JP3046631B2

JP3046631B2 - 位相シフトフォトマスクの製造方法

Info

Publication number: JP3046631B2
Application number: JP4785091A
Authority: JP
Inventors: 宮下裕之
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1991-03-13
Filing date: 1991-03-13
Publication date: 2000-05-29
Anticipated expiration: 2015-05-29
Also published as: JPH05150439A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の
高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスクの製造
方法に係り、特に、微細なパターンを高精度に形成する
際の位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積
回路は、Ｓｉウェーハ等の被加工基板上にレジストを塗
布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した
後、現像、エッチングを行う、いわゆるリソグラフィー
工程を繰り返すことにより製造されている。

【０００３】このようなリソグラフィー工程に使用され
るレチクルと呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路
の高性能化、高集積化に伴ってますます高精度が要求さ
れる傾向にある。そして、これらフォトマスクを使用し
て形成されるデバイスパターンの線幅は、１ＭビットＤ
ＲＡＭで１．２μｍ、４ビットＤＲＡＭでは０．８μ
ｍ、１６ＭビットＤＲＡＭでは０．６μｍと、ますます
微細化が要求されており、このような要求に応えるため
に、様々な露光方法が研究されている。

【０００４】ところが、例えば６４ＭビットＤＲＡＭク
ラスのデバイスになると、０．３５μｍの線幅のパター
ンが必要とされ、これまでのレチクルを用いたステッパ
ー露光方式ではレジストパターンの解像限界となり、こ
の限界を乗り越えるものとして、例えば、特開昭５８−
１７３７４４号公報、特公昭６２−５９２９６号公報等
に示されているような、位相シフトフォトマスクという
新しい考え方のレチクルが提案されてきている。位相シ
フトレチクルを用いる位相シフトリソグラフィーは、レ
チクルを透過する光の位相を操作することによって、投
影像の分解能及びコントラストを向上させる技術であ
る。

【０００５】位相シフトリソグラフィーを図面に従って
簡単に説明する。図３は位相シフト法の原理を示す図、
図４は従来法を示す図であり、図３（ａ）及び図４
（ａ）はレチクルの断面図、図３（ｂ）及び図４（ｂ）
はレチクル上の光の振幅、図３（ｃ）及び図４（ｃ）は
ウェハー上の光の振幅、図３（ｄ）及び図４（ｄ）はウ
ェハー上の光強度をそれぞれ示し、１は基板、２は遮光
膜、３は位相シフター、４は入射光を示す。

【０００６】従来法においては、図４（ａ）に示すよう
に、ガラス等からなる基板１にクロム等からなる遮光膜
２が形成されて、所定のパターンの光透過部が形成され
ているだけであるが、位相シフトリソグラフィーでは、
図３（ａ）に示すように、レチクル上の隣接する光透過
部の一方に位相を反転（位相差１８０°）させるための
透過膜からなる位相シフター３が設けられている。した
がって、従来法においては、レチクル上の光の振幅は図
４（ｂ）に示すように同相となり、ウェハー上の光の振
幅も図４（ｃ）に示すように同相となるので、その結
果、図４（ｄ）のようにウェハー上のパターンを分離す
ることができないのに対して、位相シフトリソグラフィ
ーにおいては、位相シフターを透過した光は、図３
（ｂ）に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相
になされるため、パターンの境界部で光強度が零にな
り、図３（ｄ）に示すように隣接するパターンを明瞭に
分離することができる。このように、位相シフトリソグ
ラフィーにおいては、従来は分離できなかったパターン
も分離可能となり、解像度を向上させることができるも
のである。

【０００７】次に、位相シフトレチクルの従来の製造工
程の１例を図６を参照して説明する図６は位相シフトレ
チクルの製造工程を示す断面図であり、同図（ａ）に示
すように、基板５上にクロムパターン６が設けられて完
成されたクロムレチクルを準備し、次に、同図（ｂ）に
示すように、クロムパターン６の上にＳｉＯ₂等からな
る透明膜７を形成する。次に、同図（ｃ）に示すよう
に、透明膜７上にクロロメチル化ポリスチレン等の電離
放射線レジスト層８を形成し、同図（ｄ）に示すよう
に、レジスト層８に常法に従ってアライメントを行い、
電子線露光装置等の電離放射線９によって所定のパター
ンを描画し、現像、リンスして、同図（ｅ）に示すよう
に、レジストパターン１０を形成する。

