JPH05114556A - 集積回路の製造に適したフオトレジストパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 本発明は基板上にボンディングパッドの位置
定めをするための、集積回路の製造に有用なパターン化
フォトレジスト層の形成方法に関する。本方法では、フ
ォトレジスト薄層をパターン化及び不透明化し、これを
フォトレジスト厚層用の正角光学マスクとして用いて露
光しついで現像してフォトレジスト厚層にパターンを転
写する。次にフォトレジスト厚層に形成されたパターン
化くぼみにボンディングパッドを満し集積回路パッケー
ジ系への接続用のパッドとして役立てる。 【効果】 本発明によれば、初期露光時間及び／又は薄
層への強度を低減することが可能でかつ厚層でのパター
ンの正確性を大幅に高めるものである。またマスクの破
壊等もおこらず、パンプのパッキング密度の増加が可能
となり、パンプ当りの導電性材料の量も最小ですむ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板上にボンディング
パッドの位置定めをするための、集積回路の製造に有用
なパターン化フォトレジスト層の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路（ "ＩＣ" ）パッケージはシリ
コーンチップをデバイスに接続するものであり、これら
はこれらデバイスによって作動するように設計されてい
る。かかる接続を形成するのに、チップは多数の入力／
出力リードを備えなければならないことが多い。しかし
ながら、ＩＣチップをパッケージに連結するのに用いら
れるボンディング法では個々のチップ上に取り入れるこ
とができるリード数が限られている。

【０００３】リードはチップ上に精確に結合させてチッ
プの導電性部分と完全に接続させなければならない。チ
ップをパッケージに接続させる従来法としてはワイヤー
ボンディング、フリップチップ半田ボンディング及びテ
ープ自動ボンディング（ "ＴＡＢ" ）が挙げられる。

【０００４】ＴＡＢは、所定チップ上のすべてのリード
が直ちに結合する方法である。典型的なＴＡＢ法では、
銅製の「フィンガー」を繰り返し部位の連続テープの形
状に予め作成し次いでシリコンチップ上の各リードに熱
圧縮により同時に結合する。ＴＡＢによれば迅速、高リ
ード密度のパッケージが得られる。極めて大規模の集積
（ "ＶＬＳＩ" ）、すなわち、多数のリード（１００以
上）を含むチップの出現によりＴＡＢ法の利用が増加し
た。

【０００５】従来、チップは、導電性ボンディングパッ
ド、もしくは "バンプ" を、チップ上に存在するコンタ
クトパッド上に被せて配置させることによるＴＡＢ用に
製造される。これらのバンプは、ＴＡＢリードのＩＣコ
ンタクトパッドへの結合を容易にする。ボンディングパ
ッドをチップ表面上に位置づける方法は "ウェーハ・バ
ンピング" として通常知られている。

【０００６】バンプをチップ上に配置するのに各種方法
が用いられてきた。これらの方法はマスキング法の形態
をとることが多い。例えば、米国特許第３，１６５，４
３０号明細書は導電性材料を集積回路製造用基板上に配
置する方法を開示している。

【０００７】バンプの配置に、より正確性が望まれる場
合は、写真平板法を用いることが多い。米国特許第４，
００４，０４４号明細書には、フォトレジスト法を化学
的エッチングと組合せて用いるマスキング法が開示され
ている。

【０００８】従来技術のウェーハバンピング法では、最
終的なバンプの高さより浅いくぼみをフォトレジスト中
に形成することとなり、これらのくぼみを充満してあふ
れ出て、バンプは横方向へ成長し、その結果 "マッシュ
ルーム形状の" バンプとなり、このバンプはＶＬＳＩ用
途には使用できない。この変形方法は米国特許第３，７
００，４９７号明細書に開示されている。ＶＬＳＩ用途
においては、フォトレジスト内に完全にくぼませた直線
壁を形成することが望ましい。このことにより均一なバ
ンプ幾何学形が達成され、そしてチップ上に正確に配置
されたバンプの数が最大となる。その結果、コストが低
減しそして入力／出力リードカウントが減少する。

