JPH09115810A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH09115810A JPH09115810A JP27138995A JP27138995A JPH09115810A JP H09115810 A JPH09115810 A JP H09115810A JP 27138995 A JP27138995 A JP 27138995A JP 27138995 A JP27138995 A JP 27138995A JP H09115810 A JPH09115810 A JP H09115810A
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- Japan
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- photoresist film
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- semiconductor integrated
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多層レジスト法を用いてレジストパターンを
形成する際に、上層のレジスト膜と下層のレジスト膜と
の界面に相溶（ミキシング）が生じるのを防止する。 【解決手段】 半導体ウエハ１上に第１のフォトレジス
ト膜４を被着した後、第１のフォトレジスト膜４の表面
にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）などのシリル化
剤を含んだシリル化剤溶液５を滴下してシリル化反応を
生じさせることにより、フォトレジスト膜４の表面に薄
いシリル化層６を形成する。その後、第１のフォトレジ
スト膜４上に第２のフォトレジスト膜を被着する。
形成する際に、上層のレジスト膜と下層のレジスト膜と
の界面に相溶（ミキシング）が生じるのを防止する。 【解決手段】 半導体ウエハ１上に第１のフォトレジス
ト膜４を被着した後、第１のフォトレジスト膜４の表面
にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）などのシリル化
剤を含んだシリル化剤溶液５を滴下してシリル化反応を
生じさせることにより、フォトレジスト膜４の表面に薄
いシリル化層６を形成する。その後、第１のフォトレジ
スト膜４上に第２のフォトレジスト膜を被着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置の製造技術に関し、特に、フォトレジストを露光する
際の半導体ウエハからの反射光に起因するパターン寸法
の変動を低減するためのパターン形成方法に関するもの
である。
置の製造技術に関し、特に、フォトレジストを露光する
際の半導体ウエハからの反射光に起因するパターン寸法
の変動を低減するためのパターン形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの製造プロセスでは、シリコンウ
エハなどの基板上にフォトレジスト膜を形成してパター
ン露光をした後、現像処理を施し、基板上にレジストパ
ターンを形成するフォトリソグラフィ技術が用いられて
いる。
エハなどの基板上にフォトレジスト膜を形成してパター
ン露光をした後、現像処理を施し、基板上にレジストパ
ターンを形成するフォトリソグラフィ技術が用いられて
いる。
【０００３】このフォトリソグラフィにおいて、レジス
トパターンの寸法が露光光の波長と同程度まで微細にな
ってくると、基板表面での露光光の反射に起因する定在
波効果やハレーション（基板段差からの乱反射）による
レジストパターン寸法の変動、パターン変形が大きな問
題となる。
トパターンの寸法が露光光の波長と同程度まで微細にな
ってくると、基板表面での露光光の反射に起因する定在
波効果やハレーション（基板段差からの乱反射）による
レジストパターン寸法の変動、パターン変形が大きな問
題となる。
【０００４】従来、定在波効果やハレーションを低減さ
せる方法として、フォトレジスト膜の下層に感光性のな
い光吸収層（反射防止層）を設ける二層レジスト法が公
知である（特開昭５９−９３４４８号公報）。しかし、
この方法は、反射防止層が感光性を持たないため、上層
のフォトレジスト膜を露光、現像してパターンを形成し
た後、湿式（ウェット）または乾式（ドライ）エッチン
グで下層の反射防止膜を除去しなければならず、工程が
煩雑になるという欠点がある。
せる方法として、フォトレジスト膜の下層に感光性のな
い光吸収層（反射防止層）を設ける二層レジスト法が公
知である（特開昭５９−９３４４８号公報）。しかし、
この方法は、反射防止層が感光性を持たないため、上層
のフォトレジスト膜を露光、現像してパターンを形成し
