JP2702068B2 - オフセット印刷法による薄膜トランジスタ回路の形成方法 - Google Patents
オフセット印刷法による薄膜トランジスタ回路の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オフセット印刷法によ
る薄膜トランジスタ回路の形成方法に関するものであ
り、特に大型アクティブマトリックス型液晶ディスプレ
イパネルなどとして有用な大型薄膜トランジスタ回路を
製造するに際して、印刷版に形成されたパターンがオフ
セット印刷を通じて薄膜トランジスタ回路の基板上に忠
実な寸法で転写されるようにした薄膜トランジスタ回路
の形成方法に関する。
る薄膜トランジスタ回路の形成方法に関するものであ
り、特に大型アクティブマトリックス型液晶ディスプレ
イパネルなどとして有用な大型薄膜トランジスタ回路を
製造するに際して、印刷版に形成されたパターンがオフ
セット印刷を通じて薄膜トランジスタ回路の基板上に忠
実な寸法で転写されるようにした薄膜トランジスタ回路
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に液晶表示装置は、受動型ディスプ
レイであって消費電力がきわめて少ないこと、低電圧で
駆動できること、パネル型の表示装置が得られること、
大型表示が可能であること、比較的低価格であること、
など、発光型のディスプレイにみられない多くの利点を
有し、いわゆるラップトップ型やブック型など携帯可能
のコンピュータやワードプロセッサをはじめとして各種
機器類のディスプレイ装置として広く用いられている。
これらの中でも薄膜トランジスタ回路を用いたアクティ
ブマトリックス型液晶ディスプレイパネルは、階調表現
が可能であること、高速応答性に優れていること、画像
に濃淡ムラが生じないことなど、ディスプレイとしての
特性が優れているために、フルカラーフラットディスプ
レイなどとしての応用が有望視されている。
レイであって消費電力がきわめて少ないこと、低電圧で
駆動できること、パネル型の表示装置が得られること、
大型表示が可能であること、比較的低価格であること、
など、発光型のディスプレイにみられない多くの利点を
有し、いわゆるラップトップ型やブック型など携帯可能
のコンピュータやワードプロセッサをはじめとして各種
機器類のディスプレイ装置として広く用いられている。
これらの中でも薄膜トランジスタ回路を用いたアクティ
ブマトリックス型液晶ディスプレイパネルは、階調表現
が可能であること、高速応答性に優れていること、画像
に濃淡ムラが生じないことなど、ディスプレイとしての
特性が優れているために、フルカラーフラットディスプ
レイなどとしての応用が有望視されている。
【０００３】図１０に一般的なカラー液晶表示装置の例
を示す。図１０において、カラー液晶表示装置４０は、
表面から裏面に向かって、偏光板４１、対向電極用ガラ
ス基板４２ａ、カラーフィルタ層４２ｂ、透明対向電極
膜４２ｃ、液晶層４５、薄膜トランジスタ回路部４６、
薄膜トランジスタ回路用ガラス基板（以下、単に「基
板」と称する）４７、および偏光板４８が積層され形成
されている。このカラー液晶表示装置４０は、好ましく
は背面からバックライト光源（図示せず）により照明さ
れるようになっている。ここに用いられている薄膜トラ
ンジスタ回路部４６の一例を図１１に示す。この薄膜ト
ランジスタ回路部４６は、並列するゲート配線部５１、
５１、…と、これに直交して並列するソース配線部５
２、５２、…との交点にトランジスタ回路などの画素単
位の回路５３、５３、…が基板上に形成されている。
を示す。図１０において、カラー液晶表示装置４０は、
表面から裏面に向かって、偏光板４１、対向電極用ガラ
ス基板４２ａ、カラーフィルタ層４２ｂ、透明対向電極
膜４２ｃ、液晶層４５、薄膜トランジスタ回路部４６、
薄膜トランジスタ回路用ガラス基板（以下、単に「基
板」と称する）４７、および偏光板４８が積層され形成
されている。このカラー液晶表示装置４０は、好ましく
は背面からバックライト光源（図示せず）により照明さ
れるようになっている。ここに用いられている薄膜トラ
ンジスタ回路部４６の一例を図１１に示す。この薄膜ト
ランジスタ回路部４６は、並列するゲート配線部５１、
５１、…と、これに直交して並列するソース配線部５
２、５２、…との交点にトランジスタ回路などの画素単
位の回路５３、５３、…が基板上に形成されている。
【０００４】この画素単位の回路５３は、例えば図１２
のように、基板４７上にソースドレイン層５４、絶縁層
５３、ゲート層５４などが階層的に形成され、さらにコ
ンタクトホール部５５、電極５６などが形成されてい
る。この構成の薄膜トランジスタ回路はスタガー型構造
と呼ばれるものであるが、これに限らず、いずれの構成
の薄膜トランジスタ回路部であっても、これを製造する
に際しては、基板上で成膜し、次いでこの膜をパターニ
ングするパターニング工程が各層毎に繰り返されること
になる。このパターニング工程は、さらに詳しくは、ま
ず被エッチング層上にエッチングレジストパターン（以
下、単に「レジストパターン」と称する）を形成し、次
いでエッチングし、エッチングレジストを剥離する工程
からなる。
のように、基板４７上にソースドレイン層５４、絶縁層
５３、ゲート層５４などが階層的に形成され、さらにコ
ンタクトホール部５５、電極５６などが形成されてい
る。この構成の薄膜トランジスタ回路はスタガー型構造
と呼ばれるものであるが、これに限らず、いずれの構成
の薄膜トランジスタ回路部であっても、これを製造する
に際しては、基板上で成膜し、次いでこの膜をパターニ
ングするパターニング工程が各層毎に繰り返されること
になる。このパターニング工程は、さらに詳しくは、ま
ず被エッチング層上にエッチングレジストパターン（以
下、単に「レジストパターン」と称する）を形成し、次
いでエッチングし、エッチングレジストを剥離する工程
からなる。
【０００５】この被エッチング層上にレジストパターン
を形成する方法としては従来、フォトリソグラフ法が多
用されてきたが、この方法は大型化に際しては非常にコ
スト高になり量産化が困難とされているため、これに代
わる一手段として、特に大型画面の液晶装置を大量生産
するための好適な手段として、オフセット印刷法による
パターン形成技術が注目されて来た。
を形成する方法としては従来、フォトリソグラフ法が多
用されてきたが、この方法は大型化に際しては非常にコ
スト高になり量産化が困難とされているため、これに代
わる一手段として、特に大型画面の液晶装置を大量生産
するための好適な手段として、オフセット印刷法による
パターン形成技術が注目されて来た。
【０００６】このオフセット印刷法によるパターン形成
法には２種類がある。その一つは基板の被エッチング層
上に直接、レジストインキによるレジストパターンを印
刷する方法（直接法）であり、他の一つは、被エッチン
グ層上にまずフォトレジスト層を形成し、また時にはそ
の上にさらに粘着層を形成し、このフォトレジスト層ま
たは粘着層の上に遮光性インキによるマスクパターンを
印刷し、次いで露光・現像して被エッチング層上にレジ
ストパターンを形成する方法（マスク法）である。この
いずれの方法を採用するにせよ、オフセット印刷法によ
るインキパターンの印刷は、一般に円圧型オフセット印
刷機を用い、以下のように行われる。インキパターンの
オフセット印刷方法の一例を凹版印刷版を用いた場合に
ついて図１（ａ）〜図１（ｅ）に順次段階的に示す。
法には２種類がある。その一つは基板の被エッチング層
上に直接、レジストインキによるレジストパターンを印
刷する方法（直接法）であり、他の一つは、被エッチン
グ層上にまずフォトレジスト層を形成し、また時にはそ
の上にさらに粘着層を形成し、このフォトレジスト層ま
たは粘着層の上に遮光性インキによるマスクパターンを
印刷し、次いで露光・現像して被エッチング層上にレジ
ストパターンを形成する方法（マスク法）である。この
