JPH08255736A

JPH08255736A - パターン形成方法およびレジスト塗布装置

Info

Publication number: JPH08255736A
Application number: JP7056987A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Tanaka; 稔彦田中; Masaichi Uchino; 正市内野; Fumio Murai; 二三夫村井; Norio Hasegawa; 昇雄長谷川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-03-16
Filing date: 1995-03-16
Publication date: 1996-10-01

Abstract

(57)【要約】【構成】ウェハを回転させる機構と，有機膜を滴下する
機構と，紫外光あるいは遠紫外光を照射する機構と，レ
ジストを滴下する機構からなり、被加工基板上に有機膜
を形成し、有機膜上に紫外光あるいは遠紫外光を照射
し、この処理を施した有機膜上にレジストを塗布し、所
望のパターンをレジストに露光し、現像・リンスしレジ
ストパターンを形成し、レジストパターンをマスクに被
加工基板と一緒に有機膜をエッチングする。【効果】密集した微細レジストパターンやアスペクト比
の高いレジストパターンのパターンはがれを防止でき、
パターン形成不良を低減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、リソグラフィあるいは
リソグラフィとドライエッチングによってパターンを形
成する方法およびその時用いるレジスト塗布装置、特
に、レジストパターンのはがれを有効に防止してパター
ンを形成する方法およびレジスト塗布装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＵＬＳＩの高集積化の要求とともに、極
限的な微細パターン形成が求められている。現在最小寸
法０.２〜０.３μｍのパターン形成が盛んに検討されて
おり、先端的な研究では０.１μｍを対象にしているも
のもある。また、マイクロマシーン作製のため、膜厚の
厚いレジスト（例えば１００μｍ）を用いてアスペクト
比（高さ／幅）の極めて高いパターンを形成する技術開
発も進められている。

【０００３】レジストパターンは基板上にレジストを塗
布し、露光した後、現像を行って形成する。そしてその
レジストパターンをマスクにして被加工基板をエッチン
グしてパターンを形成する。レジストパターン形成のた
めの露光光源には、ｇ線，ｉ線等の紫外光，ＫｒＦ，Ａ
ｒＦ等のエキシマレーザ光，Ｘｅ−Ｈｇランプ等による
遠紫外光，電子線，荷電粒子，Ｘ線等いろいろな線源が
用いられている。現像には露光光源によらず主に液体の
現像液を用いたウェット現像法が用いられている。ウェ
ット現像法は工程が簡便であり、かつリンス液の洗浄作
用があるので、汚染や異物の少ない処理である。

【０００４】ウェットによるレジスト現像は次のように
なされる。まずレジスト上に現像液を滴下してウェハ上
に現像液を盛る。現像液がウェハ上に十分な量盛られた
後、ウェハの回転をとめ、さらに現像液の滴下をとめて
１〜１０分程度その状態で現像を行う。その後、リンス
液をウェハに吐出して現像液や現像液に溶出したレジス
トなどを洗い流す。一般にリンス液はシャワー状あるい
はスプレ状に吐出する。現像液としては一般にアルカリ
水溶液が用いられており、その場合のリンス液は一般に
水である。リンスを１０〜６０秒程度行った後、ウェハ
を高速回転させてリンス液を乾燥し、一連の処理を終了
する。

【０００５】この現像方法を用いて形成したレジストパ
ターンは、微細パターン（例えば０.２μｍ)がはがれる
という問題があった。またアスペクト比の高いレジスト
パターンがはがれるという問題もあった。

【０００６】このようなレジストパターンはがれがある
と所望のパターンにならず、作ろうとしている製品の歩
留り低下，信頼性低下を引き起こす。素子を高密度に集
積し、あるいはコンパクトな製品を作ろうとすると、微
細なパターンが必要になるとともに微細なパターンを微
細な間隔で配置する必要があるが、パターンはがれ（剥
離）により目標とするような高集積あるいはコンパクト
な製品を作ることができなくなる。