【０００８】次に、必要に応じて加熱処理及びデスカム
処理を行った後、同図（ｆ）に示すように、レジストパ
ターン１０の開口部より露出する透明膜７部分をエッチ
ングガスプラズマ１１によりドライエッチングし、位相
シフターパターン１２を形成する。なお、この位相シフ
ターパターン１２の形成は、エッチングガスプラズマ１
１によるドライエッチングに代えて、ウェットエッチン
グにより行ってもよいものである。

【０００９】次に、残存したレジストを、同図（ｇ）に
示すように、酸素プラズマ１３により灰化除去する。以
上の工程により、同図（ｈ）に示すような位相シフター
１２を有する位相シフトフォトマスクが完成する。

【００１０】

【発明が解決しょうとする課題】ところで、図６に示し
たような位相シフトレチクル製造工程においては、高精
度の寸法制御を行うために、位相シフターのパターン加
工に、通常、ドライエッチングが用いられる。特に、図
５に示すように位相シフターパターン１２上にクロムパ
ターン６を設ける構造の位相シフトレチクルにおいて
は、位相シフターエッチング時にクロムパターン６のエ
ッジの下にアンダーカットが入り、クロムパターン６が
破壊されやすくなるので、ウェットエッチングは用いる
ことができない。

【００１１】そこで、ドライエッチングにより位相シフ
ターパターンをエッチングする場合、クロム層は、図５
のような位相シフトレチクルを製造する際にはエッチン
グマスクとして、また、図６のようにして位相シフトレ
チクルを製造する際にはエッチングストッパーとして働
く。このような場合、遮光層として低反射クロムを組み
合わせたものを用いると、ドライエッチング時に低反射
クロム表面がエッチングされて表面反射率が増加してし
まう。表面反射率が増加すると、ステッパー露光時に遮
光膜表面から反射された光が迷光となり、ウェーハ上の
レジストパターンの劣化を招く。遮光膜のエッチングが
さらに進むと、遮光膜の光学濃度が低下する。遮光膜の
光学濃度が低下すれば、ウェーハ上のレジストパターン
が劣化してしまうのは明らかである。

【００１２】また、通常の電子線レジストをマスクにし
てドライエッチングを行う際、電子線レジストの形状が
悪い場合には、ドライエッチングにより位相シフトパタ
ーンを形成すると、位相シフトパターンが垂直の側面を
持たない。

【００１３】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、位相シフトパターンドライエ
ッチング時の遮光膜の劣化を防止すること、及び、垂直
側面の位相シフトパターンを持つ位相シフトフォトマス
クを製造する方法を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題点
に鑑み、電子線レジストパターニング後、マスク表面全
面に感光基を含むノボラック樹脂あるいは感光基を含む
フェノール樹脂等のフォトレジストをコーティングし、
マスク裏面より全面露光を行い、フォトレジストパター
ンを形成し、このパターンをドライエッチングのマスク
として用いることにより、低反射遮光層の劣化を防ぎ、
かつ、垂直な側面を持つ位相シフトパターンを形成でき
ることを見い出し、本発明を完成させたものである。

【００１５】以下、本発明の位相シフトレチクルの製造
方法の第１のものを図１を参照して説明する。図１は本
発明に係わる位相シフトレチクルの製造工程の１つを示
す断面図であり、同図（ａ）に示すように、ガラス基板
１３上に遮光膜であるクロム・低反射クロム２層膜から
なる遮光パターン１５を有するクロムレチクルを準備す
る。なお、層１４はチャージアップ防止等のための透明
導電膜である。

【００１６】遮光膜１５としては、クロム・低反射膜ク
ロム２層膜を示したが、単層クロム、クロム酸化膜、ク
ロム酸窒化膜、タングステン、モリブデンシリサイド
等、フォトマスク遮光膜として使用されている他の材料
あるいはこれらの複合膜も同様に適用できる。また、基
板１３としては、高精度が必要とされるため、熱膨張係
数の小さい石英ガラスが一般的に使われるが、低熱膨張
ガラス、ソーダライムガラス等も適用できる。

