JP5521269B2 - 薄膜トランジスタパネルの製造方法 - Google Patents

Description

この発明は薄膜トランジスタパネルの製造方法に関する。

従来の液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルには、薄膜トランジスタのドレイン電極および該ドレイン電極に接続されたドレイン配線をＡｌ系金属膜および該Ａｌ系金属膜の上面に設けられたＭｏ膜からなる２層構造としたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、Ｍｏ膜の反射率はＡｌ系金属膜の反射率よりも低く、これにより、ドレイン配線を高反射率のＡｌ系金属膜のみによって形成した場合と比較して、ドレイン配線の上面による外光反射に起因するコントラスト低下が抑制される。

特開平９−３３１０６６号公報（図１）

しかしながら、上記従来の薄膜トランジスタパネルでは、ドレイン電極およびドレイン配線をＡｌ系金属膜およびＭｏ膜の２層構造とするには、Ａｌ膜上にＭｏ膜を成膜し、Ｍｏ膜を所定のエッチング液でパターニングし、Ａｌ膜を他のエッチング液でパターニングするというプロセスによらなければならず、工程数が多いという問題があった。

そこで、この発明は、配線の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる上、工程数を少なくすることができる薄膜トランジスタパネルの製造方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたゲート配線と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続されたドレイン配線とを備えた薄膜トランジスタパネルの製造方法において、前記ゲート配線および前記ドレイン配線のうちの少なくとも一方の配線を、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、前記一方の配線の上面を変色用処理液に晒すことによって表面処理を行い、Ｎｉを含有するＡｌ合金よりも反射率が小さい変色層を配線表面に形成することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、基板上に前記Ａｌ合金からなる前記ゲート電極および前記ゲート配線を形成する工程と、前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色用処理液を用いてＮｉを含有するＡｌ合金よりも反射率が小さい変色層を形成する工程と、前記ゲート電極、前記ゲート配線および前記基板上にゲート絶縁膜および半導体薄膜を成膜する工程と、前記半導体薄膜上にオーミックコンタクト層および金属膜を成膜する工程と、前記金属膜、前記オーミックコンタクト層および前記半導体薄膜をパターニングして、前記ゲート電極上における前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜の上面に２つのオーミックコンタクト層を形成すると共に、前記各オーミックコンタクト層上に前記金属膜からなる前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成し、該ドレイン電極に接続されるドレイン配線を形成する工程と、それらの上にオーバーコート膜を成膜する工程と、前記オーバーコート膜上に画素電極を前記ソース電極に接続させて形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記ゲート電極および前記ゲート配線を形成する工程は、前記画素電極下における前記基板上に前記Ａｌ合金からなる反射膜を形成する工程を含み、前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色層を形成する工程は、前記反射膜上にレジスト膜をパターン形成した状態で行ない、その後前記レジスト膜を剥離する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色層を形成する工程は、前記変色用処理液として（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液を用い、この混合液で前記レジスト膜をパターン化するための現像を行なう工程を含むことを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の金属膜は前記Ａｌ合金からなり、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色用処理液を用いて変色層を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記ゲート電極上における前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜の上面に２つのオーミックコンタクト層を形成すると共に、前記各オーミックコンタクト層上に前記金属膜からなる前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程は、少なくとも前記金属膜からなる反射膜を形成する工程を含み、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色層を形成する工程は、前記反射膜上にレジスト膜をパターン形成した状態で行ない、その後前記レジスト膜を剥離する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色層を形成する工程は、前記変色用処理液として（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液を用い、この混合液で前記レジスト膜をパターン化するための現像を行なう工程を含むことを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発明において、前記変色用処理液は（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液であることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発明において、前記Ａｌ合金は２〜１０重量％のＮｉを含有することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発明において、前記Ａｌ合金は５重量％のＮｉを含有することを特徴とするものである。