【０００７】この問題を解決する方法として、ＨＭＤＳ
処理とよばれる方法が知られている。この方法はヘキサ
メチルジシラザンを溶媒に溶かし、ウェハ上に回転塗布
するか、あるいはベーパー状のヘキサメチルジシラザン
をウェハに曝すことによって被加工基板表面を疎水性に
改質させる表面改質法である。被加工基板の表面が疎水
化されることにより、レジストと基板との界面への現像
液あるいはリンス液の浸入を防止することができ、現像
工程でのレジストはがれが生じにくくなる。但しこの方
法には次の二つの問題があった。

【０００８】その一つの問題は、機械的接着強度の低下
である。ＨＭＤＳ処理では現像液やリンス液の浸入によ
るレジストパターンの浮き上がりは防止できるものの、
接着強度自体は弱くなる。現像工程では、リンス液が乾
くとき、レジストパターン間にリンス液の表面張力が作
用する。この力によってパターンが引きつけられ、パタ
ーンが倒れる。基板との接着面積が小さくなるほど、即
ちパターンが微細になるほど相対的にこの力の影響が大
きくなり、パターン倒れ（はがれ）が深刻になる。この
問題は機械的接着強度が低下するとより深刻な問題にな
る。ＨＭＤＳ処理は比較的大きなパターンに対しては有
効であるが、パターンが微細になると効果が弱くなり、
場合によってはむしろレジストパターンはがれが生じや
すくなる。

【０００９】もう一つの問題はＨＭＤＳ処理の場合、効
果のある基板が酸化シリコン系の材料に限定されている
ことである。その他の材料、例えばＡｌ基板に対してほ
とんど効果がないという問題があった。

【００１０】なお、ＨＭＤＳ処理に関しては特公昭47−
25915 号公報に記載されている。

【００１１】またもう一つの方法として基板上にポリグ
リシジルメタクリレート薄膜（有機膜）を形成し、塩化
水素蒸気に曝すとともに熱処理を加えることによってこ
の膜を接着強化層とし、その上にレジストを塗布すると
いう方法が提案されている。この方法はジャパニーズ
ジャーナルオブアプライドフィジクス（Japanese
Journal of Applied Physics）３２巻４８４５頁から
４８４９頁（１９９３年発行）に記載されている。この
方法の問題点は塩化水素という危険なガスを使うことに
加え、有機膜塗布装置と気相反応装置（熱処理装置を含
む）およびレジスト塗布装置が必要となり、装置コスト
的にも装置サイズ的にも大きな負担になることである。
これはレジスト塗布装置はその膜厚を精密にコントロー
ルする必要があることから熱的に隔離する必要があり、
またレジスト、特に化学増幅系レジストは酸やアルカリ
などに敏感に反応して感度や解像度などが変化するため
装置を共有化できないためである。またこの方法には塩
化水素ガスが被加工基板にダメージを与えるという問題
もある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、簡便な装置
で種々の基板に対しレジストパターンはがれを有効に防
止できるパターン形成方法、特に密集した微細なパター
ン、あるいはアスペクト比の高いパターンをパターンは
がれなしに形成するためのパターン形成方法およびその
レジスト塗布装置を提供しようとするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は被加工基板上に有機薄膜を形成し、紫外線
あるいは遠紫外線をこの膜に照射する。この薄膜上にレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをマス
クにした被加工基板のエッチング時に被加工基板と一緒
に前記薄膜をエッチングする。また、レジスト塗布装置
は、有機膜滴下機構と，レジスト滴下機構、および紫外
線あるいは遠紫外線照射機構を具備する装置構成とす
る。

【００１４】

【作用】有機膜に紫外光あるいは遠紫外光を照射すると
レジストとの機械的接着力が強くなることを見い出し
た。特に光架橋系の有機膜に紫外光あるいは遠紫外光を
照射すると架橋率が高まり、機械的接着力が強くなる。
紫外線および遠紫外線を照射しても発熱量は少なく、有
害なガスも使わず、気相反応装置も必要ない。したがっ
て有機膜塗布，紫外光あるいは遠紫外光照射およびレジ
スト塗布を一つの処理カップで行うことができる。機械
的接着力が強いため、微細なレジストパターンのはがれ
を防止することができる。またこの有機薄膜は被加工基
板面全面に形成されるため基板面に対する接着面積は大
きく、基板面とこの有機薄膜の間ではがれが生じること
もない。