いずれの方法を採用するにせよ、オフセット印刷法によ
るインキパターンの印刷は、一般に円圧型オフセット印
刷機を用い、以下のように行われる。インキパターンの
オフセット印刷方法の一例を凹版印刷版を用いた場合に
ついて図１（ａ）〜図１（ｅ）に順次段階的に示す。
【０００７】図１（ａ）において、まず印刷版１に、凹
部２と凸部３とからなる印刷版パターンが形成される。
この印刷版１にドクターナイフ４によってインキ５を塗
布する。このインキ５は、上記の直接法の場合はレジス
トインキであり、マスク法の場合は遮光性インキであ
る。いずれの場合も、インキ５は凹部２にのみ付着し、
印刷版上に印刷版インキパターンが形成される。次に、
図１（ｂ）に示すように、円圧型オフセット印刷機の、
一般にブランケットと呼ばれる円筒状の転写体６の周面
６ｓを、この印刷版上に一定圧力一定速度で一定方向に
圧転（押圧しながら回転移動）させる。すると、図１
（ｃ）に示すように、凹部２のインキ５が、印刷版パタ
ーンのパターン位置関係を維持したまま転写体の周面６
ｓに転移する。
部２と凸部３とからなる印刷版パターンが形成される。
この印刷版１にドクターナイフ４によってインキ５を塗
布する。このインキ５は、上記の直接法の場合はレジス
トインキであり、マスク法の場合は遮光性インキであ
る。いずれの場合も、インキ５は凹部２にのみ付着し、
印刷版上に印刷版インキパターンが形成される。次に、
図１（ｂ）に示すように、円圧型オフセット印刷機の、
一般にブランケットと呼ばれる円筒状の転写体６の周面
６ｓを、この印刷版上に一定圧力一定速度で一定方向に
圧転（押圧しながら回転移動）させる。すると、図１
（ｃ）に示すように、凹部２のインキ５が、印刷版パタ
ーンのパターン位置関係を維持したまま転写体の周面６
ｓに転移する。
【０００８】次に図１（ｄ）に示すように、この転写体
の周面６ｓを、基板１０の被転写層１１上に、前記の転
移の場合と同一速度で、一定方向に圧転させる。この被
転写層１１は、直接法の場合は被エッチング層であり、
マスク法の場合はフォトレジスト層または粘着層であ
る。すると転写体６の周面６ｓ上のインキは、その被転
写層１１上に転写され、図１（ｅ）に示すように、被転
写層１１上に、印刷版１のパターンに対応したインキ５
によるインキパターン５ｐが形成される。基板１０は、
Ｘ−Ｙ−θ定盤（図示せず）の上に置いて印刷位置を調
節することができる。
の周面６ｓを、基板１０の被転写層１１上に、前記の転
移の場合と同一速度で、一定方向に圧転させる。この被
転写層１１は、直接法の場合は被エッチング層であり、
マスク法の場合はフォトレジスト層または粘着層であ
る。すると転写体６の周面６ｓ上のインキは、その被転
写層１１上に転写され、図１（ｅ）に示すように、被転
写層１１上に、印刷版１のパターンに対応したインキ５
によるインキパターン５ｐが形成される。基板１０は、
Ｘ−Ｙ−θ定盤（図示せず）の上に置いて印刷位置を調
節することができる。
【０００９】この後は、例えば直接法であれば、エッチ
ング、次いでエッチングレジストインキ５の剥離の工程
を経て、図１（ｆ）に示すように、基板１０上に被エッ
チング層のパターン１１ｐが形成される。また、マスク
法であれば、露光、現像、エッチング、次いでレジスト
層の剥離の工程を経て、図１（ｆ）に示すように、基板
１０上に被エッチング層のパターン１１ｐが形成され
る。
ング、次いでエッチングレジストインキ５の剥離の工程
を経て、図１（ｆ）に示すように、基板１０上に被エッ
チング層のパターン１１ｐが形成される。また、マスク
法であれば、露光、現像、エッチング、次いでレジスト
層の剥離の工程を経て、図１（ｆ）に示すように、基板
１０上に被エッチング層のパターン１１ｐが形成され
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のインキパターン
のオフセット印刷工程において、特にハイビジョン用液
晶表示装置の薄膜トランジスタ回路を製造する場合のよ
うに、大型かつ高精度のパターンが要求される場合に
は、図１（ｅ）の被転写層１１上に転写されるパターン
５ｐの位置精度および寸法精度が、例えばその位置の設
計値からの誤差が数μｍ以下となるように厳密に調整さ
れなければならない。ところが、通常の円圧型オフセッ
ト印刷機においては、重ね刷りの際に各色パターンの相
対的な印刷寸法のズレは、一般に±１００μｍ程度が許
容されている。従って通常のオフセット印刷方法を用い
ては、大型薄膜トランジスタ回路基板のインキパターン
５ｐを形成することができない。
のオフセット印刷工程において、特にハイビジョン用液
晶表示装置の薄膜トランジスタ回路を製造する場合のよ
うに、大型かつ高精度のパターンが要求される場合に
は、図１（ｅ）の被転写層１１上に転写されるパターン
５ｐの位置精度および寸法精度が、例えばその位置の設
計値からの誤差が数μｍ以下となるように厳密に調整さ
れなければならない。ところが、通常の円圧型オフセッ
ト印刷機においては、重ね刷りの際に各色パターンの相
対的な印刷寸法のズレは、一般に±１００μｍ程度が許
容されている。従って通常のオフセット印刷方法を用い
ては、大型薄膜トランジスタ回路基板のインキパターン
５ｐを形成することができない。
【００１１】ここでパターンの位置精度（または誤差）
とは、実際に転写されたインキパターン５ｐの被転写層
１１上の位置と、設計上予定されたパターン位置との合
致（または隔たり）の程度を表す。またパターンの寸法
精度（または誤差）とは、印刷版パターンと、転写され
たインキパターンとのそれぞれ対応する２点間の長さの
合致（または隔たり）の程度を表す。
とは、実際に転写されたインキパターン５ｐの被転写層
１１上の位置と、設計上予定されたパターン位置との合
致（または隔たり）の程度を表す。またパターンの寸法
精度（または誤差）とは、印刷版パターンと、転写され
たインキパターンとのそれぞれ対応する２点間の長さの
合致（または隔たり）の程度を表す。
【００１２】研究の結果、従来の円圧型オフセット印刷
機を用いた場合の寸法精度の不良は、特に転写体６の圧
転方向に所望の寸法精度が得られず、実際に転写された
パターンの寸法がその方向に印刷版のパターン寸法から
大きく伸縮してずれることに原因があることがわかっ
た。またその伸縮率は、転移速度および転写速度が一定
であれば、圧転方向においてパターンの寸法に係わらず
一定であることがわかった。従って本発明の目的は、薄
膜トランジスタ回路を形成するに際して、印刷版に形成
されたインキパターンがオフセット印刷を通じて、特に
転写体の圧転方向に関して、薄膜トランジスタ回路基板
の上に忠実な寸法で転写されるようにする、大型液晶パ
ネルの製造を可能にする薄膜トランジスタ回路の形成方
法を提供することにある。
機を用いた場合の寸法精度の不良は、特に転写体６の圧
転方向に所望の寸法精度が得られず、実際に転写された
パターンの寸法がその方向に印刷版のパターン寸法から
大きく伸縮してずれることに原因があることがわかっ
た。またその伸縮率は、転移速度および転写速度が一定
であれば、圧転方向においてパターンの寸法に係わらず
一定であることがわかった。従って本発明の目的は、薄
膜トランジスタ回路を形成するに際して、印刷版に形成
されたインキパターンがオフセット印刷を通じて、特に
転写体の圧転方向に関して、薄膜トランジスタ回路基板
の上に忠実な寸法で転写されるようにする、大型液晶パ
ネルの製造を可能にする薄膜トランジスタ回路の形成方
法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の円圧型
オフセット印刷機を用いて上記基板上の被エッチング層
からなる被転写層上にレジストパターンを形成するに際
して、印刷版と転写体との相対的平行移動速度である転
移速度と、転写体と薄膜トランジスタ回路基板との相対
的平行移動速度である転写速度とを、印刷版上のパター
