JP4152396B2 - 薄膜トランジスタアレイの製造方法 - Google Patents
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Description
図5から図10は本実施例のプロセスフローを示す図である。図5及び6Aから6DはTFTアレイ基板製造方法の第1露光工程のプロセスフローを示す。図5は本実施例の第1露光工程のTFTアレイ基板上のレイアウトを示す平面図である。及び図6Aから図6Dは本実施あ例の第1露光工程のプロセスフローを示す断面図である。
更に、TFTアレイが反射型液晶ディスプレイ装置に使用される時、画素電極は金属で形成されうる。上述のTFTアレイの製造方法は通常、以下に説明するように第3露光工程がやや異なる以外は実施例1の方法と同じである。
本実施例はほとんどが実施例1と同じであるが、露光工程に使用されるマスクのパターンが以下のように僅かに改変されている。実施例3と同じ図面、及び符号を参照して説明する。
2 走査線
3 データ線
4 ターミナルコンタクト
5 画素電極
6 ガラス基板
12 ゲート電極
14 ゲート絶縁層
16 アモルファスシリコン層
18 金属層
20 金属層
22 スリット
24 ソース
26 ドレイン
28 パッシベーション層
30 基板
32 第1金属層
32’ ゲート電極
33 ゲート電極
34 ゲート絶縁層
36 半導体層
37 チャネル
38 半導体層
40 第2金属層
41 所定のTFT領域
42 第1領域
43 第1ホトレジスト層
44 第2領域
45 走査線領域
47 データ線領域
49 画素領域
51 ソース電極領域
52 ソース電極
53 ドレイン電極領域
54 ドレイン電極
55 ターミナルコンタクト領域
60 層間絶縁層
62 第3領域
63 第2ホトレジスト層
64 第4領域
65 所定のターミナルコンタクトホール領域
66 コンタクトホール
67 ターミナルコンタクトホール
68 コンタクトホール
69 所定の非接続領域
72 透明導電層
74 第3金属層
76 パッシベーション層
82 第5領域
83 第3ホトレジスト層
84 第6領域
85 所定のソース/ドレイン非接続領域
Claims (20)
- 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法であって、以下のステップ、即ち、
基板を提供し、
第1金属層、ゲート絶縁層、半導体層、オームコンタクト層、及び第2金属層を該基板の上方に形成し、その後、第1露光工程を実行してソース/ドレイン電極領域、走査線領域、データ線領域、ターミナルコンタクト領域及び画素領域を画定し、
層間絶縁層を基板の上方に形成し、第2露光工程を実行してソース/ドレインコンタクトホール、データ線コンタクトホール、及びターミナルコンタクトホールを画定し、
透明導電層、第3金属層、及び基板を保護するためのパッシベーション層を形成し、ソース/ドレインコンタクトホール、走査線コンタクトホール、及びターミナルコンタクトホールの間の電気的接続を達成し、第3露光工程を実行して薄膜トランジスタ、走査線、データ線、ターミナルコンタクト及び画素電極を形成するステップを包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第1露光工程は、
第1領域と第1領域より厚さが薄い第2領域とを具えた第1ホトレジスト層を、一部の第2金属層の上に形成し、
第1ホトレジスト層で被覆されていない第2金属層、オームコンタクト層、半導体層、ゲート絶縁層及び第1金属層をエッチングして所定のTFT領域、走査線領域、データ線領域、及び画素領域を画定し、
第1ホトレジスト層の第2領域を除去して第2金属層を露出させ、その後、露出した第2金属層とその下のオームコンタクト層をエッチングしてソース/ドレイン電極領域とターミナルコンタクト領域を画定する工程を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第1露光工程は、
一部の層間絶縁層の上に、第3領域と第3領域より厚さが薄い第4領域とを具えた第2ホトレジスト層を形成し、
第2ホトレジスト層に被覆されていない層間絶縁層と半導体層をエッチングして所定のターミナルコンタクトホール領域を画定し、
第2ホトレジスト層の第4領域を除去して層間絶縁層を露出させ、それから所定のターミナルコンタクトホール領域内の露出した層間絶縁層、その下の半導体層、ゲート絶縁層をエッチングしてソース/ドレインコンタクトホール、データ線コンタクトホール、及びターミナルコンタクトホールを形成する工程、
を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第2露光工程が、
一部の層間絶縁層の上に、第3領域と第3領域より厚さが薄い第4領域とを具えた第2ホトレジスト層を形成し、
第2ホトレジスト層に被覆されていない層間絶縁層をエッチングして所定のターミナルコンタクトホール領域を画定し、
第2ホトレジスト層の第4領域を除去して層間絶縁層を露出させ、それから所定のターミナルコンタクトホール領域内の露出した層間絶縁層、ゲート絶縁層、及び半導体層をエッチングしてソース/ドレインコンタクトホール、データ線コンタクトホール、及びターミナルコンタクトホールを形成する工程、
を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第3露光工程は、
一部のパッシベーション層の上に、第5領域と第5領域より厚さが薄い第6領域とを具えた第3ホトレジスト層を形成し、
第3ホトレジスト層に被覆されていないパッシベーション層及び第3金属層をエッチングして透明導電層を露出させて所定のソース/ドレイン不接続領域を画定する工程、
