JPH04239684A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
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- JPH04239684A JPH04239684A JP3024083A JP2408391A JPH04239684A JP H04239684 A JPH04239684 A JP H04239684A JP 3024083 A JP3024083 A JP 3024083A JP 2408391 A JP2408391 A JP 2408391A JP H04239684 A JPH04239684 A JP H04239684A
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Landscapes
- Printing Methods (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子の薄膜ト
ランジスタなどを製造する際に用いられる微細パターン
の形成方法に関し、微細レジストパターン等を高精度で
量産的に形成するに適した方法である。
ランジスタなどを製造する際に用いられる微細パターン
の形成方法に関し、微細レジストパターン等を高精度で
量産的に形成するに適した方法である。
【0002】
【従来の技術】薄膜トランジスタを用いたカラー液晶デ
ィスプレイ(TFT−LCD)はポケットTV,ポータ
ブルTVは実用化の段階に入っているが、近年対角40
インチ、70インチと大型液晶フラットディスプレイを
指向した開発が盛んである。
ィスプレイ(TFT−LCD)はポケットTV,ポータ
ブルTVは実用化の段階に入っているが、近年対角40
インチ、70インチと大型液晶フラットディスプレイを
指向した開発が盛んである。
【0003】通常の薄膜トランジスタを製造する場合、
4回程度のフオトリソグラフイ工程つまりレジスト塗布
、露光、現像、エッチングを繰り返す。40インチ、7
0インチレベルの大型LCDを製造しようとすると、特
に大型露光装置の開発に莫大な開発費がかかり、製品製
造コスト上昇、スループット低下をきたす。
4回程度のフオトリソグラフイ工程つまりレジスト塗布
、露光、現像、エッチングを繰り返す。40インチ、7
0インチレベルの大型LCDを製造しようとすると、特
に大型露光装置の開発に莫大な開発費がかかり、製品製
造コスト上昇、スループット低下をきたす。
【0004】そこで、微細レジストパターン形成を印刷
法に近い方法で行えば、大型化に対応でき、レジストパ
ターンの形成、エッチング工程を繰り返す事によりTF
TLCDパネルを簡易に製造する事ができる。
法に近い方法で行えば、大型化に対応でき、レジストパ
ターンの形成、エッチング工程を繰り返す事によりTF
TLCDパネルを簡易に製造する事ができる。
【0005】従来より印刷配線や回路パターンの形成或
いは金属板のエッチング用レジストパターンの形成に際
しては、スクリーン印刷法やオフセット印刷法のような
印刷手段が広く採用されている。しかし、これらの印刷
手段は比較的画線幅の大きい(200μm以上)パター
ン形成には適するが、画線幅がそれ以下の微細パターン
形成には不向きである。しかも、印刷されるパターンは
インキの流動性、版の圧力などの影響やインキの一部が
転移しないで版に残留する等により変形したものとなっ
てしまい、印刷パターンの再現性に劣るという欠点もあ
った。
いは金属板のエッチング用レジストパターンの形成に際
しては、スクリーン印刷法やオフセット印刷法のような
印刷手段が広く採用されている。しかし、これらの印刷
手段は比較的画線幅の大きい(200μm以上)パター
ン形成には適するが、画線幅がそれ以下の微細パターン
形成には不向きである。しかも、印刷されるパターンは
インキの流動性、版の圧力などの影響やインキの一部が
転移しないで版に残留する等により変形したものとなっ
てしまい、印刷パターンの再現性に劣るという欠点もあ
った。
【0006】たとえば、スクリーン印刷法はメッシュ状
スクリーンにインキ遮蔽マスクを形成し該マスクの非マ