た後、湿式（ウェット）または乾式（ドライ）エッチン
グで下層の反射防止膜を除去しなければならず、工程が
煩雑になるという欠点がある。
【０００５】二層レジスト法の上記した欠点を解決する
方法として、上層のレジスト膜と下層の反射防止膜とを
同種の現像液に可溶な材料で構成し、１回の現像処理で
レジストパターンを形成する方法が提案されている（特
開昭６０−２２７２５４号公報）。
方法として、上層のレジスト膜と下層の反射防止膜とを
同種の現像液に可溶な材料で構成し、１回の現像処理で
レジストパターンを形成する方法が提案されている（特
開昭６０−２２７２５４号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述した二層レジスト
法は、上層のレジスト膜と下層の反射防止膜との界面に
相互溶解（ミキシング）が生じるという問題がある。二
層のレジスト膜の界面にミキシングが生じると、膜の平
坦性が低下したり、現像液に対する溶解性が変動したり
するために、微細なレジストパターンを高精度に形成す
ることができなくなる。特に、上層のレジスト膜と下層
の反射防止膜とを１回の現像工程で処理する場合は、レ
ジスト膜と反射防止膜とに類似した材料が使われること
が多く、従ってレジスト膜の塗布と反射防止膜の塗布に
同一ないしは類似の溶剤が使われることが多いので、ミ
キシングが生じ易い。
法は、上層のレジスト膜と下層の反射防止膜との界面に
相互溶解（ミキシング）が生じるという問題がある。二
層のレジスト膜の界面にミキシングが生じると、膜の平
坦性が低下したり、現像液に対する溶解性が変動したり
するために、微細なレジストパターンを高精度に形成す
ることができなくなる。特に、上層のレジスト膜と下層
の反射防止膜とを１回の現像工程で処理する場合は、レ
ジスト膜と反射防止膜とに類似した材料が使われること
が多く、従ってレジスト膜の塗布と反射防止膜の塗布に
同一ないしは類似の溶剤が使われることが多いので、ミ
キシングが生じ易い。
【０００７】本発明の目的は、多層レジスト法を用いて
レジストパターンを形成する際に、上層のレジスト膜と
下層のレジスト膜との界面にミキシングが生じるのを有
効に防止することのできる技術を提供することにある。
レジストパターンを形成する際に、上層のレジスト膜と
下層のレジスト膜との界面にミキシングが生じるのを有
効に防止することのできる技術を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１０】本発明の半導体集積回路装置の製造方法
は、半導体ウエハ上に被着したフォトレジスト膜を露
光、現像してフォトレジストパターンを形成するに際し
て、半導体ウエハ上に第１のフォトレジスト膜を被着し
た後、前記第１のフォトレジスト膜の表面に不溶化処理
を施し、次いで前記第１のフォトレジスト膜上に第２の
フォトレジスト膜を被着する工程を含むものである。
は、半導体ウエハ上に被着したフォトレジスト膜を露
光、現像してフォトレジストパターンを形成するに際し
て、半導体ウエハ上に第１のフォトレジスト膜を被着し
た後、前記第１のフォトレジスト膜の表面に不溶化処理
を施し、次いで前記第１のフォトレジスト膜上に第２の
フォトレジスト膜を被着する工程を含むものである。
【００１１】また、本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、前記第１のフォトレジスト膜と前記第２のフォ
トレジスト膜とを、同一の現像液による現像が可能な材
料で構成する。
方法は、前記第１のフォトレジスト膜と前記第２のフォ
トレジスト膜とを、同一の現像液による現像が可能な材
料で構成する。
【００１２】また、本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、前記第１のフォトレジスト膜の露光光に対する
感度を前記第２のフォトレジスト膜に比べて高くする。
方法は、前記第１のフォトレジスト膜の露光光に対する
感度を前記第２のフォトレジスト膜に比べて高くする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
【００１４】まず、図１に示すように、単結晶シリコン
などからなる半導体ウエハ１上にＣＶＤ法で酸化シリコ
ン膜２を堆積した後、この酸化シリコン膜２上にスパッ
タ法でＡｌ膜３を堆積する。次に、図２に示すように、
Ａｌ膜３上に回転塗布法で第１のフォトレジスト膜４を
被着した後、１００℃程度の温度でプリベークを行っ
て、フォトレジスト膜４中の溶媒を揮発させる。
などからなる半導体ウエハ１上にＣＶＤ法で酸化シリコ
ン膜２を堆積した後、この酸化シリコン膜２上にスパッ
タ法でＡｌ膜３を堆積する。次に、図２に示すように、
Ａｌ膜３上に回転塗布法で第１のフォトレジスト膜４を
被着した後、１００℃程度の温度でプリベークを行っ
