TWI835632B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents
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- TWI835632B TWI835632B TW112114479A TW112114479A TWI835632B TW I835632 B TWI835632 B TW I835632B TW 112114479 A TW112114479 A TW 112114479A TW 112114479 A TW112114479 A TW 112114479A TW I835632 B TWI835632 B TW I835632B
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 239
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 36
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 10
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 13
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一種顯示面板包括基板、多個畫素結構、第二主動元件、訊號走線、導電圖案、鈍化層及披覆層。畫素結構設置在基板的顯示區內，且具有彼此電性連接的第一主動元件和畫素電極。第二主動元件、訊號走線及導電圖案設置在基板的顯示區外。導電圖案電性連接第二主動元件與訊號走線。鈍化層與披覆層覆蓋畫素結構的第一主動元件。畫素電極設置在披覆層背離基板的第一表面。導電圖案設置在鈍化層上且具有背離基板的第二表面。第一表面與第二表面相對於基板的基板表面分別具有第一高度與第二高度。第二高度小於第一高度。顯示面板的製造方法也被提出。
Description
本發明是有關於一種電子裝置及其製造方法，且特別是有關於一種顯示面板及其製造方法。
在現行的反射式顯示器中，分別位在披覆層與鈍化層的相對兩側的兩個導電結構大多是經由披覆層與鈍化層的洞中洞設計來進行橋接。洞中洞設計架構的製程主要可區分為兩種，分別為鈍化層的開口形成在披覆層的開口形成之後以及鈍化層的開口形成在披覆層的開口形成之前。其中，鈍化層的開口形成在披覆層的開口形成之後的製程架構，雖然可減少製程所需的光罩數量，但需要較高的黃光製程精度來避免披覆層發生底切(undercut)的現象，且周邊區內的金屬層容易因覆蓋的鈍化層被過度蝕刻而裸露並發生氧化腐蝕的問題。此外，雖然鈍化層的開口形成在披覆層的開口形成之前的製程架構可避免上述的問題，但被鈍化層的開口顯露出的金屬層容易在形成披覆層的開口過程中氧化腐蝕而影響電性和製程良率。因此，一種針對披覆層與鈍化層的洞中洞設計且能解決上述問題的製程架構仍亟待開發。
本發明提供一種顯示面板，其周邊區的導接線路的設計裕度較大。
本發明提供一種顯示面板的製造方法，其生產成本較低且良率較高。
本發明的顯示面板包括基板、多個畫素結構、第二主動元件、訊號走線、導電圖案、鈍化層以及披覆層。基板設有顯示區以及顯示區以外的周邊區。這些畫素結構設置在顯示區內，且各自具有彼此電性連接的第一主動元件和畫素電極。第二主動元件、訊號走線及導電圖案設置在周邊區內。導電圖案電性連接第二主動元件與訊號走線。導電圖案與畫素電極為同一膜層。鈍化層覆蓋多個畫素結構的多個第一主動元件。披覆層覆蓋鈍化層。畫素電極設置在披覆層背離基板的第一表面，且經由披覆層與鈍化層的開口電性連接第一主動元件。導電圖案設置在鈍化層上且具有背離基板的第二表面。第一表面與第二表面相對於基板的基板表面分別具有第一高度與第二高度，且第二高度小於第一高度。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的披覆層不重疊於導電圖案。