スク部からインキ通過させ被印刷にインキを付着させて
印刷を行うものであるが、この方法ではインキの厚刷り
(数μmから20μm厚)が容易なため耐食性の優れた
レジストインキパターンの印刷が可能なものの、実印刷
幅は最小で200μmが限界であるため、微細なパター
ンの印刷を行うのは困難である。
スクリーンにインキ遮蔽マスクを形成し該マスクの非マ
スク部からインキ通過させ被印刷にインキを付着させて
印刷を行うものであるが、この方法ではインキの厚刷り
(数μmから20μm厚)が容易なため耐食性の優れた
レジストインキパターンの印刷が可能なものの、実印刷
幅は最小で200μmが限界であるため、微細なパター
ンの印刷を行うのは困難である。
【0007】また、オフセット印刷法はPS版に親油性
部と親水性を形成し、親水性部に水分を保持させて油性
インキを反発させる事により、親油性部のみに選択的に
インキを付着させ、かかるインキパターンを被印刷体に
印刷する方法である。特に印刷適性を上げるために版上
のインキパターンを一度ゴムブランケットに転写した後
に被印刷体に再転写するように構成されている。この印
刷法は比較的微細な印刷パターンを得られ易いが、イン
キング方式や、2回の転写操作等の関係より印刷される
インキ膜厚が1μm程度の小さなものとなり、印刷画線
にピンホールや断線が発生し易い欠点がある。
部と親水性を形成し、親水性部に水分を保持させて油性
インキを反発させる事により、親油性部のみに選択的に
インキを付着させ、かかるインキパターンを被印刷体に
印刷する方法である。特に印刷適性を上げるために版上
のインキパターンを一度ゴムブランケットに転写した後
に被印刷体に再転写するように構成されている。この印
刷法は比較的微細な印刷パターンを得られ易いが、イン
キング方式や、2回の転写操作等の関係より印刷される
インキ膜厚が1μm程度の小さなものとなり、印刷画線
にピンホールや断線が発生し易い欠点がある。
【0008】一方、比較的細線で印刷膜厚も大きくとれ
る印刷手法として凹版印刷法がある。この印刷法は、銅
版などに彫刻法や食刻法で画線凹部を形成し、該凹部に
硬めのインキを擦り込み、非画線部のインキを掻きとっ
た後に銅版上に印刷用紙を当て強圧して印刷するもので
ある。強圧する理由は、凹部に擦り込まれたインキが版
表面よりも窪んだ位置にあるため、紙のような柔軟性印
刷物に強圧着させる事により強制的にインキ面と被印刷
物面とを接触させてインキを被印刷物に転移させるため
である。このような理由により凹版印刷法は、剛性の高
いガラス等への印刷がほとんど不可能であるという大き
な問題点がある。
る印刷手法として凹版印刷法がある。この印刷法は、銅
版などに彫刻法や食刻法で画線凹部を形成し、該凹部に
硬めのインキを擦り込み、非画線部のインキを掻きとっ
た後に銅版上に印刷用紙を当て強圧して印刷するもので
ある。強圧する理由は、凹部に擦り込まれたインキが版
表面よりも窪んだ位置にあるため、紙のような柔軟性印
刷物に強圧着させる事により強制的にインキ面と被印刷
物面とを接触させてインキを被印刷物に転移させるため
である。このような理由により凹版印刷法は、剛性の高
いガラス等への印刷がほとんど不可能であるという大き
な問題点がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
に鑑みなされたもので、印刷的な方法によりピンホール
のない微細レジストインキパターン等を効率的且つ安価
に形成し、TFT等の作製に有効に利用できる技術を提
供する事を目的とする。
に鑑みなされたもので、印刷的な方法によりピンホール
のない微細レジストインキパターン等を効率的且つ安価
に形成し、TFT等の作製に有効に利用できる技術を提
供する事を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】かかる課題は、被パター
ン形成体表面に樹脂層を設け、この樹脂層に凹凸面が刻
まれたパターン原版を接触せしめて、該樹脂層にパター
ン原版の凹凸面を反転転写した反転凹凸面を形成したの
ち、この樹脂層を全面エッチングすることにより、反転
凹凸面の凸部の一部のみを被パターン形成体表面に残し
