕において、所定のパター
ンの透光部と該透光部の周囲に接する半透光部とを備え
たＸ線マスクを使用し、前記基板と該Ｘ線マスクとの相
対位置を所定の位置に合わせて露光することを特徴とす
る請求項１記載のＸ線露光方法とすることで、〔４〕透
光部と該透光部の周囲に接する半透光部とを備えたＸ線
マスクの製造方法であって、Ｘ線透過膜の表面に第一の
Ｘ線吸収体膜を形成する工程と、該Ｘ線透過膜の裏面に
第二のＸ線吸収体膜を形成する工程と、該第一のＸ線吸
収体膜をパターニングする工程と、該第二のＸ線吸収体
膜上に化学増幅型のポジ型レジストを塗布してレジスト
膜を形成する工程と、該第一のＸ線吸収体膜側から該第
二のＸ線吸収体膜を透過するＸ線により該レジスト膜を
選択的に露光する工程と、該レジスト膜全面を一様にＸ
線露光する工程と、該レジスト膜現像する工程と、該レ
ジスト膜をマスクとして該第二のＸ線吸収体膜をエッチ
ングする工程と、をこの順に含むことを特徴とするＸ線
マスク製造方法とすることで、達成される。
【００１０】
【作用】レジストは一般に、その臨界ドーズ量に達しな
い露光を行って現像すると、ドーズ量に応じて膜厚が減
少する。本発明では、図１(A) に示すように、基板１上
のレジスト膜２に、臨界ドーズ量を超える露光により適
正露光潜像４を形成すると共にその周囲に接して現像時
に僅かな膜厚減少を生じる程度の露光により微弱露光潜
像５を形成するから、露光してからベーキングするまで
の間にレジスト膜２の表層部に現像液に溶けにくい層が
周辺から形成されても、現像後にレジスト膜の表層部に
庇状の張り出しのない、図１(B) に示すような垂直の側
壁を得ることがが出来る。
い露光を行って現像すると、ドーズ量に応じて膜厚が減
少する。本発明では、図１(A) に示すように、基板１上
のレジスト膜２に、臨界ドーズ量を超える露光により適
正露光潜像４を形成すると共にその周囲に接して現像時
に僅かな膜厚減少を生じる程度の露光により微弱露光潜
像５を形成するから、露光してからベーキングするまで
の間にレジスト膜２の表層部に現像液に溶けにくい層が
周辺から形成されても、現像後にレジスト膜の表層部に
庇状の張り出しのない、図１(B) に示すような垂直の側
壁を得ることがが出来る。
【００１１】この微弱露光潜像５を形成する手段とし
て、請求項２の方法では通常露光とは別に補助露光が必
要となるが構造が簡単な従来のＸ線マスクが使用出来、
一方、請求項３の方法では構造が複雑なＸ線マスクを必
要とするが一度の通常露光で適正露光潜像４と微弱露光
潜像５とが同時に形成される。
て、請求項２の方法では通常露光とは別に補助露光が必
要となるが構造が簡単な従来のＸ線マスクが使用出来、
一方、請求項３の方法では構造が複雑なＸ線マスクを必
要とするが一度の通常露光で適正露光潜像４と微弱露光
潜像５とが同時に形成される。
【００１２】この請求項３の方法で使用するＸ線マスク
は構造が複雑であるが、吸収体膜をＸ線透過膜の両面に
分割し、一方の吸収体膜をパターニングした後、そのパ
ターンを他方の吸収体膜に転写するセルフアライン方式
を採用しているから、微小な半透光部を比較的簡単な方
法で精度良く形成することが出来る。
は構造が複雑であるが、吸収体膜をＸ線透過膜の両面に
分割し、一方の吸収体膜をパターニングした後、そのパ
ターンを他方の吸収体膜に転写するセルフアライン方式
を採用しているから、微小な半透光部を比較的簡単な方
法で精度良く形成することが出来る。
【００１３】
【実施例】本発明に係るＸ線露光方法及びＸ線マスク製
造方法の実施例を図２乃至図４を参照しながら説明す
る。
造方法の実施例を図２乃至図４を参照しながら説明す
る。
【００１４】図２は本発明のＸ線露光方法の第一の実施
例を示す断面図である。同図において、１は基板（半導
体ウェーハ等）、２はレジスト膜、３はＸ線マスクであ
る。レジスト膜２は化学増幅型のポジ型レジスト( Hoec
hst 社製、ＲＡＹ−ＰＦ）からなり、厚さは１μm 。Ｘ
線マスク３は図５(C) に示したような通常の構造をなす
ものであり、所望のパターンの透光部 3b を有してい
る。
例を示す断面図である。同図において、１は基板（半導
体ウェーハ等）、２はレジスト膜、３はＸ線マスクであ
る。レジスト膜２は化学増幅型のポジ型レジスト( Hoec
hst 社製、ＲＡＹ−ＰＦ）からなり、厚さは１μm 。Ｘ
線マスク３は図５(C) に示したような通常の構造をなす
ものであり、所望のパターンの透光部 3b を有してい
る。
【００１５】基板１とＸ線マスク３との間隔を30μm に
保ち、基板１に形成されている既成パターン（図示は省
略）とＸ線マスク３のマスクパターンとの位置合わせ
（マスクアライメント）を行った後、Ｘ線マスク３を介
してレジスト膜２にＸ線（シンクロトロン放射光）を所
定の露光量だけ照射する（図２(a) 参照）。
保ち、基板１に形成されている既成パターン（図示は省
略）とＸ線マスク３のマスクパターンとの位置合わせ
（マスクアライメント）を行った後、Ｘ線マスク３を介