【０００９】ボンディング部材として有用であるために
は、バンプは閾値の高さを超えなければならない。これ
は５〜５０mm、好ましくは３０mmである。その結果、パ
ターンを形成するのに用いられるフォトレジスト層は少
くともその厚さでなければならない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、厚いフ
ォトレジストを用いることには多くの欠点がある。３０
mmのフォトレジスト厚層をパターン化するのに必要な露
光時間及び／又は露光強度は、フォトレジスト薄層をパ
ターン化するのに必要なものよりはるかに大きい。さら
に、フォトレジスト厚層における明確な端面及び臨界形
状サイズに関するパターンの正確性は、同様にパターン
化したフォトレジスト薄層のパターンの正確性より劣
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、一面がフォト
レジスト厚層で被覆され、その上にフォトレジスト薄層
が施されている基板から集積回路を製造するのに有用な
パターン形成方法であって、前記方法が、前記のフォト
レジスト薄層を、所定パターンの活性放射線に露光する
工程；前記の露光したフォトレジスト薄層を、現像して
前記のフォトレジスト薄層中に所定パターン又はそのネ
ガを形成する工程；前記のパターン化したフォトレジス
ト薄層を、特定波長の活性放射線を吸収するのに適した
不透明化剤で処理する工程；前記の不透明化されたパタ
ーン化フォトレジスト薄層を介して前記のフォトレジス
ト厚層を、特定波長の活性放射線に露光する工程；及び
前記のフォトレジスト厚層を現像して、前記のフォトレ
ジスト厚層中に所定パターン又はそのネガを形成する工
程；を含んでなる方法により前記課題を解決する。

【００１２】

【操作の構成及び方法】本発明は、パターン化フォトレ
ジスト層の形成方法に関し、集積回路の製造、特に、シ
リコンウェーハのような適切な基板上にボンディングパ
ッドを位置定めするのに有用である。本発明は二層フォ
トレジストを特徴とし、この二層フォトレジストにはパ
ターンを良好に規定するように深い凹みを正確に配置す
ることができる。

【００１３】本発明方法のための出発材料はシリコンウ
ェーハのような基板であり、その上にはフォトレジスト
厚層で被覆された金属パターンが形成され、その上には
さらにフォトレジスト薄層が施されている。本方法で
は、フォトレジスト薄層を所定パターンの活性放射線に
露光し次いで現像してその薄層中に所定パターンもしく
はそのネガを形成する。次に、このパターン化されたフ
ォトレジスト薄層は特定波長の放射線を吸収するように
不透明化され、そしてかかる放射線に露光するとフォト
レジスト厚層用の適合マスクとして作用する。

【００１４】フォトレジスト厚層を次に放射線に露光す
ると、不透明化されたフォトレジスト薄層によりマスキ
ングされていない地点のみにおいて、現像液に対するフ
ォトレジスト厚層の溶解性が増加するであろう。この厚
層を現像して、厚層中にくぼみの形状で所定パターンを
形成する。これらのくぼみはフォトレジスト厚層（５〜
５０mm）の深さと等しくそして均一の幾何学的くぼみ及
び優れたパターン正確性を示す。

【００１５】これらのくぼみに導電性材料のバンプを充
満させる。次に残っているフォトレジストを基板から除
去し、パターン化連続テープのようなパッケージ材に熱
圧縮又は他の手段により結合するのに適したバンプを残
す。

【００１６】図１は、フォトレジスト層で被覆された集
積回路基板がマスクを介して放射線に露光される様子の
断面図である。基板６、フォトレジスト厚層４及びフォ
トレジスト薄層２からなる積層物１は、基板６をこれら
のフォトレジスト層で逐時被覆することにより形成す
る。

【００１７】本発明方法に適切な基板としてはシリコン
及び当該技術分野において知られる化合物 III−Ｖ半導
体、例えば、ガリウムヒ化物が挙げられる。好ましい基
板はシリコンウェーハである。

【００１８】基板６は先ず第一に導電性コンタクトパッ
ド５のパターン化層で被覆される。基板６のコンタクト
パッド５でのパターン化はマスクを用いる真空蒸着又は
当該技術分野において周知の写真平板法を別に行うこと
により実施してもよい。適切な方法は、例えば、米国特
許第４，００４，０４４号明細書に開示されている。

【００１９】コンタクトパッド５はチタン−タングステ
ン合金を金で被覆した二層複合物からなってよい。クロ
ムを金で被覆したものもまた適切である。これらの場
合、チタン−タングステン合金及びクロムはコンタクト
パッド５の基板６への接着性を改良するのに用いられ
る。