【００１５】レジストがほとんど削れないエッチングの
場合、即ち、被加工基板とレジストとのエッチング選択
比が十分とれるエッチングの場合にはレジストを十分薄
膜化でき、パターンはがれの問題は生じない。パターン
はがれの問題が生じるのはエッチング選択比が十分とれ
ない場合である。即ち、エッチングによりレジストが削
れる場合にパターンはがれの問題が生じる。

【００１６】ここで形成する有機薄膜は薄く、しかもレ
ジストとのエッチング選択比はあまり変わらない。従っ
てこの有機薄膜の存在は被加工基板エッチングの障害に
ならない。なお有機膜であるため、通常レジスト除去に
使われている酸素プラズマ処理によりレジストと同時に
除去できる。

【００１７】

【実施例】

（実施例１）以下、本発明の実施例を工程図である図１
と装置図である図２および図３を用いて説明する。図２
に示すようにこの装置はウェハ回転台１０１，レジスト
滴下ノズル１０２，ＥＰＢ滴下ノズル１０３，ドレイン
１０４を有するレジストコータチャンバ１０５，紫外線
照射光学系１０６，光ファイバ１０７，紫外線ランプ１
０８，熱線遮断フィルタ１０９，シャッタ１１０、およ
び紫外光遮断シャッタ１１２からなる。

【００１８】レジスト処理部１１１は熱線遮断フィルタ
１０９および光ファイバによって紫外線ランプ１０８と
熱的に隔離されている。ここで紫外線ランプ１０８は２
５０ｎｍ以上の波長の光がでるランプとした。またここ
で用いたＥＰＢは１，２エポキシ化ポリブタジエンをキ
シレンに溶かした溶液である。但し、１，２エポキシ化
ポリブタジエンに限らず１，４エポキシ化ポリブタジエ
ンも用いることができる。ランプが熱的に隔離されてい
るため、レジストおよびＥＰＢの膜厚均一性および膜厚
安定性は通常と同様に十分保たれる。

【００１９】レジスト滴下ノズル１０２およびＥＰＢ滴
下ノズル１０３は、図３に示すように、その向きを変え
られるように作ってある。シャッタ１１０を開いて紫外
線を紫外線照射光学系１０６からウェハ回転台１０１に
載せたウェハ１１３に照射するときには両ノズルを退避
させ、かつ紫外線遮断シャッタ１１２を閉じてレジスト
およびＥＰＢに紫外線があたらない構造にした。この構
造により光照射によるレジスト及びＥＰＢの特性劣化を
防止できた。

【００２０】次にレジスト処理工程を説明する。まず図
１（ａ）に示すように段差が形成されているＳｉ１上に
酸化膜２及びＣＶＤ（ケミカルベーパデポジション法）
により形成したＡｌ膜３、さらにその上にｐ−ＴＥＯＳ
膜４が、順次、形成された基板を準備した。ここではＳ
ｉ上の段差を０.３μｍ，酸化膜２の厚さを０.０５μ
ｍ，Ａｌ膜３の厚さを０.３μｍ、そしてｐ−ＴＥＯＳ
膜の厚さを０.２μｍとした。但し、これは一実施条件
に過ぎない。例えば、Ｓｉ上に段差が形成されていなく
てもよい。

【００２１】その基板をウェハ回転台１０１へ載せ、Ｅ
ＰＢ滴下ノズル１０３から基板上にＥＰＢを滴下し、
１，２エポキシ化ポリブタジエン膜５(以後、ＥＰＢ膜
と呼ぶ)を形成した。ここでＥＰＢの膜厚は５ｎｍとし
た。その後、ＥＰＢ滴下ノズル１０３およびレジスト滴
下ノズル１０２を退避させ、光遮断シャッタ１１２を閉
じた後、シャッタ１１０を開いて紫外線ランプからの光
を熱線遮断フィルタ109,光ファイバ１０７を介して紫外
線照射光学系１０６に導き、ＥＰＢ膜５に紫外線６を照
射した。照射時間は３０秒とした。

