KR100577785B1 - 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 비교적 얇은 두께로 식각에 대한 내성을 강화시켜 제조비용 및 공정시간을 감소시킬 수 있는 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법을 제공한다.
본 발명에 따라 기판 상에 포토레지스트막을 도포하고, 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 기판의 일부를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 표면처리하여 상기 포토레지스트 패턴의 표면에 보호막을 형성한다. 본 실시예에서, 포토레지스트막은 1.0㎛ 이하의 두께로 형성하고, 포토레지스트 패턴의 표면처리는 HMDS와 같은 물질을 이용하여 진행한다.

Description

액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법{method of forming photoresist layer for liquid crystal display device}
도 1은 포토레지스트막의 구조를 나타낸 도면.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
10 : 기판 11 : 하부층
12 : 포토레지스트막 12A : 포토레지스트막 패턴
100 : HMDS막
본 발명은 액정 표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 비교적 얇은 두께로 식각에 대한 내성을 강화시킬 수 있는 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스형 액정 표시소자(Active Matrix type Liquid Crystal Display Device; AM-LCD)는 고속 응답성을 지니고, 높은 화소 개수를 갖는데 적당 할 뿐만 아니라, 디스플레이 화면의 고화질화, 대형화, 컬러화면화 등을 실현하는데 적합하다. 이러한 액정 표시 소자의 스위칭 소자로서, 급준한 온/오프 특성을 지니는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)가 주로 사용된다.
액정 표시소자의 제조에서, 패턴 형성을 위한 식각의 진행시 식각 마스크로서 일반적으로 고분자 물질로 이루어진 포토레지스트막이 사용된다.
그러나, 상기한 포토레지스트막은 습식식각시 도 1에 도시된 바와 같이, 고분자 사슬(A) 사이의 공극(B)으로 식각액(C)이 침투하여 일부 손상되어 패턴불량을 야기시킨다. 또한, 건식식각시에도 쉽게 식각되어 패턴의 프로파일 및 CD(Critical Dimention) 조절을 어렵게 한다. 따라서, 이러한 점을 감안하여, 포토레지스트막을일정두께, 예컨대 TFT-LCD의 제조시 1.0 내지 1.2㎛의 두께로 형성한다.
그러나, 상기한 포토레지스트막은 토폴로지(topology) 효과를 고려하여 상기한 두께보다 더 두껍게 형성해야 하므로, 포토레지스트막의 소모가 증가할 뿐만 아니라 노광 및 현상시간이 길어지기 때문에 제조비용 및 공정시간이 길어진다. 또한, 두꺼운 포토레지스트막으로 인하여 스컴(scum)등의 불량발생률이 증가하므로별도의 스컴제거 공정이 요구된다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 포토레지스트막을 비교적 얇은 두께로 형성하여도 식각에 대한 내성을 강화시켜 제조비용 및 공정시간을 감소시킬 수 있는 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따라 기판 상에 포토레지스트막을 도포하고, 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 기판의 일부를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 HMDS로 표면 처리하여 상기 포토레지스트 패턴의 표면에 보호막을 형성한다.
본 실시예에서, 포토레지스트막은 1.0㎛ 이하의 두께로 형성한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 소정의 막으로 이루어진 하부층(11)이 형성된 기판(10) 상에 하부층(11)의 패터닝을 위한 식각 마스크를 형성하기 위하여 포토레지스트막 (12)을 도포한다. 이때, 포토레지스트막(12)은 일정두께 이하, 바람직하게 1.0㎛ 이하의 두께로 도포한다.
도 2b를 참조하면, 포토레지스트막(12)을 소프트 베이킹하고 노광 및 현상한 후, 하드 베이킹하여, 하부층(11)의 일부를 노출시키는 포토레지스트 패턴(12A)을 형성한다. 그리고 나서, 포토레지스트 패턴(12A)의 표면을 HMDS(Hexa-Methyl-DI- -Silazane)와 같은 물질을 사용하여 표면처리하여, 포토레지스트 패턴(12A)의 표면에 보호막으로서 HMDS막(100)을 형성한다.
여기서, HMDS는 일반적으로 층간의 접착력을 향상시키기 위하여 사용되는 물질로서, 산성(acid)에 의해 영향을 받지 않으며 염기성 물질과 공존할 때 소량 제거되므로, 상기한 바와 같이, 포토레지스트 패턴(12A)의 표면에 형성하게 되면, 이후 습식식각시 산성물질인 식각액이 포토레지스트 패턴(12A)으로 침투되는 것이 최소화된다. 또한, 이러한 표면처리에 의해, 포토레지스트 패턴 (12A)의 고분자 사슬의 공극이 최소화되므로, 식각액의 침투가 더욱더 감소된다.
그리고 나서, 도시되지는 않았지만, 상기한 바와 같이 표면처리된 포토레지스트 패턴(12A)을 이용하여 하부층(11)을 습식식각한다. 이때, HDMS막(100)에 의해 습식식각에 대한 포토레지스트 패턴(12A)의 손상이 방지된다.
한편, 포토레지스트막(12) 막의 도포전에 하부층(11)을 상기한 바와 같은 HMDS를 이용하여 선택적으로 표면처리할 수 있다.
상기한 본 발명에 의하면, 포토레지스트막을 일정 두께이하로 얇게 형성하더라도 포토레지스트 패턴의 표면에 형성된 HMDS막에 의해 이후 습식식각에 대한 포토레지스트막 패턴의 내성이 향상된다. 이에 따라, 식각액의 침투로 인한 포토레지스트막 패턴의 손상이 방지됨으로써, 패턴불량이 방지된다.
또한, 포토레지스트막의 두께감소에 의해 노광 및 현상시간이 감소되므로 제조비용 및 공정시간이 감소될 뿐만 아니라, 스컴제거를 위한 별도의 공정이 요구되지 않는다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.

Claims (4)

  1. 기판 상에 포토레지스트막을 도포하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 HMDS로 표면 처리하여 상기 포토레지스트 패턴의 표면에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트막은 1.0㎛ 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트막의 도포전에 상기 기판을 HMDS를 이용하여 선택적으로 표면처리하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자의 포토레지스트막 형성방법.
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KR960015705A (ko) * 1994-10-31 1996-05-22 김주용 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법
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