【００２０】コンタクトパッド５のパターンは一般に所
定パターンと一致しなければならない。すなわち、コン
タクトパッド５の位置は図５に示したバンプ１０を形成
するために導電性材料が付着する位置と一致しなければ
ならない。図４に示したようにコンタクトパッド５はフ
ォトレジスト厚層４中のくぼみより僅かに大きくてもよ
いが、本方法により得られる製品が集積回路構成物とし
て有用でなくなるので、接触してはならない。

【００２１】フォトレジスト厚層４は任意の適切なフォ
トレジスト被覆法、例えば、スピンコーティングにより
基板上に被覆してもよい。フォトレジスト厚層４は好ま
しくは "ポジティブ作動性の" フォトレジスト（すなわ
ち、活性放射線に露光するとその溶解性が増す材料）で
ある。バンプ形成後に、露光されたネガティブ作動性フ
ォトレジスト厚層４を基板６から除去するのは困難なの
で、ネガティブ作動性フォトレジスト（すなわち、活性
放射線に露光すると溶解性が低くなるもの）はフォトレ
ジスト厚層４としては望ましくない。

【００２２】フォトレジスト厚層４として適切なポジテ
ィブ作動性フォトレジストとしては増感フェノール−ホ
ルムアルデヒド樹脂（ "ノボラック" 樹脂としても知ら
れている）、増感クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、
及び増感ポリスルホンアミド樹脂が挙げられる。フォト
レジスト厚層４として好ましいポジティブ作動性フォト
レジストは、粘度が２０℃で１００〜１０，０００セン
チポアズの範囲のノボラック基材レジスト、例えば、Ａ
Ｚ−４６２０（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｈｏｅｃｈｓｔ Ｃ
ｏｒｐ．製）である。

【００２３】フォトレジスト厚層４の厚さは、レジスト
の被覆性及び現像性、基板６上に最終的に形成すべきバ
ンプ１０のサイズ要件並びにバンプの所望パッキング密
度（バンプの数／単位面積）に大きく左右される。層４
の適切な厚さは５〜５０mm、好ましくは３０mmの範囲内
である。

【００２４】フォトレジスト薄層２は厚層４上に被せて
スピンコーティングされる。薄層２はポジティブ作動性
フォトレジストであっても又はネガティブ作動性フォト
レジストであってもよい。適切なポジティブ作動性フォ
トレジストとしては増感フェノール−ホルムアルデヒド
樹脂、増感クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂及び増感
ポリスルホンアミド樹脂が挙げられる。薄層２として好
ましいポジティブ作動性フォトレジストは、粘度が２０
℃で１〜５０センチポアズの範囲のノボラック−基材樹
脂である。

【００２５】本発明の好ましい実施態様において、フォ
トレジスト薄層２はネガティブ作動性フォトレジストで
ある。図１〜６はこの実施態様に向けられている。図１
の積層物１に示したように、ネガティブ作動性フォトレ
ジスト薄層２及びポジティブ作動性フォトレジスト厚層
４を組み合せたので、その結果不透明化剤の受容につい
ては異なる性向を有するフォトレジストが得られる。こ
のために、フォトレジスト薄層２には容易に受容される
がフォトレジスト厚層４には受容されない不透明化剤を
種々選択して使用することが可能となる。

【００２６】好ましいネガティブ作動性フォトレジスト
は、米国特許第４，８０８，５１０号、同第４，３５
５，０８７号及び同第４，３１５，９７８号各明細書
（引用することにより本明細書に包含する）に開示され
ているような、下塗りレジスト層との混合が最少となる
ようなレジストである。

【００２７】フォトレジスト薄層２は、いったん不透明
化された際には、次の露光からフォトレジスト厚層４を
マスキングするのに十分な厚さでなければならない。フ
ォトレジスト薄層２の適切な厚さは０．２〜２．０mm、
好ましくは１．０mmの範囲である。

【００２８】図２は、現像後の図１の物品の断面図であ
る。積層物１は、フォトレジスト薄層２が感度を有する
波長の放射線ＲにマスクＭを介して露光される。好まし
くは、図１の露光は慣用のプロジェクションプリンティ
ングにより行われる…すなわち、積層物１と接触しない
マスクを介して行う露光である。薄層２は、電子線、イ
オン線、ｘ線、強度の紫外線、紫外線又は可視線をはじ
めとする各種の光源を用いて露光してもよい。３００〜
５００nmの波長の放射線が好ましく、３６５〜４３６nm
が最も好ましい。