【００２２】このときウェハを低速で回転させた。この
ことによって紫外線照射光学系がウェハの中心に位置し
ていなくてもウェハ全面に紫外線を照射することができ
た。放射方向には光量分布が生じるが、ＥＰＢ膜には一
定以上の光量があたれば良いので、このことは障害にな
らない。

【００２３】その後、ＥＰＢ膜５の上にレジスト７を塗
布した。レジストはＮＰＲ−Λ１８ＳＨ２（長瀬産業
（株）商品名）を用い、塗布後１２０℃９０秒の熱処理
を施した。ただしこれは一実施条件に過ぎず、これに限
るものではない。

【００２４】次に図１（ｂ）に示すように通常の方法で
マスク８およびレンズを介して（図示せず）露光９をレ
ジストに照射した。ここでは露光としてｉ線（波長３６
５ｎｍ）を用いた。ここでマスクには位相シフトマスク
を用いた。ただしこの露光方式もこれに限るものではな
く、Ｘ線，遠紫外光，電子線あるいは荷電粒子線を用い
た露光方法でも良い。投影露光の他、近接露光でも密着
露光でも良い。次に通常の方法に従ってこのウェハ上に
現像液を盛り、６０秒間放置した後、水洗を行って図１
（ｃ）に示すようにレジストパターン７ａを形成した。
現像液はテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
の水溶液を用いた。ここでは現像方法はディップ方式を
用いたが、この方式に限らずスプレ方式やパドル方式で
もよい。

【００２５】その後、図１（ｄ）に示すように、通常の
ドライエッチングを行い、ｐ−TEOS膜４を加工してｐ−
ＴＥＯＳパターン４ａを形成した。ここではエッチング
ガスとしてＣＨＦ₃を用いた。このエッチングでＥＰＢ
膜５は自動的に加工され、レジストパターン６ａと同寸
法のパターン５ａとなった。ＥＰＢ膜５がエッチングの
障害になることはなかった。

【００２６】この処理により１μｍ膜厚の０.２ μｍラ
イン＆スペースパターンをパターンはがれなしに形成す
ることができた。０.２ μｍ以下のパターンははがれて
いないもののパターンが途中で折れておりパターン不良
となっていた。一方、通常の処理を行った場合にはパタ
ーンはがれが生じ、０.２ μｍライン＆スペースパター
ンを形成することはできなかった。即ち、ＥＰＢを用い
ずにパターンを形成した場合にはパターンが剥離した。
通常処理ではＨＭＤＳ処理を行っても１μｍ膜厚の０.
２ μｍパターンを形成することはできなかった。通常
処理で形成できた最小パターン寸法は０.２５μｍであ
った。またＥＰＢ膜を形成しただけで紫外線照射を行わ
なかった場合に形成できた最小のパターン寸法は０.２
２５ μｍであった。

【００２７】本実施例ではＥＰＢ膜の膜厚を５ｎｍとし
たが、この膜厚に限らず３ｎｍ以上あれば十分なはがれ
防止効果がある。一方で膜厚が１０ｎｍを超えるとエッ
チング形状等が変化するといった問題が生じる。なお本
実施例では被加工膜としてｐ−ＴＥＯＳ膜を用いたがこ
れに限らず、バイアススパッタ法，ＣＶＤ法あるいは蒸
着法によるＡｌ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｃｕな
どの金属膜、あるいはそれらを主成分とする合金膜、Ｐ
ＳＧ，ＢＰＳＧ，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂，ＳｉＮ，ＷＳ
ｉ₂，ＭｏＳｉ等のＳｉ含有化合物，ＧａＡｓなどの化
合物半導体などでも同様なはがれ防止効果が認められ
た。

