JPH01302724A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01302724A JPH01302724A JP2425688A JP2425688A JPH01302724A JP H01302724 A JPH01302724 A JP H01302724A JP 2425688 A JP2425688 A JP 2425688A JP 2425688 A JP2425688 A JP 2425688A JP H01302724 A JPH01302724 A JP H01302724A
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Links
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、半導体装置の金属配線を形成する工程には、液体
状の特定化学物質若しくは有R物質などで半導体基板上
に形成した金属膜をフォトレジストを用いて、選択的に
食刻する湿式エツチングの製造方法がある。この湿式エ
ツチングの標準的な製造方法を第2図に基づき説明する
。まず、第2図(a)に示すように、半導体基板11の
上にアルミニウムなどの金属膜12を形成した後、この
金属膜12の上にポジ型フォトレジスト膜3を塗布する
。
状の特定化学物質若しくは有R物質などで半導体基板上
に形成した金属膜をフォトレジストを用いて、選択的に
食刻する湿式エツチングの製造方法がある。この湿式エ
ツチングの標準的な製造方法を第2図に基づき説明する
。まず、第2図(a)に示すように、半導体基板11の
上にアルミニウムなどの金属膜12を形成した後、この
金属膜12の上にポジ型フォトレジスト膜3を塗布する
。
次に、第2図(b)に示すように、フォトマスク14を
用いて前記フォトレジストMBに選択的に紫外光15を
照射し、感光部13aと未感光部を形成する0次に、第
2図(c)に示すように、現像液と呼ばれる有機系のア
ルカリ水溶液を用いて前記フォトレジスト膜13の感光
部13aのみを溶解し除去する0次に、前記金属膜12
をエツチングする際に用いる特定化学物質若しくは有R
m質などのエツチング液と前記フォトレジスト膜13と
の耐性を高めるために100°C〜200°C程度の熱
処理を施す。
用いて前記フォトレジストMBに選択的に紫外光15を
照射し、感光部13aと未感光部を形成する0次に、第
2図(c)に示すように、現像液と呼ばれる有機系のア
ルカリ水溶液を用いて前記フォトレジスト膜13の感光
部13aのみを溶解し除去する0次に、前記金属膜12
をエツチングする際に用いる特定化学物質若しくは有R
m質などのエツチング液と前記フォトレジスト膜13と
の耐性を高めるために100°C〜200°C程度の熱
処理を施す。
次に、第2図(d)に示すように、前記フォトレジスト
膜13をマスク層とし、前記エツチング液で前記金属膜
12を選択的にエツチングし、そして第2図<e)に示
すように、前記フォトレジスト膜13を除去して、金属
配線12を形成していた。
膜13をマスク層とし、前記エツチング液で前記金属膜
12を選択的にエツチングし、そして第2図<e)に示
すように、前記フォトレジスト膜13を除去して、金属
配線12を形成していた。
発明が解決しようとする課題
このような従来の湿式エツチングによる製)貴方法、に
よると、金属膜12とフォトレジスト膜13との界面で
の密着性およびフォトレジスト膜13のエツチング液と
の耐性が重要であり、かつ湿式エツチング特有の等方エ
ツチング性があるため、第3図(a)に示すように、横
方向へのエンチングが進み、このことが集積回路のパタ
ーン微細化の障害になっていた。
よると、金属膜12とフォトレジスト膜13との界面で
の密着性およびフォトレジスト膜13のエツチング液と
の耐性が重要であり、かつ湿式エツチング特有の等方エ
ツチング性があるため、第3図(a)に示すように、横
方向へのエンチングが進み、このことが集積回路のパタ
ーン微細化の障害になっていた。
そこで、本発明は、この問題を解決するために、新規の
材料をも必要とせず、比較的簡単でまた工程削減も実現
することのできる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
材料をも必要とせず、比較的簡単でまた工程削減も実現
することのできる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明の半導体装置の製造
方法は、半導体基板上に形成された金属膜の表面にフォ
トレジスト膜を形成する工程と、このフォトレジスト膜