て、フォトレジスト膜４中の溶媒を揮発させる。
【００１５】上記第１のフォトレジスト膜４は、例えば
芳香環を有するアルカリ可溶性高分子化合物と、キノン
ジアジド化合物（感光剤）と、吸光剤とを含むポジ型の
フォトレジストである。
芳香環を有するアルカリ可溶性高分子化合物と、キノン
ジアジド化合物（感光剤）と、吸光剤とを含むポジ型の
フォトレジストである。
【００１６】ここで、芳香環を有するアルカリ可溶性高
分子化合物としては、ノボラック樹脂、ハロゲン化ノボ
ラック樹脂、ポリビニルフェノール、アセトン−ピロガ
ロール樹脂、スチレン−無水マレイン酸共重合体などが
挙げられる。また、キノンジアジド化合物としては、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンなどのポリ
ヒドロキシ化合物の１，２−ナフトキノンジアジド−５
−（および／または−４−）スルホニルクロリドとのエ
ステル化合物が挙げられる。これらのキノンジアジド化
合物は単独で、あるいは２種以上の組合せで用いること
ができる。
分子化合物としては、ノボラック樹脂、ハロゲン化ノボ
ラック樹脂、ポリビニルフェノール、アセトン−ピロガ
ロール樹脂、スチレン−無水マレイン酸共重合体などが
挙げられる。また、キノンジアジド化合物としては、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンなどのポリ
ヒドロキシ化合物の１，２−ナフトキノンジアジド−５
−（および／または−４−）スルホニルクロリドとのエ
ステル化合物が挙げられる。これらのキノンジアジド化
合物は単独で、あるいは２種以上の組合せで用いること
ができる。
【００１７】吸光剤としては、トリアゾール系、モノア
ゾ系、クマリン系、ピラゾロン系、イミダゾリン系、ア
ゾメチン系、スチルベン系、アセナフテン系、ベンゾフ
ェノン系、カルコン系、アントラセン系、ベンジリデン
インデン系などの材料が挙げられる。なお、吸光剤とし
てはこれらに限定されるものではなく、プリベークなど
の熱処理時に昇華せず、フォトレジストの感光特性、溶
解特性に悪影響を与えないものであれば上記以外のもの
を使用することもできる。これらの吸光剤は、単独で用
いてもよいし、また２種以上混合して用いることもでき
る。
ゾ系、クマリン系、ピラゾロン系、イミダゾリン系、ア
ゾメチン系、スチルベン系、アセナフテン系、ベンゾフ
ェノン系、カルコン系、アントラセン系、ベンジリデン
インデン系などの材料が挙げられる。なお、吸光剤とし
てはこれらに限定されるものではなく、プリベークなど
の熱処理時に昇華せず、フォトレジストの感光特性、溶
解特性に悪影響を与えないものであれば上記以外のもの
を使用することもできる。これらの吸光剤は、単独で用
いてもよいし、また２種以上混合して用いることもでき
る。
【００１８】次に、本実施の形態では、図３に示すよう
に、上記第１のフォトレジスト膜４の表面にＨＭＤＳ
（ヘキサメチルジシラザン）などのシリル化剤を含んだ
シリル化剤溶液５を滴下してシリル化反応を生じさせる
ことにより、フォトレジスト膜４の表面に薄いシリル化
層６を形成する。
に、上記第１のフォトレジスト膜４の表面にＨＭＤＳ
（ヘキサメチルジシラザン）などのシリル化剤を含んだ
シリル化剤溶液５を滴下してシリル化反応を生じさせる
ことにより、フォトレジスト膜４の表面に薄いシリル化
層６を形成する。
【００１９】このとき、シリル化反応を促進するため
に、フォトレジスト膜４を加熱してもよい。フォトレジ
スト膜４を加熱するには、例えばフォトレジスト膜４の
表面に高温気体を吹き付けたり、半導体ウエハ１を載置
するステージを加熱したりする。シリル化反応を促進す
る他の方法として、シリル化剤溶液５中にフォトレジス
ト膜４の溶剤を少量添加しておき、シリル化剤がフォト
レジスト膜４中に滲み込み易くなるようにしてもよい。
に、フォトレジスト膜４を加熱してもよい。フォトレジ
スト膜４を加熱するには、例えばフォトレジスト膜４の
表面に高温気体を吹き付けたり、半導体ウエハ１を載置
するステージを加熱したりする。シリル化反応を促進す
る他の方法として、シリル化剤溶液５中にフォトレジス
ト膜４の溶剤を少量添加しておき、シリル化剤がフォト
レジスト膜４中に滲み込み易くなるようにしてもよい。
【００２０】次に、半導体ウエハ１の表面をシリル化剤
に用いられている溶剤でリンスしてシリル化剤溶液５を
除去し、さらに半導体ウエハ１をもう一度ベークして残
留揮発成分を除去した後、図４に示すように、上記フォ
トレジスト膜４上に回転塗布法で第２のフォトレジスト
膜７を被着し、次いで１００℃程度のプリベークを行っ
てフォトレジスト膜７中の溶媒を揮発させる。第２のフ
ォトレジスト膜７を被着する際、第１のフォトレジスト
膜４の表面に薄いシリル化層６が形成されているので、
第１のフォトレジスト膜４と第２のフォトレジスト膜７
