JPH01302724A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01302724A JPH01302724A JP2425688A JP2425688A JPH01302724A JP H01302724 A JPH01302724 A JP H01302724A JP 2425688 A JP2425688 A JP 2425688A JP 2425688 A JP2425688 A JP 2425688A JP H01302724 A JPH01302724 A JP H01302724A
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- film
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- photoresist film
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Links
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、半導体装置の金属配線を形成する工程には、液体
状の特定化学物質若しくは有Ｒ物質などで半導体基板上
に形成した金属膜をフォトレジストを用いて、選択的に
食刻する湿式エツチングの製造方法がある。この湿式エ
ツチングの標準的な製造方法を第２図に基づき説明する
。まず、第２図（ａ）に示すように、半導体基板１１の
上にアルミニウムなどの金属膜１２を形成した後、この
金属膜１２の上にポジ型フォトレジスト膜３を塗布する
。
状の特定化学物質若しくは有Ｒ物質などで半導体基板上
に形成した金属膜をフォトレジストを用いて、選択的に
食刻する湿式エツチングの製造方法がある。この湿式エ
ツチングの標準的な製造方法を第２図に基づき説明する
。まず、第２図（ａ）に示すように、半導体基板１１の
上にアルミニウムなどの金属膜１２を形成した後、この
金属膜１２の上にポジ型フォトレジスト膜３を塗布する
。
次に、第２図（ｂ）に示すように、フォトマスク１４を
用いて前記フォトレジストＭＢに選択的に紫外光１５を
照射し、感光部１３ａと未感光部を形成する０次に、第
２図（ｃ）に示すように、現像液と呼ばれる有機系のア
ルカリ水溶液を用いて前記フォトレジスト膜１３の感光
部１３ａのみを溶解し除去する０次に、前記金属膜１２
をエツチングする際に用いる特定化学物質若しくは有Ｒ
ｍ質などのエツチング液と前記フォトレジスト膜１３と
の耐性を高めるために１００°Ｃ〜２００°Ｃ程度の熱
処理を施す。
用いて前記フォトレジストＭＢに選択的に紫外光１５を
照射し、感光部１３ａと未感光部を形成する０次に、第
２図（ｃ）に示すように、現像液と呼ばれる有機系のア
ルカリ水溶液を用いて前記フォトレジスト膜１３の感光
部１３ａのみを溶解し除去する０次に、前記金属膜１２
をエツチングする際に用いる特定化学物質若しくは有Ｒ
ｍ質などのエツチング液と前記フォトレジスト膜１３と
の耐性を高めるために１００°Ｃ〜２００°Ｃ程度の熱
処理を施す。
次に、第２図（ｄ）に示すように、前記フォトレジスト
膜１３をマスク層とし、前記エツチング液で前記金属膜
１２を選択的にエツチングし、そして第２図＜ｅ）に示
すように、前記フォトレジスト膜１３を除去して、金属
配線１２を形成していた。
膜１３をマスク層とし、前記エツチング液で前記金属膜
１２を選択的にエツチングし、そして第２図＜ｅ）に示
すように、前記フォトレジスト膜１３を除去して、金属
配線１２を形成していた。
発明が解決しようとする課題
このような従来の湿式エツチングによる製）貴方法、に
よると、金属膜１２とフォトレジスト膜１３との界面で
の密着性およびフォトレジスト膜１３のエツチング液と
の耐性が重要であり、かつ湿式エツチング特有の等方エ
ツチング性があるため、第３図（ａ）に示すように、横
方向へのエンチングが進み、このことが集積回路のパタ
ーン微細化の障害になっていた。
よると、金属膜１２とフォトレジスト膜１３との界面で
の密着性およびフォトレジスト膜１３のエツチング液と
の耐性が重要であり、かつ湿式エツチング特有の等方エ
ツチング性があるため、第３図（ａ）に示すように、横
方向へのエンチングが進み、このことが集積回路のパタ
ーン微細化の障害になっていた。
そこで、本発明は、この問題を解決するために、新規の
材料をも必要とせず、比較的簡単でまた工程削減も実現
することのできる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
材料をも必要とせず、比較的簡単でまた工程削減も実現
することのできる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明の半導体装置の製造
