JPH054464A - 微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法 - Google Patents
微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法Info
- Publication number
- JPH054464A JPH054464A JP15890191A JP15890191A JPH054464A JP H054464 A JPH054464 A JP H054464A JP 15890191 A JP15890191 A JP 15890191A JP 15890191 A JP15890191 A JP 15890191A JP H054464 A JPH054464 A JP H054464A
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- Japan
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- photoresist layer
- printing plate
- recess
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細な凹部を高い精度で効率よく形成するこ
とのでき、凹部内のインキが高い転移率で転移される凹
版印刷版の製造方法を提供する。 【構成】 フォトレジスト層をマスクとして、基板のう
ちフォトレジスト層非形成部分のみを選択的にエッチン
グして基板に凹部を形成し、この凹部内にインキ離型層
を形成する。
とのでき、凹部内のインキが高い転移率で転移される凹
版印刷版の製造方法を提供する。 【構成】 フォトレジスト層をマスクとして、基板のう
ちフォトレジスト層非形成部分のみを選択的にエッチン
グして基板に凹部を形成し、この凹部内にインキ離型層
を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は凹版印刷版の製造方法に
係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において被
加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成するこ
とのできる微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法
に関する。
係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において被
加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成するこ
とのできる微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
【0003】被加工物への微細パターンの形成方法の一
つとして、従来より凹版印刷版を用いた方法がある。こ
の方法に用いられる凹版印刷版は、基板上に所定パター
ンのフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層を
マスクとしてエッチングを行って基板に凹部を形成する
ことにより作成されていた。
つとして、従来より凹版印刷版を用いた方法がある。こ
の方法に用いられる凹版印刷版は、基板上に所定パター
ンのフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層を
マスクとしてエッチングを行って基板に凹部を形成する
ことにより作成されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板と
してガラスや金属のようなインキぬれ性のよい材質を用
いると、凹版印刷版の凹部内のインキを被加工物あるい
はブランケットへ転移させる際に、被加工物あるいはブ
ランケットと凹部との間でインキの捕り合いをおこし、
凹部内のインキの1/3程度しか転移されない。このた
め、必然的にインキ膜厚は薄くなり、ピンホール、断
線、パターン欠け等の発生原因になるという問題があっ
た。
してガラスや金属のようなインキぬれ性のよい材質を用
いると、凹版印刷版の凹部内のインキを被加工物あるい
はブランケットへ転移させる際に、被加工物あるいはブ
ランケットと凹部との間でインキの捕り合いをおこし、
凹部内のインキの1/3程度しか転移されない。このた
め、必然的にインキ膜厚は薄くなり、ピンホール、断
線、パターン欠け等の発生原因になるという問題があっ
た。
【0005】そして、このような問題を解消するため
に、凹部内のインキの1/3程度の転移でも充分なイン
キ膜厚が得られるような深さの凹部を有する凹版印刷版
を形成することが行われていた。しかし、凹部を深くす
ると、基板が等方的にエッチングされるために微細なパ
ターン形成が難しくなり、高精度の微細加工用の凹版印
刷版の製造に向かないという問題があった。
に、凹部内のインキの1/3程度の転移でも充分なイン
キ膜厚が得られるような深さの凹部を有する凹版印刷版
を形成することが行われていた。しかし、凹部を深くす
ると、基板が等方的にエッチングされるために微細なパ
ターン形成が難しくなり、高精度の微細加工用の凹版印
刷版の製造に向かないという問題があった。
【0006】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、微細な凹部を高い精度で効率よく形成
することのでき、凹部内のインキが高い転移率で転移さ
れる凹版印刷版の製造方法を提供することを目的とす
る。
れたものであり、微細な凹部を高い精度で効率よく形成