【００２８】エポキシは接着剤として知られているが、
接着剤として用いるときは、まず二つの物体を用意し、
その物体間にエポキシを充填後放置あるいは加熱処理を
施すことによって接着剤として機能させている。それに
対して本方法では一方の物体の一面にエポキシを被着さ
せ、熱処理を終了した後もう一方の物体（レジスト）を
その上に形成する。従ってエポキシ化ポリブタジエンは
接着剤として機能しているのではなく、表面処理的な機
能をしている。

【００２９】（実施例２）以下、本発明の実施例を工程
図である図４を用いて説明する。まず図４（ａ）に示す
ように段差が形成されているＳｉ１１上に酸化膜１２及
びＣＶＤ法により形成したＡｌ膜１３が順次形成された
基板を準備し、その基板上にＥＰＢ膜１４を形成し、実
施例１と同様に紫外線１５を照射した。ここではＳｉ上
の段差を０.３μｍ，酸化膜１２の厚さを０.０５ μ
ｍ、そしてＡｌ膜１３の厚さを０.３μｍとした。但
し、これは一実施条件に過ぎない。例えばＳｉ上に段差
が形成されていなくてもよい。ＥＰＢ膜は１，２エポキ
シ化ポリブタジエンをクロルベンゼンに溶かし、その溶
液をスピン塗布することにより形成した。ＥＰＢの膜厚
は５ｎｍとした。

【００３０】その後、ＥＰＢ膜上にレジスト１６を塗布
した。レジストは酸触媒反応利用化学増幅型レジストＲ
Ｅ４２００（(株)日立化成商品名）を用い、塗布後１０
０℃１２０秒の熱処理を施した。ただしこれは一実施条
件に過ぎず、これに限るものではない。レジストはこの
他にＳＡＬ６０１（(株)シップレーファーイースト）等
も用いることができる。

【００３１】次に図４（ｂ）に示すように通常の方法で
電子線１７を照射して電子線描画を行った。ただし電子
線描画に限るものではなく、Ｘ線，遠紫外線，紫外線あ
るいは荷電粒子線を用いた露光方法でも良い。次に通常
の方法に従ってこのウェハ上に現像液を盛り、１２０秒
間放置した後、水洗を行って図４（ｃ）に示すようにレ
ジストパターン１６ａを形成した。現像液はテトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド２.３８％濃度の水
溶液を用いた。ここでは現像方法はディップ方式を用い
たが、この方式に限らずスプレ方式やパドル方式でもよ
い。

【００３２】その後、図４（ｄ）に示すように通常のド
ライエッチングを行い、Ａｌ膜１３を加工してＡｌパタ
ーン１３ａを形成した。ここではエッチングガスとして
BCl₃とＣｌ₂の混合ガスを用いた。このエッチングでＥ
ＰＢ膜１４は自動的に加工され、レジストパターン１５
ａと同寸法のパターン１４ａとなった。ＥＰＢ膜１４が
エッチングの障害になることはなかった。

【００３３】この処理により１μｍ膜厚の０.２ μｍラ
イン＆スペースパターンをパターンはがれなしに形成す
ることができた。一方、通常の処理を行った場合には現
像液によってＡｌ表面が僅かにエッチングされ、パター
ンがはがれた。Ａｌエッチング量をパターンはがれが起
きない程度に小さくするためには現像時間を３０秒以下
に短くする必要があり、レジストパターンの解像度が
０.３ μｍと大幅に低下した。

【００３４】この問題はＳＡＬ６０１のような現像液
（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）の濃
度の高くかつ比較的長い現像時間が必要なレジストを処
理するときにより顕著となる。即ち、ＥＰＢを用いずに
パターンを形成した場合にはパターンが剥離した。通常
処理ではＨＭＤＳ処理を行っても行わなくても結果は変
わらなかった。加えて通常処理の場合にはレジストの底
部がえぐれるアンダーカット形状となるが、ＥＰＢを用
いるとこのような形状異常も防止することができた。