、所望パターンを形成することで解決される。
ン形成体表面に樹脂層を設け、この樹脂層に凹凸面が刻
まれたパターン原版を接触せしめて、該樹脂層にパター
ン原版の凹凸面を反転転写した反転凹凸面を形成したの
ち、この樹脂層を全面エッチングすることにより、反転
凹凸面の凸部の一部のみを被パターン形成体表面に残し
、所望パターンを形成することで解決される。
【0011】以下、図面に基づき詳しく説明する。
【0012】図1ないし図4は、本発明方法の第1の具
体例を示すものである。これらの図において符号1はパ
ターン原版の具体例としての印刷用版である。この印刷
用版1は凹版である。また印刷用版1は図示の如く平板
状に構成されたものに限定されず、円筒状の構成であっ
ても良い。
体例を示すものである。これらの図において符号1はパ
ターン原版の具体例としての印刷用版である。この印刷
用版1は凹版である。また印刷用版1は図示の如く平板
状に構成されたものに限定されず、円筒状の構成であっ
ても良い。
【0013】印刷用版1には、パターン凹凸部2が所定
形状に形成されている。このパターン凹凸部2の形成法
は特に限定されたものではなく、研磨された金属面(銅
、銅合金、ステンレス等)を微細切削法で形成したり、
フオトファブリケーション技術を利用したエッチング法
等で形成する。パターン凹凸部2は、その線幅が3〜7
0μm程度、深さ(版深)1〜10μm程度なものとし
て構成する。また版材はガラス、セラミックス等の材質
を使用しても良い。
形状に形成されている。このパターン凹凸部2の形成法
は特に限定されたものではなく、研磨された金属面(銅
、銅合金、ステンレス等)を微細切削法で形成したり、
フオトファブリケーション技術を利用したエッチング法
等で形成する。パターン凹凸部2は、その線幅が3〜7
0μm程度、深さ(版深)1〜10μm程度なものとし
て構成する。また版材はガラス、セラミックス等の材質
を使用しても良い。
【0014】一方、被パターン形成体としてのガラス基
板等の基板3の表面には、樹脂層4が形成されている。 この樹脂層4は、エポキシ樹脂、紫外線硬化型樹脂など
の架橋型樹脂の未硬化液状物を通常のコーティング法な
どによって塗布したものである。
板等の基板3の表面には、樹脂層4が形成されている。 この樹脂層4は、エポキシ樹脂、紫外線硬化型樹脂など
の架橋型樹脂の未硬化液状物を通常のコーティング法な
どによって塗布したものである。
【0015】ついで、図2に示すように印刷用版1を基
板3上の樹脂層4に重ね合せ、印刷用版1の上部からゴ
ムローラ5などを用いて均一に押圧する。この状態で、
樹脂層4を加熱等の架橋手段によって架橋させたのち、
印刷用版1を剥離し図3に示すように樹脂層4表面に印
刷用版1のパターン凹凸部2が反転した反転凹凸部6を
形成する。
板3上の樹脂層4に重ね合せ、印刷用版1の上部からゴ
ムローラ5などを用いて均一に押圧する。この状態で、
樹脂層4を加熱等の架橋手段によって架橋させたのち、
印刷用版1を剥離し図3に示すように樹脂層4表面に印
刷用版1のパターン凹凸部2が反転した反転凹凸部6を
形成する。
【0016】このようにして形成された反転凹凸部6を
有する樹脂層4には、図3に示すように基板3表面から
樹脂層4の反転凹凸部6の凹部底部に至るまでの厚みa
の樹脂が存在し、このままではエッチング用レジストパ
ターンとはなりえない。そこで、この樹脂層4をその全
面にわたり厚みaに相当する分だけエッチングする。こ
れにより、図4に示すように最終画像としてのレジスト
パターン7が基板3上に形成される。樹脂層4のエッチ
ング法としては、プラズマ等のドライエッチングやエッ
チング液によるウエットエッチング等がある。
有する樹脂層4には、図3に示すように基板3表面から
樹脂層4の反転凹凸部6の凹部底部に至るまでの厚みa
の樹脂が存在し、このままではエッチング用レジストパ
ターンとはなりえない。そこで、この樹脂層4をその全
面にわたり厚みaに相当する分だけエッチングする。こ
れにより、図4に示すように最終画像としてのレジスト
パターン7が基板3上に形成される。樹脂層4のエッチ
ング法としては、プラズマ等のドライエッチングやエッ