してレジスト膜２にＸ線（シンクロトロン放射光）を所
定の露光量だけ照射する（図２(a) 参照）。
【００１６】次に、基板１とＸ線マスク３との重ね合わ
せ位置を保ったまま、間隔を70μmに拡げる。次に、こ
の重ね合わせ位置を中心として基板１をＸ及びＹ方向に
順次0.１〜0.３μm 移動し（又は振動させながら）、少
量のＸ線露光を行う（補助露光）。その結果、レジスト
膜２には適正露光潜像４とこの周囲に接する微弱露光潜
像５とが得られる（図２(b) ，(c) 参照）。尚、この基
板１の微小移動（又は振動）は、露光装置のマスクアラ
イメント機構を利用して行う。
せ位置を保ったまま、間隔を70μmに拡げる。次に、こ
の重ね合わせ位置を中心として基板１をＸ及びＹ方向に
順次0.１〜0.３μm 移動し（又は振動させながら）、少
量のＸ線露光を行う（補助露光）。その結果、レジスト
膜２には適正露光潜像４とこの周囲に接する微弱露光潜
像５とが得られる（図２(b) ，(c) 参照）。尚、この基
板１の微小移動（又は振動）は、露光装置のマスクアラ
イメント機構を利用して行う。
【００１７】このレジスト膜２をアルカリ現像液（ 1.6
％テトラメチルアンモニウムオキサイド水溶液）で１分
間現像し、純水で洗浄したのち乾燥させる。この方法に
より、先に図１(B) に示したような断面形状のレジスト
パターンが得られた。
％テトラメチルアンモニウムオキサイド水溶液）で１分
間現像し、純水で洗浄したのち乾燥させる。この方法に
より、先に図１(B) に示したような断面形状のレジスト
パターンが得られた。
【００１８】図３は本発明のＸ線露光方法の第二の実施
例を示す断面図であり、(A) は露光方法の概念を示し、
(B) は使用するＸ線マスクの構造を示している。同図の
(A)における3AはＸ線マスク、3dは半透光部であり、(B)
における34は第一のＸ線吸収体膜、35は第二のＸ線吸
収体膜である（他の符号は図１，２に同じ）。
例を示す断面図であり、(A) は露光方法の概念を示し、
(B) は使用するＸ線マスクの構造を示している。同図の
(A)における3AはＸ線マスク、3dは半透光部であり、(B)
における34は第一のＸ線吸収体膜、35は第二のＸ線吸
収体膜である（他の符号は図１，２に同じ）。
【００１９】この例では、所望のパターンの透光部3bの
周囲に、遮光膜3cの厚さを薄くした半透光部3dを備えた
Ｘ線マスク3Aを使用し、通常の露光を行うだけで適正露
光潜像４と微弱露光潜像５とを同時に得る。
周囲に、遮光膜3cの厚さを薄くした半透光部3dを備えた
Ｘ線マスク3Aを使用し、通常の露光を行うだけで適正露
光潜像４と微弱露光潜像５とを同時に得る。
【００２０】このＸ線マスク3Aの構造は、実際には図３
(B) に示すように、Ｘ線透過膜32の表面側に第一のＸ線
吸収体膜34、裏面側に第二のＸ線吸収体膜35をそれぞれ
設け、第一のＸ線吸収体膜34には所望のパターンを、第
二のＸ線吸収体膜35には所望のパターンのエッジから寸
法ｄの範囲のＸ線吸収体を除去したパターンをそれぞれ
形成したものとした。尚、表面側でＸ線吸収体の幅がｄ
の２倍以下となれば、その部分の裏面側にはＸ線吸収体
はなくなる。
(B) に示すように、Ｘ線透過膜32の表面側に第一のＸ線
吸収体膜34、裏面側に第二のＸ線吸収体膜35をそれぞれ
設け、第一のＸ線吸収体膜34には所望のパターンを、第
二のＸ線吸収体膜35には所望のパターンのエッジから寸
法ｄの範囲のＸ線吸収体を除去したパターンをそれぞれ
形成したものとした。尚、表面側でＸ線吸収体の幅がｄ
の２倍以下となれば、その部分の裏面側にはＸ線吸収体
はなくなる。
【００２１】この方法によっても、先に図１(B) に示し
たような断面形状のレジストパターンが得られた。この
第一及び第二のＸ線吸収体膜34及び35の合計厚さが図５
(B) に示した通常のＸ線マスク３におけるＸ線吸収体膜
33に等しい。従って、Ｘ線透過膜32の両面にＸ線吸収体
が存在する部分が遮光部3c、片面のみに存在する部分が
半透光部3d、両面共存在しない部分が透光部3bとなる。
たような断面形状のレジストパターンが得られた。この
第一及び第二のＸ線吸収体膜34及び35の合計厚さが図５
(B) に示した通常のＸ線マスク３におけるＸ線吸収体膜
33に等しい。従って、Ｘ線透過膜32の両面にＸ線吸収体
が存在する部分が遮光部3c、片面のみに存在する部分が
半透光部3d、両面共存在しない部分が透光部3bとなる。
【００２２】次に、このＸ線マスク3Aの製造方法を説明
する。図４は本発明のＸ線マスク製造方法の実施例を示
す断面図である。先ず、Siウェーハ30の表面にＣＶＤ法
により炭化珪素(SiC) を被着して、厚さ２μm のＸ線透
過膜32を形成し、更にその上にスパッタリング法により
タンタル(Ta)を被着して、厚さ0.３μm の第一のＸ線吸
収体膜34を形成する（図４(a) 参照）。
する。図４は本発明のＸ線マスク製造方法の実施例を示
す断面図である。先ず、Siウェーハ30の表面にＣＶＤ法