を選択的に露光する工程と、このフォトレジスト膜の、
露光部をアルカリ水?8 ?&で現像するとともにこの
露光部に対応する金属膜を同じアルカリ水溶液で食刻す
る工程と、残部フォトレジスト膜を除去する工程とから
なる方法である。
方法は、半導体基板上に形成された金属膜の表面にフォ
トレジスト膜を形成する工程と、このフォトレジスト膜
を選択的に露光する工程と、このフォトレジスト膜の、
露光部をアルカリ水?8 ?&で現像するとともにこの
露光部に対応する金属膜を同じアルカリ水溶液で食刻す
る工程と、残部フォトレジスト膜を除去する工程とから
なる方法である。
作用
上記の製造方法によると、フォトレジスト膜の露光部を
アルカリ水溶液で現像するとともに同じアルカリ水溶液
で金属膜の食刻を行うため、フォトレジスト膜のエツチ
ング液との耐性およびフォトレジスト膜と金属11fi
との界面での密着性などの考慮を払う必要性が極めて少
なくなるとともに、金属膜の横方向へのエツチング量ら
減少する。
アルカリ水溶液で現像するとともに同じアルカリ水溶液
で金属膜の食刻を行うため、フォトレジスト膜のエツチ
ング液との耐性およびフォトレジスト膜と金属11fi
との界面での密着性などの考慮を払う必要性が極めて少
なくなるとともに、金属膜の横方向へのエツチング量ら
減少する。
実施例
以下、本発明の一実施例について説明する。なお、本実
施例においては、半導体基板上に形成される金属膜とし
て、アルミニウム/シリコン(1%含有)を使用したと
きの製造方法を説明し、露光工程までは従来例で説明し
たのと同じ工程である。
施例においては、半導体基板上に形成される金属膜とし
て、アルミニウム/シリコン(1%含有)を使用したと
きの製造方法を説明し、露光工程までは従来例で説明し
たのと同じ工程である。
すなわち、まず第1図(a)に示すように、半導体基板
1の上にアルミニウム/シリコン(1%含有)の金属膜
2を形成する。次に、この金属膜2の上にノボラック系
ポジ型フォトレジスト膜3を塗布した後、第1図(b)
に示すように、フォトマスク4を用いて前記ゲ第1・レ
ジスト膜3に選択的に紫外光5を照射して感光部3aと
未怒光部を形成する。次に第1図(c)に示すように、
現@液であるテトラメチールアンモニウム水/8液(4
度2.38%)(アルカリ水溶液)を用いて前記フォト
レジスト膜3の感光部3aのみを溶解する。
1の上にアルミニウム/シリコン(1%含有)の金属膜
2を形成する。次に、この金属膜2の上にノボラック系
ポジ型フォトレジスト膜3を塗布した後、第1図(b)
に示すように、フォトマスク4を用いて前記ゲ第1・レ
ジスト膜3に選択的に紫外光5を照射して感光部3aと
未怒光部を形成する。次に第1図(c)に示すように、
現@液であるテトラメチールアンモニウム水/8液(4
度2.38%)(アルカリ水溶液)を用いて前記フォト
レジスト膜3の感光部3aのみを溶解する。
この時、約60秒程度で前記フォトレジスト115!3
の現像は完了するが、継続して前記現像液中で維持し、
フォトレジスト[3の開口部に対応する金属膜2を食刻
する0次に、第1図(d)に示すように、フォトレジス
トWA3を除去すれば、半導体基板1の上にアルミニウ
ム/シリコン(1%含有)の金属配線2が形成される。
の現像は完了するが、継続して前記現像液中で維持し、
フォトレジスト[3の開口部に対応する金属膜2を食刻
する0次に、第1図(d)に示すように、フォトレジス
トWA3を除去すれば、半導体基板1の上にアルミニウ
ム/シリコン(1%含有)の金属配線2が形成される。
この工程における金属v42の横方向へのエツチング量
は、第3図(b)に示すように、わずかとなる。
は、第3図(b)に示すように、わずかとなる。
ところで、前記テトラメチールアンモニウム水7B液(
濃度2.38%)を用いる場合、前記金属膜と前記未感
光部フォトレジスト膜とのエツチング選択比は約3対1
であり、前記金属膜のエツチングレートおよびフォトレ
ジスト膜未感光部の膜べり量は、前記水溶液(現@液)
の濃度によって変化するものであり、またエツチングマ
スク層となるフォトレジスト膜としては現像液に対する
未露光部膜べり量が少ないフォトレジスト膜を選択する
必要がある。
濃度2.38%)を用いる場合、前記金属膜と前記未感
光部フォトレジスト膜とのエツチング選択比は約3対1
であり、前記金属膜のエツチングレートおよびフォトレ
ジスト膜未感光部の膜べり量は、前記水溶液(現@液)
の濃度によって変化するものであり、またエツチングマ
スク層となるフォトレジスト膜としては現像液に対する
未露光部膜べり量が少ないフォトレジスト膜を選択する
必要がある。
また、本実施例においては、金属膜としてAQ/5i(