チング液によるウエットエッチング等がある。
【0017】本方式により形成された樹脂パターンをレ
ジストとして、基板エッチングを行い、これを繰り返す
ことによりTFT等の電子回路素子の作製も可能である
。
ジストとして、基板エッチングを行い、これを繰り返す
ことによりTFT等の電子回路素子の作製も可能である
。
【0018】次に、本発明の第2の具体例を説明する。
特に半導体回路素子作製への応用においては、アルカリ
金属イオン等の不純物汚染回避を考慮した樹脂選択をす
る必要がある事はいうまでもないが、図5に示すように
、予め通常の半導体フオトプロセスに用いられるフオト
レジスト層8を1層基板3上にもうけておき、そのうえ
に樹脂層4を設けたのち、先の例と同様にして反転凹凸
部6を形成した後、図6に示すようにこの樹脂層4とフ
オトレジスト層8を同時にエッチングするなどの操作に
より樹脂層選択の幅は大きく広がる。
金属イオン等の不純物汚染回避を考慮した樹脂選択をす
る必要がある事はいうまでもないが、図5に示すように
、予め通常の半導体フオトプロセスに用いられるフオト
レジスト層8を1層基板3上にもうけておき、そのうえ
に樹脂層4を設けたのち、先の例と同様にして反転凹凸
部6を形成した後、図6に示すようにこの樹脂層4とフ
オトレジスト層8を同時にエッチングするなどの操作に
より樹脂層選択の幅は大きく広がる。
【0019】このような方法によれば、プロセス操作が
極めて簡便、容易となる。また、樹脂層4の反転凹凸部
6の形状段差が0.5μm〜1.0μm程度あればよく
、版表面段差もその程度で良いため、エッチングを用い
る印刷用版1の作製においては、パターンの細線化が容
易となる。さらに通常印刷にみられるようなインキング
操作、地汚れ、インキ剥離時のピンホール発生などの心
配が一切なく、完全ピンホールレスの微細レジストパタ
ーンが容易に作製でき、TFT等電子回路素子作製工程
が極端に短縮される。
極めて簡便、容易となる。また、樹脂層4の反転凹凸部
6の形状段差が0.5μm〜1.0μm程度あればよく
、版表面段差もその程度で良いため、エッチングを用い
る印刷用版1の作製においては、パターンの細線化が容
易となる。さらに通常印刷にみられるようなインキング
操作、地汚れ、インキ剥離時のピンホール発生などの心
配が一切なく、完全ピンホールレスの微細レジストパタ
ーンが容易に作製でき、TFT等電子回路素子作製工程
が極端に短縮される。
【0020】また本発明においては、樹脂層4を構成す
る樹脂としては、熱硬化性樹脂以外に熱可塑性樹脂を用
いることができ、この場合は、パターン原版を接触させ
る際に加熱して軟化状態としておくことが必要となる。
る樹脂としては、熱硬化性樹脂以外に熱可塑性樹脂を用
いることができ、この場合は、パターン原版を接触させ
る際に加熱して軟化状態としておくことが必要となる。
【0021】以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明する。
に説明する。
【実施例1】ガラス基盤(4インチ角)上に約400ポ
イズのUVインキを、全面に渡り約6μmの厚みで塗布
し、版として東レ製水無しオフセット印刷用平板に対し
、20〜100μmのライン状解像力チャートを製版し
たものを用い該インキ層に対し平板を平面的に接触し、
ゴムローラにて線接触により全面に渡り圧着した。 しかる後に本平板を基盤端部より剥離する事によりイン
キ上に段差3μmの凹凸形状を作製した。このインキ層
を酸素プラズマ中で全面アッシングする事により基板上
に厚さ3μm、線幅40μmのインキパターンが作製で
きた。
イズのUVインキを、全面に渡り約6μmの厚みで塗布
し、版として東レ製水無しオフセット印刷用平板に対し
、20〜100μmのライン状解像力チャートを製版し
たものを用い該インキ層に対し平板を平面的に接触し、
ゴムローラにて線接触により全面に渡り圧着した。 しかる後に本平板を基盤端部より剥離する事によりイン
キ上に段差3μmの凹凸形状を作製した。このインキ層
を酸素プラズマ中で全面アッシングする事により基板上
に厚さ3μm、線幅40μmのインキパターンが作製で
きた。
【0022】
