JPH054464A - 微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法 - Google Patents
微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法Info
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- JPH054464A JPH054464A JP15890191A JP15890191A JPH054464A JP H054464 A JPH054464 A JP H054464A JP 15890191 A JP15890191 A JP 15890191A JP 15890191 A JP15890191 A JP 15890191A JP H054464 A JPH054464 A JP H054464A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細な凹部を高い精度で効率よく形成するこ
とのでき、凹部内のインキが高い転移率で転移される凹
版印刷版の製造方法を提供する。 【構成】 フォトレジスト層をマスクとして、基板のう
ちフォトレジスト層非形成部分のみを選択的にエッチン
グして基板に凹部を形成し、この凹部内にインキ離型層
を形成する。
とのでき、凹部内のインキが高い転移率で転移される凹
版印刷版の製造方法を提供する。 【構成】 フォトレジスト層をマスクとして、基板のう
ちフォトレジスト層非形成部分のみを選択的にエッチン
グして基板に凹部を形成し、この凹部内にインキ離型層
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は凹版印刷版の製造方法に
係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において被
加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成するこ
とのできる微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法
に関する。
係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において被
加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成するこ
とのできる微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
【０００３】被加工物への微細パターンの形成方法の一
つとして、従来より凹版印刷版を用いた方法がある。こ
の方法に用いられる凹版印刷版は、基板上に所定パター
ンのフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層を
マスクとしてエッチングを行って基板に凹部を形成する
ことにより作成されていた。
つとして、従来より凹版印刷版を用いた方法がある。こ
の方法に用いられる凹版印刷版は、基板上に所定パター
ンのフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層を
マスクとしてエッチングを行って基板に凹部を形成する
ことにより作成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板と
してガラスや金属のようなインキぬれ性のよい材質を用
いると、凹版印刷版の凹部内のインキを被加工物あるい
はブランケットへ転移させる際に、被加工物あるいはブ
ランケットと凹部との間でインキの捕り合いをおこし、
凹部内のインキの１／３程度しか転移されない。このた
め、必然的にインキ膜厚は薄くなり、ピンホール、断
線、パターン欠け等の発生原因になるという問題があっ
た。
してガラスや金属のようなインキぬれ性のよい材質を用
いると、凹版印刷版の凹部内のインキを被加工物あるい
はブランケットへ転移させる際に、被加工物あるいはブ
ランケットと凹部との間でインキの捕り合いをおこし、
凹部内のインキの１／３程度しか転移されない。このた
め、必然的にインキ膜厚は薄くなり、ピンホール、断
線、パターン欠け等の発生原因になるという問題があっ
た。
【０００５】そして、このような問題を解消するため
に、凹部内のインキの１／３程度の転移でも充分なイン
キ膜厚が得られるような深さの凹部を有する凹版印刷版
を形成することが行われていた。しかし、凹部を深くす
ると、基板が等方的にエッチングされるために微細なパ
ターン形成が難しくなり、高精度の微細加工用の凹版印
刷版の製造に向かないという問題があった。
に、凹部内のインキの１／３程度の転移でも充分なイン
キ膜厚が得られるような深さの凹部を有する凹版印刷版
を形成することが行われていた。しかし、凹部を深くす
ると、基板が等方的にエッチングされるために微細なパ
ターン形成が難しくなり、高精度の微細加工用の凹版印
刷版の製造に向かないという問題があった。
【０００６】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、微細な凹部を高い精度で効率よく形成
することのでき、凹部内のインキが高い転移率で転移さ
れる凹版印刷版の製造方法を提供することを目的とす
る。
れたものであり、微細な凹部を高い精度で効率よく形成
することのでき、凹部内のインキが高い転移率で転移さ
れる凹版印刷版の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は基板表面に所定パターンでフォトレ