【００１７】次に、同図（ｂ）に示すように、クロムレ
チクル上全面にＳＯＧ（スピンオングラス）膜１６をｄ
＝λ／２（ｎ−１）満たす膜厚で形成する。このＳＯＧ
膜１６の代わりに、スパッタＳｉＯ₂、ＣＶＤ(Chemica
l vapor deposition) ＳｉＯ₂、ＳｉＮ膜を用いてもよ
い。

【００１８】そして、ＳＯＧ膜１６を有するクロムレチ
クル上に染料を含みノボラック樹脂を主成分とする電離
放射線レジスト層を形成し、常法に従ってアライメント
を行い、電子線露光装置等の電離放射線によって所定の
パターンを描画し、現像、リンスして、同図（ｃ）に示
すように、電離放射線レジストパターン１７を形成す
る。電離放射線レジストとしては、ノボラック樹脂を主
成分とするもの以外でも、光の透過率を低下させる作用
を持つものであれば使用できる。

【００１９】次に、同図（ｄ）に示すように、電離放射
線レジストパターン１７が形成されたクロムレチクル全
面にノボラック樹脂を主成分とするフォトレジスト１８
をコーティングする。ノボラック樹脂を主成分とするフ
ォトレジスト以外でも、耐ドライエッチング性があるレ
ジストであれば使用できる。

【００２０】次に、マスク裏面より全面露光１９を行
い、同図（ｅ）に示すようにフォトレジストパターン１
８を形成する。フォトレジストパターン１８を形成する
場合、シフター層１６上に形成された電離放射線レジス
ト１７に染料入りのレジストを用いると、電離放射線レ
ジスト１７が光を吸収し、電離放射線レジスト１７が形
成されている部分の透過率が低下する。このため、電離
放射線レジスト１７上には充分フォトレジスト１８が残
り、エッチングマスクとして充分な厚さを有する。

【００２１】次に、同図（ｆ）に示すように、形成され
たフォトレジストパターン１８をマスクにして、ＳＯＧ
層１６を反応性プラズマ２０を用いてドライエッチング
して位相シフター層１６を形成する。

【００２２】次に、同図（ｇ）に示すように、残存する
レジストを酸素プラズマにより灰化除去して、位相シフ
トフォトマスクが完成する。なお、レジストの除去は、
酸素プラズマによるドライエッチングに代えて、レジス
ト専用の剥離液や酸等を用いてウェット方式で行うこと
も可能である。

【００２３】なお、以上の工程において、電離放射線レ
ジストパターン１７に用いるレジストが耐ドライエッチ
ング性を有する場合には、そのレジストに染料を含ませ
る必要は必ずしも必要ない。染料を含まない耐ドライエ
ッチング性レジストを用いる場合には、図１（ｄ）、
（ｅ）において、マスク裏面からの全面露光１９によっ
て形成されるフォトレジストパターン１８は、遮光パタ
ーン１５の上のみに形成される。そして、図１（ｆ）に
おけるドライエッチングの際、遮光パターン１５上のフ
ォトレジストパターン１８と位相シフターが形成される
べき位置上にある電離放射線レジストパターン１７とが
ドライエッチングマスクとして働き、遮光層１５及び位
相シフター層１６をエッチングから保護することにな
る。

【００２４】さて、このように遮光パターン１５を形成
した基板上に位相シフター層１６を設けた位相シフトフ
ォトマスクでなく、図５のように位相シフター層を形成
した基板上に遮光パターンを設けた位相シフトフォトマ
スクに、本発明の製造方法を適用することもできる。

【００２５】すなわち、図２を用いて説明すると、同図
（ａ）に示すように、石英基板２１上に透明導電膜２２
が形成された基板を用意する。次に、同図（ｂ）に示す
ように、この上にＳＯＧ膜２３をｄ＝λ／２（ｎ−１）
満たす膜厚で形成し、その上にクロム・低反射クロムか
らなる遮光膜２４を形成する。

【００２６】この基板上に、同図（ｃ）に示すように、
電離放射線レジスト２５をコーティングし、電子線露光
装置等の電離放射線２６により遮光膜パターンに従って
描画を行う。現像、リンスして、同図（ｄ）に示すよう
に、電離放射線レジストパターン２５を形成する。この
レジストパターン２５をマスクにして、クロム・低反射
クロム２４をエッチングし、同図（ｅ）に示すような遮
光膜パターン２４を形成する。