ンと被転写層上のレジストパターンとの寸法誤差が±５
μｍ以下となるように、それぞれ異なる速度でかつ一定
に調整する薄膜トランジスタ回路の形成方法を提供す
る。本発明はまた、上記の円圧型オフセット印刷機を用
いて基板の被エッチング層上のフォトレジスト層または
さらにその上の粘着層からなる被転写層上にマスクパタ
ーンを形成するに際して、その転移速度と転写速度と
を、印刷版上のパターンと被転写層上のマスクパターン
との寸法誤差が±５μｍ以下となるように、それぞれ異
なる速度でかつ一定に調整する薄膜トランジスタ回路の
形成方法を提供する。以下、印刷版と転写体との相対的
平行移動速度である転移速度を「転移速度Ｐ」、また転
写体と基板との相対的平行移動速度である転写速度を
「転写速度Ｑ」と呼ぶ。
オフセット印刷機を用いて上記基板上の被エッチング層
からなる被転写層上にレジストパターンを形成するに際
して、印刷版と転写体との相対的平行移動速度である転
移速度と、転写体と薄膜トランジスタ回路基板との相対
的平行移動速度である転写速度とを、印刷版上のパター
ンと被転写層上のレジストパターンとの寸法誤差が±５
μｍ以下となるように、それぞれ異なる速度でかつ一定
に調整する薄膜トランジスタ回路の形成方法を提供す
る。本発明はまた、上記の円圧型オフセット印刷機を用
いて基板の被エッチング層上のフォトレジスト層または
さらにその上の粘着層からなる被転写層上にマスクパタ
ーンを形成するに際して、その転移速度と転写速度と
を、印刷版上のパターンと被転写層上のマスクパターン
との寸法誤差が±５μｍ以下となるように、それぞれ異
なる速度でかつ一定に調整する薄膜トランジスタ回路の
形成方法を提供する。以下、印刷版と転写体との相対的
平行移動速度である転移速度を「転移速度Ｐ」、また転
写体と基板との相対的平行移動速度である転写速度を
「転写速度Ｑ」と呼ぶ。
【００１４】上記のいずれかの方法において、転移速度
Ｐと転写速度Ｑとは、転写体の圧転方向における印刷版
上のパターンの寸法と被転写層上に転写された対応する
パターンの寸法との寸法誤差が±５μｍ以下となるよう
に予備実験によって決定することが好ましい。このと
き、転移速度Ｐに対する転写速度Ｑの比率は、１対５な
いし５対１の範囲内で調整することができる。
Ｐと転写速度Ｑとは、転写体の圧転方向における印刷版
上のパターンの寸法と被転写層上に転写された対応する
パターンの寸法との寸法誤差が±５μｍ以下となるよう
に予備実験によって決定することが好ましい。このと
き、転移速度Ｐに対する転写速度Ｑの比率は、１対５な
いし５対１の範囲内で調整することができる。
【００１５】
【作用】レジストパターンを形成する場合においてもマ
スクパターンを形成する場合においても、転移速度Ｐと
転写速度Ｑとを相対的に変化させると、転写体の相対的
圧転方向における印刷版のパターン寸法と基板の被転写
層上に転写される転写パターンのパターン寸法との誤差
率が変化する。また、転移中の転移速度と転写中の転写
速度とを一定値に保持すると、圧転方向における上記誤
差率は印刷場所やパターン寸法に依存せず一定となる。
スクパターンを形成する場合においても、転移速度Ｐと
転写速度Ｑとを相対的に変化させると、転写体の相対的
圧転方向における印刷版のパターン寸法と基板の被転写
層上に転写される転写パターンのパターン寸法との誤差
率が変化する。また、転移中の転移速度と転写中の転写
速度とを一定値に保持すると、圧転方向における上記誤
差率は印刷場所やパターン寸法に依存せず一定となる。
【００１６】以下、本発明を図面を用いて詳しく説明す
る。以下の説明において、図面を用いて説明した従来例
の構成要素と共通しているものは同一番号を付してその
説明を省略または簡略化する。図１（ａ）ないし図１
（ｅ）は、本発明の好ましい一実施例のそれぞれ一過程
を順次に示している。この実施例は、円圧型オフセット
印刷機を用い、レジストインキ５によるレジストパター
ン５ｐを薄膜トランジスタ回路基板１０の被エッチング
層からなる被転写層１１上に形成する直接法の一例であ
る。ここで、円圧型オフセット印刷機とは、基本的に、
印刷版上のインキパターンを回転軸Ｘを有する円筒状転
写体（ブランケット）６の周面６ｓに圧転して移転し、
次いでこの周面上のインキパターンを被転写層１１に圧
転して転写する装置である。
る。以下の説明において、図面を用いて説明した従来例
の構成要素と共通しているものは同一番号を付してその
説明を省略または簡略化する。図１（ａ）ないし図１
（ｅ）は、本発明の好ましい一実施例のそれぞれ一過程
を順次に示している。この実施例は、円圧型オフセット
印刷機を用い、レジストインキ５によるレジストパター
ン５ｐを薄膜トランジスタ回路基板１０の被エッチング
層からなる被転写層１１上に形成する直接法の一例であ
る。ここで、円圧型オフセット印刷機とは、基本的に、
印刷版上のインキパターンを回転軸Ｘを有する円筒状転
写体（ブランケット）６の周面６ｓに圧転して移転し、
次いでこの周面上のインキパターンを被転写層１１に圧
転して転写する装置である。
【００１７】図１（ａ）において、まず凹版からなる印
刷版１の凹部２に、ドクターナイフ４を用いてレジスト
インキ５を付与し、印刷版１上にレジストインキ５によ
るパターンを形成する。次に、順次図１（ｂ）および図
１（ｃ）に示すように、転写体６の周面６ｓをこの印刷
版１上に一定圧力、一定速度で一定方向に圧転させ、レ
ジストインキ５を印刷版１から転写体６に転移する。次
に、図１（ｄ）および図１（ｅ）に示すように、インキ
パターンが転移された転写体６の周面６ｓを、基板１０
の被エッチング層からなる被転写層１１上に一定圧力、
一定速度で一定方向に圧転させ、転写体６上のレジスト
インキ５を転写して被転写層１１上にレジストパターン
５ｐを形成する。このとき、転移速度Ｐと転写速度Ｑと
は、以下の方法で、寸法誤差が±５μｍ以下となるよう
に、異なる速度に調整される。
刷版１の凹部２に、ドクターナイフ４を用いてレジスト
インキ５を付与し、印刷版１上にレジストインキ５によ
るパターンを形成する。次に、順次図１（ｂ）および図
１（ｃ）に示すように、転写体６の周面６ｓをこの印刷
版１上に一定圧力、一定速度で一定方向に圧転させ、レ
ジストインキ５を印刷版１から転写体６に転移する。次
に、図１（ｄ）および図１（ｅ）に示すように、インキ
パターンが転移された転写体６の周面６ｓを、基板１０
の被エッチング層からなる被転写層１１上に一定圧力、
一定速度で一定方向に圧転させ、転写体６上のレジスト
インキ５を転写して被転写層１１上にレジストパターン
５ｐを形成する。このとき、転移速度Ｐと転写速度Ｑと
は、以下の方法で、寸法誤差が±５μｍ以下となるよう
に、異なる速度に調整される。
【００１８】この転移速度Ｐと転写速度Ｑとは、他の全
ての運転条件が設定された後で、図２に示すように、転
写体６の圧転方向（矢印ＰおよびＱで示す）における印
刷版１上のパターンの任意の２点間の寸法ｍと被転写層
１１上に転写されたパターンの対応する２点間の寸法ｎ
との寸法誤差δ（δ＝ｍ−ｎ）が±５μｍ以下となるよ
うに予備実験によって相対的に決定される。このとき、
転移速度Ｐに対する転写速度Ｑの比率は、１対１以外
で、１対５ないし５対１の範囲内で調整することができ
る。
ての運転条件が設定された後で、図２に示すように、転
写体６の圧転方向（矢印ＰおよびＱで示す）における印
刷版１上のパターンの任意の２点間の寸法ｍと被転写層
１１上に転写されたパターンの対応する２点間の寸法ｎ
との寸法誤差δ（δ＝ｍ−ｎ）が±５μｍ以下となるよ
うに予備実験によって相対的に決定される。このとき、
転移速度Ｐに対する転写速度Ｑの比率は、１対１以外
で、１対５ないし５対１の範囲内で調整することができ
る。
【００１９】これにより、図１（ｅ）に示すように、基
板１０の被転写層１１上に印刷版１のパターンに対応す
るレジストパターン５ｐが形成される。このとき、上記
パターン寸法の誤差量δは±５μｍ以下となる。すなわ