ジスト層を形成し、次に、前記フォトレジスト層をマス
クとして前記基板のフォトレジスト層非形成部分をエッ
チングして前記基板に凹部を形成し、その後、この凹部
内にインキ離型層を形成するような構成とした。
るために、本発明は基板表面に所定パターンでフォトレ
ジスト層を形成し、次に、前記フォトレジスト層をマス
クとして前記基板のフォトレジスト層非形成部分をエッ
チングして前記基板に凹部を形成し、その後、この凹部
内にインキ離型層を形成するような構成とした。
【０００８】
【作用】フォトレジスト層がマスクとして作用すること
により、基板のうちフォトレジスト層非形成部分のみが
選択的にエッチングされて基板に凹部が形成され、この
凹部内にインキ離型層が形成される。これにより凹部内
のインキは高い転移率で被加工物あるいはブランケット
に転移され印刷画像が向上するとともに、寸法精度の高
い微細凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
により、基板のうちフォトレジスト層非形成部分のみが
選択的にエッチングされて基板に凹部が形成され、この
凹部内にインキ離型層が形成される。これにより凹部内
のインキは高い転移率で被加工物あるいはブランケット
に転移され印刷画像が向上するとともに、寸法精度の高
い微細凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の凹版印刷版の製造方法を説
明するための図である。図１において、まず、凹版印刷
版としての耐刷性を高めるためにクロム（Ｃｒ）薄膜等
の薄膜２を予め形成した基板１（図１（ａ））にフォト
レジストを塗布し、プリベークを行いある程度硬化させ
たフォトレジスト層３を形成する（図１（ｂ））。次
に、所定パターンのフォトマスク８を介してフォトレジ
スト層３に紫外線を照射して露光し（図１（ｃ））、フ
ォトレジスト層３の未硬化部分を除去（現像）して微細
パターンを形成する（図１（ｄ））。そして、フォトレ
ジスト層３をポストベ−クして固める。その後、薄膜２
だけを溶解する液により、薄膜２のうちフォトレジスト
層３が形成されていない部分のみを溶かし去り、基板１
のフォトレジスト層３非形成部分１ａを露出させる（図
１（ｅ））。次に、フォトレジスト層３をマスクとして
基板１をエッチングして凹部４を形成する（図１
（ｆ））。その後、インキ剥離層５を凹部４内およびフ
ォトレジスト層３に形成し（図１（ｇ））、フォトレジ
スト層３を除去することにより凹部４内にのみインキ剥
離層５を備えた凹版印刷版を形成する（図１（ｈ））。
て説明する。図１は本発明の凹版印刷版の製造方法を説
明するための図である。図１において、まず、凹版印刷
版としての耐刷性を高めるためにクロム（Ｃｒ）薄膜等
の薄膜２を予め形成した基板１（図１（ａ））にフォト
レジストを塗布し、プリベークを行いある程度硬化させ
たフォトレジスト層３を形成する（図１（ｂ））。次
に、所定パターンのフォトマスク８を介してフォトレジ
スト層３に紫外線を照射して露光し（図１（ｃ））、フ
ォトレジスト層３の未硬化部分を除去（現像）して微細
パターンを形成する（図１（ｄ））。そして、フォトレ
ジスト層３をポストベ−クして固める。その後、薄膜２
だけを溶解する液により、薄膜２のうちフォトレジスト
層３が形成されていない部分のみを溶かし去り、基板１
のフォトレジスト層３非形成部分１ａを露出させる（図
１（ｅ））。次に、フォトレジスト層３をマスクとして
基板１をエッチングして凹部４を形成する（図１
（ｆ））。その後、インキ剥離層５を凹部４内およびフ
ォトレジスト層３に形成し（図１（ｇ））、フォトレジ
スト層３を除去することにより凹部４内にのみインキ剥
離層５を備えた凹版印刷版を形成する（図１（ｈ））。
【００１０】このように、本発明では基板１の凹部４内
にインキ剥離層５を形成することにより、凹部内のイン
キは高い転移率で被加工物あるいはブランケットに転移
されることになる。したがって、凹部４を深く形成する
必要はなく、基板の等方的なエッチングにより微細なパ
ターンの凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
にインキ剥離層５を形成することにより、凹部内のイン
キは高い転移率で被加工物あるいはブランケットに転移
されることになる。したがって、凹部４を深く形成する
必要はなく、基板の等方的なエッチングにより微細なパ
ターンの凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
【００１１】基板１としては、ガラス板、アルミニウ
ム、銅、クロム等の金属、ポリエチレン、アクリル等の
有機物等を使用することができる。また、凹版印刷版と
しての耐刷性を高めるための薄膜２としては、クロム
（Ｃｒ）、セラミックカニゼン（kanigen 社製 Ｎｉ＋
Ｐ＋ＳｉＣ）等の薄膜が好ましい。この薄膜２の厚さは
０．１〜１μｍ程度が好ましい。
ム、銅、クロム等の金属、ポリエチレン、アクリル等の
有機物等を使用することができる。また、凹版印刷版と
しての耐刷性を高めるための薄膜２としては、クロム
（Ｃｒ）、セラミックカニゼン（kanigen 社製 Ｎｉ＋
Ｐ＋ＳｉＣ）等の薄膜が好ましい。この薄膜２の厚さは
０．１〜１μｍ程度が好ましい。
【００１２】フォトレジスト層３の形成に使用するフォ
トレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、ポリビニル
アルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添加したもの