【００２９】図２に示したように、積層物１は、露光
後、フォトレジスト薄層２の未露光部分を除去するため
に現像液に浸漬することにより現像してマスクＭの所定
パターンのネガを形成する。好ましい現像液としては水
基材又はアルコール基材現像液が挙げられる。図２の積
層物は、基板６、フォトレジスト厚層４及びパターン化
されたフォトレジスト薄層２からなる。

【００３０】次に、図２中のフォトレジスト薄層２の残
留部を不透明化剤で処理して、図３に示すように、層２
のこの残留部を正角（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）光学マスク
３に変換する。不透明化は溶液インビビシヨン、蒸気イ
ンビビシヨン又は選択付着のような方法により行うこと
ができる。不透明化剤は、次に積層物を露光するのに用
いる放射線を吸収しなければならない。適切な不透明化
剤としては色素、顔料及び原子番号が２５より大きい元
素、例えば、鉛を含有する化合物が挙げられる。好まし
いものはＵＶ、近ＵＶ及び米国特許第４，８７６，１６
７号明細書に開示されているもののような可視光線吸収
色素である。

【００３１】図３は、不透明化後、図２の現像された物
品の断面図である。図３は、基板６、フォトレジスト厚
層４及び正角光学マスク３からなる積層物を示してい
る。図３の積層物は、ポジティブ作動性フォトレジスト
厚層４を活性化し同時に正角光学マスク３により吸収さ
れる活性放射線に露光する。厚層４は電子線、イオン
線、ｘ線、強力な紫外線、紫外線又は可視線を用いて露
光してもよい。放射線は、図１のフォトレジスト薄層２
を露光するのに用いたものと同じ波長であってもよい
し、又異っていてもよい。好ましいのは３００〜５００
nmの波長の放射線である。３６５〜４３６nmの波長が最
も好ましい。

【００３２】次に、図３の積層物を現像して、フォトレ
ジスト厚層４の露光された、マスキングされていないフ
ォトレジストを除去する。かかる除去はフォトレジスト
を適切な現像液に溶解することにより達成することがで
きる。適切な現像液としては既知の、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシドを含有するアルカリ性ポジティブ
フォトレジスト現像液が挙げられる。このように現像す
ると図４の積層物が得られ、この図は第二露光及び現像
後の図３の物品の断面図である。この物品は、基板６、
パターン化フォトレジスト厚層４及び正角マスク３から
なる。

【００３３】図５及び図６は、集積回路の製造における
ウェーハバンプ形成のために図４の積層物を用いること
を示すものである。図５は、基板上に導電性材料を付着
させた後の図４の物品の断面図である。基板６上へのバ
ンプ１０の付着用の型板として図４の積層物を用いる。
図５に示されているように、電気メッキのような方法に
よりフォトレジスト厚層４に生じたパターン化開口部中
にバンプ１０を付着させる。バンプ１０は任意の高導電
性材料、例えば、金、銀、ニッケル又は銅であってよ
い。

【００３４】最終的に、残留フォトレジスト厚層４もま
た、溶剤、例えば、アセトン又は１−メチル−２−ピロ
リジノンに溶解することにより除去する。フォトレジス
ト厚層４はまた乾式エッチング法によって除去してもよ
い。正角マスク３は、フォトレジスト層４の除去に用い
た溶剤により溶解させるか又は単に溶剤作用により除去
するか乾式エッチングにより除去する。図６は、残留フ
ォトレジストの除去後の図５の物品の断面図である。

【００３５】本発明によれば、オリジナルのマスクパタ
ーンが良好に再現され、高度に正確なパターンが得られ
る。これは、図５及び図６に示したようにボンディング
パッドの付着用の型板として極めて適切である。正確な
パターンの再現により最高数のバンプをチップ上に配置
するのが可能となり、その結果、高いリード総数が得ら
れる。したがって、本方法はＶＬＳＩ法において極めて
有用である。以下の例により具体的に示す。