することのでき、凹部内のインキが高い転移率で転移さ
れる凹版印刷版の製造方法を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は基板表面に所定パターンでフォトレ
ジスト層を形成し、次に、前記フォトレジスト層をマス
クとして前記基板のフォトレジスト層非形成部分をエッ
チングして前記基板に凹部を形成し、その後、この凹部
内にインキ離型層を形成するような構成とした。
るために、本発明は基板表面に所定パターンでフォトレ
ジスト層を形成し、次に、前記フォトレジスト層をマス
クとして前記基板のフォトレジスト層非形成部分をエッ
チングして前記基板に凹部を形成し、その後、この凹部
内にインキ離型層を形成するような構成とした。
【0008】
【作用】フォトレジスト層がマスクとして作用すること
により、基板のうちフォトレジスト層非形成部分のみが
選択的にエッチングされて基板に凹部が形成され、この
凹部内にインキ離型層が形成される。これにより凹部内
のインキは高い転移率で被加工物あるいはブランケット
に転移され印刷画像が向上するとともに、寸法精度の高
い微細凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
により、基板のうちフォトレジスト層非形成部分のみが
選択的にエッチングされて基板に凹部が形成され、この
凹部内にインキ離型層が形成される。これにより凹部内
のインキは高い転移率で被加工物あるいはブランケット
に転移され印刷画像が向上するとともに、寸法精度の高
い微細凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の凹版印刷版の製造方法を説
明するための図である。図1において、まず、凹版印刷
版としての耐刷性を高めるためにクロム(Cr)薄膜等
の薄膜2を予め形成した基板1(図1(a))にフォト
レジストを塗布し、プリベークを行いある程度硬化させ
たフォトレジスト層3を形成する(図1(b))。次
に、所定パターンのフォトマスク8を介してフォトレジ
スト層3に紫外線を照射して露光し(図1(c))、フ
ォトレジスト層3の未硬化部分を除去(現像)して微細
パターンを形成する(図1(d))。そして、フォトレ
ジスト層3をポストベ−クして固める。その後、薄膜2
だけを溶解する液により、薄膜2のうちフォトレジスト
層3が形成されていない部分のみを溶かし去り、基板1
のフォトレジスト層3非形成部分1aを露出させる(図
1(e))。次に、フォトレジスト層3をマスクとして
基板1をエッチングして凹部4を形成する(図1
(f))。その後、インキ剥離層5を凹部4内およびフ
ォトレジスト層3に形成し(図1(g))、フォトレジ
スト層3を除去することにより凹部4内にのみインキ剥
離層5を備えた凹版印刷版を形成する(図1(h))。
て説明する。図1は本発明の凹版印刷版の製造方法を説
明するための図である。図1において、まず、凹版印刷
版としての耐刷性を高めるためにクロム(Cr)薄膜等
の薄膜2を予め形成した基板1(図1(a))にフォト
レジストを塗布し、プリベークを行いある程度硬化させ
たフォトレジスト層3を形成する(図1(b))。次
に、所定パターンのフォトマスク8を介してフォトレジ
スト層3に紫外線を照射して露光し(図1(c))、フ
ォトレジスト層3の未硬化部分を除去(現像)して微細
パターンを形成する(図1(d))。そして、フォトレ
ジスト層3をポストベ−クして固める。その後、薄膜2
だけを溶解する液により、薄膜2のうちフォトレジスト
層3が形成されていない部分のみを溶かし去り、基板1
のフォトレジスト層3非形成部分1aを露出させる(図
1(e))。次に、フォトレジスト層3をマスクとして
基板1をエッチングして凹部4を形成する(図1
(f))。その後、インキ剥離層5を凹部4内およびフ
ォトレジスト層3に形成し(図1(g))、フォトレジ
スト層3を除去することにより凹部4内にのみインキ剥
離層5を備えた凹版印刷版を形成する(図1(h))。
【0010】このように、本発明では基板1の凹部4内
にインキ剥離層5を形成することにより、凹部内のイン
キは高い転移率で被加工物あるいはブランケットに転移
されることになる。したがって、凹部4を深く形成する
必要はなく、基板の等方的なエッチングにより微細なパ
ターンの凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
にインキ剥離層5を形成することにより、凹部内のイン
キは高い転移率で被加工物あるいはブランケットに転移
されることになる。したがって、凹部4を深く形成する
必要はなく、基板の等方的なエッチングにより微細なパ
ターンの凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
【0011】基板1としては、ガラス板、アルミニウ
ム、銅、クロム等の金属、ポリエチレン、アクリル等の
有機物等を使用することができる。また、凹版印刷版と
しての耐刷性を高めるための薄膜2としては、クロム
(Cr)、セラミックカニゼン(kanigen 社製 Ni+
P+SiC)等の薄膜が好ましい。この薄膜2の厚さは
0.1〜1μm程度が好ましい。
ム、銅、クロム等の金属、ポリエチレン、アクリル等の
有機物等を使用することができる。また、凹版印刷版と
しての耐刷性を高めるための薄膜2としては、クロム
(Cr)、セラミックカニゼン(kanigen 社製 Ni+
P+SiC)等の薄膜が好ましい。この薄膜2の厚さは
0.1〜1μm程度が好ましい。
【0012】フォトレジスト層3の形成に使用するフォ
トレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、ポリビニル
アルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添加したもの
を挙げることができる。また、フォトレジスト層3の厚
さは0.4〜1μm程度が好ましい。
トレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、ポリビニル
アルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添加したもの
を挙げることができる。また、フォトレジスト層3の厚
さは0.4〜1μm程度が好ましい。
【0013】本発明においてインキ剥離層5の材質は、
ポリイミド、シリコーン、テフロン等のインキとのぬれ
性の悪い樹脂とすることができる。そして、インキ剥離
層5の形成は、通常の抵抗加熱式の真空蒸着機により上
記の樹脂モノマーをヒーターで加熱して蒸発させ、凹部
4内に蒸着させて行うことができる。上記の例では、凹
部4の底部にインキ剥離層5が形成されているが、凹部
4の側壁部にもインキ剥離層5を形成してもよい。この
ようなインキ剥離層5の厚さは0.1〜0.5μm程度
が好ましい。次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 (実験例)ガラス基板(厚さ2.3mm)の表面にRF
スパッタ法により膜厚0.1μmのCr薄膜を形成し
た。このCr薄膜上にポジ型のフォトレジスト(東京応
化製OFPR−800、粘度=200cp)をスピンコ
ート法により塗布して厚さ1μmのフォトレジスト層を
形成した。そして、90℃、30分間のプリベーク処理
を行ってフォトレジスト層をある程度硬化させた。次
に、線幅2μmの所定パターンを有するフォトマスクを
介してフォトレジスト層に紫外線を照射して露光を行っ
た。露光は超高圧水銀ランプを光源とし、照射量は40
5nmで50mJ/cm2 とした。そして、現像液(東京
応化社製 NMD−3)により現像してパターニングさ
れたフォトレジスト層を形成し、130℃、30分間の
ポストベーク処理を施してフォトレジスト層を固めた。
ポリイミド、シリコーン、テフロン等のインキとのぬれ
性の悪い樹脂とすることができる。そして、インキ剥離
層5の形成は、通常の抵抗加熱式の真空蒸着機により上
記の樹脂モノマーをヒーターで加熱して蒸発させ、凹部
4内に蒸着させて行うことができる。上記の例では、凹
部4の底部にインキ剥離層5が形成されているが、凹部
4の側壁部にもインキ剥離層5を形成してもよい。この
ようなインキ剥離層5の厚さは0.1〜0.5μm程度
が好ましい。次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 (実験例)ガラス基板(厚さ2.3mm)の表面にRF
スパッタ法により膜厚0.1μmのCr薄膜を形成し
た。このCr薄膜上にポジ型のフォトレジスト(東京応
化製OFPR−800、粘度=200cp)をスピンコ
ート法により塗布して厚さ1μmのフォトレジスト層を
形成した。そして、90℃、30分間のプリベーク処理
を行ってフォトレジスト層をある程度硬化させた。次
に、線幅2μmの所定パターンを有するフォトマスクを
介してフォトレジスト層に紫外線を照射して露光を行っ
た。露光は超高圧水銀ランプを光源とし、照射量は40
5nmで50mJ/cm2 とした。そして、現像液(東京
応化社製 NMD−3)により現像してパターニングさ
れたフォトレジスト層を形成し、130℃、30分間の
ポストベーク処理を施してフォトレジスト層を固めた。
【0014】その後、クロムエッチング液(諸星インキ
社製 MR−ES)によりフォトレジスト層が除去され
た部分のCr薄膜をエッチングして除去した。次に、ガ
ラスエッチャント(東京製品開発研究所製 MAX−7
011G)によりフォトレジスト層をマスクとして基板
のエッチングを行い、深さ5μm、幅10μmの凹部を
形成した。
社製 MR−ES)によりフォトレジスト層が除去され
た部分のCr薄膜をエッチングして除去した。次に、ガ
ラスエッチャント(東京製品開発研究所製 MAX−7
011G)によりフォトレジスト層をマスクとして基板
のエッチングを行い、深さ5μm、幅10μmの凹部を
形成した。
【0015】その後、基板を抵抗加熱式の真空蒸着装置
の真空チャンバー内に載置し、抵抗加熱蒸着源にポリイ
ミドモノマーを入れて下記の条件で基板のフォトレジス
ト層形成面側にポリイミド樹脂層(厚さ1μm)を蒸着
形成した。
の真空チャンバー内に載置し、抵抗加熱蒸着源にポリイ
ミドモノマーを入れて下記の条件で基板のフォトレジス
ト層形成面側にポリイミド樹脂層(厚さ1μm)を蒸着
形成した。
【0016】(真空蒸着の条件) ・真空チャンバー内圧力 :3×10-4Torr ・抵抗加熱蒸着源温度 :162℃ ・蒸着速度 :330A/min. 次に、フォトレジスト層を除去して凹版印刷版を形成し
た。
た。
【0017】この凹版印刷版を用いて紫外線硬化型イン
キのブランケットへの転移率を測定したところ、約50
%のインキが転移(転移量約2.5μm)したことを確
認した。 (比較例1)ポリイミド樹脂層を形成しなかった他は実
験例と同様にして凹版印刷版を形成した。そして、実験
例と同様にしてインキの転移率を測定した結果、転移率
は約35%(転移量約1.8μm)であった。 (比較例2)形成した凹部の深さが7μm、幅が15μ
mであり、ポリイミド樹脂層を形成しなかった他は実験
例と同様にして凹版印刷版を形成した。そして、実験例
と同様にしてインキの転移率を測定した結果、転移率は
約35%であったがブランケットへのインキ転移量は約