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的導電圖案設置在披覆層背離基板的第三表面。第三表面相對於基板的基板表面具有第三高度，且第三高度小於第一高度。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的導電圖案設置在披覆層背離基板的第四表面與第五表面。第四表面重疊於第二主動元件的汲極。第五表面重疊於訊號走線。第四表面與第五表面相對於基板的基板表面分別具有第四高度與第五高度。第四高度小於第一高度且大於第五高度。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的披覆層包括第一光阻層與第二光阻層。第一光阻層位在第二光阻層與第一主動元件之間。第二光阻層的感光度高於第一光阻層的感光度。導電圖案重疊於第一光阻層且不重疊於第二光阻層。
本發明的顯示面板的製造方法包括於基板上形成第一主動元件、第二主動元件、訊號走線及鈍化層、於鈍化層上形成披覆材料層、利用半色調光罩對披覆材料層進行微影製程以形成披覆層、利用披覆層對鈍化層進行蝕刻製程以形成顯露出第一主動元件的部分第一汲極的第一開口、顯露出第二主動元件的部分第二汲極的第二開口以及顯露出部分訊號走線的第三開口以及形成畫素電極和導電圖案。鈍化層覆蓋第一主動元件、第二主動元件和訊號走線。基板設有顯示區以及顯示區以外的周邊區。第一主動元件位在顯示區內。第二主動元件和訊號走線位在周邊區內。半色調光罩具有重疊於第一主動元件的第一透光區、重疊於訊號走線的第二透光區以及相鄰于第二透光區兩側的第三透光區。第三透光區的光穿透率小於第一透光區和第二透光區各自的光穿透率。畫素電極經由鈍化層的第一開口電性連接第一汲極。導電圖案經由鈍化層的第二開口和第三開口電性連接第二汲極和訊號走線。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法的披覆層具有背離基板且重疊於第一主動元件的第一表面以及背離基板且重疊於訊號走線的第二表面。第一表面與第二表面相對於基板的基板表面分別具有第一高度與第二高度，且第二高度小於第一高度。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法還包括在鈍化層的蝕刻製程完成後，對披覆層進行灰化處理以移除定義出鈍化層的第二開口與第三開口的部分披覆層。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法的半色調光罩還具有重疊於第二主動元件的另一第二透光區以及相鄰於另一第二透光區的第四透光區，且第四透光區的光穿透率小於第三透光區的光穿透率。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法的披覆材料層的形成步驟包括在鈍化層上依序形成第一光阻層與第二光阻層。第二光阻層的感光度高於第一光阻層的感光度。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法在完成披覆材料層的微影製程後，重疊於訊號走線及第二主動元件的部分第二光阻層被移除並顯露出第一光阻層的部分表面。
基於上述，在本發明的一實施例的顯示面板的製造方法中，多個主動元件和訊號走線上形成有披覆材料層，且利用半色調光罩對披覆材料層進行微影製程所形成的披覆層在周邊區內仍有部分被保留並且與顯示區內的部分具有段差。披覆層在周邊區內的部分除了能作為鈍化層在蝕刻製程中的硬光罩外，還能避免鈍化層在周邊區內的部分被過度蝕刻而暴露出其下方的電極(例如主動元件的汲極)並使其氧化腐蝕的風險增加。此外，留存在周邊區內的部分鈍化層還能增加周邊線路的設計裕度。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1是依照本發明的第一實施例的顯示面板的剖視示意圖。圖2A至圖2F是圖1的顯示面板的製造流程的剖視示意圖。