との界面に相互溶解（ミキシング）が生じるのを防止す
ることができる。
に用いられている溶剤でリンスしてシリル化剤溶液５を
除去し、さらに半導体ウエハ１をもう一度ベークして残
留揮発成分を除去した後、図４に示すように、上記フォ
トレジスト膜４上に回転塗布法で第２のフォトレジスト
膜７を被着し、次いで１００℃程度のプリベークを行っ
てフォトレジスト膜７中の溶媒を揮発させる。第２のフ
ォトレジスト膜７を被着する際、第１のフォトレジスト
膜４の表面に薄いシリル化層６が形成されているので、
第１のフォトレジスト膜４と第２のフォトレジスト膜７
との界面に相互溶解（ミキシング）が生じるのを防止す
ることができる。
【００２１】上記第２のフォトレジスト膜７は、第１の
フォトレジスト膜４と同様、例えば芳香環を有するアル
カリ可溶性高分子化合物とキノンジアジド化合物とを含
むポジ型のフォトレジストからなる。但し、第１のフォ
トレジスト膜４と異なり、吸光剤は含まれていないか、
あるいは第１のフォトレジスト膜４に比べて僅かしか吸
光剤が含まれていない。芳香環を有するアルカリ可溶性
高分子化合物およびキノンジアジド化合物としては、前
述した材料が挙げられる。
フォトレジスト膜４と同様、例えば芳香環を有するアル
カリ可溶性高分子化合物とキノンジアジド化合物とを含
むポジ型のフォトレジストからなる。但し、第１のフォ
トレジスト膜４と異なり、吸光剤は含まれていないか、
あるいは第１のフォトレジスト膜４に比べて僅かしか吸
光剤が含まれていない。芳香環を有するアルカリ可溶性
高分子化合物およびキノンジアジド化合物としては、前
述した材料が挙げられる。
【００２２】上記第１のフォトレジスト膜４は吸光剤を
含んでいるので、その吸収のために露光光が底部まで届
きにくい。従って、高精度なパターン形成をするために
は、第１のフォトレジスト膜４の感度をその上に重ねる
第２のフォトレジスト膜７の感度よりも高くすることが
望ましい。さらに、第１のフォトレジスト膜４の膜厚を
その上に重ねる第２のフォトレジスト膜７の膜厚よりも
小さくすることが望ましい。
含んでいるので、その吸収のために露光光が底部まで届
きにくい。従って、高精度なパターン形成をするために
は、第１のフォトレジスト膜４の感度をその上に重ねる
第２のフォトレジスト膜７の感度よりも高くすることが
望ましい。さらに、第１のフォトレジスト膜４の膜厚を
その上に重ねる第２のフォトレジスト膜７の膜厚よりも
小さくすることが望ましい。
【００２３】次に、図５に示すように、フォトマスク８
を使って二層のフォトレジスト膜４，７の所望の領域を
ｉ線（波長３６５nm）などの紫外光で露光する。このと
き、吸光剤を多く含んだ第１のフォトレジスト膜４が反
射防止膜として機能するので、Ａｌ膜３の表面での露光
光の反射に起因する定在波効果やハレーションを抑制す
ることができる。
を使って二層のフォトレジスト膜４，７の所望の領域を
ｉ線（波長３６５nm）などの紫外光で露光する。このと
き、吸光剤を多く含んだ第１のフォトレジスト膜４が反
射防止膜として機能するので、Ａｌ膜３の表面での露光
光の反射に起因する定在波効果やハレーションを抑制す
ることができる。
【００２４】次に、図６に示すように、アルカリ現像液
を用いて二層のフォトレジスト膜４，７を１回の現像で
パターン形成する。現像後の第１のフォトレジスト膜４
のパターン寸法は、その上にある第２のフォトレジスト
膜７のパターン寸法以下となることが望ましい。第１の
フォトレジスト膜４は、吸光度が大きく反射防止膜とし
て機能するため、そこでの露光光のプロファイルが悪
い。従って、得られるパターンは矩形になりにくく、そ
の部分の寸法制御性は悪い。これに対して、第２のフォ
トレジスト膜７は、下層に反射防止膜である第１のフォ
トレジスト膜４があり、それ自身の吸光度は小さく、そ
こでの露光プロファイルは良く、反射の影響もない。そ
の結果、得られるパターンは矩形で寸法制御性も良い。
ここで第１のフォトレジスト膜４の寸法が第２のフォト
レジスト膜７の寸法より大きいと、その後に続く配線を
加工するドライエッチングの際に、寸法制御性が悪い第
１のフォトレジスト膜４をマスクとしてエッチングが行
われるので、配線の寸法制御性が低下する。
を用いて二層のフォトレジスト膜４，７を１回の現像で
パターン形成する。現像後の第１のフォトレジスト膜４
のパターン寸法は、その上にある第２のフォトレジスト
膜７のパターン寸法以下となることが望ましい。第１の
フォトレジスト膜４は、吸光度が大きく反射防止膜とし
て機能するため、そこでの露光光のプロファイルが悪
い。従って、得られるパターンは矩形になりにくく、そ
の部分の寸法制御性は悪い。これに対して、第２のフォ
トレジスト膜７は、下層に反射防止膜である第１のフォ
トレジスト膜４があり、それ自身の吸光度は小さく、そ
こでの露光プロファイルは良く、反射の影響もない。そ