2.5μmであり、実験例とほぼ同等であった。しかし
ながら、凹部の幅が上記のように15μmであり、微細
なパターンの形成が難しかった。
キのブランケットへの転移率を測定したところ、約50
%のインキが転移(転移量約2.5μm)したことを確
認した。 (比較例1)ポリイミド樹脂層を形成しなかった他は実
験例と同様にして凹版印刷版を形成した。そして、実験
例と同様にしてインキの転移率を測定した結果、転移率
は約35%(転移量約1.8μm)であった。 (比較例2)形成した凹部の深さが7μm、幅が15μ
mであり、ポリイミド樹脂層を形成しなかった他は実験
例と同様にして凹版印刷版を形成した。そして、実験例
と同様にしてインキの転移率を測定した結果、転移率は
約35%であったがブランケットへのインキ転移量は約
2.5μmであり、実験例とほぼ同等であった。しかし
ながら、凹部の幅が上記のように15μmであり、微細
なパターンの形成が難しかった。
【0018】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればフ
ォトレジスト層がマスクとして作用することにより、基
板のうちフォトレジスト層非形成部分のみが選択的にエ
ッチングされて基板に凹部が形成され、更にこの上にイ
ンキ離型膜を蒸着してリフトオフすることにより、この
凹部内にインキ離型層が形成されるので、凹部内のイン
キは高い転移率で被加工物あるいはブランケットに転移
され印刷画像が向上するとともに、寸法精度の高い微細
凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
ォトレジスト層がマスクとして作用することにより、基
板のうちフォトレジスト層非形成部分のみが選択的にエ
ッチングされて基板に凹部が形成され、更にこの上にイ
ンキ離型膜を蒸着してリフトオフすることにより、この
凹部内にインキ離型層が形成されるので、凹部内のイン
キは高い転移率で被加工物あるいはブランケットに転移
され印刷画像が向上するとともに、寸法精度の高い微細
凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
【図1】図1は本発明の凹版印刷版の製造方法を説明す
るための図である。
るための図である。
1…基板 1a…フォトレジスト層非形成部 2…薄膜 3…フォトレジスト層 4…凹部 5…インキ離型層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板表面に所定パターンでフォトレジス
ト層を形成し、次に、前記フォトレジスト層をマスクと
して前記基板のフォトレジスト層非形成部分をエッチン
グして前記基板に凹部を形成し、その後、この凹部内に
インキ離型層を形成することを特徴とする微細パターン
印刷用の凹版印刷版の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15890191A JPH054464A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15890191A JPH054464A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH054464A true JPH054464A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15681842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15890191A Pending JPH054464A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH054464A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07329441A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-19 | Toppan Printing Co Ltd | 凹版およびこれを用いた印刷方法 |
JP2001264962A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Dainippon Printing Co Ltd | オフセット印刷版 |
JP2021041635A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 株式会社小森コーポレーション | 印刷用ガラス凹版 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15890191A patent/JPH054464A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07329441A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-19 | Toppan Printing Co Ltd | 凹版およびこれを用いた印刷方法 |
JP2001264962A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Dainippon Printing Co Ltd | オフセット印刷版 |
JP2021041635A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 株式会社小森コーポレーション | 印刷用ガラス凹版 |
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