請參照圖1，顯示面板10包括基板100與多個畫素結構PX。基板100設有顯示區DA以及顯示區DA以外的周邊區PA。多個畫素結構PX設置在顯示區DA內，且各自具有彼此電性連接的第一主動元件T1和畫素電極PE。雖然圖1僅示出顯示面板10的一個畫素結構PX，但可理解的是，多個畫素結構PX可陣列排列於基板100的基板表面100s上，例如：這些畫素結構PX可沿著相互垂直的兩個方向排成多行與多列。基板100的材質可包括玻璃、石英、高分子聚合物(例如聚醯亞胺、聚碳酸脂、聚甲基丙稀酸甲酯、或其他合適的可撓性板材)、或其他合適的板材。
在本實施例中，形成第一主動元件T1的方法可包括以下步驟：在基板100的基板表面100s上依序形成第一閘極GE1、閘絕緣層110、第一半導體圖案SC1、第一源極SE1和第一汲極DE1。第一半導體圖案SC1重疊第一閘極GE1設置。第一源極SE1和第一汲極DE1重疊於第一半導體圖案SC1，並且與第一半導體圖案SC1的不同兩區電性接觸。在本實施例中，第一主動元件T1的第一閘極GE1可選擇性地設置於第一半導體圖案SC1的下方，以形成底部閘極型薄膜電晶體(bottom-gate TFT)，但不以此為限。在其他實施例中，第一主動元件的第一閘極也可選擇性地配置在第一半導體圖案的上方，以形成頂部閘極型薄膜電晶體(top-gate TFT)。
需說明的是，第一閘極GE1、第一源極SE1、第一汲極DE1、第一半導體圖案SC1以及閘絕緣層110分別可由任何所屬技術領域的技術人員所周知的用於顯示面板的任一閘極、任一源極、任一汲極、任一半導體圖案以及任一閘絕緣層來實現，且第一閘極GE1、第一源極SE1、第一汲極DE1、第一半導體圖案SC1以及閘絕緣層110分別可經由任何所屬技術領域的技術人員所周知的任一方法來形成，故於此不加以贅述。
進一步而言，顯示面板10還包括鈍化層120和披覆層140。鈍化層120覆蓋多個畫素結構PX的多個第一主動元件T1。披覆層140覆蓋鈍化層120。畫素結構PX的畫素電極PE設置在披覆層140背離基板100的第一表面SF1上，並且經由披覆層140的開口OP1a與鈍化層120的開口OP1b電性連接第一主動元件T1的第一汲極DE1。
在本實施例中，畫素電極PE的材料可包括金屬、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層，但不限於此。在其他實施例中，畫素電極PE也可以是光穿透式電極，光穿透式電極的材料可包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層。
特別注意的是，顯示面板10的周邊區PA內還設有彼此電性連接的第二主動元件T2和訊號走線SL。舉例來說，第二主動元件T2可以是閘極驅動電路的多個元件之一，而訊號走線SL可以用來傳輸時脈信號或控制信號，但不以此為限。應理解的是，雖然圖1僅示出一個第二主動元件T2和一條訊號走線SL，但顯示面板10的周邊區PA內的第二主動元件T2和訊號走線SL可以是複數個。在本實施例中，第二主動元件T2與第一主動元件T1可在製程中同時形成。因此，相似於第一主動元件T1，第二主動元件T2可包括第二閘極GE2、第二半導體圖案SC2、第二源極SE2和第二汲極DE2，且這些構件的配置關係可參見前述針對第一主動元件T1的詳細說明，於此便不再贅述。
舉例來說，在本實施例中，第一閘極GE1、第二閘極GE2與訊號走線SL形成在第一金屬層，第一源極SE1、第一汲極DE1、第二源極SE2與第二汲極DE2形成在第二金屬層，而畫素電極PE形成在第三金屬層。其中，第一金屬層與第二金屬層之間設有閘絕緣層110，第二金屬層與第三金屬層之間設有鈍化層120與披覆層140。
為了實現訊號走線SL與第二主動元件T2的電性連接關係，顯示面板10的周邊區PA內還設有導電圖案CP。導電圖案CP可選擇性地設置在鈍化層120背離基板100的第二表面SF2上，並且電性連接第二主動元件T2與訊號走線SL。導電圖案CP與畫素電極PE為同一膜層(例如第三金屬層)。舉例來說，在本實施例中，導電圖案CP的一端部可經由鈍化層120的開口OP2電性連接第二主動元件T2的第二汲極DE2，而其另一端部可經由鈍化層120的開口OP3a與閘絕緣層110的開口OP3b電性連接訊號走線SL。