【００３６】

【例】直径４インチのシリコンウェーハを、光パターン
化実験用の基板として使用した。先ず第一に、高粘度の
ノボラック基材のポジティブ作動性ＡＺ４６２０フォト
レジスト（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｈｏｅｃｈｓｔ Ｃｏｒ
ｐ．製）の３０mm厚さフィルムを、チタン−タングステ
ン合金及び金で被覆したウェーハ上に回転させて作成し
た。ダブルコート法を用いてフォトレジスト厚層を回転
させて作成し次いで１２５℃で４０秒間２度焼付けし
た。次に、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチルアミンシンナメート
及び３−ジメチルアミノ−１−プロパノールで四級化し
たポリ（ビニルベンジルクロライド）１５ｇ並びに１：
１重量比のピリジニウム３−〔（７−メトキシ−２−オ
キソ−２Ｈ−１−ベンゾピラン−３−イル）カルボニ
ル〕−１−メチル塩及び４−メチルベンゼンスルホン酸
増感剤混合物０．６２５ｇ並びにノニルフエノキシポリ
グリセロール１０Ｇ界面活性剤（Ｏｌｉｎ Ｃｏｒｐ．
製）０．２５ｇを水８８ｇに溶解した溶液を回転してい
ないウェーハに施こし、次に一分間当り５００回転（ｒ
ｐｍ）で５秒、そして２０００回転で５５秒回転して作
成した。この被覆ウェーハを清浄なフード内で１７時間
室温風乾した。この時点でのフォトレジスト薄層の厚さ
は１mmであった。

【００３７】この方法には、画像様露光、現像及びフォ
トレジスト薄層の色素インビビシヨンが含まれる。その
次にフォトレジスト厚層のフラッド露光及び現像が行わ
れる。

【００３８】ネガティブ作動性フォトレジスト薄層は、
ウェーハの面と中間調スクリーンネガの面を接触させる
ことにより高圧水銀蒸気光源を用いて露光した。有用な
ドットパターンを形成するのに必要だと判明した最適露
光は平方センチメートル当り１７ミリワットの電力密度
で５秒間であった。

【００３９】スプレー現像を用いるウオッシュアウト法
は、pH−４のフタレート緩衝液を用いて４０秒間に亘っ
て行った。

【００４０】色素インビビシヨン法は、０．７５ｇの３
−シアノ−１−フェニル−４−〔３−（カルボキシメチ
ルアミノスルホニル）フエニラゾ〕−２−ピラゾリン−
５−オンＵＶ−青色吸収イエロー色素及び０．３ｇのノ
ニルフエノキシポリグリセロール１０Ｇ界面活性剤（Ｏ
ｌｉｎ Ｃｏｒｐ．製）をpH−１０のホウ酸塩緩衝液系
１００mLに溶解した溶液を用いて４分間行った。ウェー
ハを新たに調整したpH−１０のホウ酸塩緩衝液を用いて
５秒間スプレーリンスし次いで３０分間室温で風乾し
た。

【００４１】ポジティブ作動性フォトレジスト厚層を、
染色したパターン化フォトレジスト薄層を正角光学マス
クとして用いてフラッド露光した。露光は、Ｗｒａｔｔ
ｅｎ２Ｂ及び３４Ａフィルターを介してフィルターを行
った高圧水銀蒸気光源を用いて行った。ウェーハ面で
は、その強度は平方センチメートル当り２．５ミリワッ
トであった。有用なパターンを形成するのに必要だと判
明した最適露光時間は１５〜３０分の範囲であった。

【００４２】この露光したフォトレジスト厚層を、５分
間３５０rpm で回転させながら、蒸留水３部に対し現像
液１部の割合で水を用いて希釈した、テトラエチルアン
モニウムヒドロキシド基材ＡＺ４００Ｋ現像液（Ａｍｅ
ｒｉｃａｎ ＨｏｅｃｈｓｔＣｏｒｐ．製）を用いてス
プレー現像し、蒸留水を用いて３分間スプレーリンスし
次いで室温で風乾した。

【００４３】フォトレジスト厚層中に形成された二次元
パターンはもとの中間調スクリーンマスクパターンを良
好に再現するものであった。

【００４４】

【本発明の利点】本発明は、従来のウェーハのバンピン
グ法を実質的に改良するものである。薄層及び厚層の二
層フォトレジストを用いると初期露光時間及び／又は薄
層への強度を低減しかつ厚層でのパターンの正確性を大
幅に高めるものである。パターン化された、不透明化フ
ォトレジスト薄層をフォトレジスト厚層の露光の際正角
マスクとして用いると、不都合なしに接触露光の利点が
得られる。従来の接触露光法の場合に通常みられるマス
クの破壊、汚染トラッキング又は拡散等の問題は本発明
方法においてはおこらない。

【００４５】さらに、この精巧な方法はバンプのパッキ
ング密度（単位面積当りのバンプ数）の増加が可能とな
りかつ "マッシュルーム" バンプとなってしまう方法と
比較してバンプ当りに要する導電性材料の量も最少とな
る。