の結果、得られるパターンは矩形で寸法制御性も良い。
ここで第１のフォトレジスト膜４の寸法が第２のフォト
レジスト膜７の寸法より大きいと、その後に続く配線を
加工するドライエッチングの際に、寸法制御性が悪い第
１のフォトレジスト膜４をマスクとしてエッチングが行
われるので、配線の寸法制御性が低下する。
【００２５】前述したように、本実施の形態では、第１
のフォトレジスト膜４の感度が第２のフォトレジスト膜
７の感度よりも高いので、現像後のフォトレジスト膜４
の形状は台形であるものの、その寸法は、第２のフォト
レジスト膜７のパターン寸法以下になる。従って、Ａｌ
膜３をドライエッチングする際は、矩形に寸法精度良く
形成された上層の寸法でエッチングされることになる。
その結果、図７に示すように、Ａｌ配線３ａ，３ｂを寸
法精度良くパターン形成することができる。
のフォトレジスト膜４の感度が第２のフォトレジスト膜
７の感度よりも高いので、現像後のフォトレジスト膜４
の形状は台形であるものの、その寸法は、第２のフォト
レジスト膜７のパターン寸法以下になる。従って、Ａｌ
膜３をドライエッチングする際は、矩形に寸法精度良く
形成された上層の寸法でエッチングされることになる。
その結果、図７に示すように、Ａｌ配線３ａ，３ｂを寸
法精度良くパターン形成することができる。
【００２６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２７】第１および第２のフォトレジスト膜は、活
性放射線の照射により酸を発生する化合物、および芳香
環を有する高分子化合物を含み、露光または露光とその
後の加熱処理によりアルカリ可溶性が増大する化学増幅
系のポジ型フォトレジストを使用することもできる。
性放射線の照射により酸を発生する化合物、および芳香
環を有する高分子化合物を含み、露光または露光とその
後の加熱処理によりアルカリ可溶性が増大する化学増幅
系のポジ型フォトレジストを使用することもできる。
【００２８】また、第１のフォトレジスト膜と第２のフ
ォトレジスト膜は、全く異なる材料であってもよい。例
えば第１のフォトレジスト膜として、ポリジメチルグル
タルイミドとキノンジアジド化合物を含む材料を用いて
もよい。
ォトレジスト膜は、全く異なる材料であってもよい。例
えば第１のフォトレジスト膜として、ポリジメチルグル
タルイミドとキノンジアジド化合物を含む材料を用いて
もよい。
【００２９】本発明は、二層レジスト法でレジストパタ
ーンを形成する場合のみならず、三層レジスト法でレジ
ストパターンを形成する場合にも適用することができ
る。
ーンを形成する場合のみならず、三層レジスト法でレジ
ストパターンを形成する場合にも適用することができ
る。
【００３０】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００３１】本発明によれば、多層レジスト法を用いて
レジストパターンを形成する際に、上層のレジスト膜と
下層のレジスト膜との界面にミキシングが生じるのを有
効に防止することができるので、微細なレジストパター
ンを高精度に形成することができる。
レジストパターンを形成する際に、上層のレジスト膜と
下層のレジスト膜との界面にミキシングが生じるのを有
効に防止することができるので、微細なレジストパター
ンを高精度に形成することができる。
【図１】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
置の製造方法を示す半導体ウエハの要部断面図である。
１ 半導体ウエハ ２ 酸化シリコン膜 ３ Ａｌ膜 ３ａ Ａｌ配線 ３ｂ Ａｌ配線 ４ （第１の）フォトレジスト膜 ５ シリル化剤溶液 ６ シリル化層 ７ （第２の）フォトレジスト膜 ８ フォトマスク
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体ウエハ上に被着したフォトレジス
ト膜を露光、現像してフォトレジストパターンを形成す
る工程を有する半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、（ａ）前記半導体ウエハ上に第１のフォトレジスト
膜を被着した後、前記第１のフォトレジスト膜の表面に
不溶化処理を施す工程、（ｂ）前記第１のフォトレジス
ト膜上に第２のフォトレジスト膜を被着した後、前記第
１および第２のフォトレジスト膜を露光、現像する工
程、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記第１のフォトレジスト膜の表面を
液相シリル化法により前記第２のフォトレジストに対し
て不溶化することを特徴とする半導体集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記第１のフォトレジスト膜の溶剤を