應注意的是，披覆層140的第一表面SF1與導電圖案CP的第二表面SF2相對於基板100的基板表面100s分別具有第一高度H1與第二高度H2，且第二高度H2小於第一高度H1。更具體地說，在本實施例中，覆蓋顯示區DA的披覆層140並未延伸覆蓋周邊區PA內的訊號走線SL。亦即，導電圖案CP與鈍化層120間未設有披覆層140。或者是說，披覆層140沿著基板表面100s的法線方向不重疊於導電圖案CP。因此，形成在同一膜層的導電圖案CP與畫素電極PE的設置位置相較於基板100的基板表面100s具有高度差(或段差)。
以下將針對顯示面板10的製造方法進行示例性地說明。
請參照圖2A，首先，在基板100上形成前述的第一主動元件T1、第二主動元件T2和訊號走線SL。其中，主動元件的閘極與半導體圖案間形成有閘絕緣層110M，而主動元件上覆蓋有鈍化層120M。接著，於鈍化層120M上形成披覆材料層140M，並且利用半色調光罩HTM對披覆材料層140M進行微影製程，如圖2B所示。
在本實施例中，半色調光罩HTM可具有第一透光區TA1、第二透光區TA2和第三透光區TA3。第一透光區TA1重疊於第一主動元件T1的第一汲極DE1。第二透光區TA2重疊於訊號走線SL和第二主動元件T2的第二汲極DE2。第三透光區TA3相鄰設置在第二透光區TA2的兩側。此處所述的重疊關係是指兩構件沿著基板表面100s的法線方向相互重疊，以下若未特別提及，則兩構件的重疊關係都是以相同的方式來界定，便不再贅述。
特別說明的是，半色調光罩HTM的第三透光區TA3的光穿透率小於第一透光區TA1和第二透光區TA2各自的光穿透率，且第一透光區TA1的光穿透率與第二透光區TA2的光穿透率可選擇性地相同。在本實施例中，披覆材料層140M例如是正型光阻。因此，在微影製程後，披覆層140”重疊於半色調光罩HTM的透光區的膜厚會隨著製程中的曝光量越大而越小。
如圖2B及圖2C所示，在披覆材料層140M的微影製程後，披覆層140”在重疊于第一透光區TA1和第二透光區TA2的部分被完全移除而形成顯露出鈍化層120M的開口OP1a、開口140op1及開口140op2。特別注意的是，披覆層140”在重疊于第三透光區TA3的部分僅被部分移除，而披覆層140”在不重疊於半色調光罩HTM的透光區的部分則被保留下來。
更具體地說，披覆層140”在重疊於第一主動元件T1且定義開口OP1a的部分以及重疊於訊號走線SL且定義開口140op1與開口140op2的另一部分分別具有背離基板100的第一表面SF1與第二表面SF2”，且位在周邊區PA內的第二表面SF2”低於位在顯示區DA內的第一表面SF1。亦即，披覆層140”在顯示區DA與周邊區PA的兩部分具有段差。例如：第一表面SF1與第二表面SF2”相對於基板表面100s分別具有第一高度H1與第二高度H2”，且第二高度H2”小於第一高度H1。
請參照圖2D，在披覆層140”完成後，利用披覆層140”對鈍化層120M進行蝕刻製程以形成顯露出第一主動元件T1的部分第一汲極DE1的開口OP1b(即第一開口)、顯露出第二主動元件T2的部分第二汲極DE2的開口OP2(即第二開口)以及開口OP3a(即第三開口)。
特別說明的是，在微影製程後，披覆層140”在周邊區PA內的保留部分，除了能作為鈍化層120M在蝕刻製程中的硬光罩(hard mask)外，還能避免鈍化層120M在周邊區PA內的部分被過度蝕刻而大面積地顯露出其下方覆蓋的電極(例如主動元件的汲極)並使其氧化腐蝕的風險增加。換句話說，除了可減少製程所需的光罩數量並降低生產成本外，還可提升生產良率。
在本實施例中，訊號走線SL與主動元件的閘極可形成在同一膜層，且訊號走線SL與鈍化層120之間還設有閘絕緣層110。因此，在鈍化層120M的蝕刻完成後，還會伴隨著對閘絕緣層110M的蝕刻以形成重疊於鈍化層120的開口OP3a且顯露出部分訊號走線SL的開口OP3b。然而，本發明不限於此。在其他未繪示的實施例中，訊號走線也可與主動元件的源極與汲極形成在同一膜層，因此在鈍化層的蝕刻完成後，其開口即可顯露出訊號走線。