ち、被転写層１１の設計上要求される正確な位置に、レ
ジストパターンが形成されることになる。次に、従来一
般に行われている任意の方法を用い、エッチングし、次
いでレジストインキ５を剥離すれば、図１（ｆ）に示す
ように、基板１０上の求める正確な位置に、被エッチン
グ層のパターン１１ｐが形成される。
板１０の被転写層１１上に印刷版１のパターンに対応す
るレジストパターン５ｐが形成される。このとき、上記
パターン寸法の誤差量δは±５μｍ以下となる。すなわ
ち、被転写層１１の設計上要求される正確な位置に、レ
ジストパターンが形成されることになる。次に、従来一
般に行われている任意の方法を用い、エッチングし、次
いでレジストインキ５を剥離すれば、図１（ｆ）に示す
ように、基板１０上の求める正確な位置に、被エッチン
グ層のパターン１１ｐが形成される。
【００２０】上記の例は被転写層１１上にレジストパタ
ーン５ｐを形成する場合であるが、同様にして図３
（ａ）〜（ｄ）に順次に示すように、レジストインキ５
のかわりに遮光性インキ７によるパターンを印刷版１に
形成し、これを転写体６に一定圧力、一定速度で一定方
向に転移し、次いでこのパターンを、基板１０の被エッ
チング層１４上に形成されたフォトレジスト層、または
さらにその上の粘着層からなる被転写層１５の上に一定
圧力、一定速度で一定方向に転写し、この被転写層１５
上にマスクパターン７ｐを形成するとき、転移速度Ｐと
転写速度Ｑとを、それぞれ異なる速度に調整すれば、被
転写層１５上の設計上要求される位置に、最小の誤差量
δ、すなわち±５μｍ以下でマスクパターン７ｐを形成
することができる。フォトレジスト層は、ネガ型、ポジ
型のいずれであってもよい。
ーン５ｐを形成する場合であるが、同様にして図３
（ａ）〜（ｄ）に順次に示すように、レジストインキ５
のかわりに遮光性インキ７によるパターンを印刷版１に
形成し、これを転写体６に一定圧力、一定速度で一定方
向に転移し、次いでこのパターンを、基板１０の被エッ
チング層１４上に形成されたフォトレジスト層、または
さらにその上の粘着層からなる被転写層１５の上に一定
圧力、一定速度で一定方向に転写し、この被転写層１５
上にマスクパターン７ｐを形成するとき、転移速度Ｐと
転写速度Ｑとを、それぞれ異なる速度に調整すれば、被
転写層１５上の設計上要求される位置に、最小の誤差量
δ、すなわち±５μｍ以下でマスクパターン７ｐを形成
することができる。フォトレジスト層は、ネガ型、ポジ
型のいずれであってもよい。
【００２１】このフォトレジスト層（および粘着層）は
基板の被エッチング層１４の上に設けられているので、
マスクパターン７ｐを形成した後にこの面を露光し、現
像すれば、図２（ｅ）に示すように、被エッチング層１
４上にレジストパターン１５ｐが形成される。マスクパ
ターン７ｐを除去してエッチングし、次いでレジストパ
ターン１５ｐを剥離すれば、基板１０上の正確な位置に
被エッチング層のパターン１４ｐが形成される。
基板の被エッチング層１４の上に設けられているので、
マスクパターン７ｐを形成した後にこの面を露光し、現
像すれば、図２（ｅ）に示すように、被エッチング層１
４上にレジストパターン１５ｐが形成される。マスクパ
ターン７ｐを除去してエッチングし、次いでレジストパ
ターン１５ｐを剥離すれば、基板１０上の正確な位置に
被エッチング層のパターン１４ｐが形成される。
【００２２】以下の説明においては特に断わりない限
り、レジストインキ５と遮光性インキ７とを区別せず、
単にインキ５として図１を参照して説明する。本発明の
方法に用いることができる円圧型オフセット印刷機は、
印刷版１のインキパターンを円筒状転写体（ブランケッ
ト）６の周面６ｓに転移し、この周面６ｓ上のインキパ
ターンを被転写面１１に転写し得る印刷装置であり、か
つ転移速度Ｐと転写速度Ｑとをそれぞれ独立にかつ一定
に調整できるものであればいずれの形式のものであって
もよい。特に、図２に示すように、転写体６が印刷版上
で１回転し、次に被転写層１１上で１回転して印刷を完
了する二回転印刷機を用いることが好ましい。転移速度
Ｐと転写速度Ｑとを独立に設定できる円圧型オフセット
印刷機としては、例えば紅羊社製エクターＬＣＤ印刷機
などが市販されているが、それ以外の市販の印刷機で
も、転写体６移動用のモータをサーボモータに変更する
ことなどによって使用可能となる。
り、レジストインキ５と遮光性インキ７とを区別せず、
単にインキ５として図１を参照して説明する。本発明の
方法に用いることができる円圧型オフセット印刷機は、
印刷版１のインキパターンを円筒状転写体（ブランケッ
ト）６の周面６ｓに転移し、この周面６ｓ上のインキパ
ターンを被転写面１１に転写し得る印刷装置であり、か
つ転移速度Ｐと転写速度Ｑとをそれぞれ独立にかつ一定
に調整できるものであればいずれの形式のものであって
もよい。特に、図２に示すように、転写体６が印刷版上
で１回転し、次に被転写層１１上で１回転して印刷を完
了する二回転印刷機を用いることが好ましい。転移速度
Ｐと転写速度Ｑとを独立に設定できる円圧型オフセット
印刷機としては、例えば紅羊社製エクターＬＣＤ印刷機
などが市販されているが、それ以外の市販の印刷機で
も、転写体６移動用のモータをサーボモータに変更する
ことなどによって使用可能となる。
【００２３】版としては、凹版、平版、または凸版のい
ずれも使用できる。その例としては、オフセット印刷に
通常用いられているオフセット印刷用の版、例えばＰＳ
版、水なし版、または本発明者らが特願平０４−４４０
６２号に記載したトライメタル版などを挙げることがで
きる。
ずれも使用できる。その例としては、オフセット印刷に
通常用いられているオフセット印刷用の版、例えばＰＳ
版、水なし版、または本発明者らが特願平０４−４４０
６２号に記載したトライメタル版などを挙げることがで
きる。
【００２４】インキ５がレジストインキであれ遮光性イ
ンキであれ、これを凹版である印刷版１の凹部２に付与
するインキング方法としては、図１（ａ）に示すように
ドクターナイフ４による方法がある。また通常用いられ
ているオフセット印刷用の版にインキングするには、イ
ンキングローラを用いる方法などがある。インキ５がレ
ジストインキである場合、用いるインキは、そのアルカ
リ含有量が被転写層１１の特性（半導体特性、絶縁特性
など）を損なわないように数ｐｐｍ以下であることが望
ましい。遮光性インキの場合は被転写層１１がフォトレ
ジスト層または粘着層であるから、アルカリ含有量に対
する配慮は不要であり、紫外線を遮断し、かつフォトレ
ジスト層または粘着層を溶解したり膨潤させたりしない
ものであれば、いずれのものも使用可能である。このよ
うな遮光性インキの例としてはアクワレス５（墨、東洋
インキ製造社製）などを挙げることができる。
ンキであれ、これを凹版である印刷版１の凹部２に付与
するインキング方法としては、図１（ａ）に示すように
ドクターナイフ４による方法がある。また通常用いられ
ているオフセット印刷用の版にインキングするには、イ
ンキングローラを用いる方法などがある。インキ５がレ
ジストインキである場合、用いるインキは、そのアルカ
リ含有量が被転写層１１の特性（半導体特性、絶縁特性
など）を損なわないように数ｐｐｍ以下であることが望
ましい。遮光性インキの場合は被転写層１１がフォトレ
ジスト層または粘着層であるから、アルカリ含有量に対
する配慮は不要であり、紫外線を遮断し、かつフォトレ
ジスト層または粘着層を溶解したり膨潤させたりしない
ものであれば、いずれのものも使用可能である。このよ
うな遮光性インキの例としてはアクワレス５（墨、東洋
インキ製造社製）などを挙げることができる。
【００２５】インキ５を付与した印刷版１上に転写体６
を圧転し、インキパターンをその周面６ｓに転移する。
このインキパターンの転移に際して、転移速度Ｐの絶対
値は特に限定されるものではなく、版の特性、インキ５
の粘度、環境温度、圧転圧力、求められる生産性などの