【００２７】この基板上に、同図（ｆ）に示すように、
染料を含む電離放射線レジスト２７をコーティングし、
次に、常法に従ってアライメントを行い、位相シフター
に対応する部分を電子線露光装置等の電離放射線２８に
より描画する。現像、リンスして、同図（ｇ）に示すよ
うに、電離放射線レジストパターン２７を形成する。

【００２８】次に、同図（ｈ）に示すように、このレチ
クル全面にフォトレジスト２９をコーティングする。そ
して、マスク裏面より紫外線３０により全面露光する。
次に、現像、リンスを行い、同図（ｉ）に示すように、
位相シフターパターンとクロムパターン２４に対応する
部分に、フォトレジストレジストパターン２９を形成す
る。

【００２９】次に、同図（ｊ）に示すように、形成され
たフォトレジストパターン２９をマスクにして、ＳＯＧ
層２３をドライエッチングして位相シフターパターン２
３を形成する。そして、同図（ｋ）に示すように、残存
するレジストを酸素プラズマにより灰化除去して、位相
シフトフォトマスクが完成する。

【００３０】この場合も、電離放射線レジストパターン
２７に用いるレジストが耐ドライエッチング性を有する
場合には、そのレジストに染料を含ませる必要は必ずし
も必要ない。

【００３１】以上説明したように、本発明の位相シフト
フォトマスクの製造方法は、遮光パターンと遮光領域に
よって隔離されかつ相互に隣接する透明領域間に位相差
を与える位相シフターとを有する位相シフトフォトマス
クの製造方法において、位相シフターを形成する工程
が、少なくとも遮光パターンと均一な厚さの透明膜が形
成された基板表面に、電離放射線レジストを用いて位相
シフターパターンに対応する部分に電離放射線レジスト
パターンを形成する工程と、電離放射線レジストパター
ンが形成された基板表面全面にフォトレジストをコーテ
ィングし、基板裏面より全面露光して少なくとも遮光パ
ターンに対応する部分にフォトレジストパターンを形成
する工程と、このフォトレジストパターン又はこのフォ
トレジストパターンと電離放射線レジストパターンをマ
スクにして均一な厚さの透明膜をドライエッチングして
位相シフターパターンを形成する工程とからなることを
特徴とする製造方法である。

【００３２】この場合、電離放射線レジストが露光光を
遮蔽ないし減衰する色の電子線レジスト、レーザー感光
性レジスト等を用いることができる。

【００３３】また、電離放射線レジストパターンが形成
される基板表面には、遮光パターン、均一な厚さの透明
膜の順で積層してもよく、その逆に、均一な厚さの透明
膜、遮光パターンの順に積層してもよい。

【００３４】

【作用】本発明においては、位相シフターを形成する工
程が、少なくとも遮光パターンと均一な厚さの透明膜が
形成された基板表面に、電離放射線レジストを用いて位
相シフターパターンに対応する部分に電離放射線レジス
トパターンを形成する工程と、電離放射線レジストパタ
ーンが形成された基板表面全面にフォトレジストをコー
ティングし、基板裏面より全面露光して少なくとも遮光
パターンに対応する部分にフォトレジストパターンを形
成する工程と、このフォトレジストパターン又はこのフ
ォトレジストパターンと電離放射線レジストパターンを
マスクにして均一な厚さの透明膜をドライエッチングし
て位相シフターパターンを形成する工程とからなるの
で、ドライエッチングのためのマスクが自己整合的に形
成されるため、ドライエッチング時における遮光膜の損
傷を防ぐことができる。つまり、遮光膜の黒化濃度低下
および表面反射率の低下が抑えられる。また、位相シフ
ターパターンの側面を垂直になすことができる。