この発明によれば、ゲート配線およびドレイン配線のうちの少なくとも一方の配線を、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、一方の配線の上面に変色用処理液を用いて変色層を形成すると、変色層の反射率がＡｌ合金の反射率よりも低くなるので、一方の配線の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができ、しかも一方の配線の上面に変色用処理液を用いて変色層を形成すればよいので、工程数を少なくすることができる。

（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この場合、図１の左側から右側に向かって、画素電極１５を含む薄膜トランジスタ１１の部分の断面図、ゲート配線用外部接続端子２１の部分の断面図、ドレイン配線用外部接続端子３１の部分の断面図を示す。

まず、画素電極１５を含む薄膜トランジスタ１１の部分について説明する。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはＡｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金からなるゲート電極２および該ゲート電極２に接続されたゲート配線３が設けられている。ゲート電極２およびゲート配線３の上面には後述する変色層２ａ、３ａが設けられている。

ゲート電極２およびゲート配線３の上面に設けられた変色層２ａ、３ａを含むガラス基板１の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜４が設けられている。ゲート電極２上におけるゲート絶縁膜４の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜５が設けられている。

半導体薄膜５の上面ほぼ中央部には窒化シリコンからなるチャネル保護膜６が設けられている。チャネル保護膜６の上面両側およびその両側における半導体薄膜５の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層７、８が設けられている。オーミックコンタクト層７、８の各上面にはＣｒ等の金属からなるソース電極９およびドレイン電極１０が設けられている。

ここで、ゲート電極２、変色層２ａ、ゲート絶縁膜４、半導体薄膜５、チャネル保護膜６、オーミックコンタクト層７、８、ソース電極９およびドレイン電極１０により、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ１１が構成されている。

ゲート絶縁膜４の上面の所定の箇所にはドレイン配線１２が設けられている。ドレイン配線１２は、下から順に、真性アモルファスシリコン膜１２ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜１２ｂおよびＣｒ等の金属からなる金属膜１２ｃの３層構造となっている。そして、ドレイン配線１２の真性アモルファスシリコン膜１２ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜１２ｂおよび金属膜１２ｃの一端部は、ドレイン電極１０形成領域における半導体薄膜５、オーミックコンタクト層８およびドレイン電極１０に接続されている。

薄膜トランジスタ１１およびドレイン配線１２を含むゲート絶縁膜４の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３が設けられている。ソース電９の所定の箇所に対応する部分におけるオーバーコート膜１３にはコンタクトホール１４が設けられている。オーバーコート膜１３の上面の所定の箇所にはＩＴＯからなる画素電極１５がコンタクトホール１４を介してソース電極９に接続されて設けられている。

次に、ゲート配線用外部接続端子２１の部分について説明する。ゲート配線用外部接続端子２１は、下から順に、Ａｌ合金膜２１ａ、後述する変色層２１ｂおよびＩＴＯ膜２１ｃの３層構造となっている。

このうち、Ａｌ合金膜２１ａは、ゲート配線３と同一の金属からなり、ガラス基板１の上面に設けられている。変色層２１ｂはＡｌ合金膜２１ａの上面に設けられている。そして、Ａｌ合金膜２１ａおよび変色層２１ｂはゲート配線３および変色層３ａの一端部に接続されている。

ＩＴＯ膜２１ｃは、画素電極１５と同一の金属からなり、オーバーコート膜１３の上面に設けられている。そして、ＩＴＯ膜２１ｃは、オーバーコート膜１３およびゲート絶縁膜４に連続して設けられたコンタクトホール２２を介して変色層２１ｂに接続されている。

次に、ドレイン配線用外部接続端子３１の部分について説明する。ドレイン配線用外部接続端子３１は、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３１ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３１ｂ、Ｃｒ等の金属からなる金属膜３１ｃおよびＩＴＯ膜３１ｄの４層構造となっている。