を挙げることができる。また、フォトレジスト層３の厚
さは０．４〜１μｍ程度が好ましい。
トレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、ポリビニル
アルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添加したもの
を挙げることができる。また、フォトレジスト層３の厚
さは０．４〜１μｍ程度が好ましい。
【００１３】本発明においてインキ剥離層５の材質は、
ポリイミド、シリコーン、テフロン等のインキとのぬれ
性の悪い樹脂とすることができる。そして、インキ剥離
層５の形成は、通常の抵抗加熱式の真空蒸着機により上
記の樹脂モノマーをヒーターで加熱して蒸発させ、凹部
４内に蒸着させて行うことができる。上記の例では、凹
部４の底部にインキ剥離層５が形成されているが、凹部
４の側壁部にもインキ剥離層５を形成してもよい。この
ようなインキ剥離層５の厚さは０．１〜０．５μｍ程度
が好ましい。次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 （実験例）ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にＲＦ
スパッタ法により膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜を形成し
た。このＣｒ薄膜上にポジ型のフォトレジスト（東京応
化製ＯＦＰＲ−８００、粘度＝２００ｃｐ）をスピンコ
ート法により塗布して厚さ１μｍのフォトレジスト層を
形成した。そして、９０℃、３０分間のプリベーク処理
を行ってフォトレジスト層をある程度硬化させた。次
に、線幅２μｍの所定パターンを有するフォトマスクを
介してフォトレジスト層に紫外線を照射して露光を行っ
た。露光は超高圧水銀ランプを光源とし、照射量は４０
５ｎｍで５０ｍＪ／cm2 とした。そして、現像液（東京
応化社製 ＮＭＤ−３）により現像してパターニングさ
れたフォトレジスト層を形成し、１３０℃、３０分間の
ポストベーク処理を施してフォトレジスト層を固めた。
ポリイミド、シリコーン、テフロン等のインキとのぬれ
性の悪い樹脂とすることができる。そして、インキ剥離
層５の形成は、通常の抵抗加熱式の真空蒸着機により上
記の樹脂モノマーをヒーターで加熱して蒸発させ、凹部
４内に蒸着させて行うことができる。上記の例では、凹
部４の底部にインキ剥離層５が形成されているが、凹部
４の側壁部にもインキ剥離層５を形成してもよい。この
ようなインキ剥離層５の厚さは０．１〜０．５μｍ程度
が好ましい。次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 （実験例）ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にＲＦ
スパッタ法により膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜を形成し
た。このＣｒ薄膜上にポジ型のフォトレジスト（東京応
化製ＯＦＰＲ−８００、粘度＝２００ｃｐ）をスピンコ
ート法により塗布して厚さ１μｍのフォトレジスト層を
形成した。そして、９０℃、３０分間のプリベーク処理
を行ってフォトレジスト層をある程度硬化させた。次
に、線幅２μｍの所定パターンを有するフォトマスクを
介してフォトレジスト層に紫外線を照射して露光を行っ
た。露光は超高圧水銀ランプを光源とし、照射量は４０
５ｎｍで５０ｍＪ／cm2 とした。そして、現像液（東京
応化社製 ＮＭＤ−３）により現像してパターニングさ
れたフォトレジスト層を形成し、１３０℃、３０分間の
ポストベーク処理を施してフォトレジスト層を固めた。
【００１４】その後、クロムエッチング液（諸星インキ
社製 ＭＲ−ＥＳ）によりフォトレジスト層が除去され
た部分のＣｒ薄膜をエッチングして除去した。次に、ガ
ラスエッチャント（東京製品開発研究所製 ＭＡＸ−７
０１１Ｇ）によりフォトレジスト層をマスクとして基板
のエッチングを行い、深さ５μｍ、幅１０μｍの凹部を
形成した。
社製 ＭＲ−ＥＳ）によりフォトレジスト層が除去され
た部分のＣｒ薄膜をエッチングして除去した。次に、ガ
ラスエッチャント（東京製品開発研究所製 ＭＡＸ−７
０１１Ｇ）によりフォトレジスト層をマスクとして基板
のエッチングを行い、深さ５μｍ、幅１０μｍの凹部を
形成した。
【００１５】その後、基板を抵抗加熱式の真空蒸着装置
の真空チャンバー内に載置し、抵抗加熱蒸着源にポリイ
ミドモノマーを入れて下記の条件で基板のフォトレジス
ト層形成面側にポリイミド樹脂層（厚さ１μｍ）を蒸着
形成した。
の真空チャンバー内に載置し、抵抗加熱蒸着源にポリイ
ミドモノマーを入れて下記の条件で基板のフォトレジス
ト層形成面側にポリイミド樹脂層（厚さ１μｍ）を蒸着
形成した。
【００１６】（真空蒸着の条件） ・真空チャンバー内圧力 ：３×１０-4Ｔｏｒｒ ・抵抗加熱蒸着源温度 ：１６２℃ ・蒸着速度 ：３３０Ａ／min. 次に、フォトレジスト層を除去して凹版印刷版を形成し
た。
た。
【００１７】この凹版印刷版を用いて紫外線硬化型イン
キのブランケットへの転移率を測定したところ、約５０
％のインキが転移（転移量約２．５μｍ）したことを確
認した。 （比較例１）ポリイミド樹脂層を形成しなかった他は実
験例と同様にして凹版印刷版を形成した。そして、実験
例と同様にしてインキの転移率を測定した結果、転移率
は約３５％（転移量約１．８μｍ）であった。 （比較例２）形成した凹部の深さが７μｍ、幅が１５μ