諸要因を考慮し、さらに転写速度Ｑとの相対的な調整が
可能となるように決定すればよい。一般には例えば５０
ｍｍ／ｓないし５００ｍｍ／ｓの範囲、好ましくは１０
０ｍｍ／ｓないし１５０ｍｍ／ｓの範囲内で選択され
る。選択された速度は転移中や転写中において一定に保
たれなければならない。
を圧転し、インキパターンをその周面６ｓに転移する。
このインキパターンの転移に際して、転移速度Ｐの絶対
値は特に限定されるものではなく、版の特性、インキ５
の粘度、環境温度、圧転圧力、求められる生産性などの
諸要因を考慮し、さらに転写速度Ｑとの相対的な調整が
可能となるように決定すればよい。一般には例えば５０
ｍｍ／ｓないし５００ｍｍ／ｓの範囲、好ましくは１０
０ｍｍ／ｓないし１５０ｍｍ／ｓの範囲内で選択され
る。選択された速度は転移中や転写中において一定に保
たれなければならない。
【００２６】転写体の周面６ｓ上のインキパターンを、
次に被転写層１１上に圧転して転写する。この際の転写
速度Ｑは、他の印刷条件が一定の場合に、転移速度Ｐに
関して相対的に決定される。この決定に際しては、図２
に示すように、被転写層１１上に転写されるパターンの
転写方向における任意の２点間のパターン寸法ｎが、印
刷版１に形成されたパターンの対応する２点間のパター
ン寸法ｍと一致するかまたは誤差量δ（δ＝ｍ−ｎ）が
±５μｍ以下となるように、例えばダミーの基板を用い
て予備実験によって決定する。
次に被転写層１１上に圧転して転写する。この際の転写
速度Ｑは、他の印刷条件が一定の場合に、転移速度Ｐに
関して相対的に決定される。この決定に際しては、図２
に示すように、被転写層１１上に転写されるパターンの
転写方向における任意の２点間のパターン寸法ｎが、印
刷版１に形成されたパターンの対応する２点間のパター
ン寸法ｍと一致するかまたは誤差量δ（δ＝ｍ−ｎ）が
±５μｍ以下となるように、例えばダミーの基板を用い
て予備実験によって決定する。
【００２７】印刷版パターンと転写パターンとの寸法誤
差は転写体６の圧転方向（回転軸Ｘに対し直角の方向）
に発生し、これと直角の方向（回転軸Ｘの方向）には発
生しない。また、その圧転方向の寸法誤差δは、転移速
度Ｐと転写速度Ｑとを相対的に変化させることによって
変化する。従ってこれら双方の速度を相対的に調整する
ことによって所望の寸法精度が得られ、その結果として
位置精度の優れた転写パターンが被転写層１１上に形成
される。
差は転写体６の圧転方向（回転軸Ｘに対し直角の方向）
に発生し、これと直角の方向（回転軸Ｘの方向）には発
生しない。また、その圧転方向の寸法誤差δは、転移速
度Ｐと転写速度Ｑとを相対的に変化させることによって
変化する。従ってこれら双方の速度を相対的に調整する
ことによって所望の寸法精度が得られ、その結果として
位置精度の優れた転写パターンが被転写層１１上に形成
される。
【００２８】転移速度Ｐと転写速度Ｑとを相対的に変化
させたとき、寸法誤差δがどのように変化するかを、以
下の試験例で示す。 （試験例）使用した円圧型オフセット印刷機：大日本ス
クリーン社製ＫＦ−１２５Ｅ型のキャリッジ移動用モー
タをサーボモータに交換し、速度を５０ｍｍ／ｓ〜５０
０ｍｍ／ｓで任意に可変、固定できるようにした。 印刷版：有効寸法２３０ｍｍ（幅）×４００ｍｍ（長
さ）の版を用い、この長さ方向４００ｍｍにわたって遮
光性インキ（アクワレス５（墨）、東洋インキ製造社
製）で直線パターンを形成した。 被転写層：３５０ｍｍ（幅）×４５０ｍｍ（長さ）のガ
ラス板をダミー基板とし、この上にフォトレジスト（Ｏ
ＦＰＲ８００、東京応化製、ポジ型）を約２．５μｍの
厚さにスピンコートしたものを用いた。
させたとき、寸法誤差δがどのように変化するかを、以
下の試験例で示す。 （試験例）使用した円圧型オフセット印刷機：大日本ス
クリーン社製ＫＦ−１２５Ｅ型のキャリッジ移動用モー
タをサーボモータに交換し、速度を５０ｍｍ／ｓ〜５０
０ｍｍ／ｓで任意に可変、固定できるようにした。 印刷版：有効寸法２３０ｍｍ（幅）×４００ｍｍ（長
さ）の版を用い、この長さ方向４００ｍｍにわたって遮
光性インキ（アクワレス５（墨）、東洋インキ製造社
製）で直線パターンを形成した。 被転写層：３５０ｍｍ（幅）×４５０ｍｍ（長さ）のガ
ラス板をダミー基板とし、この上にフォトレジスト（Ｏ
ＦＰＲ８００、東京応化製、ポジ型）を約２．５μｍの
厚さにスピンコートしたものを用いた。
【００２９】印刷版と被転写層とを印刷機の定盤上にセ
ットし、温度調節器を用いてそれぞれの温度を一定に調
節し、転移速度Ｐと転写速度Ｑとを相対的に変化させて
印刷版上に形成された直線パターンの被転写層上におけ
る転写像の長さを測定し、その誤差δを求めた。まず、
従来の印刷法に従い、転移速度Ｐ＝転写速度Ｑ＝１１６
ｍｍ／ｓにて印刷を行ったところ、誤差δは＋（伸び）
１５０μｍであった。これは、アクティブマトリックス
型液晶パネルに求められるδ≦５μｍ／ｍと大差があ
る。次に、転写速度Ｑを１６０ｍｍ／ｓに固定し、転移
速度Ｐを５０ｍｍ／ｓ〜５００ｍｍ／ｓの範囲内で変化
させて印刷を行った。その結果を図４に示す。
ットし、温度調節器を用いてそれぞれの温度を一定に調
節し、転移速度Ｐと転写速度Ｑとを相対的に変化させて
印刷版上に形成された直線パターンの被転写層上におけ
る転写像の長さを測定し、その誤差δを求めた。まず、
従来の印刷法に従い、転移速度Ｐ＝転写速度Ｑ＝１１６
ｍｍ／ｓにて印刷を行ったところ、誤差δは＋（伸び）
１５０μｍであった。これは、アクティブマトリックス
型液晶パネルに求められるδ≦５μｍ／ｍと大差があ
る。次に、転写速度Ｑを１６０ｍｍ／ｓに固定し、転移
速度Ｐを５０ｍｍ／ｓ〜５００ｍｍ／ｓの範囲内で変化
させて印刷を行った。その結果を図４に示す。
【００３０】図４の曲線は、転移速度Ｐが３１２ｍｍ／
ｓ未満では被転写層上で＋（伸び）の誤差が発生し、３
１２ｍｍ／ｓで誤差δがほぼゼロとなり、これを越える
速度では−（縮み）の誤差が発生していることを示して
いる。すなわち、この試験例では、転移速度Ｐ＝３１２
ｍｍ／ｓ、転写速度Ｑ＝１６０ｍｍ／ｓのとき、印刷版
パターンと転写パターンとの寸法誤差が最小になったこ
とがわかる。
ｓ未満では被転写層上で＋（伸び）の誤差が発生し、３
１２ｍｍ／ｓで誤差δがほぼゼロとなり、これを越える
速度では−（縮み）の誤差が発生していることを示して
いる。すなわち、この試験例では、転移速度Ｐ＝３１２
ｍｍ／ｓ、転写速度Ｑ＝１６０ｍｍ／ｓのとき、印刷版
パターンと転写パターンとの寸法誤差が最小になったこ
とがわかる。
【００３１】最適な転移速度Ｐと転写速度Ｑとは、印刷
機、印刷方法、印刷条件、印刷環境などさまざまな要因
によって変化する。従ってこれらの要因を全て一定に設
定した後に、最後に予備実験によって転移速度Ｐと転写
速度Ｑとを決定するべきである。この転移速度Ｐと転写
速度Ｑとの相対的な比率は、１対５ないし５対１の範囲
内で選定することができる。もしこの比率が上記の範囲
を越えるようであれば、インキ粘度を調節して対応した
としても転移時のインキの分裂（印刷版から転写体への
移行）と転写時のインキの分裂（転写体から被転写層へ
の移行）のバランスが適正状態からはずれ、インキパタ
ーンにピンホールが発生したり、インキ画線の周辺部の
形状が劣化してギザツキが多くなったりする。しかし実
際には上記比率を越えることなく転移速度Ｐと転写速度
Ｑとを決定することができる。大型アクティブマトリッ
クス型液晶ディスプレイパネル用の高精度大型薄膜トラ
ンジスタ回路を製造する場合を含むほとんどの場合に、
転移速度Ｐと転写速度Ｑとの相対的な比率は、実質的に
１対３ないし３対１の範囲内で選定することができる。
機、印刷方法、印刷条件、印刷環境などさまざまな要因
によって変化する。従ってこれらの要因を全て一定に設
定した後に、最後に予備実験によって転移速度Ｐと転写
速度Ｑとを決定するべきである。この転移速度Ｐと転写
速度Ｑとの相対的な比率は、１対５ないし５対１の範囲