このうち、真性アモルファスシリコン膜３１ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３１ｂおよび金属膜３１ｃは、３層構造のドレイン配線１２と同一の構造であり、ゲート絶縁膜４の上面に設けられている。そして、真性アモルファスシリコン膜３１ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３１ｂおよび金属膜３１ｃはドレイン配線１２の他端部に接続されている。

ＩＴＯ膜３１ｄは、画素電極１５と同一の金属からなり、オーバーコート膜１３の上面に設けられている。そして、ＩＴＯ膜３１ｄは、オーバーコート膜１３に設けられたコンタクトホール３２を介して金属膜３１ｃに接続されている。

次に、この薄膜トランジスタバネルの製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ガラス基板１の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＡｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極２、該ゲート電極２に接続されたゲート配線３および該ゲート配線３の一端部に接続されたＡｌ合金膜２１ａを形成する。

次に、図３に示すように、（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液（変色用処理液）を用いて表面処理を行なうことにより、ゲート電極２、ゲート配線３およびＡｌ合金膜２１ａの上面に変色層２ａ、３ａ、２１ｂを形成する。

次に、図４に示すように、ゲート電極２、ゲート配線３およびＡｌ合金膜２１ａの上面に形成された変色層２ａ、３ａ、２１ｂを含むガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜４、真性アモルファスシリコン膜４１および窒化シリコンからなるチャネル保護膜形成用膜４２を連続して成膜する。次に、チャネル保護膜形成用膜４２をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、チャネル保護膜６を形成する。

次に、図５に示すように、チャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコン膜４１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型アモルファスシリコン膜４３を成膜する。次に、ｎ型アモルファスシリコン膜４３の上面に、スパッタ法により、Ｃｒ等の金属からなる金属膜４４を成膜する。

次に、金属膜４４、ｎ型アモルファスシリコン膜４３および真性アモルファスシリコン膜４１をフォトリソグラフィ法により連続してパターニングすると、図６に示すようになる。すなわち、薄膜トランジスタ１５形成領域においては、ゲート絶縁膜４の上面に半導体薄膜５が形成され、チャネル保護膜６の上面両側およびその両側における半導体薄膜５の上面にオーミックコンタクト層７、８が形成され、各オーミックコンタクト層７、８の上面にソース電極９およびドレイン電極１０が形成される。

また、ゲート絶縁膜４の上面に、下から順に、真性アモルファスシリコン膜１２ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜１２ｂおよび金属膜１２ｃからなる３層構造のドレイン配線１２が形成される。この状態では、ドレイン配線１２の真性アモルファスシリコン膜１２ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜１２ｂおよび金属膜１２ｃの一端部は、ドレイン電極１０形成領域における半導体薄膜５、オーミックコンタクト層８およびドレイン電極１０に接続されている。

ドレイン配線用外部接続端子３１形成領域においては、ゲート絶縁膜４の上面に、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３１ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３１ｂおよび金属膜３１ｃが形成される。この状態では、真性アモルファスシリコン膜３１ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３１ｂおよび金属膜３１ｃはドレイン配線１２の他端部に接続されている。

次に、図７に示すように、ソース電極９、ドレイン電極１０、ドレイン配線１２および金属膜３１ｃ等を含むゲート絶縁膜４の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３を成膜する。

次に、図８に示すように、フォトリソグラフィ法により、ソース電極９上におけるオーバーコート膜１３にコンタクトホール１４を形成し、また変色層２１ｂ上におけるオーバーコート膜１３およびゲート絶縁膜４にコンタクトホール２２を連続して形成し、さらに金属膜３１ｃ上におけるオーバーコート膜１３にコンタクトホール３２を形成する。

次に、図１に示すように、オーバーコート膜１３の上面の各所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、画素電極１５をコンタクトホール１４を介してソース電極９に接続させて形成し、またＩＴＯ膜２１ｃをコンタクトホール２２を介して変色層２１ｂに接続させて形成し、さらにＩＴＯ膜３１ｄをコンタクトホール３２を介して金属膜３１ｃに接続させて形成する。かくして、図１に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。