第3ホトレジスト層の第6領域を除去してパッシベーション層を露出させ、露出したパッシベーション層をエッチングし、
所定のソース/ドレイン不接続領域内の露出した透明導電層をエッチングして、ソース電極とドレイン電極間の電気的接続をTFT領域と走査線領域間の電気的接続と同様に終結させ、
露出した第3金属層をエッチングしてターミナルコンタクト領域と画素領域内の透明導電層を露出させ、これにより薄膜トランジスタ、走査線、データ線、ターミナルコンタクト、及び画素電極を形成する工程を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項2記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第1ホトレジスト層の第2領域は灰化により除去されることを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 請求項2記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第1ホトレジスト層は、実質的透明領域、部分的透明領域、及び実質的不透明領域を包含するマスクを使用して形成され、該実質的不透明領域は第1領域に対応し、部分的透明領域は第2領域に対応することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、以下のステップ、即ち、
基板を提供し、
第1金属層、ゲート絶縁層、半導体層、オームコンタクト層、及び第2金属層を基板の上方に形成し、それから第1露光工程を実行してソース/ドレイン電極領域、走査線領域、データ線領域、ターミナルコンタクト領域及び画素領域を形成し、
基板上方に層間絶縁層を形成し、第2露光工程を実行してソース/ドレインコンタクトホール、走査線コンタクトホール、及びターミナルコンタクトホールを形成し、
基板の上方に透明導電層、第3金属層、及びパッシベーション層を形成し、ソース/ドレインコンタクトホール、走査線コンタクトホール及びターミナルコンタクトホール間の電気的接続を達成し、それから第3露光工程を実行して薄膜トランジスタ、走査線、データ線、ターミナルコンタクト及び画素電極を形成するステップ、
を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項8記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第1露光工程が、
一部の第2金属層の上に第1領域と第1領域より厚さが薄い第2領域とを具えた第1ホトレジスト層を形成し、
第1ホトレジスト層により被覆されていない第2金属層、オームコンタクト層、半導体層、ゲート絶縁層、及び第1金属層をエッチングして所定のTFT領域、走査線領域、データ線領域及び画素領域を画定し、
第1ホトレジスト層の第2領域を除去して第2金属層を露出させ、その後、露出した第2金属層及びその下のオームコンタクト層をエッチングしてソース/ドレイン電極領域とターミナルコンタクト領域を画定する工程を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項8記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第2露光工程が、
一部の層間絶縁層の上に、第3領域と第3領域より厚さが薄い第4領域とを具えた第2ホトレジスト層を形成し、
第2ホトレジスト層に被覆されていない層間絶縁層をエッチングして所定のターミナルコンタクトホール領域を画定し、
第2ホトレジスト層の第4領域を除去して層間絶縁層を露出させ、それから所定のターミナルコンタクトホール領域内の露出した層間絶縁層、その下の半導体層、及びゲート絶縁層をエッチングしてソース/ドレインコンタクトホール、走査線コンタクトホール及びターミナルコンタクトホールを形成する工程、
を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項8記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第2露光工程が、
一部の層間絶縁層の上に、第3領域と第3領域より厚さが薄い第4領域とを具えた第2ホトレジスト層を形成し、
第2ホトレジスト層に被覆されていない層間絶縁層をエッチングして所定のターミナルコンタクトホール領域を画定し、
第2ホトレジスト層の第4領域を除去して層間絶縁層を露出させ、それから露出した層間絶縁層、その下の半導体層、所定のターミナルコンタクトホール領域内の半導体層及びゲート絶縁層をエッチングしてソース/ドレインコンタクトホール、走査線コンタクトホール、及びターミナルコンタクトホールを形成する工程を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項8記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第3露光工程が、
一部のパッシベーション層の上に、第5領域と第5領域より厚さが薄い第6領域とを具えた第3ホトレジスト層を形成し、
第3ホトレジスト層に被覆されていないパッシベーション層及び第3金属層をエッチングして透明導電層を露出させて所定のソース/ドレイン不接続領域を画定する工程、
第3ホトレジスト層の第6領域を除去してパッシベーション層を露出させ、露出したパッシベーション層をエッチングし、
所定のソース/ドレイン不接続領域内の露出した透明導電層をエッチングして、ソース電極とドレイン電極間の電気的接続をTFT領域と走査線領域間の電気的接続と同様に終結させ、