方法は、半導体基板上に形成された金属膜の表面にフォ
トレジスト膜を形成する工程と、このフォトレジスト膜
を選択的に露光する工程と、このフォトレジスト膜の、
露光部をアルカリ水？８ ？＆で現像するとともにこの
露光部に対応する金属膜を同じアルカリ水溶液で食刻す
る工程と、残部フォトレジスト膜を除去する工程とから
なる方法である。
方法は、半導体基板上に形成された金属膜の表面にフォ
トレジスト膜を形成する工程と、このフォトレジスト膜
を選択的に露光する工程と、このフォトレジスト膜の、
露光部をアルカリ水？８ ？＆で現像するとともにこの
露光部に対応する金属膜を同じアルカリ水溶液で食刻す
る工程と、残部フォトレジスト膜を除去する工程とから
なる方法である。
作用
上記の製造方法によると、フォトレジスト膜の露光部を
アルカリ水溶液で現像するとともに同じアルカリ水溶液
で金属膜の食刻を行うため、フォトレジスト膜のエツチ
ング液との耐性およびフォトレジスト膜と金属１１ｆｉ
との界面での密着性などの考慮を払う必要性が極めて少
なくなるとともに、金属膜の横方向へのエツチング量ら
減少する。
アルカリ水溶液で現像するとともに同じアルカリ水溶液
で金属膜の食刻を行うため、フォトレジスト膜のエツチ
ング液との耐性およびフォトレジスト膜と金属１１ｆｉ
との界面での密着性などの考慮を払う必要性が極めて少
なくなるとともに、金属膜の横方向へのエツチング量ら
減少する。
実施例
以下、本発明の一実施例について説明する。なお、本実
施例においては、半導体基板上に形成される金属膜とし
て、アルミニウム／シリコン（１％含有）を使用したと
きの製造方法を説明し、露光工程までは従来例で説明し
たのと同じ工程である。
施例においては、半導体基板上に形成される金属膜とし
て、アルミニウム／シリコン（１％含有）を使用したと
きの製造方法を説明し、露光工程までは従来例で説明し
たのと同じ工程である。
すなわち、まず第１図（ａ）に示すように、半導体基板
１の上にアルミニウム／シリコン（１％含有）の金属膜
２を形成する。次に、この金属膜２の上にノボラック系
ポジ型フォトレジスト膜３を塗布した後、第１図（ｂ）
に示すように、フォトマスク４を用いて前記ゲ第１・レ
ジスト膜３に選択的に紫外光５を照射して感光部３ａと
未怒光部を形成する。次に第１図（ｃ）に示すように、
現＠液であるテトラメチールアンモニウム水／８液（４
度２．３８％）（アルカリ水溶液）を用いて前記フォト
レジスト膜３の感光部３ａのみを溶解する。
１の上にアルミニウム／シリコン（１％含有）の金属膜
２を形成する。次に、この金属膜２の上にノボラック系
ポジ型フォトレジスト膜３を塗布した後、第１図（ｂ）
に示すように、フォトマスク４を用いて前記ゲ第１・レ
ジスト膜３に選択的に紫外光５を照射して感光部３ａと
未怒光部を形成する。次に第１図（ｃ）に示すように、
現＠液であるテトラメチールアンモニウム水／８液（４
度２．３８％）（アルカリ水溶液）を用いて前記フォト
レジスト膜３の感光部３ａのみを溶解する。
この時、約６０秒程度で前記フォトレジスト１１５！３
の現像は完了するが、継続して前記現像液中で維持し、
フォトレジスト［３の開口部に対応する金属膜２を食刻
する０次に、第１図（ｄ）に示すように、フォトレジス
トＷＡ３を除去すれば、半導体基板１の上にアルミニウ
ム／シリコン（１％含有）の金属配線２が形成される。
の現像は完了するが、継続して前記現像液中で維持し、
フォトレジスト［３の開口部に対応する金属膜２を食刻
する０次に、第１図（ｄ）に示すように、フォトレジス
トＷＡ３を除去すれば、半導体基板１の上にアルミニウ
ム／シリコン（１％含有）の金属配線２が形成される。
この工程における金属ｖ４２の横方向へのエツチング量
は、第３図（ｂ）に示すように、わずかとなる。
は、第３図（ｂ）に示すように、わずかとなる。
ところで、前記テトラメチールアンモニウム水７Ｂ液（
濃度２．３８％）を用いる場合、前記金属膜と前記未感
光部フォトレジスト膜とのエツチング選択比は約３対１
であり、前記金属膜のエツチングレートおよびフォトレ
ジスト膜未感光部の膜べり量は、前記水溶液（現＠液）
の濃度によって変化するものであり、またエツチングマ
スク層となるフォトレジスト膜としては現像液に対する
未露光部膜べり量が少ないフォトレジスト膜を選択する
必要がある。
濃度２．３８％）を用いる場合、前記金属膜と前記未感
光部フォトレジスト膜とのエツチング選択比は約３対１
であり、前記金属膜のエツチングレートおよびフォトレ
ジスト膜未感光部の膜べり量は、前記水溶液（現＠液）
の濃度によって変化するものであり、またエツチングマ
スク層となるフォトレジスト膜としては現像液に対する
未露光部膜べり量が少ないフォトレジスト膜を選択する
必要がある。
また、本実施例においては、金属膜としてＡＱ／５ｉ（