このようにして得られた薄膜トランジスタパネルでは、特に、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金からなるゲート配線３の上面に形成された変色層３ａの反射率がＡｌ合金の反射率よりも低くなるので、ゲート配線３の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができ、しかもゲート配線３の上面に変色用処理液を用いて変色層３ａを形成すればよいので、工程数を少なくすることができる。

ここで、ゲート配線３を５重量％のＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、その反射率を調べたところ８０〜９０％程度であった。これに対し、５重量％のＮｉを含有するＡｌ合金からなるゲート配線３の上面に（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液を用いて変色層３ａを形成し、その反射率を調べたところ２０〜４０％程度であった。なお、Ａｌ合金は２〜１０重量％のＮｉを含有するものであれば、変色層３ａの反射率をＡｌ合金の反射率よりもかなり低くすることができる。

（第２実施形態）
図９はこの発明の第２実施形態としての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、ソース電極９、ドレイン電極１０、ドレイン配線１２の金属膜１２ｃおよびドレイン配線用外部接続端子３１の金属膜３１ｃをＡｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、これらの上面に変色層９ａ、１０ａ、１２ｄ、３１ｅを形成した点である。

この場合、画素電極１５はオーバーコート膜１３のコンタクトホール１４を介してソース電極９上の変色層９ａに接続されている。ドレイン配線用外部接続端子３１形成領域においては、ＩＴＯ膜３１ｄはオーバーコート膜１３のコンタクトホール３２を介して金属膜３１ｃ上の変色層３１ｅに接続されている。

次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について説明する。この場合、図５に示す工程において、金属膜４４をＡｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成する。そして、図６に示す工程後に、（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液（変色用処理液）を用いて表面処理を行なうと、ソース電極９、ドレイン電極１０、ドレイン配線１２および金属膜３１ｃの上面に変色層９ａ、１０ａ、１２ｄ、３１ｅが形成される。以下、上記第１実施形態の場合と同様の工程を経ると、図９に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。

このようにして得られた薄膜トランジスタパネルでは、特に、ドレイン配線１２のＡｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金からなる金属膜１２ｃの上面に形成された変色層１２ｄの反射率がＡｌ合金の反射率よりも低くなるので、ドレイン配線１２の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができ、しかもドレイン配線１２の上面に変色用処理液を用いて変色層１２ｄを形成すればよいので、工程数を少なくすることができる。

（第３実施形態）
図１０はこの発明の第３実施形態としての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、この薄膜トランジスタパネルを備えた液晶表示装置を透過兼反射型とするために、画素電極１５下におけるガラス基板１の上面の所定の箇所にＡｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金からなる反射膜１６を設けた点である。この場合、ゲート電極２およびゲート配線３の上面には変色層２ａ、３ａが設けられているが、反射膜１６およびＡｌ合金膜２１ａの上面には変色層は設けられていない。

次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について説明する。まず、図１１に示すように、ガラス基板１の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＡｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極２、ゲート配線３、反射膜１６およびＡｌ合金膜２１ａを形成する。

次に、図１２に示すように、ゲート電極２、ゲート配線３、反射膜１６およびＡｌ合金膜２１ａを含むガラス基板１の上面にネガ型のレジスト膜５１を形成する。次に、図示しない露光マスクを用いて露光することにより、反射膜１６およびＡｌ合金膜２１ａ上におけるレジスト膜５１を露光部５１ａとし、それ以外の領域におけるレジスト膜５１を非露光部５１ｂとする。

次に、現像を行なうと、レジスト膜５１の非露光部５１ｂが溶解して除去されることにより、図１３に示すように、反射膜１６およびＡｌ合金膜２１ａ上にレジスト膜５１がパターン形成される。ここで、現像液として、上記の変色用処理液、すなわち、（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液を用いると、レジスト膜５１の非露光部５１ｂが溶解して除去されることにより露出されたゲート電極２およびゲート配線３の上面に変色層２ａ、３ａが形成される。次に、レジスト膜５１を剥離液を用いて剥離する。以下、上記第１実施形態の場合と同様の工程を経ると、図１０に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。