請參照圖2E，顯示面板10的製造方法還可選擇性地包括：在鈍化層120M的蝕刻製程完成後，對披覆層140”進行灰化(Ashing)處理以移除披覆層140”定義出鈍化層120的開口OP2與開口OP3a的部分。更具體地說，披覆層140”在灰化處理後所形成的披覆層140顯露出鈍化層120定義開口OP2和開口OP3a的部分，如圖2F所示。
接著，進行畫素電極PE和導電圖案CP的形成步驟，如圖2F及圖1所示。其中，畫素電極PE設置在披覆層140的第一表面SF1上，並經由披覆層140的開口OP1a與鈍化層120的開口OP1b電性連接第一主動元件T1的第一汲極DE1。導電圖案CP設置在鈍化層120的表面120s，並經由鈍化層120的開口OP3a與閘絕緣層110的開口OP3b電性連接訊號走線SL。特別一提的是，鈍化層120在前述蝕刻製程後留存在周邊區PA內的部分還能增加導電圖案CP或其他周邊線路的設計彈性。
至此，便完成圖1的顯示面板10的製作。
基於上述製造方法，顯示面板10包括基板100、多個畫素結構PX、第二主動元件T2、訊號走線SL、導電圖案CP、鈍化層120以及披覆層140。這些畫素結構PX設置在基板100的顯示區DA內，且各自具有彼此電性連接的第一主動元件T1和畫素電極PE。第二主動元件T2、訊號走線SL及導電圖案CP設置在基板100的周邊區PA內。導電圖案CP電性連接第二主動元件T2與訊號走線SL。鈍化層120覆蓋多個畫素結構PX的多個第一主動元件T1。披覆層140覆蓋鈍化層120。畫素電極PE設置在披覆層140背離基板100的第一表面SF1，且經由披覆層140與鈍化層120的開口電性連接第一主動元件T1。導電圖案CP設置在鈍化層120上且具有背離基板100的第二表面SF2。第一表面SF1與第二表面SF2相對於基板表面100s分別具有第一高度H1與第二高度H2，且第二高度H2小於第一高度H1。
舉例來說，顯示面板10還可包括另一基板(未繪示)和顯示介質層(未繪示)，其中顯示介質層設置在基板100與所述另一基板之間。在本實施例中，所述顯示介質層例如是液晶層，而畫素電極PE例如是選用銀金屬製作而成的反射式電極。亦即，本實施例的顯示面板10可以是反射式液晶顯示面板，但不限於此。
以下將列舉另一些實施例以詳細說明本公開，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。
圖3是依照本發明的第二實施例的顯示面板的剖視示意圖。請參照圖3，本實施例的顯示面板10A與圖1的顯示面板10的差異僅在於：披覆層的配置方式不同。舉例來說，在本實施例中，顯示面板10A的製造方法並不包括圖2E示出的灰化處理。因此，披覆層140A在製程中用來定義鈍化層120的開口OP2與開口OP3a的部分並未被移除。換句話說，本實施例的導電圖案CP-A是設置在披覆層140A背離基板100的第三表面SF3上。
特別注意的是，披覆層140A在周邊區PA內且重疊於導電圖案CP-A的第三表面SF3以及在顯示區DA內且重疊於第一主動元件T1的第一表面SF1相對於基板表面100s分別具有第三高度H3與第一高度H1，且第三高度H3小於第一高度H1。亦即，披覆層140A在顯示區DA內且定義第一表面SF1的部分與披覆層140A在周邊區PA內且定義第三表面SF3的另一部分具有段差。舉例來說，第一高度H1與第三高度H3的差值可大於1.4微米。
圖4是依照本發明的第三實施例的顯示面板的剖視示意圖。圖5是圖4的顯示面板的部分製程的剖視示意圖。請參照圖4，本實施例的顯示面板10B與圖3的顯示面板10A的差異在於：披覆層在重疊於導電圖案的部分構型不同。具體而言，顯示面板10B的披覆層140B具有重疊於第二主動元件T2的第二汲極DE2的第四表面SF4以及重疊於訊號走線SL的第五表面SF5，且導電圖案CP-B設置在披覆層140B的第四表面SF4與第五表面SF5上。特別注意的是，第四表面SF4與第五表面SF5相對於基板表面100s分別具有第四高度H4與第五高度H5，其中第四高度H4小於第一高度H1且大於第五高度H5。