内で選定することができる。もしこの比率が上記の範囲
を越えるようであれば、インキ粘度を調節して対応した
としても転移時のインキの分裂（印刷版から転写体への
移行）と転写時のインキの分裂（転写体から被転写層へ
の移行）のバランスが適正状態からはずれ、インキパタ
ーンにピンホールが発生したり、インキ画線の周辺部の
形状が劣化してギザツキが多くなったりする。しかし実
際には上記比率を越えることなく転移速度Ｐと転写速度
Ｑとを決定することができる。大型アクティブマトリッ
クス型液晶ディスプレイパネル用の高精度大型薄膜トラ
ンジスタ回路を製造する場合を含むほとんどの場合に、
転移速度Ｐと転写速度Ｑとの相対的な比率は、実質的に
１対３ないし３対１の範囲内で選定することができる。
【００３２】
【実施例】以下に実施例を示す。この実施例は、大型ア
クティブマトリックス液晶ディスプレイ用の薄膜トラン
ジスタ回路を基板上に形成する一工程に本発明の方法を
適用した例である。この工程の概要を図５に示す。すな
わち、基板上にポリシリコンの薄膜を形成し、これをパ
ターニングする第一工程、この上にＳｉＯ2 ，ポリシリ
コンによる薄膜を形成し、ゲートパターニングする第二
工程、この上にＳｉＯ2 絶縁膜を形成し、コンタクトホ
ールパターニングを行う第三工程、および電極薄膜（Ａ
ｌ）を形成し、電極パターニングを行う第四工程から概
略構成されている。この各工程に、本発明の方法を適用
した。
クティブマトリックス液晶ディスプレイ用の薄膜トラン
ジスタ回路を基板上に形成する一工程に本発明の方法を
適用した例である。この工程の概要を図５に示す。すな
わち、基板上にポリシリコンの薄膜を形成し、これをパ
ターニングする第一工程、この上にＳｉＯ2 ，ポリシリ
コンによる薄膜を形成し、ゲートパターニングする第二
工程、この上にＳｉＯ2 絶縁膜を形成し、コンタクトホ
ールパターニングを行う第三工程、および電極薄膜（Ａ
ｌ）を形成し、電極パターニングを行う第四工程から概
略構成されている。この各工程に、本発明の方法を適用
した。
【００３３】この基板は、画素数９６０×３（＝２８８
０）×５１７ドット、画素サイズ１４０×４４０μｍ、
画素面寸法２３０×４００ｍｍ、ガラス基板サイズ３５
０×４５０ｍｍのものである。
０）×５１７ドット、画素サイズ１４０×４４０μｍ、
画素面寸法２３０×４００ｍｍ、ガラス基板サイズ３５
０×４５０ｍｍのものである。
【００３４】用いた円圧型印刷機は、転写体（ブランケ
ット）が移動する二回転印刷機である。これは、大日本
スクリーン社製ＫＦ−１２５Ｅ型印刷機のキャリッジ移
動用モータをサーボモータに交換し、速度を５０ｍｍ／
ｓ〜５００ｍｍ／ｓで任意に可変、固定できるようにし
たものである。
ット）が移動する二回転印刷機である。これは、大日本
スクリーン社製ＫＦ−１２５Ｅ型印刷機のキャリッジ移
動用モータをサーボモータに交換し、速度を５０ｍｍ／
ｓ〜５００ｍｍ／ｓで任意に可変、固定できるようにし
たものである。
【００３５】回路設計に当たっては、印刷位置の絶対精
度を±１５μｍ以内と設定した。実際の印刷において
は、寸法誤差ばかりでなく既に形成してあるパターンと
の重ね合わせ工程での誤差（アライメント誤差）が発生
する。このアライメント誤差は使用した印刷機に関して
最大±５μｍであった。従って寸法誤差は±１０μｍ以
内に抑える必要がある。寸法誤差の要因としては転写体
の速度の他に、例えば製版時と印刷時とで温度が異なる
場合の印刷版の寸法変化、ガラス基板の成膜時の加熱な
どによる寸法変化などがあり、このための余裕として±
５μｍを見込むと、印刷時の寸法精度の目標は±５μｍ
以内と設定された。
度を±１５μｍ以内と設定した。実際の印刷において
は、寸法誤差ばかりでなく既に形成してあるパターンと
の重ね合わせ工程での誤差（アライメント誤差）が発生
する。このアライメント誤差は使用した印刷機に関して
最大±５μｍであった。従って寸法誤差は±１０μｍ以
内に抑える必要がある。寸法誤差の要因としては転写体
の速度の他に、例えば製版時と印刷時とで温度が異なる
場合の印刷版の寸法変化、ガラス基板の成膜時の加熱な
どによる寸法変化などがあり、このための余裕として±
５μｍを見込むと、印刷時の寸法精度の目標は±５μｍ
以内と設定された。
【００３６】（第一工程） ポリシリコンパターニン
グ：図６（ａ）〜（ｃ）参照 版：水なしオフセット印刷用版（ＴＡＰ版、東レ社製）
に薄膜トランジスタ回路の第一層であるポリシリコン層
のパターンを露光し現像した。この版のパターンの寸法
ズレは設計値の±３μｍ以内であった。この版を上記印
刷機の版定盤上にセットし、温度調整機を用いて製版時
の温度と合致させた。
グ：図６（ａ）〜（ｃ）参照 版：水なしオフセット印刷用版（ＴＡＰ版、東レ社製）
に薄膜トランジスタ回路の第一層であるポリシリコン層
のパターンを露光し現像した。この版のパターンの寸法
ズレは設計値の±３μｍ以内であった。この版を上記印
刷機の版定盤上にセットし、温度調整機を用いて製版時
の温度と合致させた。
【００３７】基板：一方、図６（ａ）に示すように、ガ
ラス基板２０にポリシリコン層２１を成膜し、この上に
フォトレジスト（ＯＦＰＲ８００、東京応化製ポジ型）
層２２を約２．５μｍの厚さにスピンコートした。この
フォトレジスト層２２が、この工程における被転写層で
ある。
ラス基板２０にポリシリコン層２１を成膜し、この上に
フォトレジスト（ＯＦＰＲ８００、東京応化製ポジ型）
層２２を約２．５μｍの厚さにスピンコートした。この
フォトレジスト層２２が、この工程における被転写層で
ある。
【００３８】印刷：これとは別に、印刷速度を決定する
ために、同形のダミーガラス基板に同様のフォトレジス
ト層を形成し、前記の（試験例）で示した方法によっ
て、遮光性インキ（アクワレス５（墨）、東洋インキ製
造社製）を用い、寸法誤差が最小となる転移速度Ｐと転
写速度Ｑとを求めた。転移速度Ｐ＝３１２ｍｍ／ｓ、転
写速度Ｑ＝１６０ｍｍ／ｓのとき、印刷版パターンと転
写パターンとの寸法誤差δが最小になった。そこでこの
実験結果に従い印刷機の運転条件を設定して、フォトレ
ジスト層２２に、図６（ｂ）に示すように、遮光性イン
キのマスクパターン２３を印刷した。このマスクパター
ン２３の寸法精度は、転写方向にも、これと直角な方向
にも±５μｍ以内であった。
ために、同形のダミーガラス基板に同様のフォトレジス
ト層を形成し、前記の（試験例）で示した方法によっ
て、遮光性インキ（アクワレス５（墨）、東洋インキ製
造社製）を用い、寸法誤差が最小となる転移速度Ｐと転
写速度Ｑとを求めた。転移速度Ｐ＝３１２ｍｍ／ｓ、転
写速度Ｑ＝１６０ｍｍ／ｓのとき、印刷版パターンと転
写パターンとの寸法誤差δが最小になった。そこでこの
実験結果に従い印刷機の運転条件を設定して、フォトレ
ジスト層２２に、図６（ｂ）に示すように、遮光性イン
キのマスクパターン２３を印刷した。このマスクパター
ン２３の寸法精度は、転写方向にも、これと直角な方向
にも±５μｍ以内であった。
【００３９】この基板を露光し現像し、遮光性インキを
除去し、フッ酸系エッチング液に浸漬してポリシリコン
層２１をエッチングし、基板２０上に、図６（ｃ）に示
すように、ポリシリコンパターン２１ｐを形成した。
除去し、フッ酸系エッチング液に浸漬してポリシリコン
層２１をエッチングし、基板２０上に、図６（ｃ）に示
すように、ポリシリコンパターン２１ｐを形成した。
【００４０】（第二工程） ゲートパターニング：図７
（ａ）〜（ｂ）参照 図７（ａ）のように、上記の基板上にＳｉＯ2 絶縁層２
４、次いでポリシリコン層２５を成膜し、第一工程の場
合と同様にして、その上にフォトレジスト層２６を施
し、これを被転写層として、第一工程と同一条件で遮光
性インキのマスクパターン２７を印刷した。このマスク
パターン２７の寸法精度は、転写方向にも、これと直角
な方向にも±５μｍ以内であった。第一工程の場合と同
様にして、露光、現像、エッチング工程を経て、図７