1%含有)を使用したが、たとえば純AQ膜、AJ2/
Sif数%含有)/Cu(数%含有)なども使用するこ
とができる。
1%含有)を使用したが、たとえば純AQ膜、AJ2/
Sif数%含有)/Cu(数%含有)なども使用するこ
とができる。
発明の効果
上記本発明の製造方法によると、フォトレジスト膜の現
@液であるアルカリ水溶液でそのまま金属膜の食刻を行
うようにしたので、残った金属膜すなわち金属配線の横
方向へのエツチング量ら減少するとともに、製造工程の
削減すなわち製造コストの低減および生産性の向上を図
ることができる。
@液であるアルカリ水溶液でそのまま金属膜の食刻を行
うようにしたので、残った金属膜すなわち金属配線の横
方向へのエツチング量ら減少するとともに、製造工程の
削減すなわち製造コストの低減および生産性の向上を図
ることができる。
第1図(a)〜(b)は本発明の一実施例における半導
体装置の製造工程を示す断面図、第2図(a)〜(e)
は従来例における半導体装置の製造工程を示す断面図、
第3図(a)および(b)は従来例と本発明に係る場合
の金属膜のエツチング状態を示す断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・金属膜、3・・フォ1〜
レジスト、3a・・−感光部、4・・・フォ)・マスク
、5・・・紫外光。 代理人 森 本 義 弘第f図 第2図 第2図 手続補正書(方式) 平成 Ml 年 7月 24日
体装置の製造工程を示す断面図、第2図(a)〜(e)
は従来例における半導体装置の製造工程を示す断面図、
第3図(a)および(b)は従来例と本発明に係る場合
の金属膜のエツチング状態を示す断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・金属膜、3・・フォ1〜
レジスト、3a・・−感光部、4・・・フォ)・マスク
、5・・・紫外光。 代理人 森 本 義 弘第f図 第2図 第2図 手続補正書(方式) 平成 Ml 年 7月 24日
Claims (1)
- 1、半導体基板上に形成された金属膜の表面にフォトレ
ジスト膜を形成する工程と、このフォトレジスト膜を選
択的に露光する工程と、このフォトレジスト膜の露光部
をアルカリ水溶液で現像するとともにこの露光部に対応
する金属膜を同じアルカリ水溶液で食刻する工程と、残
部フォトレジスト膜を除去する工程とからなる半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2425688A JPH01302724A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2425688A JPH01302724A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01302724A true JPH01302724A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=12133163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2425688A Pending JPH01302724A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01302724A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09298202A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
JPH10261636A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Asahi Kasei Micro Syst Kk | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP2425688A patent/JPH01302724A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09298202A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
JPH10261636A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Asahi Kasei Micro Syst Kk | 半導体装置の製造方法 |
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