【００３５】したがって、遮光膜の低反射層の損傷を防
ぎ、光学濃度の低下を防ぐことによって、ウェーハ上に
転写されるパターンの劣化を防ぐことができる。

【００３６】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。実施例１図１を参照にして説明する。同図（ａ）に示すように、
透明導電膜ＩＴＯ１４が５０ｎｍの厚みで形成されてい
るガラス基板１３上に遮光膜であるクロム・低反射クロ
ムからなるパターン１５を有するクロムレチクルを準備
し、同図（ｂ）に示すように、このクロムレチクル上全
面に屈折率１．４１のＳＯＧ膜１６を４４５ｎｍを満た
す膜厚で形成する。

【００３７】次いで、同図（ｃ）に示すように、ＳＯＧ
膜１６を設けたクロムレチクル上に電子線レジストＳＡ
Ｌ６０３（シップレイ製）を膜厚０．５μｍになるよう
にスピンコーティングし、次に、常法に従ってアライメ
ントを行い、電子線露光装置によりＳＡＬ６０３の描画
を行い、現像、リンスしてＳＡＬ６０３レジストパター
ン１７を形成する。

【００３８】次に、同図（ｄ）に示すように、ＳＡＬ６
０３レジストパターン１７が形成されたクロムレチクル
全面にフォトレジストＡＺ５２００（ヘキスト製）１８
を膜厚１μｍになるようにコーティングし、マスク裏面
よりｇ線１９により全面露光を行う。次に、現像、リン
スを行い、同図（ｅ）に示すように、位相シフターパタ
ーンとクロムパターンに対応する部分にＡＺ５２００レ
ジストパターン１８を形成する。

【００３９】次に、同図（ｆ）に示すように、形成され
たＡＺ５２００レジストパターン１８をマスクにしてＳ
ＯＧ層１６をＣ₂Ｆ₆ガス２０を用いてドライエッチン
グして、位相シフター層１６を形成する。

【００４０】残存するレジストを酸素プラズマにより灰
化除去して、同図（ｇ）に示すような位相シフトフォト
マスクが完成する。このようにして完成された位相シフ
トフォトマスクにおいては、遮光パターン１５の劣化は
認められず、また、位相シフトパターン１６の側面は垂
直になっていた。

【００４１】実施例２この実施例について、図２を参照して説明する。同図
（ａ）に示すように、石英２１上に透明導電膜ＩＴＯ２
２が５０ｎｍ厚で形成された基板を用意する。次に、同
図（ｂ）に示すように、この上に屈折率１．４１のＳＯ
Ｇ膜２３を４４５ｎｍを満たす膜厚で形成し、次に、ク
ロム・低反射クロムからなる遮光膜２４を０．１μｍ厚
になるように形成する。

【００４２】この基板上に、同図（ｃ）に示すように、
電子線レジストＳＡＬ６０１（シップレイ製）２５を膜
厚０．５μｍになるようにスピンコーティングし、次
に、電子線露光装置により電子ビーム２６で電子線レジ
スト２５の描画を行う。現像、リンスして、同図（ｄ）
に示すように、電子線レジストパターン２５を形成す
る。このレジストパターン２５をマスクにして、クロム
・低反射クロム層２４を硝酸第２セリウム・アンモニウ
ム溶液によりエッチングし、同図（ｅ）に示すように、
遮光膜パターン２４を形成する。

【００４３】この基板上に、同図（ｆ）に示すように、
電子線レジストＳＡＬ６０３（シップレイ製）２７を膜
厚０．５μｍになるようにスピンコーティングし、次
に、常法に従ってアライメントを行い、位相シフターに
対応する部分の電子線レジスト２７に電子線露光装置の
電子ビーム２８により描画して、現像、リンスして同図
（ｇ）に示すように、電子線レジストパターン２７を形
成する。

【００４４】次に、同図（ｈ）に示すように、このレチ
クル全面にフォトレジストＡＺ５２００（ヘキスト製）
２９を膜厚１μｍになるようにコーティングし、マスク
裏面よりｇ線３０により全面露光を行う。次に、現像、
リンスを行い、同図（ｉ）に示すように、位相シフター
パターンとクロムパターン２４に対応する部分にＡＺ５
２００レジストパターン２９を形成する。

【００４５】次に、同図（ｊ）に示すように、形成され
たＡＺ５２００レジストパターン２９をマスクにしてＳ
ＯＧ層２３をＣ₂Ｆ₆ガスを用いてドライエッチングし
て位相シフトパターン２３を形成する。