（ｂ）に示すように、ゲート２５ｐを形成した。
（ａ）〜（ｂ）参照 図７（ａ）のように、上記の基板上にＳｉＯ2 絶縁層２
４、次いでポリシリコン層２５を成膜し、第一工程の場
合と同様にして、その上にフォトレジスト層２６を施
し、これを被転写層として、第一工程と同一条件で遮光
性インキのマスクパターン２７を印刷した。このマスク
パターン２７の寸法精度は、転写方向にも、これと直角
な方向にも±５μｍ以内であった。第一工程の場合と同
様にして、露光、現像、エッチング工程を経て、図７
（ｂ）に示すように、ゲート２５ｐを形成した。
【００４１】（第三工程） コンタクトホールパターニ
ング：図８（ａ）〜（ｂ）参照 図８（ａ）のように、上記の基板上にＳｉＯ2 絶縁層２
８、フォトレジスト層２９、および遮光性インキによる
マスクパターン３０を形成し、露光、現像、エッチング
工程を経て、図８（ｂ）に示すように、コンタクトホー
ル３１を形成した。
ング：図８（ａ）〜（ｂ）参照 図８（ａ）のように、上記の基板上にＳｉＯ2 絶縁層２
８、フォトレジスト層２９、および遮光性インキによる
マスクパターン３０を形成し、露光、現像、エッチング
工程を経て、図８（ｂ）に示すように、コンタクトホー
ル３１を形成した。
【００４２】（第四工程） 電極パターニング：図９
（ａ）〜（ｂ）参照 図９（ａ）のように、上記の基板上に電極薄膜（Ａｌ）
３２を形成し、この上に前記と同様に、フォトレジスト
層３３、およびマスクパターン３４を形成し、露光、現
像、エッチング工程を経て、図９（ｂ）に示す電極３２
ｐを形成し、薄膜トランジスタ回路を完成した。上記の
いずれの工程においても、転移速度Ｐおよび転写速度Ｑ
は第一工程で設定したままで固定したが、寸法精度はそ
れぞれ設計値の±５μｍの範囲内に収まり、これによ
り、大きさがＡ−３サイズに近い大型のアクティブマト
リックス型液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ回路基
板を精度よく製造することができた。
（ａ）〜（ｂ）参照 図９（ａ）のように、上記の基板上に電極薄膜（Ａｌ）
３２を形成し、この上に前記と同様に、フォトレジスト
層３３、およびマスクパターン３４を形成し、露光、現
像、エッチング工程を経て、図９（ｂ）に示す電極３２
ｐを形成し、薄膜トランジスタ回路を完成した。上記の
いずれの工程においても、転移速度Ｐおよび転写速度Ｑ
は第一工程で設定したままで固定したが、寸法精度はそ
れぞれ設計値の±５μｍの範囲内に収まり、これによ
り、大きさがＡ−３サイズに近い大型のアクティブマト
リックス型液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ回路基
板を精度よく製造することができた。
【００４３】
【発明の効果】本発明のオフセット印刷法による薄膜ト
ランジスタ回路の形成方法は、円圧型オフセット印刷機
を用いる被転写層上へのレジストパターンまたはマスク
パターンの印刷に際して転移速度Ｐおよび転写速度Ｑ
を、それぞれ異なる速度でかつ一定に調整するものであ
り、これによって印刷における寸法誤差および位置ズレ
を±５μｍ以下にすることができる。この転移速度Ｐお
よび転写速度Ｑは、転写体の圧転方向における印刷版上
のパターンの寸法ｍと被転写層上に転写された対応する
パターンの寸法ｎとの寸法誤差δが±５μｍ以下となる
ように予備実験によって決定することができ、一旦設定
された値は、他の条件を変更しない限り持続されるの
で、運転条件を変化せずに連続生産が可能となる。転移
速度Ｐに対する転写速度Ｑの比率は１対５ないし５対１
の範囲内で調整することができるので、転写パターンの
品位が劣化することはない。
ランジスタ回路の形成方法は、円圧型オフセット印刷機
を用いる被転写層上へのレジストパターンまたはマスク
パターンの印刷に際して転移速度Ｐおよび転写速度Ｑ
を、それぞれ異なる速度でかつ一定に調整するものであ
り、これによって印刷における寸法誤差および位置ズレ
を±５μｍ以下にすることができる。この転移速度Ｐお
よび転写速度Ｑは、転写体の圧転方向における印刷版上
のパターンの寸法ｍと被転写層上に転写された対応する
パターンの寸法ｎとの寸法誤差δが±５μｍ以下となる
ように予備実験によって決定することができ、一旦設定
された値は、他の条件を変更しない限り持続されるの
で、運転条件を変化せずに連続生産が可能となる。転移
速度Ｐに対する転写速度Ｑの比率は１対５ないし５対１
の範囲内で調整することができるので、転写パターンの
品位が劣化することはない。
【００４４】以上説明したように、本発明のオフセット
印刷法による薄膜トランジスタ回路の形成方法は、大型
アクティブマトリックス型液晶ディスプレイパネルの量
産化における最大の難関の一つと言われてきた高精度大
型薄膜トランジスタ回路の製造を、きわめて容易な手段
で可能とするものである。
印刷法による薄膜トランジスタ回路の形成方法は、大型
アクティブマトリックス型液晶ディスプレイパネルの量
産化における最大の難関の一つと言われてきた高精度大
型薄膜トランジスタ回路の製造を、きわめて容易な手段
で可能とするものである。
【図１】 （ａ）〜（ｆ）の順に、パターン形成の一実
施態様における各工程を示す断面図。
施態様における各工程を示す断面図。
【図２】 オフセット印刷の一実施態様を示す断面図。
【図３】 （ａ）〜（ｆ）の順に、パターン形成の他の
一実施態様における各工程を示す断面図。
一実施態様における各工程を示す断面図。
【図４】 転移速度Ｐと転写速度Ｑとの寸法誤差δに与
える影響を示すグラフ。
える影響を示すグラフ。
【図５】 薄膜トランジスタ回路形成工程を示す工程
図。
図。
【図６】 （ａ）〜（ｃ）の順に、薄膜パターニング工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図７】 （ａ）〜（ｂ）の順に、ゲートパターニング
工程を示す断面図。
工程を示す断面図。
【図８】 （ａ）〜（ｂ）の順に、コンタクトホールパ
ターニング工程を示す断面図。
ターニング工程を示す断面図。
【図９】 （ａ）〜（ｂ）の順に、電極パターニング工
程を示す断面図。
程を示す断面図。
【図１０】 アクティブマトリックス型液晶ディスプレ
イパネルの一例を示す斜視図。
イパネルの一例を示す斜視図。
【図１１】 薄膜トランジスタ回路の一例を示す回路
図。
図。
【図１２】 薄膜トランジスタ回路の一例を示す断面
図。
図。
１…印刷版、 ５…インキ、 ６…転写体、 １０…薄膜トランジスタ回路基板、 １１…被転写層、 Ｐ…転移速度、 Ｑ…転写速度。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６８ (56)参考文献 特開 平３−19888（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−280416（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−94115（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−241175（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 円圧型オフセット印刷機を用い、印刷版
上にレジストインキによるパターンを形成し、この印刷
版上のパターンを円筒状転写体の周面に転移し、次いで
この転写体上のパターンを薄膜トランジスタ回路基板の
被エッチング層からなる被転写層上に転写して、この被
転写層上にレジストパターンを形成する薄膜トランジス
タ回路の形成方法において、 印刷版と転写体との相対的平行移動速度である転移速度
と、転写体と薄膜トランジスタ回路基板との相対的平行
移動速度である転写速度とを、印刷版上のパターンと被
転写層上のレジストパターンとの寸法誤差が±５μｍ以