由於訊號走線SL與第二汲極DE2分別形成在具有高度差的第一金屬層與第二金屬層，上述第四表面SF4與第五表面SF5的高度差能讓披覆層140B與鈍化層120中顯露出部分第二汲極DE2的開口深度大致上等於披覆層140B、鈍化層120與閘絕緣層110中顯露出部分訊號走線SL的開口深度，有助於提升製程良率。
請參照圖5，為了讓本實施例的披覆層140B具有三種不同高度的表面，在披覆材料層140M的微影製程中所使用的半色調光罩HTM-A相較於圖2B的半色調光罩HTM還具有第四透光區TA4。在本實施例中，第四透光區TA4相鄰於與第二主動元件T2的第二汲極DE2相重疊的第二透光區TA2兩側，且第四透光區TA4的光穿透率小於第三透光區TA3的光穿透率。
在本實施例中，披覆材料層140M例如是正型光阻。因此，在微影製程後，披覆層重疊於半色調光罩HTM-A的透光區的膜厚會隨著製程中的曝光量越大而越小。由於第四透光區TA4的光穿透率較第三透光區TA3的光穿透率低，披覆層140B重疊於第二汲極DE2的部分膜厚會大於披覆層140B重疊於訊號走線SL的部分膜厚。
由於顯示面板10B的其他製程步驟相似於圖1的顯示面板10，詳細的說明請參見前述實施例的相關段落，於此不再贅述。
圖6是依照本發明的第四實施例的顯示面板的剖視示意圖。圖7A及圖7B是圖6的顯示面板的部分製程的剖視示意圖。請參照圖6，本實施例的顯示面板10C與圖3的顯示面板10A的差異在於：披覆層的組成不同。具體而言，在本實施例中，披覆層140C包括第一光阻層141與第二光阻層142，且第一光阻層141位在第二光阻層142與第一主動元件T1之間。特別注意的是，在本實施例中，導電圖案CP-A重疊於第一光阻層141，但不重疊於第二光阻層142。
請參照圖7A，在本實施例中，披覆材料層的微影製程中，所使用的半色調光罩HTM同樣是圖2B的半色調光罩HTM，詳細說明請參見前述實施例的相關段落，於此便不再贅述。不同之處在於本實施例的披覆材料層的形成步驟可包括：在鈍化層120M上依序形成感光度不同的第一光阻層141M與第二光阻層142M。亦即，披覆材料層為感光度不同的第一光阻層141M與第二光阻層142M的堆疊結構。
舉例來說，在本實施例中，第二光阻層142M的感光度高於第一光阻層141M的感光度。因此，在微影製程後，第二光阻層142M重疊於半色調光罩HTM的透光區的部分(即重疊訊號走線SL和第二主動元件T2的第二汲極DE2的部分)可完全被移除並且保留下第一光阻層141M不重疊於第一透光區TA1和第二透光區TA2的部分，如圖7B所示。
值得一提的是，在微影製程完成後，第一光阻層141重疊于第三透光區TA3的部分表面141s會被第二光阻層142顯露出，且可具有較好的表面均勻性，使後續製程的穩定度獲得提升。由於顯示面板10C的其他製程步驟相似於圖1的顯示面板10，詳細的說明請參見前述實施例的相關段落，於此不再贅述。
綜上所述，在本發明的一實施例的顯示面板的製造方法中，多個主動元件和訊號走線上形成有披覆材料層，且利用半色調光罩對披覆材料層進行微影製程所形成的披覆層在周邊區內仍有部分被保留並且與顯示區內的部分具有段差。披覆層在周邊區內的部分除了能作為鈍化層在蝕刻製程中的硬光罩外，還能避免鈍化層在周邊區內的部分被過度蝕刻而暴露出其下方的電極(例如主動元件的汲極)並使其氧化腐蝕的風險增加。此外，留存在周邊區內的部分鈍化層還能增加周邊線路的設計裕度。
最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的範圍。
10、10A、10B、10C:顯示面板
100:基板
100s:基板表面
110、110M:閘絕緣層
120、120M:鈍化層
120s、141s:表面
140、140”、140A、140B、140C:披覆層
140M:披覆材料層
141、141M:第一光阻層
142、142M:第二光阻層
CP、CP-A、CP-B:導電圖案