１％含有）を使用したが、たとえば純ＡＱ膜、ＡＪ２／
Ｓｉｆ数％含有）／Ｃｕ（数％含有）なども使用するこ
とができる。
１％含有）を使用したが、たとえば純ＡＱ膜、ＡＪ２／
Ｓｉｆ数％含有）／Ｃｕ（数％含有）なども使用するこ
とができる。
発明の効果
上記本発明の製造方法によると、フォトレジスト膜の現
＠液であるアルカリ水溶液でそのまま金属膜の食刻を行
うようにしたので、残った金属膜すなわち金属配線の横
方向へのエツチング量ら減少するとともに、製造工程の
削減すなわち製造コストの低減および生産性の向上を図
ることができる。
＠液であるアルカリ水溶液でそのまま金属膜の食刻を行
うようにしたので、残った金属膜すなわち金属配線の横
方向へのエツチング量ら減少するとともに、製造工程の
削減すなわち製造コストの低減および生産性の向上を図
ることができる。
第１図（ａ）〜（ｂ）は本発明の一実施例における半導
体装置の製造工程を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）
は従来例における半導体装置の製造工程を示す断面図、
第３図（ａ）および（ｂ）は従来例と本発明に係る場合
の金属膜のエツチング状態を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・金属膜、３・・フォ１〜
レジスト、３ａ・・−感光部、４・・・フォ）・マスク
、５・・・紫外光。 代理人 森 本 義 弘第ｆ図 第２図 第２図 手続補正書（方式） 平成 Ｍｌ 年 ７月 ２４日
体装置の製造工程を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）
は従来例における半導体装置の製造工程を示す断面図、
第３図（ａ）および（ｂ）は従来例と本発明に係る場合
の金属膜のエツチング状態を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・金属膜、３・・フォ１〜
レジスト、３ａ・・−感光部、４・・・フォ）・マスク
、５・・・紫外光。 代理人 森 本 義 弘第ｆ図 第２図 第２図 手続補正書（方式） 平成 Ｍｌ 年 ７月 ２４日
Claims (1)
- １、半導体基板上に形成された金属膜の表面にフォトレ
ジスト膜を形成する工程と、このフォトレジスト膜を選
択的に露光する工程と、このフォトレジスト膜の露光部
をアルカリ水溶液で現像するとともにこの露光部に対応
する金属膜を同じアルカリ水溶液で食刻する工程と、残
部フォトレジスト膜を除去する工程とからなる半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2425688A JPH01302724A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2425688A JPH01302724A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302724A true JPH01302724A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=12133163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2425688A Pending JPH01302724A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302724A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298202A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
| JPH10261636A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Asahi Kasei Micro Syst Kk | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP2425688A patent/JPH01302724A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298202A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
| JPH10261636A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Asahi Kasei Micro Syst Kk | 半導体装置の製造方法 |
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