下となるように、それぞれ異なる速度でかつ一定に調整
することを特徴とするオフセット印刷法による薄膜トラ
ンジスタ回路の形成方法。 - 【請求項２】 円圧型オフセット印刷機を用い、印刷版
上に遮光性インキによるパターンを形成し、この印刷版
上のパターンを円筒状転写体の周面に転移し、次いでこ
の転写体上のパターンを薄膜トランジスタ回路基板の被
エッチング層上のフォトレジスト層またはさらにその上
の粘着層からなる被転写層上に転写して、この被転写層
上にマスクパターンを形成する薄膜トランジスタ回路の
形成方法において、 印刷版と転写体との相対的平行移動速度である転移速度
と、転写体と薄膜トランジスタ回路基板との相対的平行
移動速度である転写速度とを、印刷版上のパターンと被
転写層上のマスクパターンとの寸法誤差が±５μｍ以下
となるように、それぞれ異なる速度でかつ一定に調整す
ることを特徴とするオフセット印刷法による薄膜トラン
ジスタ回路の形成方法。 - 【請求項３】 転移速度と転写速度とを、転写体の相対
的平行移動方向における印刷版上のパターンの寸法と被
転写層上に転写された対応するパターンの寸法との寸法
誤差が±５μｍ以下となるように予備実験によって決定
することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれ
かに記載のオフセット印刷法による薄膜トランジスタ回
路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2854594A JP2702068B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | オフセット印刷法による薄膜トランジスタ回路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2854594A JP2702068B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | オフセット印刷法による薄膜トランジスタ回路の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240523A JPH07240523A (ja) | 1995-09-12 |
| JP2702068B2 true JP2702068B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=12251639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2854594A Expired - Fee Related JP2702068B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | オフセット印刷法による薄膜トランジスタ回路の形成方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2702068B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100798314B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-01-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 기판의 변동에 의한 패턴의 오정렬이 보상된 패턴형성용잉크인쇄장치 및 이를 이용한 패턴형성방법 |
| US6849558B2 (en) * | 2002-05-22 | 2005-02-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Replication and transfer of microstructures and nanostructures |
| US7569153B2 (en) | 2002-05-23 | 2009-08-04 | Lg Display Co., Ltd. | Fabrication method of liquid crystal display device |
| KR100518270B1 (ko) | 2002-12-18 | 2005-10-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 인쇄방식에 의한 패턴형성방법 |
| KR100585871B1 (ko) | 2002-12-18 | 2006-06-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 인쇄방식에 의한 패턴형성방법 |
| KR100909414B1 (ko) | 2002-12-18 | 2009-07-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 소자의 제조 방법 |
| KR100950134B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2010-03-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 레지스트인쇄용 클리체 및 그 제조방법 |
| KR100914200B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2009-08-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 소자의 제조 방법 |
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| KR100606446B1 (ko) | 2002-12-27 | 2006-07-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
| KR100950133B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2010-03-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인쇄방식에 의한 패턴형성방법 |
| KR100990312B1 (ko) * | 2003-06-26 | 2010-10-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 스페이서 형성방법 |
| JP2006251071A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
| JP2006289731A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Hirano Giken Kogyo Kk | 印刷機 |
| JP4760844B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2011-08-31 | Ｄｉｃ株式会社 | 電子部品の製造方法および該方法で製造された電子部品 |
| KR20140043249A (ko) | 2009-06-30 | 2014-04-09 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 전자 부품의 제조 방법 및 상기 방법으로 제조된 전자 부품 |
-
1994
- 1994-02-25 JP JP2854594A patent/JP2702068B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH07240523A (ja) | 1995-09-12 |
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