DA:顯示區
DE1:第一汲極
DE2:第二汲極
GE1:第一閘極
GE2:第二閘極
H1:第一高度
H2、H2”:第二高度
H3:第三高度
H4:第四高度
H5:第五高度
HTM、HTM-A:半色調光罩
OP1a、OP1b、OP2、OP3a、OP3b、140op1、140op2:開口
PA:周邊區
PE:畫素電極
PX:畫素結構
SC1:第一半導體圖案
SC2:第二半導體圖案
SE1:第一源極
SE2:第二源極
SF1:第一表面
SF2、SF2”:第二表面
SF3:第三表面
SF4:第四表面
SF5:第五表面
SL:訊號走線
T1:第一主動元件
T2:第二主動元件
TA1:第一透光區
TA2:第二透光區
TA3:第三透光區
TA4:第四透光區
圖1是依照本發明的第一實施例的顯示面板的剖視示意圖。
圖2A至圖2F是圖1的顯示面板的製造流程的剖視示意圖。
圖3是依照本發明的第二實施例的顯示面板的剖視示意圖。
圖4是依照本發明的第三實施例的顯示面板的剖視示意圖。
圖5是圖4的顯示面板的部分製程的剖視示意圖。
圖6是依照本發明的第四實施例的顯示面板的剖視示意圖。
圖7A及圖7B是圖6的顯示面板的部分製程的剖視示意圖。
10:顯示面板
100:基板
100s:基板表面
110:閘絕緣層
120:鈍化層
120s:表面
140:披覆層
CP:導電圖案
DA:顯示區
DE1:第一汲極
DE2:第二汲極
GE1:第一閘極
GE2:第二閘極
H1:第一高度
H2:第二高度
OP1a、OP1b、OP2、OP3a、OP3b:開口
PA:周邊區
PE:畫素電極
PX:畫素結構
SC1:第一半導體圖案
SC2:第二半導體圖案
SE1:第一源極
SE2:第二源極
SF1:第一表面
SF2:第二表面
SL:訊號走線
T1:第一主動元件
T2:第二主動元件
Claims (11)
- 一種顯示面板，包括: 基板，設有顯示區以及該顯示區以外的周邊區； 多個畫素結構，設置在該顯示區內，各該些畫素結構具有彼此電性連接的第一主動元件和畫素電極； 第二主動元件，設置在該周邊區內； 訊號走線，設置在該周邊區內； 導電圖案，設置在該周邊區內，且電性連接該第二主動元件與該訊號走線，該導電圖案與該畫素電極為同一膜層； 鈍化層，覆蓋該些畫素結構的多個該第一主動元件；以及 披覆層，覆蓋該鈍化層，其中該畫素電極設置在該披覆層背離該基板的第一表面，且經由該披覆層與該鈍化層的開口電性連接該第一主動元件，該導電圖案設置在該鈍化層上且具有背離該基板的第二表面，該第一表面與該第二表面相對於該基板的基板表面分別具有第一高度與第二高度，且該第二高度小於該第一高度。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該披覆層不重疊於該導電圖案。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該導電圖案設置在該披覆層背離該基板的第三表面，該第三表面相對於該基板的該基板表面具有第三高度，且該第三高度小於該第一高度。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該導電圖案設置在該披覆層背離該基板的第四表面與第五表面，該第四表面重疊於該第二主動元件的汲極，該第五表面重疊於該訊號走線，該第四表面與該第五表面相對於該基板的該基板表面分別具有第四高度與第五高度，該第四高度小於該第一高度且大於該第五高度。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該披覆層包括第一光阻層與第二光阻層，該第一光阻層位在該第二光阻層與該第一主動元件之間，該第二光阻層的感光度高於該第一光阻層的感光度，其中該導電圖案重疊於該第一光阻層且不重疊於該第二光阻層。