【実施例2】ガラス基板上に熱硬化性樹脂を10μmの
厚さで塗布し、厚さ0.1mmの銅板に深さ5μmのエ
ッチングを施した解像パターン版を全面圧着させ全体を
樹脂硬化温度まで加熱硬化させ、しかる後に該銅板を剥
離する事により、樹脂表面に段差4μmの凹凸形状を作
製した。本基板を全面に渡りアッシングする事により基
板上に約4μmの膜厚で、最小線幅15μmのレジスト
インキパターンが形成された。
厚さで塗布し、厚さ0.1mmの銅板に深さ5μmのエ
ッチングを施した解像パターン版を全面圧着させ全体を
樹脂硬化温度まで加熱硬化させ、しかる後に該銅板を剥
離する事により、樹脂表面に段差4μmの凹凸形状を作
製した。本基板を全面に渡りアッシングする事により基
板上に約4μmの膜厚で、最小線幅15μmのレジスト
インキパターンが形成された。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明の微細パター
ン形成方法は被パターン形成体表面に樹脂層を設け、こ
の樹脂層に凹凸面が刻まれたパターン原版を接触せしめ
て、該樹脂層にパターン原版の凹凸面を反転転写した反
転凹凸面を形成したのち、この樹脂層を全面エッチング
することにより、反転凹凸面の凸部の一部のみを被パタ
ーン形成体表面に残し、所望パターンを形成するもので
あるので、印刷的な方法によりピンポール等の欠陥のな
い微細レジストインキパターン等を効率的かつ安価に形
成することができ、TFT等の作製に有効に利用できる
などの利点を有する。
ン形成方法は被パターン形成体表面に樹脂層を設け、こ
の樹脂層に凹凸面が刻まれたパターン原版を接触せしめ
て、該樹脂層にパターン原版の凹凸面を反転転写した反
転凹凸面を形成したのち、この樹脂層を全面エッチング
することにより、反転凹凸面の凸部の一部のみを被パタ
ーン形成体表面に残し、所望パターンを形成するもので
あるので、印刷的な方法によりピンポール等の欠陥のな
い微細レジストインキパターン等を効率的かつ安価に形
成することができ、TFT等の作製に有効に利用できる
などの利点を有する。
【図1】本発明の第1の具体例を工程順に示した説明図
である。
である。
【図2】本発明の第1の具体例を工程順に示した説明図
である。
である。
【図3】本発明の第1の具体例を工程順に示した説明図
である。
である。
【図4】本発明の第1の具体例を工程順に示した説明図
である。
である。
【図5】本発明の第2の具体例の要部を工程順に示した
説明図である。
説明図である。
【図6】本発明の第2の具体例の要部を工程順に示した
説明図である。
説明図である。
1 印刷用版
2 パターン凹凸部
3 基板
4 樹脂層
6 反転凹凸部
7 レジストパターン
Claims (4)
- 【請求項1】 被パターン形成体表面に樹脂層を設け
、この樹脂層に凹凸面が刻まれたパターン原版を接触せ
しめて、該樹脂層にパターン原版の凹凸面を反転転写し
た反転凹凸面を形成したのち、この樹脂層を全面エッチ
ングすることにより、反転凹凸面の凸部の一部のみを被
パターン形成体表面に残し、所望パターンを形成するこ
とを特徴とする微細パターン形成方法。 - 【請求項2】 前記パターン原版がローラドラム状で
あることを特徴とする請求項1記載の微細パターン形成
方法。 - 【請求項3】 前記パターン原版が平板状であること
を特徴とする請求項1記載の微細パターン形成方法。 - 【請求項4】 前記樹脂層が熱硬化性樹脂から形成さ
れることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記
載の微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3024083A JPH04239684A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP3024083A JPH04239684A (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 微細パターン形成方法 |
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