この第３実施形態における製造方法では、レジスト膜５１の現像液として（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液を用いると、レジスト膜５１の現像と同時に、レジスト膜５１の非露光部５１ｂが溶解して除去されることにより露出されたゲート電極２およびゲート配線３の上面に変色層２ａ、３ａを形成することができるので、工程数が増加しないようにすることができる。

（第４実施形態）
図１４はこの発明の第４実施形態としての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネルの要部の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図９に示す薄膜トランジスタパネルと異なる点は、この薄膜トランジスタパネルを備えた液晶表示装置を透過兼反射型とするために、画素電極１５下におけるゲート絶縁膜４の上面の所定の箇所に、下から順に、真性アモルファスシリコン膜１７ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜１７ｂ、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金膜１７ｃからなる３層構造の反射膜１７を設けた点である。

この場合、ソース電極９、ドレイン電極１０およびドレイン配線１２の上面には変色層９ａ、１０ａ、１２ｄが設けられているが、反射膜１７およびＡｌ合金膜３１ｃの上面には変色層は設けられていない。また、上記第３実施形態の場合と同様に、ゲート電極２およびゲート配線３の上面には変色層２ａ、３ａが設けられているが、Ａｌ合金膜２１ａの上面には変色層は設けられていない。

次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について説明する。この場合、図６に示すような工程において、図１５に示すように、ゲート絶縁膜４の上面の所定の箇所に、下から順に、真性アモルファスシリコン膜１７ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜１７ｂ、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金膜１７ｃからなる３層構造の反射膜１７を形成する。

次に、図１６に示すように、ソース電極９、ドレイン電極１０、ドレイン配線１２、反射膜１７および金属膜（Ａｌ合金膜）３１ｃを含むゲート絶縁膜４の上面にネガ型のレジスト膜５２を形成する。次に、図示しない露光マスクを用いて露光することにより、反射膜１７および金属膜３１ｃ上におけるレジスト膜５２を露光部５２ａとし、それ以外の領域におけるレジスト膜５２を非露光部５２ｂとする。

次に、現像を行なうと、レジスト膜５２の非露光部５２ｂが溶解して除去されることにより、図１７に示すように、反射膜１７および金属膜３１ｃ上にレジスト膜５２がパターン形成される。ここで、現像液として（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液を用いると、レジスト膜５２の非露光部５２ｂが溶解して除去されることにより露出されたソース電極９、ドレイン電極１０およびドレイン配線１２の上面に変色層９ａ、１０ａ、１２ｄが形成される。次に、レジスト膜５２を剥離液を用いて剥離する。以下、上記第１実施形態の場合と同様の工程を経ると、図１４に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。

この第４実施形態における製造方法では、レジスト膜５２の現像液として（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液を用いると、レジスト膜５２の現像と同時に、レジスト膜５２の非露光部５２ｂが溶解して除去されることにより露出されたソース電極９、ドレイン電極１０およびドレイン配線１２の上面に変色層９ａ、１０ａ、１２ｄを形成することができるので、工程数が増加しないようにすることができる。

この発明の第１実施形態としての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。 図１に示す薄膜トランジスタパネルの製造に際し、当初の工程の断面図。 図２に続く工程の断面図。 図３に続く工程の断面図。 図４に続く工程の断面図。 図５に続く工程の断面図。 図６に続く工程の断面図。 図７に続く工程の断面図。 この発明の第２実施形態としての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。 この発明の第３実施形態としての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。 図１０に示す薄膜トランジスタパネルの製造に際し、当初の工程の断面図。 図１１に続く工程の断面図。 図１２に続く工程の断面図。 この発明の第４実施形態としての製造方法により製造された薄膜トランジスタパネルの要部の断面図。 図１４に示す薄膜トランジスタパネルの製造に際し、所定の工程の断面図。 図１５に続く工程の断面図。 図１６に続く工程の断面図。