- 一種顯示面板的製造方法，包括: 在基板上形成第一主動元件、第二主動元件、訊號走線及鈍化層，該鈍化層覆蓋該第一主動元件、該第二主動元件和該訊號走線，其中該基板設有顯示區以及該顯示區以外的周邊區，該第一主動元件位在該顯示區內，該第二主動元件和該訊號走線位在該周邊區內； 於該鈍化層上形成披覆材料層； 利用半色調光罩對該披覆材料層進行微影製程以形成披覆層，該半色調光罩具有重疊於該第一主動元件的第一透光區、重疊於該訊號走線的第二透光區以及相鄰於該第二透光區兩側的第三透光區，其中該第三透光區的光穿透率小於該第一透光區和該第二透光區各自的光穿透率； 利用該披覆層對該鈍化層進行蝕刻製程以形成顯露出該第一主動元件的部分第一汲極的第一開口、顯露出該第二主動元件的部分第二汲極的第二開口以及顯露出部分該訊號走線的第三開口；以及 形成畫素電極和導電圖案，其中畫素電極經由該鈍化層的該第一開口電性連接該第一汲極，該導電圖案經由該鈍化層的該第二開口和該第三開口電性連接該第二汲極和該訊號走線。
- 如請求項6所述的顯示面板的製造方法，其中該披覆層具有背離該基板且重疊於該第一主動元件的第一表面以及背離該基板且重疊於該訊號走線的第二表面，該第一表面與該第二表面相對於該基板的基板表面分別具有第一高度與第二高度，且該第二高度小於該第一高度。
- 如請求項6所述的顯示面板的製造方法，還包括： 在該鈍化層的該蝕刻製程完成後，對該披覆層進行灰化處理以移除定義出該鈍化層的該第二開口與該第三開口的部分該披覆層。
- 如請求項6所述的顯示面板的製造方法，其中該半色調光罩還具有重疊於該第二主動元件的另一該第二透光區以及相鄰於該另一第二透光區的第四透光區，且該第四透光區的光穿透率小於該第三透光區的光穿透率。
- 如請求項6所述的顯示面板的製造方法，其中該披覆材料層的形成步驟包括：在該鈍化層上依序形成第一光阻層與第二光阻層，其中該第二光阻層的感光度高於該第一光阻層的感光度。
- 如請求項10所述的顯示面板的製造方法，其中在該披覆材料層的該微影製程完成後，重疊於該訊號走線及該第二主動元件的部分該第二光阻層被移除並顯露出該第一光阻層的部分表面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW112114479A TWI835632B (zh) | 2023-04-19 | 2023-04-19 | 顯示面板及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| TW112114479A TWI835632B (zh) | 2023-04-19 | 2023-04-19 | 顯示面板及其製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI835632B true TWI835632B (zh) | 2024-03-11 |
Family
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| TW112114479A TWI835632B (zh) | 2023-04-19 | 2023-04-19 | 顯示面板及其製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI835632B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202203453A (zh) * | 2016-03-11 | 2022-01-16 | 南韓商三星顯示器有限公司 | 顯示設備 |
| US20220359791A1 (en) * | 2021-05-10 | 2022-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
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2023
- 2023-04-19 TW TW112114479A patent/TWI835632B/zh active
Patent Citations (2)
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