露出した第3金属層をエッチングしてターミナルコンタクト領域と画素領域内の透明導電層を露出させ、これにより薄膜トランジスタ、走査線、データ線、ターミナルコンタクト、及び画素電極を形成する工程を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項9記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第1ホトレジスト層の第2領域は灰化により除去されることを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 請求項9記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第1ホトレジスト層は、実質的透明領域、部分的透明領域、及び実質的不透明領域を包含するマスクを使用して形成され、該実質的不透明領域は第1領域に対応し、部分的透明領域は第2領域に対応することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、以下のステップ、即ち、
基板を提供し、
第1金属層、ゲート絶縁層、半導体層、オームコンタクト層、及び第2金属層を該基板の上方に形成し、その後、第1露光工程を実行してソース/ドレイン電極領域、走査線領域、データ線領域、ターミナルコンタクト領域及び画素領域を画定し、
層間絶縁層を基板の上方に形成し、第2露光工程を実行してソース/ドレインコンタクトホール、データ線コンタクトホール、及びターミナルコンタクトホールを画定し、
第3金属層、及び基板を保護するためのパッシベーション層を形成し、ソース/ドレインコンタクトホール、データ線コンタクトホール、及びターミナルコンタクトホールの間の電気的接続を達成し、第3露光工程を実行して薄膜トランジスタ、走査線、データ線、ターミナルコンタクト及び反射画素電極を形成するステップを包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、以下のステップ、即ち、
基板を提供し、
第1金属層、ゲート絶縁層、半導体層、オームコンタクト層、及び第2金属層を該基板の上方に形成し、その後、第1露光工程を実行してソース/ドレイン電極領域、走査線領域、データ線領域、ターミナルコンタクト領域及び画素領域を画定し、
層間絶縁層を基板の上方に形成し、第2露光工程を実行してソース/ドレインコンタクトホール、走査線コンタクトホール、及びターミナルコンタクトホールを画定し、
第3金属層、及び基板を保護するためのパッシベーション層を形成し、ソース/ドレインコンタクトホール、走査線コンタクトホール、及びターミナルコンタクトホールの間の電気的接続を達成し、第3露光工程を実行して薄膜トランジスタ、走査線、データ線、ターミナルコンタクト及び反射画素電極を形成するステップを包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項15記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第3露光工程が、
一部のパッシベーション層の上に、第5領域と第5領域より厚さが薄い第6領域とを具えた第3ホトレジスト層を形成し、
第3ホトレジスト層に被覆されていないパッシベーション層及び第3金属層をエッチングして透明導電層を露出させてソース電極とドレイン電極間の電気的接続を、TFT領域と走査線領域間の電気的接続と同様に終結させ、
第3ホトレジスト層の第6領域を除去してパッシベーション層を露出させ、露出したパッシベーション層をエッチングして画素領域内の第3金属層を露出させ、これにより薄膜トランジスタ、走査線、データ線、ターミナルコンタクト及び反射画素電極を形成する工程、を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項16記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第3露光工程が、
一部のパッシベーション層の上に、第5領域と第5領域より厚さが薄い第6領域とを具えた第3ホトレジスト層を形成し、
第3ホトレジスト層に被覆されていないパッシベーション層及び第3金属層をエッチングして透明導電層を露出させてソース電極とドレイン電極間の電気的接続を、TFT領域と走査線領域間の電気的接続と同様に終結させ、
第3ホトレジスト層の第6領域を除去してパッシベーション層を露出させ、露出したパッシベーション層をエッチングして画素領域内の第3金属層を露出させ、これにより薄膜トランジスタ、走査線、データ線、ターミナルコンタクト及び反射画素電極を形成する工程、を包含することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 請求項17記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第3ホトレジスト層の第6領域は灰化により除去されることを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 請求項17記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法において、第3ホトレジスト層は、実質的透明領域、部分的透明領域、及び実質的不透明領域を包含するマスクを使用して形成され、該実質的不透明領域は第5領域に対応し、部分的透明領域は第6領域に対応することを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
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