シリル化剤中に少量添加することを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載の半導体集積
回路装置の製造方法であって、前記第１のフォトレジス
ト膜は、前記第２のフォトレジスト膜に比べて、露光光
を吸収する物質を多量に含むことを特徴とする半導体集
積回路装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半
導体集積回路装置の製造方法であって、前記第１のフォ
トレジスト膜と前記第２のフォトレジスト膜は、同一の
現像液による現像が可能な材料で構成されていることを
特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の半
導体集積回路装置の製造方法であって、前記第１のフォ
トレジスト膜は、前記第２のフォトレジスト膜に比べ
て、露光光に対する感度が高いことを特徴とする半導体
集積回路装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の半
導体集積回路装置の製造方法であって、前記第１のフォ
トレジスト膜と前記第２のフォトレジスト膜は、芳香環
を有するアルカリ可溶性高分子化合物と、キノンジアジ
ド化合物とを含むポジ型のフォトレジストからなること
を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27138995A JPH09115810A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27138995A JPH09115810A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115810A true JPH09115810A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17499394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27138995A Pending JPH09115810A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09115810A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005140997A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | フォトマスク、及び、パターン形成方法 |
| KR100577785B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2006-05-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법 |
| JP2014067910A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
-
1995
- 1995-10-19 JP JP27138995A patent/JPH09115810A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100577785B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2006-05-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법 |
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| JP4540327B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2010-09-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フォトマスクのパターン形成方法 |
| US7883834B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-02-08 | Renesas Electronics Corporation | Method for forming pattern |
| US8530145B2 (en) | 2003-11-06 | 2013-09-10 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
| JP2014067910A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
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