ｍであり、ポリイミド樹脂層を形成しなかった他は実験
例と同様にして凹版印刷版を形成した。そして、実験例
と同様にしてインキの転移率を測定した結果、転移率は
約３５％であったがブランケットへのインキ転移量は約
２．５μｍであり、実験例とほぼ同等であった。しかし
ながら、凹部の幅が上記のように１５μｍであり、微細
なパターンの形成が難しかった。
キのブランケットへの転移率を測定したところ、約５０
％のインキが転移（転移量約２．５μｍ）したことを確
認した。 （比較例１）ポリイミド樹脂層を形成しなかった他は実
験例と同様にして凹版印刷版を形成した。そして、実験
例と同様にしてインキの転移率を測定した結果、転移率
は約３５％（転移量約１．８μｍ）であった。 （比較例２）形成した凹部の深さが７μｍ、幅が１５μ
ｍであり、ポリイミド樹脂層を形成しなかった他は実験
例と同様にして凹版印刷版を形成した。そして、実験例
と同様にしてインキの転移率を測定した結果、転移率は
約３５％であったがブランケットへのインキ転移量は約
２．５μｍであり、実験例とほぼ同等であった。しかし
ながら、凹部の幅が上記のように１５μｍであり、微細
なパターンの形成が難しかった。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればフ
ォトレジスト層がマスクとして作用することにより、基
板のうちフォトレジスト層非形成部分のみが選択的にエ
ッチングされて基板に凹部が形成され、更にこの上にイ
ンキ離型膜を蒸着してリフトオフすることにより、この
凹部内にインキ離型層が形成されるので、凹部内のイン
キは高い転移率で被加工物あるいはブランケットに転移
され印刷画像が向上するとともに、寸法精度の高い微細
凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
ォトレジスト層がマスクとして作用することにより、基
板のうちフォトレジスト層非形成部分のみが選択的にエ
ッチングされて基板に凹部が形成され、更にこの上にイ
ンキ離型膜を蒸着してリフトオフすることにより、この
凹部内にインキ離型層が形成されるので、凹部内のイン
キは高い転移率で被加工物あるいはブランケットに転移
され印刷画像が向上するとともに、寸法精度の高い微細
凹部を備えた凹版印刷版が可能となる。
【図１】図１は本発明の凹版印刷版の製造方法を説明す
るための図である。
るための図である。
１…基板 １ａ…フォトレジスト層非形成部 ２…薄膜 ３…フォトレジスト層 ４…凹部 ５…インキ離型層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板表面に所定パターンでフォトレジス
ト層を形成し、次に、前記フォトレジスト層をマスクと
して前記基板のフォトレジスト層非形成部分をエッチン
グして前記基板に凹部を形成し、その後、この凹部内に
インキ離型層を形成することを特徴とする微細パターン
印刷用の凹版印刷版の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15890191A JPH054464A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15890191A JPH054464A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH054464A true JPH054464A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15681842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15890191A Pending JPH054464A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 微細パターン印刷用の凹版印刷版の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH054464A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07329441A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-19 | Toppan Printing Co Ltd | 凹版およびこれを用いた印刷方法 |
| JP2001264962A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Dainippon Printing Co Ltd | オフセット印刷版 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15890191A patent/JPH054464A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07329441A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-19 | Toppan Printing Co Ltd | 凹版およびこれを用いた印刷方法 |
| JP2001264962A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Dainippon Printing Co Ltd | オフセット印刷版 |
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