により炭化珪素(SiC) を被着して、厚さ２μm のＸ線透
過膜32を形成し、更にその上にスパッタリング法により
タンタル(Ta)を被着して、厚さ0.３μm の第一のＸ線吸
収体膜34を形成する（図４(a) 参照）。
【００２３】次にSiウェーハ30をＸ線透過膜32の支持枠
となる周辺部を残して裏面側からエッチングにより除去
し、Ｘ線透過膜32の裏面側を露出させた後、このＸ線透
過膜32の裏面にスパッタリング法によりタンタル(Ta)を
被着して、厚さ 0.5μm の第二のＸ線吸収体膜35を形成
する。その後、第一のＸ線吸収体膜34を通常の電子ビー
ム露光法によりパターニングする（図４(b) 参照）。
となる周辺部を残して裏面側からエッチングにより除去
し、Ｘ線透過膜32の裏面側を露出させた後、このＸ線透
過膜32の裏面にスパッタリング法によりタンタル(Ta)を
被着して、厚さ 0.5μm の第二のＸ線吸収体膜35を形成
する。その後、第一のＸ線吸収体膜34を通常の電子ビー
ム露光法によりパターニングする（図４(b) 参照）。
【００２４】次に、第二のＸ線吸収体膜35上に化学増幅
型のポジ型レジストを塗布してレジスト膜36を形成し、
その後、Ｘ線を第一のＸ線吸収体膜34側から照射し、第
二のＸ線吸収体膜35を透過させてこのレジスト膜36を露
光する。更に裏面側からＸ線をレジスト膜36全面に直接
照射する（図４(c) 参照）。
型のポジ型レジストを塗布してレジスト膜36を形成し、
その後、Ｘ線を第一のＸ線吸収体膜34側から照射し、第
二のＸ線吸収体膜35を透過させてこのレジスト膜36を露
光する。更に裏面側からＸ線をレジスト膜36全面に直接
照射する（図４(c) 参照）。
【００２５】次に、このレジスト膜36を現像すると、こ
の膜は第一のＸ線吸収体膜34のパターンに対応して除去
されると共に、その周辺の膜厚が大幅に減少する（図４
(d)参照）。次にこのレジスト膜36をエッチングマスク
として反応性イオンエッチング法により第二のＸ線吸収
体膜35をエッチングすると、第一のＸ線吸収体膜34のパ
ターンより若干広い範囲でＸ線吸収体が除去される（図
４(e) 参照）。
の膜は第一のＸ線吸収体膜34のパターンに対応して除去
されると共に、その周辺の膜厚が大幅に減少する（図４
(d)参照）。次にこのレジスト膜36をエッチングマスク
として反応性イオンエッチング法により第二のＸ線吸収
体膜35をエッチングすると、第一のＸ線吸収体膜34のパ
ターンより若干広い範囲でＸ線吸収体が除去される（図
４(e) 参照）。
【００２６】このような方法により、前記のＸ線マスク
3Aを比較的容易に、精度良く製造することが出来た。本
発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々変
形して実施することが出来る。
3Aを比較的容易に、精度良く製造することが出来た。本
発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々変
形して実施することが出来る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
化学増幅型のポジ型レジストからなるレジストパターン
の側壁が垂直となるＸ線露光方法と、そのためのＸ線マ
スクの製造方法とを提供することが出来、半導体装置製
造等のパターン微細化に寄与する。
化学増幅型のポジ型レジストからなるレジストパターン
の側壁が垂直となるＸ線露光方法と、そのためのＸ線マ
スクの製造方法とを提供することが出来、半導体装置製
造等のパターン微細化に寄与する。
【図１】 本発明の原理を説明する断面図である。
【図２】 本発明のＸ線露光方法の第一の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】 本発明のＸ線露光方法の第二の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】 本発明のＸ線マスク製造方法の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】 従来例を示す断面図である。
１ 基板 ２ レジスト膜 ３, 3A Ｘ線マスク 3b 透光部 3c 遮光部 3d 半透光部 ４ 適正露光潜像 ５ 微弱露光潜像 30 Siウェーハ 31 支持枠 32 Ｘ線透過膜 33 Ｘ線吸収体膜 34 第一のＸ線吸収体膜 35 第二のＸ線吸収体膜 36 レジスト膜
Claims (4)
- 【請求項１】 基板(1) 上のレジスト膜(2) をＸ線マス
ク(3, 3A) を介して選択的にＸ線露光する方法であっ
て、 該レジスト膜(2) に所定のパターンの適正露光潜像(4)
と該適正露光潜像(4)の周囲に接し且つ該適正露光潜像
(4) より露光量の少ない微弱露光潜像(5) とを形成する
ことを特徴とするＸ線露光方法。 - 【請求項２】 所定のパターンの透光部(3b)を備えたＸ
線マスク(3) を使用し、 前記基板(1) と該Ｘ線マスク(3) との相対位置を所定の