【００３５】更にＡｌ膜３を形成後２週間放置し、その
後、レジストパターンを従来法によって形成した場合
は、０.５ μｍ以下のパターンが殆どはがれたのに対
し、本方法を用いた場合ははがれの変化は認められなか
った。

【００３６】ここでは接着強化層としてＥＰＢ膜を用い
たがこれに限らずポリブタジエン膜あるいはポリスチレ
ン膜などの有機膜も用いることができる。但し、レジス
トアンダカット形状異常防止効果はＥＰＢ膜が最も高か
った。

【００３７】なお本実施例では被加工膜としてＣＶＤ法
によるＡｌ膜を用いたが、これに限らず、バイアススパ
ッタ法あるいは蒸着法によるＡｌ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐ
ｄ，Ａｕ，Ｃｕなどの金属膜、あるいはそれらを主成分
とする合金膜、ＰＳＧ，BPSG，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂，Ｓｉ
Ｎ，ＷＳｉ₂，ＭｏＳｉ等のＳｉ含有化合物、ＧａＡｓ
などの化合物半導体などでも同様なはがれ防止効果が認
められた。

【００３８】（実施例３）以下、本発明の実施例を図５
を用いて説明する。図５（ａ）に示すように段差が形成
されているＳｉ２１上に酸化膜２２及びＣＶＤ法により
形成したＡｌ膜２３、さらにその上にｐ−ＴＥＯＳ膜２
４が順次形成された基板を準備し、その基板上にＨＭＤ
Ｓ処理を施した後、１，２エポキシ化ポリブタジエン膜
２５を形成し、紫外線を照射した。

【００３９】その上に三層レジストの下層レジスト（Ｂ
Ｌ）となるレジスト２６を塗布した。ここではＳｉ上の
段差を０.３μｍ，酸化膜２２の厚さを０.０５μｍ，Ａ
ｌ膜２３の厚さを０.３μｍ、そしてｐ−ＴＥＯＳ膜２
４の厚さを０.２μｍとした。ＥＰＢ膜は１，２エポキ
シ化ポリブタジエンをキシレンに溶かし、その溶液をス
ピン塗布することにより形成した。ＥＰＢの膜厚は５ｎ
ｍとした。ＢＬはＲＧ４９００Ｂ（(株)日立化成商品
名））を用い、ＢＬ塗布後ホットプレート上で２４０℃
６分の熱処理を行った。ＢＬの膜厚は１.５ μｍとし
た。その後、ＳＯＧ２７(Spin on Glass）をＢＬ上に塗
布し、熱処理を行って三層レジストの中間層（ＭＬ）と
した。ＭＬの膜厚は６０ｎｍである。その後、ＭＬの上
にレジスト２８を塗布した。レジストはＫｒＦエキシマ
光に感度を持つＸＰ８９１３１（シップレー社商品名）
を用いた。

【００４０】次に通常の方法でレジスト２８の露光を行
った。ここでは露光としてＫｒＦエキシマレーザ光（波
長２４８ｎｍ）を用いた。マスクには位相シフトマスク
を用いた。ただし、この露光方式もこれに限るものでは
なく、Ｘ線，電子線あるいは荷電粒子線を用いた露光方
法でも良い。投影露光の他、近接露光でも密着露光でも
良い。

【００４１】次に通常の方法に従ってこのウェハ上に現
像液を盛り、１２０秒間放置した後、水洗を行って図５
（ｂ）に示すようにレジストパターン２８ａを形成し
た。現像液はテトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドの水溶液を用いた。ここでは現像方法としてディッ
プ方式を用いたが、この方式に限らずスプレ方式やパド
ル方式でもよい。

【００４２】その後、図５（ｃ）に示すように通常のド
ライエッチングを行い、ＭＬ及びＢＬを加工して三層レ
ジストパターン２９ａを形成した。三層レジストパター
ン２９ａはＭＬパターン２７ａとＢＬパターン２６ａか
らなる。このエッチングでＥＰＢ膜２５も同時にエッチ
ングされ、ＥＰＢパターン２５ａとなる。その後、ＢＬ
の側面に付着したデポ物除去及びＭＬ除去のためにフッ
酸を６０倍の水で薄めたフッ酸水溶液で洗浄を行った。
洗浄時間は３０秒とした。このようにして図５（ｄ）に
示すようにｐ−ＴＥＯＳ基板上にＢＬパターン２６ｂを
形成した。