【００４６】残存するレジストを酸素プラズマにより灰
化除去して、同図（ｋ）に示すような位相シフトフォト
マスクが完成する。このようにして完成された位相シフ
トフォトマスクにおいては、遮光パターン２４の劣化は
認められず、また、位相シフトパターン２３の側面は垂
直になっていた。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の位相シフ
トフォトマスクの製造方法によると、位相シフターを形
成する工程が、少なくとも遮光パターンと均一な厚さの
透明膜が形成された基板表面に、電離放射線レジストを
用いて位相シフターパターンに対応する部分に電離放射
線レジストパターンを形成する工程と、電離放射線レジ
ストパターンが形成された基板表面全面にフォトレジス
トをコーティングし、基板裏面より全面露光して少なく
とも遮光パターンに対応する部分にフォトレジストパタ
ーンを形成する工程と、このフォトレジストパターン又
はこのフォトレジストパターンと電離放射線レジストパ
ターンをマスクにして均一な厚さの透明膜をドライエッ
チングして位相シフターパターンを形成する工程とから
なるので、ドライエッチングのためのマスクが自己整合
的に形成されるため、ドライエッチング時における遮光
膜の損傷を防ぐことができる。つまり、遮光膜の黒化濃
度低下および表面反射率の低下が抑えられる。また、位
相シフターパターンの側面を垂直になすことができる。

【００４８】したがって、遮光膜の低反射層の損傷を防
ぎ、光学濃度の低下を防ぐことによって、ウェーハ上に
転写されるパターンの劣化を防ぐことができる。

【００４９】なお、マスク全面にフォトレジストをコー
ティングし、裏面より露光、現像する工程は、真空装置
等の特殊な装置が必要とならないため、位相シフトフォ
トマスクの製造に必要な費用はあまり増えない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る位相シフトフォトマスクの製造方
法の１実施例の各工程の断面図である。

【図２】別の実施例の製造方法の各工程の断面図であ
る。

【図３】位相シフトフォトマスクの原理を示す図であ
る。

【図４】従来のフォトマスクの原理を示す図である。

【図５】位相シフトフォトマスクの別の構造の断面図で
ある。

【図６】従来の位相シフトフォトマスクの製造工程の１
例を示す断面図である。

【符号の説明】１３…透明基板１４…透明導電膜１５…遮光層１６…位相シフター層１７…電離放射線レジスト層１８…フォトレジスト層１９…全面露光光２０…反応性プラズマ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】遮光パターンと遮光領域によって隔離さ
れかつ相互に隣接する透明領域間に位相差を与える位相
シフターとを有する位相シフトフォトマスクの製造方法
において、位相シフターを形成する工程が、少なくとも
遮光パターンと均一な厚さの透明膜が形成された基板表
面に、電離放射線レジストを用いて位相シフターパター
ンに対応する部分に電離放射線レジストパターンを形成
する工程と、電離放射線レジストパターンが形成された
基板表面全面にフォトレジストをコーティングし、基板
裏面より全面露光して少なくとも遮光パターンに対応す
る部分にフォトレジストパターンを形成する工程と、こ
のフォトレジストパターン又はこのフォトレジストパタ
ーンと電離放射線レジストパターンをマスクにして均一
な厚さの透明膜をドライエッチングして位相シフターパ
ターンを形成する工程とからなることを特徴とする位相
シフトフォトマスクの製造方法。
【請求項２】前記電離放射線レジストが露光光を遮蔽
ないし減衰する色の電子線レジストであることを特徴と
する請求項１記載の位相シフトフォトマスクの製造方
法。
【請求項３】前記電離放射線レジストがレーザー感光
性レジストであることを特徴とする請求項１記載の位相
シフトフォトマスクの製造方法。
【請求項４】電離放射線レジストパターンを形成する
前記基板表面に、遮光パターン、均一な厚さの透明膜の
順に積層されていることを特徴とする請求項１から３の
何れか１項記載の位相シフトフォトマスクの製造方法。
【請求項５】電離放射線レジストパターンを形成する
前記基板表面に、均一な厚さの透明膜、遮光パターンの
順に積層されていることを特徴とする請求項１から３の
何れか１項記載の位相シフトフォトマスクの製造方法。