符号の説明

１ ガラス基板
２ ゲート電極
２ａ 変色層
３ ゲート配線
３ａ 変色層
４ ゲート絶縁膜
５ 半導体薄膜
６ チャネル保護膜
７、８ オーミックコンタクト層
９ ソース電極
９ａ 変色層
１０ ドレイン電極
１０ａ 変色層
１１ 薄膜トランジスタ
１２ ドレイン配線
１３ オーバーコート膜
１４ コンタクトホール
１５ 画素電極
１６、１７ 反射膜
２１ ゲート配線用外部接続端子
３１ ドレイン配線用外部接続端子
４１ 真性アモルファスシリコン膜
４２ チャネル保護膜形成用膜
４３ ｎ型アモルファスシリコン膜
４４ 金属膜
５１、５２ レジスト膜

Claims (10)

1. ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたゲート配線と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続されたドレイン配線とを備えた薄膜トランジスタパネルの製造方法において、前記ゲート配線および前記ドレイン配線のうちの少なくとも一方の配線を、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、前記一方の配線の上面を変色用処理液に晒すことによって表面処理を行い、Ｎｉを含有するＡｌ合金よりも反射率が小さい変色層を配線表面に形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
2. 請求項１に記載の発明において、
   基板上に前記Ａｌ合金からなる前記ゲート電極および前記ゲート配線を形成する工程と、
   前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色用処理液を用いてＮｉを含有するＡｌ合金よりも反射率が小さい変色層を形成する工程と、
   前記ゲート電極、前記ゲート配線および前記基板上にゲート絶縁膜および半導体薄膜を成膜する工程と、
   前記半導体薄膜上にオーミックコンタクト層および金属膜を成膜する工程と、
   前記金属膜、前記オーミックコンタクト層および前記半導体薄膜をパターニングして、前記ゲート電極上における前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜の上面に２つのオーミックコンタクト層を形成すると共に、前記各オーミックコンタクト層上に前記金属膜からなる前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成し、該ドレイン電極に接続されるドレイン配線を形成する工程と、
   それらの上にオーバーコート膜を成膜する工程と、
   前記オーバーコート膜上に画素電極を前記ソース電極に接続させて形成する工程と、
   を有することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
3. 請求項２に記載の発明において、前記ゲート電極および前記ゲート配線を形成する工程は、前記画素電極下における前記基板上に前記Ａｌ合金からなる反射膜を形成する工程を含み、前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色層を形成する工程は、前記反射膜上にレジスト膜をパターン形成した状態で行ない、その後前記レジスト膜を剥離する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
4. 請求項３に記載の発明において、前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色層を形成する工程は、前記変色用処理液として（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液を用い、この混合液で前記レジスト膜をパターン化するための現像を行なう工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
5. 請求項２に記載の発明において、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の金属膜は前記Ａｌ合金からなり、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色用処理液を用いて変色層を形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
6. 請求項５に記載の発明において、前記ゲート電極上における前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜の上面に２つのオーミックコンタクト層を形成すると共に、前記各オーミックコンタクト層上に前記金属膜からなる前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程は、少なくとも前記金属膜からなる反射膜を形成する工程を含み、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色層を形成する工程は、前記反射膜上にレジスト膜をパターン形成した状態で行ない、その後前記レジスト膜を剥離する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
7. 請求項６に記載の発明において、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色層を形成する工程は、前記変色用処理液として（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液を用い、この混合液で前記レジスト膜をパターン化するための現像を行なう工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発明において、前記変色用処理液は（ＣＨ₃）₄ＮＯＨとＨ₂Ｏとの混合液であることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発明において、前記Ａｌ合金は２〜１０重量％のＮｉを含有することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発明において、前記Ａｌ合金は５重量％のＮｉを含有することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。

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