【００４３】この処理により１.５μｍ膜厚の０.２５μ
ｍライン＆スペースＢＬパターンをパターンはがれなし
に形成することができた。一方、ＥＰＢ処理を行わない
通常の処理を行った場合にはパターンはがれが生じ、
０.２ μｍライン＆スペースパターンを形成することは
できなかった。即ち、ＥＰＢを用いずにパターンを形成
した場合にはパターンが剥離した。通常処理で形成でき
た最小パターン寸法は０.３５ μｍであった。

【００４４】

【発明の効果】本発明によればレジストパターン、特に
密集した微細なレジストパターンやアスペクト比の高い
レジストパターンのパターンはがれを防止でき、パター
ン形成不良を低減できた。その結果、製造しようとして
いるデバイスの歩留りが向上が達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の工程を示す断面図。

【図２】本発明に用いたレジストコータの説明図。

【図３】本発明に用いたレジストコータの説明図。

【図４】本発明の第二の実施例の工程を示す断面図。

【図５】本発明の第三の実施例の工程を示す断面図。

【符号の説明】

１…Ｓｉ基板、２…酸化膜、３…Ａｌ膜、４…ｐ−ＴＥ
ＯＳ膜、４ａ…ｐ−ＴＥＯＳパターン、５…１，２エポ
キシ化ポリブタジエン膜、５ａ…ＥＰＢパターン、６…
紫外線、７…レジスト膜、７ａ…レジストパターン、８
…マスク、９…露光。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｅ５６４Ｃ５６９Ａ５７２Ｚ５７５ (72)発明者長谷川昇雄東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加工基板上にレジストを塗布後、所望の
パターンを露光し、次に現像及びリンスを行い、その
後、リンス液を乾燥させて所望のレジストパターンを形
成するパターン形成方法において、前記レジストを塗布
する前に有機膜を被加工基板上に形成し、形成後紫外線
あるいは遠紫外線を前記有機膜上に照射しておくことを
特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】請求項１において、前記有機膜が光架橋系
の有機膜であるパターン形成方法。
【請求項３】請求項１において、前記有機膜がエポキシ
化ポリブタジエン膜であるパターン形成方法。
【請求項４】請求項３において、前記エポキシ化ポリブ
タジエン膜の膜厚が１０ｎｍ以下であるパターン形成方
法。
【請求項５】請求項１において、前記被加工基板の表面
材料がＡｌ及びその合金であるパターン形成方法。
【請求項６】請求項１において、前記レジストが多層レ
ジストであるパターン形成方法。
【請求項７】請求項１において、前記レジストが酸触媒
反応利用化学増幅型レジストであるパターン形成方法。
【請求項８】被加工基板上にレジストを塗布する工程，
所望のパターンを露光する工程，現像及びリンスを行う
工程，リンス液を乾燥させる工程，形成されたレジスト
パターンをマスクに前記被加工基板をドライエッチング
によりエッチングする工程を順次行ってパターンを形成
するパターン形成方法において、レジストを塗布する前
に有機膜を被加工基板上に形成しておく工程と，形成後
紫外線あるいは遠紫外線を前記有機膜上に照射しておく
工程を加え、前記エッチングにより被加工基板と一緒に
前記有機膜をエッチングすることを特徴とするパターン
形成方法。
【請求項９】ウェハ回転機構とレジスト滴下機構を含む
レジスト塗布装置において、紫外光あるいは遠紫外光照
射機構と有機物滴下機構を具備したことを特徴とするレ
ジスト塗布装置。
【請求項１０】請求項９において、前記紫外光あるいは
遠紫外光照射時に前記レジスト滴下系及び有機物滴下系
が前記紫外光あるいは遠紫外光から遮光されるレジスト
塗布装置。