【００４６】さらに、本発明方法によれば、共通の分光
出力の放射線源を用いて両露光を行うことが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】マスクを介して放射線に露光されている、金属
パターンを有し、２層のフォトレジストで被覆された基
板の断面図である。

【図２】露光後の図１の物品の断面図である。

【図３】透明化後の図２の物品の断面図である。

【図４】第二露光及び現像後の図３の物品の断面図であ
る。

【図５】基板上への導電性材料の付着後の図４の物品の
断面図である。

【図６】残量フォトレジストの除去後の図５の物品の断
面図である。

【符号の説明】

１…積層物 ２…フォトレジスト薄層 ３…不透明化残留フォトレジスト薄層 ４…フォトレジスト厚層 ５…導電性コンタクトパッド ６…基板 １０…残留フォトレジスト厚層 Ｒ…放射線 Ｍ…マスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローレル ジーン ペイス アメリカ合衆国，ニユーヨーク 14615， ロチエスター，オールド ストーン レー ン 18 (72)発明者 アーミン カール ウエイス アメリカ合衆国，ニユーヨーク 14619， ロチエスター，スタンフイールド テラス 62

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一面がフォトレジスト厚層で被覆され、
   その上にフォトレジスト薄層が施されている基板から集
   積回路を製造するのに有用なパターン形成方法であっ
   て、前記方法が、 前記のフォトレジスト薄層を、所定パターンの活性放射
   線に露光する工程；前記の露光したフォトレジスト薄層
   を、現像して前記のフォトレジスト薄層中に所定パター
   ン又はそのネガを形成する工程；前記のパターン化した
   フォトレジスト薄層を、特定波長の活性放射線を吸収す
   るのに適した不透明化剤で処理する工程；前記の不透明
   化されたパターン化フォトレジスト薄層を介して前記の
   フォトレジスト厚層を、特定波長の活性放射線に露光す
   る工程；及び前記のフォトレジスト厚層を現像して、前
   記のフォトレジスト厚層中に所定パターン又はそのネガ
   を形成する工程；を含んでなる方法。
2. 【請求項２】 一面が５〜５０mm厚さのポジティブ作動
   性フォトレジスト厚層で被覆され、その上に０．２〜２
   mm厚さのネガティブ作動性フォトレジスト薄層が施され
   ている基板から集積回路を製造するのに有用なパターン
   形成方法であって、前記方法が、 前記のフォトレジスト薄層を、所定パターンの３５０〜
   ４５０nm波長の活性放射線に露光する工程；前記の露光
   したフォトレジスト薄層を、現像して前記のフォトレジ
   スト薄層中に所定パターン又はそのネガを形成する工
   程；前記のパターン化したフォトレジスト薄層を、３５
   ０〜４５０nm波長の活性放射線を吸収するのに適した不
   透明化剤で処理する工程；前記の不透明化されたパター
   ン化フォトレジスト薄層を介して前記のフォトレジスト
   厚層を、３５０〜４５０nmの活性放射線に露光する工
   程；及び前記のフォトレジスト厚層を現像して、前記の
   フォトレジスト厚層中に所定パターン又はそのネガを形
   成する工程；を含んでなる方法。
3. 【請求項３】 集積回路の製造に用いる方法であって、
   前記方法が、 一面に金属コンタクトパッドが形成されており、前記面
   がフォトレジスト厚層で被覆され、その上にフォトレジ
   スト薄層が施されている基板を提供する工程；前記のフ
   ォトレジスト薄層を、前記コンタクトパッドにぴったり
   合せて配列した所定パターンの活性放射線に露光する工
   程；前記の露光したフォトレジスト薄層を、現像して前
   記のフォトレジスト薄層中に所定パターン又はそのネガ
   を形成する工程；前記のパターン化したフォトレジスト
   薄層を、特定波長の放射線を吸収するのに適した不透明
   化剤で処理する工程；前記の不透明化されたパターン化
   フォトレジスト薄層を介して前記のフォトレジスト厚層
   を特定波長の放射線に露光する工程；及び前記のフォト
   レジスト厚層を現像して、前記のフォトレジスト厚層の
   一部を溶解し次いで薄層中にくぼみを形成して前記金属
   コンタクトパッドをむき出しにする工程；フォトレジス
   ト厚層中の前記くぼみ中に導電性材料を付着させる工
   程；そして実質的にすべてのフォトレジストを基板から
   除去する工程；を含んでなる方法。