位置に合わせて行う通常露光と、該通常露光より露光量
が少なく且つ該基板(1) と該Ｘ線マスク(3) との相対位
置を所定の位置から僅かにずらせて行う補助露光とを含
むことを特徴とする請求項１記載のＸ線露光方法。 - 【請求項３】 所定のパターンの透光部(3b)と該透光部
(3b)の周囲に接する半透光部(3d)とを備えたＸ線マスク
(3A)を使用し、 前記基板(1) と該Ｘ線マスク(3A)との相対位置を所定の
位置に合わせて露光することを特徴とする請求項１記載
のＸ線露光方法。 - 【請求項４】 所定のパターンの透光部(3b)と該透光部
(3b)の周囲に接する半透光部(3d)とを備えたＸ線マスク
(3A)の製造方法であって、 Ｘ線透過膜(32)の表面に第一のＸ線吸収体膜(34)を形成
する工程と、 該Ｘ線透過膜(32)の裏面に第二のＸ線吸収体膜(35)を形
成する工程と、 該第一のＸ線吸収体膜(34)をパターニングする工程と、 該第二のＸ線吸収体膜(35)上に化学増幅型のポジ型レジ
ストを塗布してレジスト膜(36)を形成する工程と、 該第一のＸ線吸収体膜(34)側から該第二のＸ線吸収体膜
(35)を透過するＸ線により該レジスト膜(36)を選択的に
露光する工程と、 該レジスト膜(36)全面を一様にＸ線露光する工程と、 該レジスト膜(36)を現像する工程と、 該レジスト膜(36)をマスクとして該第二のＸ線吸収体膜
(35)をエッチングする工程と、をこの順に含むことを特
徴とするＸ線マスク製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11873793A JPH06333804A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | Ｘ線露光方法及びｘ線マスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11873793A JPH06333804A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | Ｘ線露光方法及びｘ線マスク製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333804A true JPH06333804A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14743827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11873793A Withdrawn JPH06333804A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | Ｘ線露光方法及びｘ線マスク製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333804A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005099838A (ja) * | 1997-07-24 | 2005-04-14 | Optonix Seimitsu:Kk | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
| JP2005149832A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイ用部材の製造方法およびプラズマディスプレイ |
| JP2008097044A (ja) * | 2008-01-04 | 2008-04-24 | Ritsumeikan | 紫外線または紫外線より波長の短い光を用いた材料の加工装置および加工方法 |
| JP2008209957A (ja) * | 1997-07-24 | 2008-09-11 | Optnics Precision Co Ltd | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP11873793A patent/JPH06333804A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4540968B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイ |
| JP2008097044A (ja) * | 2008-01-04 | 2008-04-24 | Ritsumeikan | 紫外線または紫外線より波長の短い光を用いた材料の加工装置および加工方法 |
| JP4675385B2 (ja) * | 2008-01-04 | 2011-04-20 | 学校法人立命館 | 紫外線または紫外線より波長の短い光を用いた材料の加工装置および加工方法 |
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